[전자기사 필기] 17년 1회차 기출문제 정답·해설 페이지

기자력은 코일 감은 횟수와 전류의 곱이므로 900 AT 이다.
$F=NI$
$F=300\times 3=900\ \mathrm{[AT]}$
나머지 보기는 계산값과 다르다.
10 은 계산값과 다르다.
90 은 계산값과 다르다.
100 은 계산값과 다르다.

미분형 옴의 법칙은 i = E/ρ 또는 i = σE(σ는 전도율, σ=1/ρ)로 표시되며, 여기서 i는 전류밀도 벡터, E는 전계 벡터, ρ는 저항률이다. 옴의 법칙의 적분형(거시형)은 V=IR이며, 이를 미분형(국소형)으로 표현하면 전류밀도와 전계의 관계식으로 나타난다.
i=ρE: 저항률이 분자에 있어 크기 관계가 반대이다.
i=divE, i=∇×E: 발산(div)과 회전(curl) 연산자를 잘못 적용한 것이다.
따라서 정답은 이미지로 표시된 i = E/ρ이다.

공기 콘덴서의 간격 절반에 유리판을 넣으면 공기층과 유리층이 직렬이 되어 용량은 약 0.36 μF 이다.
$C_0=0.2\ \mu\mathrm{F}$ 이면 간격이 절반인 공기층은 $2C_0=0.4\ \mu\mathrm{F}$ 이다.
간격이 절반인 유리층은 $2\varepsilon_r C_0=2\times 10\times 0.2=4\ \mu\mathrm{F}$ 이다.
직렬 합성: $C=\dfrac{0.4\times 4}{0.4+4}\approx 0.36\ \mu\mathrm{F}$
나머지 보기는 계산값과 다르다.
0.26 은 계산값과 다르다.
0.46 은 계산값과 다르다.
0.56 은 계산값과 다르다.

기계적 변형력을 가할 때 결정체 표면에 전위차가 생기는 현상은 압전 효과이다.
압전 효과는 결정에 압력이나 변형을 주면 분극이 생겨 양 표면에 전위차가 나타나는 현상이다. 반대로 전압을 가하면 결정이 변형되는 역효과도 있다.
나머지 보기는 다른 현상이다.
볼타 효과는 서로 다른 금속이 접촉할 때 접촉 전위차가 생기는 현상이다.
전계 효과는 전계로 반도체 내 전도도를 제어하는 현상이다.
파이로 효과는 온도 변화로 결정에 분극이 생기는 초전 현상으로, 기계적 변형이 원인이 아니다.

콘덴서 직렬 접속에 대해 옳지 않은 것은 합성 정전용량이 각 정전용량의 합과 같다는 서술이다.
직렬 접속의 합성 용량은 $\dfrac{1}{C}=\dfrac{1}{C_1}+\dfrac{1}{C_2}$ 이며, 용량의 합은 병렬 접속의 합성 용량이다.
나머지는 모두 직렬 접속에 대해 옳은 내용이다.
정전용량이 작은 콘덴서에 전압이 많이 걸린다는 서술은 전하량이 같아 $V=\dfrac{Q}{C}$ 에서 $C$ 가 작을수록 $V$ 가 커지는 관계와 같다.
합성 정전용량이 각 정전용량보다 작아진다는 서술은 역수의 합에서 얻는 결과와 같다.
각 콘덴서 전극에 정ㆍ부 동일한 전하가 유도되고 전하량이 같다는 서술은 직렬 접속의 성질이다.

자계가 일정한 공간 내에서 폐회로가 운동할 때, 회로가 자계 영역을 가로지르면서 자속이 변화하므로 유도기전력이 발생한다.
권선수의 제곱에 비례한다(오류): 유도기전력은 패러데이 법칙에 따라 자속의 시간 변화율에 비례하며, 유도기전력의 크기는 $|\varepsilon| = -N\frac{d\Phi}{dt}$로 표현되므로 권선수 N에는 1차로 비례한다.
렌츠의 법칙이 크기를 결정한다(거짓): 렌츠의 법칙은 유도기전력의 방향을 결정하는 법칙이지 크기를 결정하지 않는다.
전계가 일정한 공간에서의 운동(오류): 폐회로를 지나는 전기선속은 변하지 않으므로 유도기전력이 유도되지 않으며, 전자기유도는 자속 변화에만 의존한다.

정사각형 중심의 전위는 네 점전하가 만드는 전위의 합으로 36 V 이다.
한 변이 $\sqrt{2}\ \mathrm{m}$ 이면 대각선은 $2\ \mathrm{m}$ 이고, 중심에서 꼭짓점까지의 거리는 $r=1\ \mathrm{m}$ 이다.
$V=4\times \dfrac{1}{4\pi\varepsilon_0}\dfrac{Q}{r}=4\times 9\times 10^{9}\times \dfrac{10^{-9}}{1}=36\ \mathrm{[V]}$
나머지 보기는 계산값과 다르다.
0 은 계산값과 다르다. 같은 부호의 전하들이 만드는 전위는 서로 상쇄되지 않고 더해진다.
18 은 계산값과 다르다.
72 는 계산값과 다르다.

도체판이 무한히 넓으므로 실제 점에서 경험하는 전계는 도체판 표면 바로 근처 한쪽 면에서의 전계로서 ρₛ/2ε₀이다. 이는 면전하 밀도에 의한 전계가 도체판의 거리에 무관하게 일정한 균일장이기 때문이다.
무한 도체판의 표면전하로부터 생기는 전계는 가우스 법칙을 적용하여 구한다. 도체판의 한쪽 면에서 수직으로 거리 R만큼 떨어진 점에서, 폐곡면(도체판을 관통하는 원기둥)을 설정하면 도체 내부는 전계가 0이므로 도체판 바깥쪽 면적 A인 원판 부분에서만 전기선이 나간다.
가우스 법칙 $\oint \vec{E} \cdot d\vec{A} = \frac{Q_{enc}}{\epsilon_0}$에서 $E \cdot A = \frac{\rho_s \cdot A}{\epsilon_0}$이므로, 정리하면 $E = \frac{\rho_s}{\epsilon_0}$이다. 그런데 이는 도체판 바깥의 한쪽 방향만 고려한 값이다.

결합계수에 대해 틀린 것은 K=1 이 상호 자속이 전혀 없는 경우라는 서술이다.
K=1 은 한 코일의 자속이 모두 다른 코일과 쇄교하는 완전 결합으로, 누설 자속이 없는 경우이다. 상호 자속이 없는 경우는 K=0 이다.
나머지는 모두 옳은 내용이다.
K=0 이 유도 결합이 전혀 없는 경우라는 서술은 상호 인덕턴스가 0 인 경우와 같다.
K=1 이 누설 자속이 없는 경우라는 서술은 완전 결합의 정의와 같다.
결합계수가 0 과 1 사이의 값을 갖는다는 서술은 $k=\dfrac{M}{\sqrt{L_1L_2}}$ 의 범위와 같다.

4단자 정수 중 어드미턴스의 차원을 갖는 것은 C 이다.
$V_1=AV_2+BI_2$, $I_1=CV_2+DI_2$ 에서 $C=\dfrac{I_1}{V_2}$ 이므로 전류를 전압으로 나눈 어드미턴스 차원이다.
나머지 정수는 어드미턴스 차원이 아니다.
A 는 전압을 전압으로 나눈 값이므로 차원이 없다.
B 는 전압을 전류로 나눈 값이므로 임피던스 차원이다.
D 는 전류를 전류로 나눈 값이므로 차원이 없다.

이상 결합은 결합계수 $k=1$ 이므로 상호 인덕턴스는 약 7.1 mH 이다.
$M=k\sqrt{L_1L_2}$
$M=1\times \sqrt{5\times 10}=\sqrt{50}\approx 7.1\ \mathrm{[mH]}$
나머지 보기는 계산값과 다르다.
11.2 는 계산값과 다르다.
14.1 은 계산값과 다르다.
15 는 계산값과 다르다.

상수 1 의 라플라스 역변환은 단위 임펄스 함수 $\delta(t)$ 이다.
$\mathcal{L}[\delta(t)]=1$ 이므로 역변환하면 $\delta(t)$ 이다.
나머지 보기는 다른 변환쌍이다.
$u(t)$ 의 라플라스 변환은 $\dfrac{1}{s}$ 이다.
$t$ 의 라플라스 변환은 $\dfrac{1}{s^2}$ 이다.
$r(t)$ 는 램프 함수 $t\,u(t)$ 이며, 라플라스 변환은 $\dfrac{1}{s^2}$ 이다.

공진 상태에 대한 설명으로 옳은 것은 직렬 공진회로에서 전류가 최대가 된다는 서술이다.
직렬 공진에서는 리액턴스가 상쇄되어 임피던스가 저항뿐이므로 최소가 되고, 전류는 $I=\dfrac{V}{R}$ 로 최대가 된다.
나머지 보기는 공진 상태와 맞지 않는다.
전압과 전류의 위상차 45° 는 반전력(차단) 주파수에서의 값이다. 공진에서는 위상차가 0 이다.
공진에서는 위상차가 0 이므로 역률이 1 이다. 역률 0.5 상태가 아니다.
공진에서는 최대 전력이 전달되므로, 최대 전력의 0.5 배만 전달된다는 서술은 틀리다.

용량성 리액턴스는 3.75 Ω 이다.
직류에서는 커패시터가 개방이므로 $R=\dfrac{10}{2}=5\ \Omega$ 이다.
교류에서 $|Y|=\dfrac{10}{30}=\dfrac{1}{3}\ \mathrm{S}$ 이고 $|Y|^2=\dfrac{1}{R^2}+\dfrac{1}{X_C^2}$ 이다.
$\dfrac{1}{X_C^2}=\dfrac{1}{9}-\dfrac{1}{25}=\dfrac{16}{225}$, $X_C=\dfrac{15}{4}=3.75\ \Omega$
나머지 보기는 계산값과 다르다.
3 은 계산값과 다르다.
5 는 저항값일 뿐 용량성 리액턴스의 계산값과 다르다.
7.5 는 계산값과 다르다.

60 Hz 에서 5 Ω 의 리액턴스를 갖는 인덕턴스와 정전용량은 L 약 13 mH, C 약 531 μF 이다.
$\omega=2\pi\times 60\approx 377\ \mathrm{rad/s}$
$L=\dfrac{X_L}{\omega}=\dfrac{5}{377}\approx 13.3\ \mathrm{[mH]}$
$C=\dfrac{1}{\omega X_C}=\dfrac{1}{377\times 5}\approx 530.5\ \mathrm{[\mu F]}$ 이므로 정수로 반올림하면 $531\ \mathrm{[\mu F]}$
나머지 보기는 계산값과 다르다.
L=6, C=661 은 계산값과 다르다.
L=7, C=770 은 계산값과 다르다.
L=12, C=480 은 계산값과 다르다.

무효율은 무효전력을 피상전력으로 나눈 값으로 0.6 이다.
$P_a=\sqrt{40^2+30^2}=50\ \mathrm{[VA]}$
$\sin\theta=\dfrac{Q}{P_a}=\dfrac{30}{50}=0.6$
나머지 보기는 무효율과 다른 값이다.
0.75 는 무효전력을 유효전력으로 나눈 값이며 무효율의 계산값과 다르다.
0.8 은 유효전력을 피상전력으로 나눈 역률이며 무효율의 계산값과 다르다.
1 은 순수 무효 회로일 때의 무효율이며 계산값과 다르다.

C급 전력증폭기의 효율은 A급, B급, AB급보다 우수하다.
C급은 도통각이 180° 보다 작아 컬렉터 전류가 흐르는 시간이 짧으므로 소비 전력이 적고 효율이 가장 높다. 대신 출력 파형 왜곡이 크다.
나머지 보기는 효율의 순서와 맞지 않는다.
AB급보다 떨어진다는 서술은 C급이 AB급보다 높은 효율을 내므로 틀리다.
A급보다 떨어진다는 서술은 C급이 A급보다 높은 효율을 내므로 틀리다.
B급보다 떨어진다는 서술은 C급이 B급보다 높은 효율을 내므로 틀리다.

M/S 플립플롭은 레이스(Race) 현상을 해결하기 위한 회로이다.
클록 펄스가 유지되는 동안 출력이 입력으로 되먹임되면 출력이 계속 바뀌는 레이스 현상이 생긴다. 마스터-슬레이브 구조는 마스터와 슬레이브를 서로 반대 위상 클록으로 동작시켜 이를 막는다.
나머지 보기는 해결 대상이 아니다.
지연(Delay) 현상은 M/S 구조로 없애는 문제가 아니다.
세트(Set) 현상은 플립플롭의 정상 입력 동작이며 해결할 대상이 아니다.
토글(Toggle) 현상은 J=K=1 일 때의 정상 동작이며 해결할 대상이 아니다.

윈 브리지 발진기는 RC 회로를 이용한 저주파 발진기로서 주파수 안정도가 우수하고 저항과 커패시터 값 변경만으로 넓은 범위의 주파수 조정이 가능하다는 것이 가장 큰 장점이다.
대형 중량: 특징이 아니다.
출력 파형 불안정: 출력 파형은 안정적이다(다이오드 제한회로로 안정화).
발진 주파수 불안정: RC 소자의 안정성으로 매우 안정적이다.
주파수 변경이 양호한 것은 RC 값 조정을 통해 수십 Hz부터 수십 kHz까지 광대역 주파수 선택이 용이하다는 특성을 정확히 나타낸다.

증폭 회로의 고주파 응답은 트랜지스터의 내부 커패시턴스(접합 커패시턴스, 확산 커패시턴스 등)에 의해 결정된다. 고주파에서 이 커패시턴스가 임피던스를 낮춰 이득을 감소시키고 위상을 변화시키기 때문이다. 롤-오프는 고주파 응답의 결과 현상이지 원인이 아니고, 컷오프 전압은 직류 동작점 관련 특성이며, 크로스오버는 푸시-풀 증폭기의 비선형 현상이므로 고주파 응답 결정 요소가 아니다.

8 가지 상태를 갖는 3비트 카운터에는 JK 플립플롭이 3 개 필요하다.
플립플롭 1 개가 2 가지 상태를 가지므로 $2^{n}=8$ 에서 $n=3$ 이다.
나머지 보기는 필요한 개수와 다르다.
1 개로는 2 가지 상태만 만들 수 있다.
5 개는 $2^5=32$ 가지 상태까지 만들 수 있어 필요한 개수보다 많다.
7 개는 $2^7=128$ 가지 상태까지 만들 수 있어 필요한 개수보다 많다.

입력 저항 $h_{ie}$ 는 400 Ω 이다.
$V_{CE}$ 가 일정한 조건에서 $h_{ie}=\dfrac{\Delta V_{BE}}{\Delta I_B}$ 이다.
$\Delta V_{BE}=0.3-0.2=0.1\ \mathrm{V}$, $\Delta I_B=850-600=250\ \mu\mathrm{A}$
$h_{ie}=\dfrac{0.1}{250\times 10^{-6}}=400\ \Omega$
나머지 보기는 계산값과 다르다.
250 은 계산값과 다르다.
30000 은 계산값과 다르다.
250000 은 계산값과 다르다.

틀린 설명은 다이오드의 정류성을 이용한 소자라는 서술이다.
배리스터는 전압이 일정 수준을 넘으면 저항이 급감하는 비직선 전압·전류 특성을 이용한다. 한 방향만 통과시키는 정류 작용이 아니라 양방향에서 같은 모양으로 동작한다.
나머지 보기는 다음과 같이 옳은 내용이다.
비직선 전압·전류 특성을 갖는 2단자 반도체 소자라는 서술은 옳다. 단자 두 개 사이의 전압에 따라 저항이 변한다.
서지 전압에 대한 회로 보호용으로 쓰인다는 서술은 옳다. 과전압이 걸리면 저항이 낮아져 서지 전류를 우회시킨다.
SiC 분말과 점토를 혼합해 소결한 것이라는 서술은 옳다. 탄화규소 배리스터는 탄화규소 입자에 점토 결합재를 섞어 성형한 뒤 고온에서 소결해 만든다.

틀린 설명은 전자의 속도가 전위차의 제곱근에 반비례한다는 서술이다.
전위차 V 로 가속된 전자의 운동 에너지는 $eV=\dfrac{1}{2}mv^2$ 이므로
$v=\sqrt{\dfrac{2eV}{m}}$ 이다. 속도는 전위차의 제곱근에 비례한다.
나머지 보기는 다음과 같이 옳은 내용이다.
전자가 전계와 반대 방향의 일정한 힘을 받는다는 서술은 옳다. 전자의 전하가 음이라 힘이 $F=-eE$ 이고 균등전계에서는 크기가 일정하다.
운동 에너지가 $\dfrac{1}{2}mv^2$ 라는 서술은 옳다. 질량 m, 속도 v 인 입자의 운동 에너지 정의와 같다.
전위차 V 로 가속된 전자의 운동 에너지가 $eV$ 라는 서술은 옳다. 전위차를 지나는 동안 전계가 한 일이 운동 에너지로 바뀐다.

페르미 준위에서 페르미-디랙 분포함수의 값은 1/2 이다.
분포함수는 $f(E)=\dfrac{1}{1+e^{(E-E_F)/kT}}$ 이다.
페르미 준위 $E=E_F$ 에서는 지수가 $e^0=1$ 이므로
$f(E_F)=\dfrac{1}{1+1}=\dfrac{1}{2}$ 이다. 즉 이 준위가 전자로 채워질 확률은 50% 이다.
나머지 값은 다음 이유로 맞지 않는다.
값 2 는 확률이 1 을 넘을 수 없으므로 불가능하다.
값 1 은 $E-E_F$ 가 음수로 충분히 클 때 $f(E)$ 가 접근하는 값이지 페르미 준위에서의 값이 아니다.
값 1/3 은 계산값 1/2 과 다르다.

속도를 2배로 올려도 원운동의 주기는 변하지 않는다.
자계에 수직으로 입사한 전자는 로렌츠 힘이 구심력이 되어 $evB=\dfrac{mv^2}{r}$ 이므로
$r=\dfrac{mv}{eB}$ 이다.
주기는 $T=\dfrac{2\pi r}{v}=\dfrac{2\pi m}{eB}$ 로 속도 v 가 약분되어 사라진다. 속도가 커지면 반지름만 같은 배율로 커진다.
나머지 보기는 모두 주기가 속도에 따라 변한다고 하므로 맞지 않는다.
주기가 2배가 된다는 보기는 주기가 속도와 무관하므로 계산값과 다르다.
주기가 4배가 된다는 보기는 주기가 속도와 무관하므로 계산값과 다르다.
주기가 8배가 된다는 보기는 주기가 속도와 무관하므로 계산값과 다르다.

절연과 불순물 확산 방지용 보호층을 만드는 공정은 산화공정이다.
실리콘 표면을 산화시켜 얻는 산화막($\mathrm{SiO_2}$)은 절연체이며, 불순물이 원하지 않는 부분으로 확산되는 것을 막는 마스크 역할도 한다.
나머지 공정은 다음 이유로 맞지 않는다.
이온주입공정은 불순물 이온을 반도체 내부로 넣어 도핑하는 공정이다. 보호층을 만드는 공정이 아니다.
금속배선공정은 소자 사이를 도체로 연결하는 배선을 형성하는 공정이다.
광사진식각공정은 감광막과 빛을 이용해 회로 패턴을 옮겨 새기는 공정이다.

방출되는 빛의 진동수는 두 준위의 에너지 차이를 플랑크 상수로 나눈 값이다.
$\Delta E=(21.7-5.14)\times10^{-12}=16.56\times10^{-12}\ \mathrm{erg}$
$\nu=\dfrac{\Delta E}{h}=\dfrac{16.56\times10^{-12}}{6.63\times10^{-27}}\approx2.5\times10^{15}\ \mathrm{/sec}$
높은 준위에서 낮은 준위로 천이하므로 이 에너지 차이가 광자로 방출된다.
나머지 값은 모두 계산값과 다르다.
$1.2\times10^{5}\ \mathrm{/sec}$ 는 계산값과 다르다.
$5.03\times10^{16}\ \mathrm{/sec}$ 는 계산값과 다르다.
$10.3\times10^{22}\ \mathrm{/sec}$ 는 계산값과 다르다.

쇼트키 다이오드는 금속과 반도체의 접촉으로 이루어진다.
금속과 반도체가 접촉하면 정류 작용을 하는 쇼트키 장벽이 생기고, 이 접합이 다이오드로 동작한다.
나머지 접촉은 다음 이유로 맞지 않는다.
금속과 금속의 접촉은 두 도체 사이의 접촉이라 정류성 장벽을 만들지 못한다.
부도체와 반도체의 접촉은 부도체가 전류를 통하지 않아 도통하는 정류 접합이 되지 못한다.
부도체와 부도체의 접촉은 양쪽 모두 전류를 통하지 않아 다이오드 동작을 할 수 없다.

캐리어의 확산 속도는 농도 기울기 $\dfrac{dn(x)}{dx}$ 에 비례한다.
확산에 의한 캐리어 흐름(단위 면적·시간당 개수)은 픽(Fick)의 법칙에 따라 $F=-D\dfrac{dn(x)}{dx}$ 이다.
확산 속도는 이 흐름을 그 위치의 캐리어 밀도로 나눈 값이므로 $v=-\dfrac{D}{n(x)}\dfrac{dn(x)}{dx}$ 이고, 크기가 농도 기울기에 비례한다.
나머지 보기는 다음 이유로 맞지 않는다.
$\dfrac{dn(x)}{dx}$ 에 반비례한다는 보기는 기울기가 클수록 확산이 커지는 관계와 반대이다.
$\dfrac{d^2n(x)}{dx^2}$ 에 비례한다는 보기는 2계 미분이 확산 방정식에서 농도의 시간 변화를 정하는 항이며, 확산 속도를 정하는 항이 아니다.
$\dfrac{d^2n(x)}{dx^2}$ 에 반비례한다는 보기도 확산 속도를 정하는 항이 2계 미분이 아니므로 맞지 않는다.

틀린 설명은 일함수가 큰 것이 전자 방출이 쉽다는 서술이다.
일함수는 전자를 금속 밖으로 꺼내는 데 필요한 최소 에너지이다. 값이 클수록 더 많은 에너지가 필요하므로 방출은 더 어렵다.
나머지 보기는 다음과 같이 옳은 내용이다.
금속의 종류에 따라 값이 다르다는 서술은 옳다. 일함수는 물질마다 고유한 값을 가진다.
표면장벽 에너지와 페르미 준위의 차를 일함수라 한다는 서술은 옳다. 전자가 금속 밖으로 나가는 데 넘어야 할 에너지 차이이다.
전자가 방출되려면 일함수에 해당하는 에너지를 최소한 공급받아야 한다는 서술은 옳다. 그보다 작은 에너지로는 표면 장벽을 넘지 못한다.

공핍층과 같은 말은 천이영역(transition region)이다.
PN 접합 부근에서 이동 캐리어가 거의 없어 도너·억셉터 이온의 고정 전하만 드러난 영역을 공핍층이라 하며, 공간전하영역 또는 천이영역으로도 부른다. 접합 부근의 공간 영역을 가리키는 이름이다.
나머지 용어는 다음 이유로 맞지 않는다.
금지대역은 에너지 대역도에서 전자가 가질 수 없는 에너지 구간이다. 접합의 공간 영역이 아니다.
밴드갭은 가전자대와 전도대 사이의 에너지 간격이다. 접합의 공간 영역이 아니다.
전도대역은 전자가 자유롭게 이동할 수 있는 허용 에너지 대역이다. 접합의 공간 영역이 아니다.

순차 논리 회로(Sequential Logic Circuit)는 이전 입력에 따른 상태를 기억하고 유지하는 회로이다. 부호기(1번)와 반가산기(2번), 멀티플렉서(4번)는 모두 조합 논리 회로로서 현재 입력값에만 의존하며 이전 상태를 기억하지 않는다. 반면 플립플롭(3번)은 클록 신호에 따라 상태를 저장하고 유지하는 기본적인 메모리 소자로, 순차 논리 회로의 핵심 구성요소이다.

오퍼랜드가 될 수 없는 것은 명령코드이다.
명령어는 수행할 동작을 지정하는 명령코드(연산코드)와 그 동작의 대상을 지정하는 오퍼랜드로 이루어진다. 명령코드는 동작 자체이므로 동작의 대상이 아니다.
나머지 보기는 다음과 같이 오퍼랜드가 될 수 있다.
데이터는 연산의 대상 값으로 오퍼랜드(즉시 데이터)가 될 수 있다.
데이터의 어드레스는 대상 데이터가 있는 메모리 번지를 지정하는 오퍼랜드가 될 수 있다.
레지스터 이름은 대상 데이터가 들어 있는 레지스터를 지정하는 오퍼랜드가 될 수 있다.

최대 비교 횟수는 9회이며, 이는 절반씩 줄이는 횟수 + 1 이다.
이진 검색은 비교할 때마다 탐색 범위가 절반으로 줄어든다.
$256=2^{8}$ 이므로 절반으로 8회 줄이면 레코드 1개가 남고, 그 하나를 확인하는 비교가 한 번 더 필요하다.
$\lfloor\log_2 256\rfloor+1=8+1=9$
나머지 값은 다음 이유로 맞지 않는다.
값 8 은 절반으로 줄이는 횟수일 뿐 마지막 레코드를 확인하는 비교가 빠져 계산값과 다르다.
값 10 은 계산값과 다르다.
값 12 는 계산값과 다르다.

산술적 우측 시프트를 세 번 수행한 결과는 11110101 이다.
산술 시프트는 부호 비트(최상위 비트 1)를 유지하며 빈 자리를 부호 비트로 채운다.
초기값 10101101
1회 11010110
2회 11101011
3회 11110101
나머지 값은 다음 이유로 맞지 않는다.
11010110 은 시프트를 한 번만 수행한 결과이다.
11101011 은 시프트를 두 번 수행한 결과이다.
00010101 은 빈 자리를 0 으로 채우는 논리 시프트 결과이며, 부호를 유지하는 산술 시프트 결과가 아니다.

사이클 스틸링을 하는 방식은 I/O 장치 제어에 의한 DMA 방식이다.
DMA 컨트롤러가 CPU 를 거치지 않고 메모리에 직접 접근하며, 이때 CPU 의 메모리 사이클을 한 번씩 빼앗아 쓰므로 사이클 스틸링이라 한다.
나머지 방식은 다음 이유로 맞지 않는다.
CPU 제어 입·출력 전송 중 무조건 I/O 전송은 CPU 가 프로그램으로 직접 전송하므로 메모리 사이클을 가로채지 않는다.
CPU 제어 입·출력 전송 중 조건부 I/O 전송도 CPU 가 장치 상태를 확인하며 직접 전송하므로 메모리 사이클을 가로채지 않는다.
인터럽트 방식은 장치의 신호로 CPU 가 서비스 루틴을 실행해 전송을 처리하므로 데이터가 CPU 를 거친다.

1-주소 명령 방식은 피연산자 하나만 명시적으로 지정하는 방식이며, 다른 피연산자는 암묵적으로 고정된 위치(누산기)에서 가져온다.
단일 누산기 구조는 모든 산술논리 연산의 결과가 누산기에 저장되고, 연산 시 누산기와 메모리 또는 다른 레지스터 간의 연산만 가능하므로 명령어에서 한 개의 주소만 필요하다.
스택: 0-주소 방식(피연산자를 스택에서 자동 추출)에 해당한다.
범용 레지스터와 색인 레지스터: 3-주소 또는 2-주소 방식에 해당하므로 1-주소 방식의 정의와 맞지 않는다.

필요한 핀은 주소 핀 + 데이터 핀의 합인 최소 18개이다.
용량이 1024 워드이면 $1024=2^{10}$ 이므로 주소 핀은 10개이다.
워드당 8비트이므로 데이터 핀은 8개이다.
$10+8=18$
나머지 값은 다음 이유로 맞지 않는다.
값 8 은 데이터 핀만 센 값으로 주소 핀이 빠져 있다.
값 16 은 계산값과 다르다.
값 24 는 계산값과 다르다.