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MOSFET에서 채널길이 변조(Channel Length Modulat… | [전자기사 필기] 16년 1회차 기출문제 상세 페이지

1[전자기사 필기] 16년 1회차
MOSFET에서 채널길이 변조(Channel Length Modulation)와 유사한 BJT 소자 특성은?
1
도핑(doping)
2
얼리효과(early effect)
3
포화(saturation)
4
전위장벽(potential barrier)
해설

MOSFET 의 채널길이 변조와 유사한 BJT 특성은 얼리효과이다.

드레인 전압이 커지면 유효 채널 길이가 줄어 포화 전류가 완만히 늘어나듯, 컬렉터 전압이 커지면 유효 베이스 폭이 줄어 컬렉터 전류가 완만히 늘어난다.

나머지 보기는 전압에 따른 이런 전류 증가 현상과 관계가 없다.

  • 도핑은 제작 시 정해지는 불순물 농도이지 동작 전압에 따라 변하는 현상이 아니다.
  • 포화는 동작 영역의 이름이지 출력 특성의 기울기를 만드는 현상이 아니다.
  • 전위장벽은 접합에 생기는 내부 전위차이며 유효 폭 변화로 전류가 늘어나는 현상이 아니다.

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