[전자기사 필기] 16년 1회차 기출문제 정답·해설 페이지

저항은 4배가 된다.
체적 불변 조건을 쓴다.
$R=\rho\dfrac{\ell}{A}$, 체적 $V=\ell A$ 가 일정하므로 길이가 2배면 단면적은 $\dfrac{1}{2}$ 배이다.
$R'=\rho\dfrac{2\ell}{A/2}=4R$
나머지 보기는 계산값과 다르다.
2배는 길이 증가만 반영하고 단면적 감소를 빠뜨린 값으로 계산값 4배와 다르다.
6배는 계산값 4배와 다르다.
8배는 계산값 4배와 다르다.

선전하가 지면(도체)으로부터 받는 힘은 전기 이미지 방법을 이용하여 구한다. 지면을 접지된 도체 평면으로 보면, 지표면 위 높이 h에 있는 선전하 λ는 지표면 아래 높이 h에 있는 반대 부호의 상(image) 전하 −λ에 의해 인력을 받는다.
두 평행 선전하 사이의 거리는 2h이고, 단위 길이당 인력은 쿨롱 법칙으로
$F = \frac{\lambda^2}{2\pi\epsilon_0 \cdot 2h} = \frac{\lambda^2}{4\pi\epsilon_0 h}$
이다. 따라서 힘은 h에 반비례한다.

발생하는 기전력은 1 V이다.
직각 운동이므로 $e=B\ell v$, 속도는 $v=\dfrac{1}{0.4}=2.5\ \mathrm{m/s}$
$e=10\times0.04\times2.5=1\ \mathrm{V}$
나머지 보기는 계산값과 다르다.
2 V 는 계산값 1 V 와 다르다.
3 V 는 계산값 1 V 와 다르다.
4 V 는 계산값 1 V 와 다르다.

이 문항은 확정답안에서 복수정답으로 처리된 문항입니다. 제시된 선택지 가운데 2개가 모두 정답으로 인정되었습니다. 여기서는 채점을 위해 한 선택지만 정답으로 두었으니, 다른 것을 고르셨더라도 틀린 판단이 아닙니다.
구대칭 전하분포에서 가우스 법칙을 적용하면 구내외의 전계는 반경 거리에 따라 달라진다. 구 외부(r > a)에서는 전체 전하 Q가 점전하처럼 작용하여 $E = \frac{Q}{4\pi\epsilon_0 r^2}$이고, 구 내부(r < a)에서 균일하게 분포된 전하는 내부의 폐곡면에 포함된 전하만 고려하므로 $E \propto r$로 선형 증가한다. 따라서 정답은 구 내부에서는 원점으로부터 거리에 비례하여 증가하고, 구 외부에서는 거리의 제곱에 반비례하여 감소하는 그래프여야 한다.

중심의 자계 크기는 $\dfrac{3}{\pi}$ AT/m이다.
정삼각형 중심에서 한 변까지의 거리는 $d=\dfrac{a}{2\sqrt{3}}=\dfrac{\sqrt{3}}{2}\ \mathrm{m}$ 이고, 유한 직선 전류의 자계는 $H_1=\dfrac{I}{4\pi d}\left(\sin60^\circ+\sin60^\circ\right)$ 이다.
$H_1=\dfrac{2}{4\pi\times\frac{\sqrt{3}}{2}}\times\sqrt{3}=\dfrac{1}{\pi}$
세 변의 자계가 같은 방향이므로 $H=3H_1=\dfrac{3}{\pi}$
나머지 보기는 계산값과 다르다.
$\dfrac{1}{\pi}$ 은 한 변의 기여분일 뿐 계산값 $\dfrac{3}{\pi}$ 와 다르다.
$\dfrac{2}{\pi}$ 는 계산값 $\dfrac{3}{\pi}$ 와 다르다.
$\dfrac{4}{\pi}$ 는 계산값 $\dfrac{3}{\pi}$ 와 다르다.

코일 내 자속은 약 $2\times10^{-3}\ \mathrm{Wb}$이다.
환상철심의 자속은 기자력을 자기저항으로 나눈 값이다.
$\Phi=\dfrac{\mu_0\mu_r NIA}{\ell}=\dfrac{4\pi\times10^{-7}\times800\times600\times1\times10\times10^{-4}}{0.3}\approx2.0\times10^{-3}\ \mathrm{Wb}$
나머지 보기는 계산값과 다르다.
$1\times10^{-3}$ 은 계산값 $2.0\times10^{-3}$ 과 다르다.
$1\times10^{-4}$ 은 계산값 $2.0\times10^{-3}$ 과 다르다.
$2\times10^{-4}$ 는 계산값 $2.0\times10^{-3}$ 과 다르다.

이 현상은 홀(Hall) 효과이다.
전류가 흐르는 도체·반도체에 전류와 수직인 자계를 가하면 로렌츠 힘으로 캐리어가 한쪽으로 치우쳐 측면에 정·부 전하가 생기고 홀 전압이 나타난다.
나머지 보기는 열과 전기 사이의 효과로, 자계에 의한 측면 전하 발생과 다르다.
톰슨 효과는 온도 구배가 있는 도체에 전류를 흘릴 때 열이 발생하거나 흡수되는 현상이다.
펠티에 효과는 서로 다른 금속의 접합부에 전류를 흘릴 때 열이 발생하거나 흡수되는 현상이다.
제벡 효과는 서로 다른 금속 접합부에 온도차가 있을 때 열기전력이 발생하는 현상이다.

유도전압은 상호유도 법칙으로 구하며 계산값은 $3\times10^{2}\,\mathrm{V}$ 이다.
$e=M\dfrac{\Delta i}{\Delta t}$
$=0.3\times10^{-3}\times\dfrac{10\times10^{3}}{0.01}$
$=0.3\times10^{-3}\times10^{6}=3\times10^{2}\,\mathrm{V}$
나머지 보기는 계산값과 다르다.
$30\,\mathrm{V}$ 는 계산값과 다르다.
$3\times10^{3}\,\mathrm{V}$ 는 계산값과 다르다.
$3\times10^{4}\,\mathrm{V}$ 는 계산값과 다르다.

평행판 콘덴서의 변위전류는 충전전류와 같으며 $\omega C V_m\cos\omega t$ 이다.
$i_d=C\dfrac{dv}{dt}=C\dfrac{d}{dt}\left(V_m\sin\omega t\right)$
$=\omega C V_m\cos\omega t$
나머지 보기는 이 계산 결과와 다르다.
$CV_m\sin\omega t$ 는 전압과 정전용량의 곱이라 단위가 쿨롱(전하)이어서 전류가 될 수 없다.
$-CV_m\sin\omega t$ 도 단위가 전하이므로 전류가 될 수 없다.
$-\omega C V_m\cos\omega t$ 는 부호가 반대여서 계산값과 다르다.

부하저항이 전원의 합성 내부저항과 같을 때 최대 전력이 전달되며 그 값은 $r/M$ 이다.
전지 $M$ 개를 병렬로 연결한 합성 내부저항은 $r_0=\dfrac{r}{M}$
최대 전력 전달 조건은 $R_L=r_0=\dfrac{r}{M}$
나머지 보기는 합성 내부저항과 같지 않다.
$Mr$ 은 전지 $M$ 개를 직렬로 연결했을 때의 합성 내부저항이므로 병렬 연결과 맞지 않는다.
$r$ 은 전지 한 개의 내부저항이며 병렬 합성 내부저항과 다르다.
$M^{2}r$ 은 병렬 합성 내부저항 $r/M$ 과 다르다.

자기유도 기전력은 인덕턴스와 전류 변화율의 곱이며 계산값은 $0.2\,\mathrm{V}$ 이다.
$e=L\dfrac{\Delta i}{\Delta t}$
$=20\times10^{-3}\times\dfrac{2}{0.2}=0.2\,\mathrm{V}$
나머지 보기는 계산값과 다르다.
$0.1\,\mathrm{V}$ 는 계산값과 다르다.
$0.3\,\mathrm{V}$ 는 계산값과 다르다.
$0.4\,\mathrm{V}$ 는 계산값과 다르다.

변위전류밀도는 전속밀도의 시간 변화율이므로 정의식에 자계의 세기가 들어가지 않는다.
$J_d=\dfrac{\partial D}{\partial t}=\varepsilon\dfrac{\partial E}{\partial t}$
자계의 세기는 변위전류가 만들어 내는 결과(암페어-맥스웰 법칙의 반대편 항)이지 이 식을 이루는 양이 아니다.
나머지 보기는 모두 변위전류밀도 식에 들어 있는 양이다.
전계의 세기는 $J_d=\varepsilon\,\partial E/\partial t$ 에 직접 들어간다.
유전율은 $D=\varepsilon E$ 의 비례계수로 식에 들어간다.
전속밀도는 $J_d=\partial D/\partial t$ 에서 시간 미분되는 양이다.

임피던스 파라미터가 서로 더해지는 접속은 두 회로를 입력과 출력 모두 직렬 접속한 경우이다.
입출력 모두 직렬이면 각 포트의 전류가 같고 전압이 더해져 $[Z]=[Z_a]+[Z_b]$ 가 된다.
나머지 보기는 다른 파라미터가 합이 되는 접속이다.
병렬 접속은 어드미턴스 파라미터 $[Y]$ 가 합이 된다.
직병렬 접속은 하이브리드 파라미터 $[h]$ 가 합이 된다.
병직렬 접속은 역 하이브리드 파라미터 $[g]$ 가 합이 된다.

주파수 영역의 미분 $dF/d\omega$ 는 시간 영역에서 f(t)에 $-jt$ 를 곱한 것과 같다.
$F(\omega)=\int f(t)e^{-j\omega t}dt$ 를 $\omega$ 로 미분하면
$\dfrac{dF}{d\omega}=\int(-jt)f(t)e^{-j\omega t}dt$
나머지 보기는 이 결과와 다르다.
$jt$ 를 곱한다는 보기는 지수항 미분에서 나오는 부호 $-j$ 와 반대이다.
$-\dfrac{1}{jt}$ 를 곱한다는 보기는 지수항을 $\omega$ 로 미분하면 $t$ 가 곱해지지 나누어지지 않으므로 맞지 않는다.
$\dfrac{1}{jt}$ 를 곱한다는 보기도 $t$ 로 나누는 형태여서 미분 결과에 나오지 않는다.

역률은 유효전력을 피상전력으로 나눈 값이며 계산값은 $0.8$ 이다.
$\cos\theta=\dfrac{P}{VI}$
$=\dfrac{40}{100\times0.5}=0.8$
나머지 보기는 계산값과 다르다.
$0.5$ 는 계산값과 다르다.
$0.6$ 은 계산값과 다르다.
$0.7$ 은 계산값과 다르다.

키르히호프 제2법칙은 집중회로이면 소자 특성과 무관하게 성립하므로 비선형·시변 회로에도 적용된다.
폐회로를 한 바퀴 돌 때 전압 상승과 강하의 합이 0 이라는 에너지 보존 관계이며, 전압-전류 관계식(선형성·시불변성)을 쓰지 않는다.
나머지 보기는 적용 범위를 소자 특성으로 제한하므로 맞지 않는다.
선형, 시변 회로에만 적용된다는 보기는 제2법칙이 비선형 소자에도 성립하므로 맞지 않다.
선형, 시불변 회로에만 적용된다는 보기는 시변·비선형 회로에서도 성립하므로 맞지 않다.
비선형, 시불변 회로에만 적용된다는 보기는 시변 회로에서도 성립하므로 맞지 않다.

1 $\mathrm{dB}$ 를 네퍼로 바꾸면 약 $0.115\,\mathrm{Np}$ 이다.
dB 정의:
$20\log_{10}A=1$ 에서 $\ln A=\dfrac{\ln 10}{20}$
$=\dfrac{2.3026}{20}\approx0.1151\,\mathrm{Np}$
나머지 보기는 계산값과 다르다.
$0.521$ 은 계산값과 다르다.
$7.076$ 은 계산값과 다르다.
$8.686$ 은 1 $\mathrm{Np}$ 를 $\mathrm{dB}$ 로 환산한 값($20\log_{10}e$)으로 방향이 반대이다.

RC 직렬회로에서 스위치를 닫으면 커패시터 전압은 $v_C(t) = V_s(1-e^{-t/RC})$ 형태로 0에서 시작해 지수함수적으로 증가하여 Vs로 수렴하는 충전 곡선을 그린다. 이는 처음에 기울기가 가장 크고 시간이 지날수록 완만해지며 점근선에 도달하는 형태이므로, 이러한 과도현상(충전 곡선)을 나타낸 그래프가 정답이다.

이상 변압기의 정합 조건은 부하가 전원측으로 반사된 값이 전원 저항과 같은 것이며 권선비는 1:3 이다.
$R_{in}=R_L\left(\dfrac{N_1}{N_2}\right)^{2}=R_s$
$\left(\dfrac{N_1}{N_2}\right)^{2}=\dfrac{50}{450}=\dfrac{1}{9}$
$N_1:N_2=1:3$
나머지 보기는 정합이 되지 않는다.
1:2 이면 반사 저항이 $450/4=112.5\,\Omega$ 로 $50\,\Omega$ 과 다르다.
2:3 이면 반사 저항이 $450/2.25=200\,\Omega$ 로 $50\,\Omega$ 과 다르다.
1:4 이면 반사 저항이 $450/16\approx28.1\,\Omega$ 로 $50\,\Omega$ 과 다르다.

전달 컨덕턴스 증폭기는 입력 전압을 받아 전류를 출력하므로 이상적으로 입력저항 무한대, 출력저항 무한대이다.
입력 쪽은 전압을 감지하므로 입력 전류가 0 이어야 하고($R_i=\infty$), 출력 쪽은 전류원이므로 부하와 무관하게 전류가 일정해야 한다($R_o=\infty$).
나머지 보기는 다른 종류의 이상적 증폭기 특성이다.
$R_i=0,\ R_o=0$ 은 전달 저항(전류 입력, 전압 출력) 증폭기의 특성이다.
$R_i=0,\ R_o=\infty$ 는 전류 증폭기의 특성이다.
$R_i=\infty,\ R_o=0$ 은 전압 증폭기의 특성이다.

MOSFET 의 포화영역은 채널이 핀치오프되어 증폭에 쓰이는 정전류 영역이며 BJT 의 활성 영역에 해당한다.
포화영역에서 드레인 전류는 드레인 전압이 아닌 게이트 전압이 제어하고, 활성 영역에서 컬렉터 전류는 베이스 전류가 제어하는 증폭 동작이다.
나머지 보기는 증폭 영역에 해당하지 않는다.
차단 영역은 접합이 모두 역방향이어서 전류가 거의 흐르지 않는 영역이다.
역활성 영역은 이미터와 컬렉터의 역할이 서로 바뀐 동작이다.
포화 영역은 BJT 의 두 접합이 모두 순방향이 된 스위치 도통 상태로 증폭 동작이 아니다.

비안정, 단안정, 쌍안정은 두 증폭단을 잇는 결합 회로의 구성에 따라 구별된다.
두 단을 모두 RC 결합하면 비안정, 한쪽만 RC 결합하고 다른 쪽을 직류(저항) 결합하면 단안정, 두 쪽 모두 직류 결합하면 쌍안정이 된다.
나머지 보기는 안정 상태의 개수를 정하지 않는다.
전원 전압의 크기는 주기나 출력 진폭 같은 동작 값에 영향을 줄 뿐 안정 상태의 개수를 정하지 않는다.
바이어스 전압의 크기도 동작 점과 파형 값에 영향을 줄 뿐 안정 상태의 개수를 정하지 않는다.
증폭기의 단수는 세 종류 모두 두 개의 증폭단을 교차 결합한 구조라 같다.

CMRR 의 정의로 구하면 동상신호 이득은 약 $5$ 이다.
$\mathrm{CMRR}=20\log_{10}\dfrac{A_d}{A_c}=86\,\mathrm{dB}$
$\dfrac{A_d}{A_c}=10^{4.3}\approx1.995\times10^{4}$
$A_c=\dfrac{10^{5}}{1.995\times10^{4}}\approx5.01\approx5$
나머지 보기는 계산값과 다르다.
$10$ 은 계산값과 다르다.
$50$ 은 계산값과 다르다.
$100$ 은 계산값과 다르다.

MOSFET 의 채널길이 변조와 유사한 BJT 특성은 얼리효과이다.
드레인 전압이 커지면 유효 채널 길이가 줄어 포화 전류가 완만히 늘어나듯, 컬렉터 전압이 커지면 유효 베이스 폭이 줄어 컬렉터 전류가 완만히 늘어난다.
나머지 보기는 전압에 따른 이런 전류 증가 현상과 관계가 없다.
도핑은 제작 시 정해지는 불순물 농도이지 동작 전압에 따라 변하는 현상이 아니다.
포화는 동작 영역의 이름이지 출력 특성의 기울기를 만드는 현상이 아니다.
전위장벽은 접합에 생기는 내부 전위차이며 유효 폭 변화로 전류가 늘어나는 현상이 아니다.

계단형 pn 접합의 접속 전위차는 접촉 전위차 식으로 구하며 계산값은 약 $0.754\,\mathrm{V}$ 이다.
접촉 전위차 공식:
$V_0=\dfrac{kT}{q}\ln\dfrac{N_AN_D}{n_i^2}$
$=0.0259\ln\dfrac{10^{18}\times10^{15}}{(1.5\times10^{10})^2}$
$=0.0259\times29.12\approx0.754\,\mathrm{V}$
나머지 보기는 계산값과 다르다.
$0.657\,\mathrm{V}$ 는 계산값과 다르다.
$6.57\,\mathrm{V}$ 는 계산값과 다르다.
$7.54\,\mathrm{V}$ 는 계산값과 다르다.

틀린 보기는 반도체의 광흡수가 불순물 농도와 무관하다는 서술이다.
불순물은 금지대 안에 준위를 만들어 밴드갭보다 작은 에너지의 광도 흡수하게 하고, 자유 캐리어 농도가 늘면 자유 캐리어 흡수도 달라지므로 불순물 농도에 무관하지 않다.
나머지 보기는 옳은 내용이다.
자유전자는 결정에 구속되지 않아 운동 에너지가 연속적인 값을 가지므로 옳다.
결정 내의 에너지 대역은 결정격자의 주기적인 배열(주기 퍼텐셜)에서 생기므로 옳다.
속박된 입자의 에너지는 양자화되어 불연속 준위를 이루므로 옳다.

틀린 보기는 이미터 쪽의 페르미 준위가 가장 높다는 서술이며, 열평형 상태에서는 전체에 걸쳐 페르미 준위가 일정하다.
외부 전압이 없는 평형상태에서는 각 영역의 에너지 대역만 휘어질 뿐 페르미 준위는 이미터·베이스·컬렉터에서 같은 높이이다.
나머지 보기는 옳은 내용이다.
세 단자가 접속되지 않은 상태는 외부 전압이 없는 평형상태이므로 옳다.
다수 캐리어는 농도 기울기에 따라 접합을 넘어 확산하므로 옳다.
소수 캐리어는 접합의 내부 전계에 쓸려 표동하며 확산 전류와 서로 상쇄되므로 옳다.

광전자 방출의 한계 주파수는 광자 에너지가 일함수와 같아지는 조건에서 $f_0=\dfrac{W}{h}$ 이다.
광자 에너지 $hf$ 가 일함수 $W$ 이상이어야 전자가 방출되므로 한계에서 $hf_0=W$
나머지 보기는 주파수의 차원이 맞지 않는다.
$W\times h$ 는 에너지와 작용(에너지×시간)의 곱이라 주파수(1/시간)가 될 수 없다.
$h/W$ 는 시간의 차원이어서 주파수의 역수에 해당한다.
$W+h$ 는 차원이 다른 양의 합이라 성립하지 않는다.

평행평판 전극 간의 전자 운동은 등가속도 운동이므로, 먼저 전자가 받는 가속도를 구한다. 전기장 $E = \frac{V}{d} = \frac{10}{0.01} = 1000 \text{ V/m}$이고, 전자가 받는 힘은 $F = eE$이므로 가속도는 $a = \frac{F}{m} = \frac{eE}{m} = \frac{1.602 \times 10^{-19} \times 1000}{9.1 \times 10^{-31}} = \frac{1.602 \times 10^{-16}}{9.1 \times 10^{-31}} = 1.76 \times 10^{14} \text{ m/s}^2$이다. 초기속도 0에서 거리 $d = 0.01 \text{ m}$을 이동하는 시간은 등가속도 운동 공식 $d = \frac{1}{2}at^2$에서 $t = \sqrt{\frac{2d}{a}} = \sqrt{\frac{2 \times 0.01}{1.76 \times 10^{14}}} = \sqrt{\frac{0.02}{1.76 \times 10^{14}}} = \sqrt{1.136 \times 10^{-16}} \approx 1.07 \times 10^{-8} \text{ s}$이다.

운동량이 같으면 자장 내 원운동 반지름은 전하에 반비례하므로 $q_b=2q_a$ 이다.
$r=\dfrac{p}{qB}$ 에서 $q=\dfrac{p}{rB}$
$\dfrac{q_b}{q_a}=\dfrac{r_a}{r_b}=2$
나머지 보기는 이 비와 다르다.
$q_a=2q_b$ 는 반지름이 큰 쪽의 전하가 더 크다는 뜻이어서 반비례 관계와 반대이다.
$q_a=4q_b$ 도 반지름이 큰 쪽의 전하가 더 크다는 뜻이어서 반비례 관계와 반대이다.
$q_b=4q_a$ 는 전하의 비가 4 인데 계산값은 2 이므로 다르다.

마그네트론의 임계 자속밀도는 양극전압의 제곱근에 비례하므로 $2000$ 가우스이다.
$B_c\propto\sqrt{V_a}$
$\dfrac{B_2}{B_1}=\sqrt{\dfrac{10{,}000}{100}}=10$
$B_2=200\times10=2000\,\mathrm{Gauss}$
나머지 보기는 계산값과 다르다.
$200$ 가우스는 전압을 올려도 변하지 않는다는 뜻이어서 계산값과 다르다.
$1000$ 가우스는 계산값과 다르다.
$20000$ 가우스는 계산값과 다르다.

정전압 방전관은 정상 글로우방전을 이용한다.
정상 글로우 영역에서는 전류가 변해도 방전 전압이 거의 일정하고 음극의 발광 면적만 변한다.
나머지 보기는 이런 정전압 특성을 보이는 방전이 아니다.
암전류 방전은 글로우 개시 전의 미약한 전류 영역이어서 부하 전류를 흘리며 전압을 일정하게 유지하는 정전압 동작에 쓰이지 않는다.
이상 글로우방전은 음극이 글로우로 완전히 덮여 전류가 늘면 방전 전압이 올라간다.
아크방전은 방전 전압이 낮고 전류가 커질수록 전압이 내려가는 부저항 특성을 보인다.

입자의 에너지 $mc^{2}$ 을 $hf$ 와 같게 놓으면 드브로이 물질파의 진동수는 $f=\dfrac{mc^{2}}{h}$ 이다.
에너지 등식:
$E=mc^{2}=hf$
$f=\dfrac{mc^{2}}{h}$
나머지 보기는 주파수의 차원이 맞지 않는다.
$mc/h$ 는 운동량을 작용으로 나눈 값이어서 단위가 1/길이이며 진동수가 아니다.
$\dfrac{1}{mc^{2}h}$ 는 에너지와 작용의 곱의 역수라 단위가 1/시간이 아니다.
$m/(hc^{2})$ 는 단위가 시간의 세제곱을 길이의 네제곱으로 나눈 꼴이어서 진동수가 아니다.

페르미-디랙 분포함수는 $f(E) = \frac{1}{1+\exp\left(\frac{E-E_f}{k_B T}\right)}$로 정의되며, T=0[K]일 때의 극한 거동을 살펴보면 다음과 같다.
E < E_f인 경우 지수항의 분자가 음수이므로 $\exp\left(\frac{E-E_f}{k_B T}\right) \to 0$이 되어 f(E) = 1이고, E > E_f인 경우 지수항의 분자가 양수이므로 $\exp\left(\frac{E-E_f}{k_B T}\right) \to \infty$이 되어 f(E) = 0이다.
따라서 T=0에서 페르미 분포는 계단함수(step function)의 형태로, E_f 이하의 모든 상태는 점유되고(f=1) E_f 이상의 모든 상태는 비어있다(f=0).

틀린 서술은 주양자수가 3일 때 자기양자수가 0, 1, 2, 3이라는 부분이다.
주양자수 $n=3$ 이면 방위(부) 양자수는 $l=0,1,2$ 이고, 자기양자수는 $m=-l,\ldots,+l$ 이므로 최대 $l=2$ 에서 $-2$ 부터 $+2$ 까지의 정수값을 갖는다.
나머지 보기는 옳은 내용이다.
전자 상태가 4개의 양자수로 표현된다는 서술은 옳다. 주·방위·자기·스핀 양자수 $n,l,m,s$ 로 정해진다.
전자배치도의 s, p, d, f 가 부양자수를 나타낸다는 서술은 옳다. 각각 $l=0,1,2,3$ 에 대응하는 표기이다.
모든 전자의 스핀양자수가 $+\dfrac{1}{2}$ 혹은 $-\dfrac{1}{2}$ 이라는 서술은 옳다. 스핀양자수는 이 두 값뿐이다.

특징과 거리가 먼 서술은 초속도가 빛의 세기에 의해서도 변한다는 부분이다.
광전효과에서 방출 전자의 최대 운동에너지는 $E_k=h\nu-\phi$ 로 빛의 주파수에 의해서만 정해지고, 빛의 세기는 방출 전자의 수(광전류)만 바꾼다.
나머지 보기는 광전자방출의 특징으로 옳은 내용이다.
방출전자의 흐름이 빛의 세기에 비례한다는 서술은 옳다. 세기가 커질수록 입사 광자 수가 늘어 방출 전자 수가 늘어난다.
빛을 조사한 즉시 전자가 방출된다는 서술은 옳다. 광자 하나가 전자 하나에 에너지를 한꺼번에 전달하기 때문이다.
방출전자의 흐름과 속도가 넓은 온도 범위에서 온도에 거의 관계없다는 서술은 옳다. 전자가 열이 아닌 광자 에너지를 받아 방출되기 때문이다.

최대 지정 가능한 메모리 주소의 수는 4096개이다.
오퍼랜드 비트 수는 $16-4=12$ 비트이다.
따라서 주소 수는 $2^{12}=4096$ 이다.
16 은 계산값과 다르다.
256 은 계산값과 다르다.
1024 는 계산값과 다르다.

틀린 설명은 비트 연산을 지원하지 않는다는 서술이다.
C 언어는 비트 AND·OR·XOR·NOT 과 시프트 연산자를 제공하는 비트 단위 연산이 가능한 언어이다.
나머지 보기는 옳은 내용이다.
C 언어의 기원을 ALGOL 에서 찾을 수 있다는 서술은 옳다. ALGOL 60 에서 CPL·BCPL·B 를 거쳐 발전했다.
뛰어난 이식성을 가졌다는 서술은 옳다. 하드웨어 의존 부분이 적어 다른 시스템으로 옮기기 쉽다.
분할 컴파일이 가능하다는 서술은 옳다. 여러 소스 파일을 따로 컴파일한 뒤 링크할 수 있다.

필요한 어드레스 선은 10개이다.
어드레스 선 수가 $n$ 이면 지정 가능한 워드 수는 $2^n$ 이므로 $1024=2^{10}$ 에서 $n=10$ 이다.
4개는 계산값과 다르다.
8개는 계산값과 다르다.
12개는 계산값과 다르다.

입출력 함수가 아닌 것은 atoi( ) 이다.
atoi 는 문자열을 정수로 바꾸는 변환 함수이며 입력이나 출력을 수행하지 않는다.
나머지 보기는 모두 입출력 함수이다.
printf( ) 는 서식에 맞춰 표준 출력으로 내보내는 출력 함수이다.
scanf( ) 는 서식에 맞춰 표준 입력에서 값을 읽는 입력 함수이다.
gets( ) 는 표준 입력에서 한 줄의 문자열을 읽는 입력 함수이다.

틀린 설명은 실행할 프로그램이 주기억장치 용량보다 작을 때 사용한다는 서술이다.
가상기억장치는 주기억장치보다 큰 프로그램을 보조기억장치까지 활용해 실행하기 위한 기법이므로 프로그램이 주기억 용량보다 클 때 의미가 있다.
나머지 보기는 옳은 내용이다.
보조기억장치 같은 큰 용량의 장치를 마치 주기억장치처럼 쓰는 개념이라는 서술은 옳다.
참조되는 가상주소가 주기억장치의 주소로 변환되어야 한다는 서술은 옳다. 실제 접근은 변환된 실제 주소로 이루어진다.
메모리 매핑이 페이지 방식과 세그먼트 방식으로 구분된다는 서술은 옳다.