진성 반도체에서 Ge의 진성 캐리어 밀도는 상온에서 Si보다 높다. 그 이유의 설명으로 가장 적합한 것은?
1Si의 에너지 갭이 Ge의 에너지 갭보다 좁기 때문이다.
2Ge의 에너지 갭이 Si의 에너지 갭보다 좁기 때문이다.
3Ge의 캐리어 이동도가 Si보다 작기 때문이다.
4Ge의 캐리어 이동도가 Si보다 크기 때문이다.
해설
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