[전자기사 필기] 20년 1회차 기출문제 해설 페이지
자기유도계수 L의 계산 방법이 아닌 것은? (단, N:권수, ø: 자속(Wb), I:전류(A), A:벡터 퍼텐셜(Wb/m), i:전류밀도(A/m2), B:자속밀도(Wb/m2), H:자계의 세기(AT/m)이다.)
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20℃에서 저항의 온도계수가 0.002인 니크롬선의 저항이 100Ω이다. 온도가 60℃로 상승하면 저항은 몇 Ω이 되겠는가?
108
112
115
120
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면적이 S(m2)이고 극간의 거리가 d(m)인 평행판 콘덴서에 비유전율이 εr인 유전체를 채울 때 정전용량(F)은? (단, ε0)은 진공의 유전율이다.)
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유전율이 ε1, ε2(F/m)인 유전체 경계면에 단위 면적당 작용하는 힘의 크기는 몇 N/m2인가? (단, 전계가 경계면에 수직인 경우이며, 두 유전체에서의 전속밀도는 D1=D2=D(C/m2)이다.)
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그림과 같이 내부 도체구 A에 +Q(C), 외부 도체구 B에 -Q(C)를 부여한 동심 도체구 사이의 정전용량 C(F)는?
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반지름 r(m)인 무한장 원통형 도체에 전류가 균일하게 흐를 때 도체 내부에서 자계의 세기(AT/m)는?
원통 중심축으로부터 거리에 비례한다.
원통 중심축으로부터 거리에 반비례한다.
원통 중심축으로부터 거리의 제곱에 비례한다.
원통 중심축으로부터 거리의 제곱에 반비례한다.
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자기 인턱턴스와 상호 인턱던스와의 관계에서 결합계수 k의 범위는?
0≤k≤1/2
0≤k≤1
1≤k≤2
01k≤10
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전계 및 자계의 세기가 각각 E(V/m), H(AT/m)일 때, 포인팅 벡터 P(W/m2)의 표현으로 옳은 것은?
P=1/2E×H
P=E rot H
P=E×H
P=H rot E
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자기회로에서 자기저항의 크기에 대한 설명으로 옳은 것은?
자기회로의 길이에 비례
자기회로의 단면적에 비례
자성체의 비투자율에 비례
자성체의 비투자율의 제곱에 비례
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전위함수 V=x2+y2(V)일 때 점(3,4)(m)에서의 등전위선의 반지름은 몇 m이며, 전기력선 방정식은 어떻게 되는가?
등전위선의 반지름:3, 전기력선 방정식:y=(3/4)x
등전위선의 반지름:4, 전기력선 방정식:y=(4/3)x
등전위선의 반지름:5, 전기력선 방정식:x=(4/3)y
등전위선의 반지름:5, 전기력선 방정식:x=(3/4)y
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자속밀도 B(Wb/m2)의 평등 자계 내에서 길이 l(m)인 도체 ab가 속도 v(m/s)로 그림과 같이 도선을 따라서 자계와 수직으로 이동할 때, 도체 ab에 의해 유기된 기전력의 크기 e(V)와 폐회로 abcd 내 저항 R에 흐르는 전류의 방향은? (단, 폐회로 abcd 내 도선 및 도체의 저항은 무시한다.)
e=Blv, 전류방향 : c→d
e=Blv, 전류방향 : d→c
e=Blv2, 전류방향 : c→d
e=Blv2, 전류방향 : d→c
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비유전율 εr이 4인 유전체의 분극률은 진공의 유전율 ε0의 몇 배인가?
1
3
9
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정전계 해석에 관한 설명으로 틀린 것은?
포아송 방정식은 가우스 정리의 미분형으로 구할 수 있다.
도체 표면에서의 전계의 세기는 표면에 대해 법선 방향을 갖는다.
라플라스 방정식은 전극이나 도체의 형태에 관계없이 체적전하밀도가 0인 모든 점에서 ∇2V=0을 만족한다.
라플라스 방정식은 비선형 방정식이다.
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진공 중 3m 간격으로 두 개의 평행한 무한 평판 도체에 각각 +4C/m2, -4C/m2의 전하를 주었을 때, 두 도체 간의 전위차는 약 몇 V인가?
1.5×1011
1.5×1012
1.36×1011
1.36×1012
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10mm의 지름을 가진 동선에 50A의 전류가 흐르고 있을 때 단위시간 동안 동선의 단면을 통과하는 전자의 수는 약 몇 개인가?
7.85×1016
20.45×1015
31.21×1019
50×1019
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공기 중에 있는 무한히 긴 직선 도선에 10A의 전류가 흐르고 있을 때 도선으로부터 2m 떨어진 점에서의 자속밀도는 몇 Wb/m2인가?
10-5
0.5×-6
10-6
2×-6
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평등자계 내에 전자가 수직으로 입사하였을 때 전자의 운동에 대한 설명으로 옳은 것은?
원심력은 전자속도에 반비례한다.
구심력은 자계의 세기에 반비례한다.
원운동을 하고, 반지름은 자계의 세기에 비례한다.
원운동을 하고, 반지름은 전자의 회전속도에 비례한다.
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면적이 매우 넓은 두 개의 도체 판을 d(m) 간격으로 수평하게 평행 배치하고, 이 평행 도체 판 사이에 놓인 전자가 정지하고 있기 위해서 그 도체 판 사이에 가하여야 할 전위차(V)는? (단, g는 중력 가속도이고, m은 전자의 질량이고, e는 전자의 전하량이다.)
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반자성체의 비투자율(μr) 값의 범위는?
μr=1
μr＜1
μr＞1
μr=0
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그림에서 N=1000회, l=100cm, S=10cm2인 환상 철심의 자기 회로에 전류 I=10A를 흘렸을 때 축적되는 자계 에너지는 몇 J인가? (단, 비투자율 μr=100이다.)
2π×10-3
2π×10-2
2π×10-1
2π
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다음 중 쌍대관계(dual)가 아닌 것은?
인덕턴스와 서셉턴스
전압과 전류
단락과 개방
전압원과 전류원
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1H인 인턱터에 그림과 같은 전류가 흐를 때 전압 파형으로 옳은 것은?
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다음 회로를 루프해석법으로 풀기 위해형태의 방정식으로 정리하였을 때 행렬 A는? (단, V1=10V, V2=4V 이다.)
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함수 x(t)=2e-2(t-3)·u(t-3)의 라플라스 변환식 X(s)는?
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차단 주파수에 대한 설명으로 틀린 것은?
출력 전압이 최대값의 1/√2 이 되는 주파수이다.
전력이 최대값의 1/2이 되는 주파수이다.
전압과 전류의 위상차가 60°가 되는 주파수이다.
출력 전류가 최대값이 1/√2이 되는 주파수이다.
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시정수가 τ인 RL 직렬회로에 직류 전압을 가할 때 시간 t=3τ에서 흐르는 전류는 최종치의 몇 %인가?
63.2
86.5
95.0
98.2
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다음 그림에서 단자 a-b에 나타나는 전압(Vab)는 약 몇 V인가?
4.5
6.7
7.0
7.8
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단위 계단함수 u(t-a)의 파형으로 옳은 것은?
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다음 회로에서 단자 a, b 왼쪽 회로의 테브난 등가 전압원(Vth=Vab)은 몇 V인가?
0.5
1
1.5
2
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다음의 회로망 방정식에 대하여 s평면에 존재하는 극점은?
3, 0
-3, 0
1, -3
-1, -3
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RL 직렬회로에서 L=40mH, R=10Ω일 때, 회로의 시정수는 몇 s인가?
4
0.4
0.04
0.004
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π형 회로망의 어드미턴스 파라미터 관계가 틀린 것은?
Y21=Ya
Y11=Ya+Yb
Y12=-Ya
Y22=Ya+Yc
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일 때 유효 전력은?1000√3
2000√3
2000/√3
1000/√3
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저항 1Ω과 리액턴스 2Ω을 병렬로 연결한 회로의 역률은 약 얼마인가?
0.2
0.45
0.9
1.5
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공진회로에서 공진의 상태를 설명한 것으로 옳은 것은?
전압과 전류가 45° 될 때이다.
역률이 0.5가 되는 상태이다.
공진이 되었을 때 최대전력의 0.5배가 전달된다.
직렬공진회로에서는 전류가 최대로 된다.
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다음 회로에서 합성 인덕턴스는 몇 H인가? (단, L1=6H, L2=3H, M=3H 이다.)
1
2
3
6
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임피던스 
인 2단자 회로에 직류 전류 20A를 인가할 때 단자 전압은 몇 V인가? (단, R=10Ω, L=20mH)20
40
200
400
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회로에서 4단자 정수 A, B, C, D 는?
A=n, B=0, C=0, D=1/n
A=0, B=1/n, C=0, D=n
A=1/n, B=0, C=n, D=0
A=n, B=n, C=1/n, D=0
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라플라스 변환에 관한 설명 중 틀린 것은?
f(t-a)을 라플라스 변환하면 e-asF(s)가 된다.
f(t)e-at을 라플라스 변환하면 F(s-a)가 된다.
t2을 라플라스 변환하면 2/s3가 된다.
u(t)을 라플라스 변환하면 1/s 이 된다.
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분류기를 사용하여 전류를 측정하는 경우 전류계의 내부저항이 0.1Ω, 분류기의 저항이 0.01Ω이면 그 배율은?
4
10
11
14
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다음의 진리표를 갖는 조합회로의 구성은? (단, A, B, C는 입력이고, D는 출력이다.)
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어떤 연산 증폭기의 SR(slew rate)이 0.5V/μs이라면, 정현파 출력의 peak 전압이 5V인 경우 대신호 동작 시 일그러짐이 발생되지 않는 최대 주파수는 약 몇 kHz인가?
2
7.96
15.92
31.84
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어떤 RC 미분회로에 진폭이 5V이고 펄스폭이 100μs, 주기가 200μs인 펄스파 전압을 가했을 때, 펄스폭에서 시정수의 5배 시간에 순간적으로 R 양단에 측정되는 전압은 약 몇 V인가? (단, 시정수는 10μs보다 작다.)
0.0632
0.034
0.632
0.34
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연산증폭기회로에서 부귀환의 장점으로 틀린 것은?
개선된 비선형성
넓은 대역폭
안정된 제어 이득
입·출력 임피던스 제어
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다음 정류회로에서 리플 전압은 콘덴서와 부하저항과 어떤 관계를 가지는가?
부하저항과 무관하고, 콘덴서 용량에 비례한다.
부하저항과 무관하고, 콘덴서 용량에 반비례한다.
부하저항과 콘덴서 용량에 반비례한다.
부하저항과 콘덴서 용량에 비례한다.
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다음 중 트랜지스터 증폭회로에서 높은 주파수에서 이득이 감소하는 이유로 적합한 것은?
부성저항이 생기기 때문에
결합 커패시턴스의 영향 때문에
하이브리드 정수의 변화 때문에
도선 등의 표유 용량 때문에
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수정 발전기의 주파수 안정도가 양호한 이유가 아닌 것은?
수정면의 Q가 매우 높다.
수정 진동자는 기계적으로 안정하다.
유도성 주파수 범위가 매우 좁다.
부하 변동의 영향을 전혀 받지 않는다.
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다음 연산증폭기회로에서 페루프이득(lAVl)이 110 이 되기 위해 Rf는?
22Ω
242Ω
22kΩ
242kΩ
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다음 회로의 명칭으로 가장 적합한 것은?
슈미트(Schmitt) 트리거 회로
톱니파 발생 회로
단안정 멀티바이브레이터 회로
비안정 멀티바이브레이터 회로
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다음 555타이머 회로의 출력 발진 주파수는 약 몇 kHz인가?
3.8
5.64
8.24
10.68
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이미터 저항을 가진 이미터 접지 증폭기 회로에서 이미터 바이패스 콘덴서가 제거되면 어떤 현상이 생기는가?
발진이 일어난다.
이득이 감소한다.
충실도가 감소된다.
잡음이 증가한다.
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공간전하용량 변화에 따라 가변용량콘덴서로 사용되는 다이오드는?
꽝 다이오드
제너 다이오드
건 다이오드
바랙터 다이오드
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다이오드 검파회로에서 AGC 전압의 크기는 다음 어는 것에 따라 커지는가?
반송파 변조도가 증가함에 따라
반송파 주파수가 증가함에 따라
반송파 전압의 진폭이 증가함에 따라
변조한 저주파 주파수가 증가함에 따라
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다음 회로에 대한 설명으로 틀린 것은?
능동 저역통과 필터이다.
임계주파수는 RC에 의하여 결정된다.
1차 필터로 -20dB/decade 의 롤-오프율을 갖는다.
임계주파수 이상의 주파수를 통과시킨다.
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다음 중 차동 증폭기에서 동상신호제거비(CMPR)를 크게 하기 위한 방법으로 옳은 것은?（단, Ad는 차동신호 전압이득이고 Ac는 동상신호 전압이득이다.)
Ad와 Ac는 값을 같게 한다.
Ad는 크게 하고, Ac는 작게 한다.
Ad는 작게 하고, Ac는 크게 한다.
Ad는 1로 하고, Ac는 크게 한다.
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다이오드의 순방향 바이어스가 이루어 질때에 잔류흐름에 대한 설명으로 적절한 것은?
전류는 정공전류뿐이다.
전류는 전자전류뿐이다.
전류는 소수 반송자에 의해서만 만들어진다.
전류는 전자와 정공에 의해서 만들어진다.
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다음 T 플립플롭의 특성표에서 출력 Q(t+1)은?
ⓐ → 0, ⓑ → 0, ⓒ → 1, ⓓ → 1
ⓐ → 0, ⓑ → 1, ⓒ → 0, ⓓ → 1
ⓐ → 0, ⓑ → 1, ⓒ → 1, ⓓ → 0
ⓐ → 0, ⓑ → 1, ⓒ → 1, ⓓ → 1
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RC 결합 증폭 회로에서 증폭 대역폭을 4배로 하려면 증폭 이득은 약 몇 dB로 감소시켜야 하는가?
0.25
4
6
12
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MOSFET의 포화영역 동작모드와 유사한 BJT의 동작모드는?
활성영역
차단영역
역할성영역
포화영역
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연산증폭기의 개루프(open loop)이득과 부궤환시 폐루프(close loop)이득의 관계로 옳은 것은?
개루프 이득은 항상 폐루프 이득보다 작다.
개루프 이득은 항상 폐루프 이득과 같다.
개루프 이득은 항상 폐루프 이득보다 크다.
개루프 이득은 항상 0 이다.
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절대온도 0K에서 진성 반도체는 어는 것과 같은가?
반도체
도체
자성체
절연체
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BJT의 평형상태에 대한 설명으로 틀린 것은?
세 단자가 접속되어 있는 상태이다.
페르미 준위는 모든 곳에서 균일하다.
트랜지스터가 열평형상태인 경우이다.
다수 캐리어의 화산 운동과 소수 캐리어의 드리프트 운동이 균형을 유지한 상태이다.
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낙뢰와 같이 급격한 서지 전압(Surge Voltage)으로부터 회로를 보호하기 위하여 전원이 인가되는 초단에 주로 사용되는 소자는?
서미스터
제너 다이오드
쇼트키 다이오드
바리스터
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집적회로 내에서 전기적인 상호배선사이의 절연과 불순물 확산에 대한 보호층을 형성하는 반도체 공정은?
이온주입공정
금속배선공정
산화공정
광사진식각공정
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다음 n형 반도체에 대한 설명 중 틀린 것은?
반도체 내에서 전하를 운반하는 역할을 하고 있는 전자의 밀도가 hole의 밀도보다 많은 불순물 반도체를 말한다.
hole의 밀도가 전자의 밀도보다 많은 불순물 반도체를 말한다.
Ge이나 Si에 5가의 불순물(비소, 인, 안티몬)을 미량 첨가해서 만든다.
약간의 에너지로 반도체 내에서 자유로이 운동하는 전도 전자를 가진다.
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BJT가 증폭기로서 사용될 때 동작 상태는 어느 영역에서 일어나는가?
포화영역
활성영역
차단영역
역할성영역
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BJT에서 파라미터 α와 β의 관계는? (단, 그림참조m1)
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상온 300K에서 페르미 준위보다 0.1eV만큼 낮은 에너지 준위에 전자가 점유하는 확률은?
0.1
0.02
0.9
0.98
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두 전극판의 간격에 10cm이고, 전극간의 전위차가 100V일 때 전자의 가속도는? (단, 전자의 전하량과 질량은 각각 1.6×10-19C, 9.11×10-31kg)
1.76×1011m/s2
1.76×1014m/s2
0.176×1020cm/s2
1.76×1017cm/s2
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페르미(Fermi) 준위에 대한 설명으로 틀린 것은?
모든 온도에서 전자에 의해 점유될 확률이 1/2인 에너지 준위이다.
허용 에너지 준위를 평균한 값이다.
절대온도 0K에서 전자에 의해서 점유된 최고 에너지 준위이다.
반도체에서 페르미 준위는 전도대, 금지대, 가전자대 등 어느 곳에도 있을 수 있다.
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서로 다른 금속도선의 양끝을 연결하여 폐회로를 구성한 후, 온도를 가하면 양단의 온도차에 의해 두 접점 사이에 열기전력이 발생되는 효과는?
Peltier 효과
Thomson 효과
Edison 효과
Seebeck 효과
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어떤 도선의 1A의 전류가 흐르고 있을 때 임의의 단면적이 1s 동안에 1C의 전하가 이동한다면 이 단면적을 통과하는 전자의 개수는?
6.25×1018
12.5×1018
62.5×1018
18.75×1018
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반도체의 가전자대에서 에너지 Level(E)이 전자에 의해서 채워질 확률을 f(E)라 했을 때 정공에 의해서 채워질 확률은?
f(E)-1
1-f(E)
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펀치스로우(punch through) 현상에 대한 설명 중 틀린 것은?
입력측 개방으로 인한 역포화전류 현상이다.
이미터, 베이스, 컬렉터의 단락 상태이다.
역바이어스 전압의 증가시 발생하는 현상이다.
펀치스로우 전압의 크기는 베이스내의 불순물 농도에 비례한다.
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실리콘 제어 정류소자(SCR)에 관한 설명으로 틀린 것은?
동작원리는 PNPN 다이오드와 같다.
일반적으로 사이리스터(thyristor)라고도 한다.
SCR의 항복전압(breakover voltage)은 게이트가 차단 상태로 들어가는 전압으로 역방향 다이오드처럼 도통된다.
무점검 ON/OFF 스위치로 동작하는 반도체 소자이다.
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저온에서 반도체 내의 캐리어(carrier) 에너지 분포를 나타내는데 가장 적절한 것은?
2차 분포함수
Fermi-Dirac 분포함수
Bose-Einstein 분포함수
Maxwell-Boltzmann 분포함수
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광전 효과에 관한 설명으로 틀린 것은?
방출되는 광전자의 개수는 빛의 파장에 반비례한다.
빛을 쪼이는 즉시 광전자가 방출된다.
방출하는 광전자의 최대 운동에너지는 빛의 세기에 무관하다.
입사광의 진동수가 한계 진동수보다 더 크지 않으면 방출은 일어나지 않는다.
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금속과 P형반도체를 접촉한 경우 옴(Ohm)접촉이 발생하는 조건은?
금속의 일함수＜ 반도체의 일함수
금속의 일함수 ＞반도체의 일함수
(2×금속의 일함수) = 반도체의 일함수
금속의 일함수＜ (2×반도체의 일함수)
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Ge 트랜지스터와 비교하였을 때 Si 트랜지스터에 관한 설명으로 틀린 것은?
최고허용온도가 높다.
차단주파수가 Ge 트랜지스터에 비해 높다.
역방향전류와 잡음지수가 크가.
고주파 고출력 특성이 좋다.
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자유전자가 정공에 의해 다시 잡혀서 정공을 채우는 과정을 무엇이라 하는가?
열적 평형
확산(diffusion)
수명시간(life time)
재결합(recombination)
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다음 중 결선 게이트의 특징이 아닌 것은?
회로비용을 절감할 수 있다.
많은 논리기능을 부여할 수 없다.
게이트들의 출력단자를 묶어서 사용한다.
컴퓨터 내부에서 버스구조를 만드는데 이용된다.
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캐시 설계에 대한 설명으로 틀린 것은?
캐시 적중률을 극대화해야 한다.
캐시 액세스 시간을 최소화해야 한다.
주기억장치와 캐시 간의 데이터 일관성을 유지하고 그에 따른 오버헤드를 최대화해야 한다.
캐시 실패에 따른 지연시간을 최소화해야 한다.
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레지스터 값을 2n으로 곱셈을 하거나 나누는 효과를 갖는 연산은?
논리적 MOVE
산술적 Shift
SUB
ADD
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서브루틴과 연관되어 사용되는 명령은?
Shift 와 Rotate
Call 과 Return
Skip 와 Jump
Inerement 와 Decrement
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16×8 ROM을 설계할 때 필요한 게이트의 종류와 그 개수는?
AND 8개, OR 8개
AND 8개, OR 16개
AND 16개, OR 8개
AND 16개, OR 16개
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I/O 제어기의 주요기능에 대한 설명으로 틀린 것은?
I/O 장치의 제어와 타이밍을 조정한다.
CPU와의 통신을 담당한다.
데이터 구성 기능을 수행한다.
I/O 장치와의 통신을 담당한다.
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가상 기억체계에서 주소 공간이 1024K이고, 기억 공간은 64K라고 가정할 때, 주기억장치의 주소 레지스터는 몇 비트로 구성되는가?
10
12
14
16
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10진수 255.875를 16진수로 변환한 것으로 옳은 것은?
FE. D
FF.E
9F.8
FF.5
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순서도 기호에 해당하는 설명으로 틀린 것은?
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다음 중 피연산자의 위치(기억장소)에 따라 명령어 형식을 분류할 때 instruction cycle time이 가장 짧은 것은?
레지스터-메모리 instruction
AC instruction
스택 instruction
메모리-메모리 instruction
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2진수 0101을 2의 보수로 변환 후 다시 1의 보수로 변환하는 과정 전체를 5번 수행하면?
0101
1010
0111
0000
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다음 프로그램의 출력은?
i=2, j=5
i=3, j=5
i=3, j=10
i=2, j=10
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아래 C프로그램의 출력 결과는?
0
2
25
50
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채널(channel)에 의한 입출력 방식에서 채널의 종류가 아닌 것은?
counter channel
selector channel
multiplexer channel
block multiplexer channel
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다음 중 UNIX의 쉘(shell)에 대한 설명으로 옳은 것은?
명령어를 해석한다.
UNIX 커널의 일부이다.
문서처리 기능을 갖는다.
디렉토리 관리 기능을 갖는다.
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다음의 논리식을 간소화 시킨 결과는?
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다음 중 에러 검출률이 가장 높은 것은?
페리티 비트
해밍 코드
그레이 코드
CRC
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연산장치에 대한 설명으로 옳은 것은?
누산기, 가산기, 데이터 레지스터, 상태 레지스터 등으로 구성되어 있다.
기억 레지스터, 명령 레지스터, 명령 해독기, 명령 계수기 등으로 구성되어 있다.
프로그램과 데이터를 보관하고 있다가 필요할 때 꺼내어 사용하는 기능이다.
처리 대상이 되는 데이터와 처리 과정에 있는 데이터 또는 최종 결과를 저장한다.
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마이크로 프로그래밍에 관한 설명으로 틀린 것은?
구조화된 제어 구조를 제공한다.
한 컴퓨터에서 다른 컴퓨터의 에뮬레이팅(emulating)이 가능하다.
시스템의 설계비용을 줄일 수 있다.
명령 세트를 변경할 수 없으므로 설계 사이클의 마지막으로 연기가 가능하다.
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상대 주소지정(Relative Addressing) 방식의 설명으로 옳은 것은?
명령어의 오퍼랜드(Operand)가 데이터를 저장하고 있는 메모리의 주소이다.
명령어의 오퍼랜드(Operand)가 데이터를 가리키는 포인터의 주소이다.
명령어의 오퍼랜드(Operand)가 연산에 사용할 실제 데이터이다.
프로그램 카운터(Program Counter)를 사용하여 데이터의 주소를 얻는다.
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