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1[전자기사 필기] 18년 2회차
진성 반도체에서 Ge의 진성 캐리어 밀도는 상온에서 Si보다 높다. 그 이유의 설명으로 가장 적합한 것은?
1
Si의 에너지 갭이 Ge의 에너지 갭보다 좁기 때문이다.
2
Ge의 에너지 갭이 Si의 에너지 갭보다 좁기 때문이다.
3
Ge의 캐리어 이동도가 Si보다 작기 때문이다.
4
Ge의 캐리어 이동도가 Si보다 크기 때문이다.
해설
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