[전자기사 필기] 18년 2회차 기출문제 해설 페이지
대전 도체 표면전하밀도는 도체 표면의 모양에 따라 어떻게 분포하는가?
표면전하밀도는 뾰족할수록 커진다.
표면전하밀도는 평면일 때 가장 크다.
표면전하밀도는 곡률이 크면 작아진다.
표면전하밀도는 표면의 모양과 무관하다.
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Biot-Savart의 법칙에 의하면, 전류소에 의해서 임의의 한 점(P)에 생기는 자계의 세기를 구할 수있다. 다음 중 설명으로 틀린 것은?
자계의 세기는 전류의 크기에 비례한다.
MKS 단위계를 사용할 경우 비례상수는 1/4π이다.
자계의 세기는 전류소와 점 P와의 거리에 반비례한다.
자계의 방향은 전류소 및 이 전류소와 점 P를 연결하는 직선을 포함하는 면에 법선방향이다.
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일정전압의 직류전원에 저항을 접속하여 전류를 흘릴 때, 저항값을 20% 감소시키면 흐르는 전류는 처음 저항에 흐르는 전류의 몇 배가 되는가?
1.0배
1.1배
1.25배
1.5배
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내부도체의 반지름이 a(m)이고, 외부도체의 내반지름이 b(m), 외반지름이 c(m)인 동축케이블의 단위 길이당 자기 인덕턴스는 몇 H/m 인가?
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무한장 솔레노이드에 전류가 흐를 때 발생되는 자장에 관한 설명으로 옳은 것은?
내부 자장은 평등자장이다.
외부 자장은 평등자장이다.
내부 자장의 세기는 0이다.
외부와 내부의 자장의 세기는 같다.
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N회 감긴 환상코일의 단면적이 S(m2)이고 평균 길이가 ℓ(m)이다. 이 코일의 권수를 2배로 늘이고 인덕턴스를 일정하게 하려고 할 때, 다음 중 옳은 것은?
길이를 2배로 한다.
단면적을 1/4로 한다.
비투자율을 1/2배로 한다.
전류의 세기를 4배로 한다.
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x ＞ 0인 영역에 ε1=3인 유전체, x ＜ 0인 영역에 ε2=5인 유전체가 있다. 유전율 ε2인 영역에서 전계가 E2 = 20ax + 30ay - 40az V/m 일 때, 유전율 ε1인 영역에서의 전계 E1(V/m)은?
ax + 30ay - 40az
20ax + 90ay - 40az
100ax + 10ay - 40az
60ax + 30ay - 40az
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자기회로에서 키르히호프의 법칙으로 알맞은 것은? (단, R : 자기저항, ø : 자속, N : 코일 권수, I : 전류이다.)
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전계 
(V/m)의 평면 전자파가 있다. 진공 중에서 자계의 실효값은 몇 A/m 인가?0.707 × 10-3Ee
1.44 × 10-3Ee
2.65 × 10-3Ee
5.37 × 10-3Ee
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공기 중에서 코로나방전이 3.5kV/mm 전계에서 발생된다고 하면, 이 때 도체의 표면에 작용하는 힘은 약 몇 N/m2 인가?
27
54
81
108
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매질 1의 μs1=500, 매질 2의 μs2=1000이다. 매질 2에서 경계면에 대하여 45°의 각도로 자계가 입사한 경우 매질 1에서 경계면과 자계의 각도에 가장 가까운 것은?
20°
30°
60°
80°
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유전율이 ε인 유전체 내에 있는 점전하 Q에서 발산되는 전기력선의 수는 총 몇 개인가?
Q
Q / ε0εs
Q / εs
Q / ε0
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대지의 고유저항이 ρ(Ω∙m)일 때 반지름 a(m)인 그림과 같은 반구 접지극의 접지저항(Ω)은?
ρ / 4πa
ρ / 2πa
2πρ / a
2πρa
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반지름 a(m)의 원형 단면을 가진 도선에 전도전류 ic=Icsin2πft(A)가 흐를 때 변위전류밀도의 최대값 Jd는 몇 A/m2가 되는가? (단, 도전율은 σ(S/m)이고, 비유전율은 εr이다.)
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공기 중에서 1m 간격을 가진 두 개의 평행 도체 전류의 단위길이에 작용하는 힘은 몇 N 인가? (단, 전류는 1A라고 한다.)
2 × 10-7
4 × 10-7
2π × 10-7
4π × 10-7
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전하밀도 ρs(C/m2)인 무한 판상 전하분포에 의한 임의 점의 전장에 대하여 틀린 것은?
전장의 세기는 매질에 따라 변한다.
전장의 세기는 거리 r에 반비례한다.
전장은 판에 수직방향으로만 존재한다.
전장의 세기는 전하밀도 ρs에 비례한다.
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히스테리시스 곡선에서 히스테리시스 손실에 해당하는 것은?
보자력의 크기
잔류자기의 크기
보자력과 잔류자기의 곱
히스테리시스 곡선의 면적
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한 변의 길이가 ℓ(m)인 정사각형 도체 회로에 전류 I(A)를 흘릴 때 회로의 중심점에서 자계의 세기는 몇 AT/m 인가?
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무한장 직선 전류에 의한 자계의 세기(AT/m)는?
거리 r에 비례한다.
거리 r2에 비례한다.
거리 r에 반비례한다.
거리 r2에 반비례한다.
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다음 (가), (나)에 대한 법칙으로 알맞은 것은?
(가)패러데이의 법칙, (나)렌츠의 법칙
(가)렌츠의 법칙, (나)패러데이의 법칙
(가)플레밍의 왼손법칙, (나)패러데이의 법칙
(가)패러데이의 법칙, (나)플레밍의 왼손법칙
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그림과 같은 회로에서 최대 전력이 공급되기 위한 복소임피던스(ZL)의 값은?
20+j20
20-j20
100+j100
100-j100
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인덕턴스 0.01H의 코일에 전압 100V인 교류신호를 가하였을 때 이 코일에 흐르는 전류는 몇 A 인가? (단, 주파수는 50㎐이다.)
28.8 ∠ 90°
28.8 ∠ -90°
31.8 ∠ 90°
31.8 ∠ -90°
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단위 세기의 임펄스 함수인 δ(t)의 Fourier 변환은?
0
1
1 / jω
ejωt
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2개의 4단자 회로를 연결했을 때 전체 임피던스 파라미터가 각각의 임피던스 파라미터의 합으로 표시되었다면 2개의 4단자 회로에 연결 상태로 옳은 것은?
병렬 접속되어 있다.
직렬 접속되어 있다.
직병렬 접속되어 있다.
단락상태로 되어 있다.
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t=0일 때 스위치를 닫으면 C에 걸리는 전압의 과도현상을 올바르게 표현한 것은?
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에서 정저항 회로가 되기 위한 조건으로 옳은 것은? (단, A0, A1, B0, B1은 ω의 함수로 실수이다.)A0B0 = A1B1
A0A1 = B0B1
A0B1 = A1B0
항상 정저항 회로이다.
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컨덕턴스가 G = G0 + 2G1cosω0t인 회로에 정현파 전압 V = V0ejωt을 인가할 때, 전류의 주파수 성분이 아닌 것은?
ω
ω - ω0
ω + ω0
ω × ω0
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내부 임피던스가 순저항 50Ω인 전원과 450Ω의 순저항 부하 사이에 임피던스 정합을 위한 이상변압기의 권선비 N1 : N2는?
1 : 2
1 : 3
2 : 3
1 : 4
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다음 그림의 회로망에서 V1(t) = e-2tu(t)일 때 V2(t)는? (단, 콘덴서는 미리 충전되어 있지 않다.)
(e-t - e-2t)u(t)
u(t)
(e-t + e-2t)u(t)
u(t)
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이상변압기의 합성인덕턴스는 얼마인가?
24[H]
36[H]
54[H]
68[H]
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단위 계단함수 u(t)을 라플라스 변환하면?
1
1/s
s
ts
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두 개의 코일 L1과 L2을 동일방향으로 직렬 접속하였을 때 합성인덕턴스가 100mH이고, 반대방향으로 접속 하였더니 합성인덕턴스가 40mH 였다. 이때, L1=60mH이면 결합계수(K)는 약 얼마인가?
0.5
0.6
0.7
0.8
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회로에서 스위치가 오랫동안 개방되어 있다가 t=0에 닫았을 때 바로 직후의 vL(0+)과 vC(0+)로 적절한 것은? (단, t＜0 에서 vC=3V이다.)
vL(0+)=2V, vC(0+)=3V
vL(0+)=0V, vC(0+)=0V
vL(0+)=0V, vC(0+)=3V
vL(0+)=2V, vC(0+)=0V
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다음 회로를 테브난의 등가회로로 변환하였을 때, 개방 단자전압(Vab)은 몇 V 인가?
2V
3V
4V
5V
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어떤 회로에서 단자전압이 v=40sinωt+20sin(2ωt+30°)+10sin(3ωt+60°)일 때 실효치는 약 얼마인가?
3.24
32.4
4.58
45.8
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위상 정수 β가 π/2 [rad/m]인 선로에 대해 10[MHz]의 주파수를 인가한 경우 위상 속도 v[m/s]와 파장 λ[m]을 구하면?
v = 4 × 107, λ = 4
v = 8 × 107, λ = 8
v = 4 × 107, λ = π/4
v = 8 × 107, λ = π/2
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다음 그림과 같은 RLC 병렬공진회로에서 공진주파수(fr)은?
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다음 T형 회로에 대한 임피던스 파라미터인 개방 순방향 전달 임피던스(Z21)의 값으로 옳은 것은?
3
4
5
7
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라플라스 변환식 
의 역변환은?e-t sin2t
e-t sint
e-2t sin7t
e-2t sin5t
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다음 그림과 쌍대가 되는 회로는?
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전력증폭기에 대한 설명으로 옳은 것은?
C급의 효율은 70~90% 정도이다.
전력효율(η)은 (교류출력÷교류입력)×100%이다.
최대 컬렉터손실이란 트랜지스터의 내부에서 빛에너지로 소비되는 최대전력을 말한다.
A급의 효율이 가장 낮아 전력증폭기에는 사용하지 못하고 단지 반송파 증폭이나 체배용으로 사용을 한다.
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전계효과트랜지스터(FET) 소신호 모델에서 전달 컨덕턴스(gm)은?
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브리지 전파정류회로에서 출력전압 VO의 전압은 몇 V 인가? (단, AC 입력 전압 Vin은 실효값이 220V이다.)
220[V]
311[V]
440[V]
560[V]
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다음 전감산기의 진리표에서 출력차(D)와 자리빌림수(B)는?
㉠ : 0, ㉡ : 1, ㉢ : 0, ㉣ : 1
㉠ : 1, ㉡ : 0, ㉢ : 0, ㉣ : 1
㉠ : 1, ㉡ : 0, ㉢ : 1, ㉣ : 0
㉠ : 1, ㉡ : 0, ㉢ : 0, ㉣ : 0
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그림과 같은 증폭기 회로에서 트랜지스터 Q3의 용도로 올바르게 표현한 것은?
트랜지스터 Q1과 Q2의 온도보상용
트랜지스터 Q1과 Q2의 바이어스 안정용
트랜지스터 Q1과 Q2의 구동용
트랜지스터 Q1과 Q2의 증폭도 안정용
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공통 베이스 증폭기의 특징이 아닌 것은?
전압이득이 아주 크기 때문에 단독으로 전압증폭기를 사용한다.
전류이득은 1에 가까운 값을 가진다.
매우 작은 입력저항을 가진다.
소신호 출력저항이 매우 크다.
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그림과 같은 플립플롭의 입력단자 T에 클록펄스가 인가될 경우 출력 (Q(t+1))은? (단, 현재 값을 Q(t)로 가정한다.)
T=0일 때 출력 상태는 현재 값을 반전시켜 출력한다.
T=0일 때 출력은 알 수가 없다.
T=1일 때 출력은 현재 값을 유지하여 출력한다.
T=1일 때 출력 상태는 현재 값을 반전시켜 출력한다.
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슈미트 트리거 회로에 관한 설명 중 틀린 것은?
입력과 출력 전압을 비교하는 전압 비교 회로에 이용된다.
입력 전압의 크기에 따라서 2개 트랜지스터 출력의 on, off를 번갈아 가며 안정상태를 유지하는 쌍안정 회로에 이용된다.
입력의 아날로그 신호를 출력에서는 디지털신호로 변환하므로, A/D 변환 회로에 이용된다.
입력 신호의 파형은 주로 펄스 파형을 사용하고 가끔씩 정현파 교류전압을 사용한다.
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다음 그림과 같은 연산 증폭기의 기능은 무엇인가?
미분회로
가산회로
감산회로
적분회로
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다음 논리회로를 간략화 한 논리회로는?
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다이오드를 사용한 정류회로에서 여러 개의 다이오드를 직렬로 연결사용하여 얻어지는 효과로 가장 올바른 것은?
다이오드의 내부 전압강하를 감소시킬 수 있다.
리플을 감소시킨다.
다이오드를 과도전압으로부터 보호할 수 있다.
전류용량을 증가시킨다.
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다음 회로에서 그림과 같은 파형이 입력되었을 때 출력파형의 형태는?
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다음과 같은 DTL 논리 회로의 게이트 기능은?
NAND
NOR
AND
NOT
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반파 정류된 파형의 평균값은? (단, 입력 전압은 Vp가 1V인 정현파로 가정한다.)
1V / π
√2 V / π
2V / π
3V / π
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귀환회로에 관한 설명으로 틀린 것은?
귀환 증폭기의 폐루프 이득이 귀환율에 의해 결정된다.
귀환회로에 의해서 결정되는 안정된 폐루프 이득을 갖게 된다.
출력과 귀환신호의 비를 귀환율이라 한다.
부귀환 증폭기는 출력신호의 위상이 입력신호의 위상과 동위상인 시스템이다.
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트랜지스터의 스위칭 작용에 의해서 발생된 펄스 파형에서 turn-on 시간은?
하강시간
상승시간 + 지연시간
축적시간 + 하강시간
축적시간
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적분회로로 사용이 가능한 회로는?
고역통과 RC 회로
대역통과 RC 회로
대역소거 RC 회로
저역통과 RC 회로
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다음 회로에서 VCE = 6.5V이 되기 위한 귀환 저항기(Rb)의 값으로 가장 적당한 것은? (단, 여기서 VBE=0.7V, β=100이다.)
약 129㏀
약 275㏀
약 319㏀
약 421㏀
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수정발진기는 수정의 임피던스가 어떠한 성질을 가지게 될 때 가장 안정된 발진을 계속하는가?
저항성
근접성
유도성
표유 용량성
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PLL(phase locked loop)주파수 합성기(frequency synthesizer)의 주요 성능 평가 파라미터에 속하지 않는 것은?
동기성능
위상잡음
의사잡음
루프이득
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어떠한 물질에서 전자를 방출시키는 직접적인 방법으로 틀린 것은?
그 물질을 압축시킨다.
그 물질에 빛을 조사한다.
그 물질에 전자를 충돌시킨다.
그 물질에 열을 가한다.
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도체 또는 반도체에서 Hall 기전력 VH2, 전류밀도(J) 및 자계(B)사이의 관계를 나타내는 것 중 가장 적절한 것은? (단, RH는 상수이다.)
VH = RH⋅B⋅J
VH = RH⋅B/J
VH = RH⋅J/B
VH = RH / B⋅J
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pnp 트랜지스터의 이미터 효율을 정의한 것은?
정공전류성분 / 정공전류성분 + 전자전류성분
전자전류성분 / 정공전류성분 + 전자전류성분
정공전류성분 + 전자전류성분 / 정공전류성분
정공전류성분 + 전자전류성분
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반도체는 절대온도 0[K]에서 절연체, 상온에서 절연체와 도체의 중간적 성질을 가진다. 만일 불순물의 농도가 증가하였을 때, 도전율(σ)과 고유저항(ρ)은 어떻게 되는가?
도전율(σ)은 감소하고 고유저항(ρ)은 증가한다.
도전율(σ)은 증가하고 고유저항(ρ)은 감소한다.
도전율(σ)과 고유저항(ρ) 모두 증가한다.
도전율(σ)과 고유저항(ρ) 모두 증가한다.
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다음 보기의 설명이 나타내는 것은?
보어의 이론
빈의 변위법칙
파울리의 배타율
에너지 보존법칙
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외인성 반도체(n형)에서 도너(Donor) 에너지 레벨의 위치는?
전도대 바로 아래에 위치해 있다.
가전자대 바로 아래에 위치해 있다.
금지대 바로 아래에 위치해 있다.
전도대 중앙에 위치해 있다.
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진성 반도체에서 Ge의 진성 캐리어 밀도는 상온에서 Si보다 높다. 그 이유의 설명으로 가장 적합한 것은?
Si의 에너지 갭이 Ge의 에너지 갭보다 좁기 때문이다.
Ge의 에너지 갭이 Si의 에너지 갭보다 좁기 때문이다.
Ge의 캐리어 이동도가 Si보다 작기 때문이다.
Ge의 캐리어 이동도가 Si보다 크기 때문이다.
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반도체의 특성에 관한 설명 중 틀린 것은?
정의 온도계수를 갖는다.
자기효과를 갖는다.
불순물 첨가에 의한 저항률이 변한다.
금속과의 접촉 및 다른 종류의 반도체와의 접합에서 정류작용을 한다.
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원자에서 최외각전자 1개를 떼어낼 때 필요한 에너지, 즉 전자를 떼어서 무한대 거리까지 가져가는데 필요한 에너지는 무엇인가?
운동에너지
위치에너지
이온화에너지
광자의 에너지
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다음과 같은 원리와 관계되는 것은?
홀 효과(Hall effect)
콤프턴 효과(Compton effect)
쇼트키 효과(Schottky effect)
흑체방사(black body radiation)
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2×104[m/s]의 속도로 운동하는 전자의 드-브로이(de Broglie) 파장은? (단, 프랑크 상수는 6.626 × 10-34[J·s], 전자의 질량은 9.1 × 10-31[kg]이다.)
1.21 × 10-16 [m]
1.82 × 10-26 [m]
1.64 × 1034 [m]
3.64 × 10-8 [m]
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저온에서 반도체 내의 캐리어(carrier) 에너지 분포를 나타내는데 가장 적절한 것은?
2차 분포함수
Fermi-Dirac 분포함수
Bose-Einstein 분포함수
Maxwell-Boltzmann 분포함수
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다음 중 Pauli의 배타율 원리가 만족되는 분포함수는?
Maxwell-Boltzmann
Fermi-Dirac
Schrödinger
Einstein
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MOSFET의 채널폭이 공픽층 길이와 거의 같은 크기일 때, 필드 산화막 아래에서 축적된 전하에 의해 문턱전압이 증가하는 효과를 무엇이라고 하는가?
Kirk 효과
감압효과
협폭효과
터널효과
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n 채널 전계 효과 트랜지스터에 흐르는 전류는 주로 어느 현상에 의한 것인가?
전자의 확산 현상
정공의 확산 현상
정공의 드리프트 현상
전자의 드리프트 현상
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가전자대의 전자밀도가 1022[m-3]인 금속에 전류밀도가 106[A/m2]인 전류가 흐른다면 드리프트 속도는?
6.25 × 104m/s]
6.25 × 10-4[m/s]
6.25 × 102[m/s]
6.25 × 10-2[m/s]
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열평형 상태인 pn접합 다이오드에서 p영역의 전자밀도를 np 라 하면, n영역의 전자농도 nn은? (단, VO는 전위장벽, K는 볼츠만 상수, T는 절대온도이다.)
nn = npe-(qVo/kT)
nn = npln()
nn = npln()
nn = npeqVo/kT
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건(Gunn) 다이오드에서 부성저항이 생기는 원인은?
캐리어농도의 전압의존성
캐리어농도의 온도의존성
유효질량의 온도의존성
유효질량의 전압의존성
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pn접합 다이오드에 역바이어스 전압을 인가할 때 나타나는 현상에 관한 설명 중 옳은 것은? (단, 브레이크다운 전압(breakdown voltage) 보다는 낮은 범위이다.)
이온화된 도너와 억셉터 이온이 작아진다.
공핍층이 더 넓어진다.
공핍층이 좁아진다.
공핍층이 없어진다.
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태양광을 DC 전기에너지로 변환하는데 사용하는 반도체 pn접합 소자를 무엇이라 하는가?
배리스터
태양전지
플래시 메모리
레이저 다이오드
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레지스터에 내에 저장된 어떤 수를 2배, 4배, 8배 등의 2의 승수에 해당하는 배수를 구할 때 사용할 수 있는 가장 효율적인 연산자는?
Complement
Rotate
Shift
Move
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1024 × 16 비트의 주기억장치를 가진 컴퓨터에서 MAR(Memory Address Register)과 MBR(Memory Buffer Register)의 비트 수는?
MAR=6bits, MBR=10bits
MAR=10bits, MBR=6bits
MAR=10bits, MBR=16bits
MAR=18bits, MBR=10bits
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FIFO 구조를 가지는 자료의 구조는?
QUEUE
STACK
TREE
GRAPH
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메모리에 관한 설명으로 가장 옳지 않은 것은?
캐시메모리는 주로 주기억장치만으로 부족한 용량을 보조하기 위한 용도로 사용된다.
RAM은 휘발성 메모리이다.
ROM은 읽기 전용 메모리이다.
Dynamic RAM은 주기적인 재충전(Refresh)이 필요한 메모리이다.
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입출력 장치의 인터럽트 신호공급 방식이 아닌것은?
폴링(polling) 방식
데이지 체인(daisy chain) 방식
메모리 어드레스 레지스터(memory address register) 방식
벡터 인터럽트(vector interrupt) 방식
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입출력장치에서의 자료처리 방법에 대한 설명으로 가장 옳지 않은 것은?
DMA방식은 입출력장치가 CPU를 거치지 않고 직접 메모리에 연결하여 필요한 정보를 서비스 받는 방식이다.
인터럽트 입출력 방식은 CPU가 입출력 상태를 항상 선별하여 정보전송을 하는 방식이다.
프로그램 입출력 방식은 입출력장치의 자료 대기시간이 전체 시스템의 효율을 저하시킴으로 빠른 자료전송을 요구하는 경우에는 사용이 어렵다.
DMA는 Direct Memory Access의 약어이다.
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어셈블리 언어에서 서브루틴을 사용할 때 미리 고려할 사항으로 가장 옳지 않은 것은?
스택 영역을 확보한다.
스택포인터를 초기화한다.
레지스터의 중복 사용을 가능한 배제한다.
서브루틴 실행 후 복귀(return)할 번지를 프로그래머가 사전에 결정한다.
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CPU의 명령어 구성에서 연산코드(OP코드) 필드가 8 비트라면 총 몇 개의 명령어를 수행할 수 있는가?
64
128
256
512
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니모닉코드로 나타나 있는 명령어를 기계가 알 수 있는 2진수로 변환하는 기능을 하는 프로그램은?
Assembler
Compiler
Interpreter
Processor
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스택(Stack)의 설명으로 가장 옳지 않은 것은?
주로 0-주소(Zero-Address) 명령어를 수행하기 위한 자료구조로 사용된다.
길이가 가변적이다.
LIFO(Last In First Out)의 특징을 갖는다.
스택의 탑(Top)에 데이터를 입력하는 동작을 POP이라 한다.
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데이터 인출(Data Fetch)을 위해서 메모리를 참조할 필요가 없는 명령어의 주소지정방식은?
직접 주소지정(Direct Addressing)
간접 주소지정(Indirect Addressing)
레지스터 주소지정(Register Addressing)
즉시 주소지정(Immediate Addressing)
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CPU의 내부구조를 나타내는 레지스터 중 메모리로부터 읽은 명령어를 보관하는 레지스터는?
ALU(Arithmetic Logic Unit)
IR(Instruction Register)
PC(Program Counter)
MAR(Memory Address Register)
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CPU의 연산장치에 속하는 레지스터가 아닌것은?
프로그램 카운터
누산기
시프트 레지스터
가산기
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컴파일러에 의해 컴파일 된 목적프로그램의 설명으로 가장 옳은 것은?
사용자가 이해하기 쉬운 프로그램이다.
어셈블러를 거쳐서 기계어로 번역된 프로그램이다.
CPU가 직접 해독 할 수 없다.
고급 언어에 해당하며 객체 지향적인 프로그램이다.
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마스크(mask)를 이용하여 비수치 데이터의 불필요한 부분을 제거하는데 사용하는 연산은?
AND
OR
EX-OR
NOR
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다음의 프로그래밍 언어 중 객체지향 언어에 속하지 않는 것은?
JAVA
C#
PASCAL
Smalltalk
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컴파일러에서 하나의 프로그램이 처리되는 과정을 옳게 나열한 것은?
번역 → 적재 → 실행
번역 → 실행 → 적재
적재 → 실행 → 번역
적재 → 번역 → 실행
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마이크로프로세서의 특징이라고 볼 수 없는 것은?
뛰어난 처리 속도
설계상 변화가 용이
구조 변경의 어려움
TTL과 ECL 사용
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(42)10를 8비트 2진수로 나타낸 경우 1비트 산술적 우측 시프트 하였을 때의 값을 10진수로 나타내면?
20
21
84
85
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다음 논리도가 나타내는 회로는?
half-adder
full-adder
half-subtracter
full-subtracter
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