다음 n형 반도체에 대한 설명 중 틀린 것은? | [전자기사 필기] 20년 1회차 기출문제 상세 페이지
1[전자기사 필기] 20년 1회차
다음 n형 반도체에 대한 설명 중 틀린 것은?
1
반도체 내에서 전하를 운반하는 역할을 하고 있는 전자의 밀도가 hole의 밀도보다 많은 불순물 반도체를 말한다.
2
hole의 밀도가 전자의 밀도보다 많은 불순물 반도체를 말한다.
3
Ge이나 Si에 5가의 불순물(비소, 인, 안티몬)을 미량 첨가해서 만든다.
4
약간의 에너지로 반도체 내에서 자유로이 운동하는 전도 전자를 가진다.
해설
n형 반도체에 대한 설명 중 틀린 것은 정공 밀도가 전자 밀도보다 많다는 보기이며, 이는 p형 반도체의 설명이다.
n형은 Ge 이나 Si 에 5가 불순물(비소, 인, 안티몬)을 넣어 만들며, 남는 전자가 다수 캐리어가 된다.
나머지 보기는 옳은 내용이며, 소거 근거는 다음과 같다.
- 전자 밀도가 정공 밀도보다 많은 불순물 반도체라는 보기는 n형의 정의에 맞는 옳은 내용이다.
- 5가 불순물을 소량 첨가해 만든다는 보기는 도너 불순물을 넣는 n형 제조 방식이므로 옳다.
- 약간의 에너지로 자유롭게 움직이는 전도 전자를 가진다는 보기는 도너 준위가 전도대 바로 아래에 있어 적은 에너지로 전자가 전도대로 올라가므로 옳다.
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