건(Gunn) 다이오드에서 부성저항이 생기는 원인은? | [전자기사 필기] 18년 2회차 기출문제 상세 페이지

건 다이오드의 부성저항은 유효질량의 전압(전계) 의존성 때문에 생긴다.
GaAs 에서 전계가 임계값을 넘으면 전자가 유효질량이 작고 이동도가 큰 골에서 유효질량이 크고 이동도가 작은 골로 옮겨 가 평균 속도가 감소하고, 이것이 부성저항으로 나타난다.
다른 보기가 맞지 않는 이유는 다음과 같다.
캐리어농도의 전압의존성이라는 보기는 틀리다. 전자 수는 도핑으로 정해져 있고 골 사이 이동으로 이동도가 변한다.
캐리어농도의 온도의존성이라는 보기는 틀리다. 부성저항은 온도가 아니라 인가 전계에 의한 현상이다.
유효질량의 온도의존성이라는 보기는 틀리다. 골 사이 전이를 일으키는 것은 온도가 아니라 전계이다.