도체 또는 반도체에서 Hall 기전력 VH2, 전류밀도(J) 및 자계(… | [전자기사 필기] 18년 2회차 기출문제 상세 페이지
1[전자기사 필기] 18년 2회차
도체 또는 반도체에서 Hall 기전력 VH2, 전류밀도(J) 및 자계(B)사이의 관계를 나타내는 것 중 가장 적절한 것은? (단, RH는 상수이다.)
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VH = RH⋅B⋅J
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VH = RH⋅B/J
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VH = RH⋅J/B
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VH = RH / B⋅J
해설
Hall 기전력은 홀 계수(RH), 자계(B), 전류밀도(J)의 곱으로 표현되므로 VH = RH⋅B⋅J의 관계식이 성립한다.
도체나 반도체에 수직 방향의 자계가 가해지면 전류를 흐르는 전하 캐리어가 로렌츠 힘을 받아 한쪽 방향으로 편향되고, 이에 따라 수직 방향에 기전력이 발생한다. 이 Hall 기전력의 크기는 자계의 크기와 전류밀도에 정비례하며, 홀 계수는 재료의 특성을 나타내는 상수이다.
다른 보기들은 물리량 간의 차원 분석에 맞지 않는다(예: VH = RH⋅B/J는 J로 나누어 전류밀도와의 관계가 역상관이 되므로 부적절).
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