[전자기사 필기] 16년 2회차 기출문제 정답·해설 페이지

막대자석을 90° 회전시키는 데 필요한 일은 약 $1.03\times10^{-3}\ \mathrm{J}$ 이다.
토크 $T=mH\sin\theta$ 를 0 에서 90° 까지 적분한다.
$W=\int_0^{\pi/2} mH\sin\theta\,d\theta=mH$
$=9.8\times10^{-5}\times10.5\approx1.03\times10^{-3}\ \mathrm{J}$
나머지 보기가 맞지 않는 이유는 다음과 같다.
$1.03\times10^{-5}\ \mathrm{J}$ 은 계산값과 다르다.
$9.03\times10^{-3}\ \mathrm{J}$ 은 계산값과 다르다.
$9.03\times10^{-5}\ \mathrm{J}$ 은 계산값과 다르다.

평행판 내부의 전계의 세기는 $E=\dfrac{\sigma}{\varepsilon_0}\ \mathrm{V/m}$ 이다.
가우스 법칙으로 극판 면적 $S$ 에 대해 $D\,S=\sigma S$ 이므로 $D=\sigma$, $E=\dfrac{D}{\varepsilon_0}$ 이다.
두 판의 전하가 서로 반대 부호라 판 사이에서는 각 판이 만드는 전계가 같은 방향으로 더해지고 바깥에서는 상쇄된다.
나머지 값은 평판 내부 전계의 계산값과 다르다.
$\dfrac{\sigma}{2\varepsilon_0}$ 는 판 하나만 있을 때의 전계 값이며, 두 판이 겹치는 내부의 계산값과 다르다.
$\dfrac{\sigma}{2\pi\varepsilon_0}$ 는 선전하의 전계식 $\dfrac{\lambda}{2\pi\varepsilon_0 r}$ 과 같은 형태로, 평판 내부의 계산값과 다르다.
$\dfrac{\sigma}{4\pi\varepsilon_0}$ 는 점전하의 전계식 $\dfrac{Q}{4\pi\varepsilon_0 r^2}$ 과 같은 형태로, 평판 내부의 계산값과 다르다.

패러데이 관은 진전하가 없는 점에서 불연속이 아니라 연속이므로, 불연속이라는 서술이 틀린 내용이다.
패러데이 관은 양(+) 진전하에서 시작해 음(-) 진전하에서 끝나는 가상의 관이며, 진전하가 있는 곳에서만 시작하거나 끝나고 도중에서는 끊기지 않는다.
나머지 보기는 패러데이 관에 대해 옳은 내용이다.
관내의 전속수는 일정하다는 서술은 옳다. 관의 측면으로는 전속이 드나들지 않기 때문이다.
관의 밀도는 전속밀도와 같다는 서술은 옳다. 단위 면적을 지나는 관의 수가 곧 전속밀도 $D$ 이다.
관 양단에 양(+), 음(-)의 단위전하가 있다는 서술은 옳다. 단위 전속의 관은 +1 C 에서 시작해 -1 C 에서 끝난다.

유전율은 $\varepsilon=\dfrac{D^2}{2w}\approx 2.17\times10^{-11}\ \mathrm{F/m}$ 이다.
단위 체적당 정전에너지는 $w=\dfrac{1}{2}DE=\dfrac{D^2}{2\varepsilon}$ 이므로 $\varepsilon=\dfrac{D^2}{2w}$ 이다.
$\varepsilon=\dfrac{(4.8\times10^{-7})^2}{2\times5.3\times10^{-3}}$
$=\dfrac{2.304\times10^{-13}}{1.06\times10^{-2}}\approx2.17\times10^{-11}\ \mathrm{F/m}$
나머지 수치는 계산값과 다르다.
$1.15\times10^{-11}$ 은 계산값과 다르다.
$3.19\times10^{-11}$ 은 계산값과 다르다.
$4.21\times10^{-11}$ 은 계산값과 다르다.

두 코일의 상호인덕턴스는 $M=20\ \mathrm{mH}$ 이다.
누설자속이 없으므로 결합계수가 1이고 $M=\sqrt{L_A L_B}$ 이다. 같은 철심에서 인덕턴스는 권선수의 제곱에 비례하므로
$L_B=5\times\left(\dfrac{80}{20}\right)^2=80\ \mathrm{mH}$
$M=\sqrt{5\times80}=\sqrt{400}=20\ \mathrm{mH}$
나머지 수치는 계산값과 다르다.
$1.25\ \mathrm{mH}$ 는 계산값과 다르다.
$0.8\ \mathrm{mH}$ 는 계산값과 다르다.
$0.05\ \mathrm{mH}$ 는 계산값과 다르다.

자기회로의 키르히호프 제1법칙에 따라 임의의 결합점으로 유입하는 자속의 대수합은 0이다.
자속은 끊어지지 않고 이어지는 양이라 결합점에서 합이 0이고, 제2법칙은 폐자로에서 기자력의 합이 각 부분의 (자기저항 × 자속)의 합과 같다는 것이다.
$\sum NI=\sum R_m\phi$
나머지 서술은 자기회로에서 성립하지 않는다.
폐자로에서 자속과 기자력의 대수합이 0이라는 서술은 자속(Wb)과 기자력(AT)처럼 단위가 다른 양을 더하는 식이라 물리적으로 성립하지 않는다.
폐자로에서 자기저항과 기자력의 대수합이 0이라는 서술도 자기저항(AT/Wb)과 기자력(AT)의 단위가 달라 더할 수 없으므로 성립하지 않는다.
폐자로에서 각 부의 자기저항과 자속의 대수합이 0이라는 서술은, 곱의 합으로 읽어도 기자력이 있는 폐자로에서는 $\sum R_m\phi=\sum NI$ 라 0이 아니므로 성립하지 않는다.

표피효과(skin effect)는 교류 전류가 도체 표면 근처에 집중되는 현상으로, 침투깊이는 $d = \sqrt{\frac{2}{\omega\mu\sigma}}$ 식으로 표현된다. 주파수(ω)가 높을수록 침투깊이가 감소한다.
투자율이 크면 표피효과가 적게 나타난다: 투자율(μ)이 크면 침투깊이가 얇아져 표피효과가 크게 나타나므로 틀렸다.
표피저항은 단면적에 비례한다: 표피저항이 침투깊이에 반비례하고 단면적에 반비례하므로 틀렸다.
도전율이 큰 도체에는 표피효과가 적게 나타난다: 도전율(σ)이 클수록 침투깊이가 얇아져 표피효과가 크게 나타나므로 틀렸다.

환상 철심은 닫힌 자로라 끝이 없어 자극이 생기지 않으므로 감자력이 0이다.
감자력은 자성체 끝에 생기는 자극이 만드는, 자화와 반대 방향의 자계이며 $H^{\prime}=\dfrac{N_d J}{\mu_0}$ 로 나타낸다. 환상 철심은 자극이 없어 감자율 $N_d=0$ 이다.
나머지 자성체는 모두 끝에 자극이 생긴다.
구 자성체는 표면에 자극이 생겨 감자율이 0이 아니므로 감자력이 0이 아니다.
타원 자성체는 양 끝에 자극이 생겨 감자율이 0이 아니므로 감자력이 0이 아니다.
굵고 짧은 막대 자성체는 양 끝의 자극이 서로 가까워 감자력이 0이 아니다.

전계는 전위의 음의 기울기이므로 $\mathbf{E}=-3y\,\mathbf{i}-3x\,\mathbf{j}-\mathbf{k}$ 이다.
E = -∇V 를 적용해 편미분한다.
$\dfrac{\partial V}{\partial x}=3y,\quad \dfrac{\partial V}{\partial y}=3x,\quad \dfrac{\partial V}{\partial z}=1$
$\mathbf{E}=-\left(3y\,\mathbf{i}+3x\,\mathbf{j}+\mathbf{k}\right)$
나머지 식은 계산값과 다르다.
x 성분이 $3x$, y 성분이 $3y$ 인 식은 편미분 결과(x 성분 $-3y$, y 성분 $-3x$)와 다르다.
z 성분이 $+1$ 이고 y 성분이 $+3x$ 인 식은 부호가 달라 계산값과 다르다.
x 성분이 $3x$ 이고 y, z 성분이 음수인 식은 성분이 뒤바뀌어 계산값과 다르다.

차단주파수에서의 전류는 $I=\dfrac{20}{\sqrt{2}}\approx14.14\ \mathrm{mA}$ 이다.
차단주파수는 반전력점(-3 dB)이며 이때 전류는 공진 시 최대 전류의 $\dfrac{1}{\sqrt{2}}$ 배가 된다.
$I=20\times0.707\approx14.14\ \mathrm{mA}$
나머지 값은 계산값과 다르다.
0.707 은 최대 전류에 대한 비율이며, mA 로 나타낸 계산값과 다르다.
10 mA 는 최대 전류의 절반이며 계산값과 다르다.
20 mA 는 공진주파수에서의 최대 전류 값이며 차단주파수에서의 값과 다르다.

이상적인 변압기는 두 코일의 결합계수가 1이다. 한 코일의 자속이 모두 다른 코일과 쇄교한다는 뜻이다.
결합계수는 $k=\dfrac{M}{\sqrt{L_1L_2}}$ 이며 누설자속이 없을 때 $k=1$ 이 된다.
나머지 보기는 모두 결합이 없는 상태를 가리킨다.
유도 결합이 없는 경우는 $k=0$ 이라 한 코일의 자속이 다른 코일에 쇄교하지 않아 변압기 작용이 없다.
상호 자속이 전혀 없는 경우도 $k=0$ 이라 에너지가 전달되지 않아 변압기 조건이 아니다.
결합 계수 K가 0인 경우는 $M=k\sqrt{L_1L_2}=0$ 이라 변압기 작용이 없다.

형광등의 역률은 50 %이다.
피상전력 $S=VI=100\times0.5=50\ \mathrm{VA}$
역률 $\cos\theta=\dfrac{P}{S}=\dfrac{25}{50}=0.5$
유효전력은 실제 소비전력 25 W 를 쓰며, 정격 30 W 는 계산에 쓰지 않는다.
나머지 수치는 계산값과 다르다.
63 % 는 계산값과 다르다.
75 % 는 계산값과 다르다.
86 % 는 계산값과 다르다.

무손실 분포정수 선로의 특성 임피던스는 $Z_0=\sqrt{\dfrac{L}{C}}$ 이다.
일반식 $Z_0=\sqrt{\dfrac{R+j\omega L}{G+j\omega C}}$ 에서 무손실이면 $R=G=0$ 이므로 $Z_0=\sqrt{\dfrac{L}{C}}$ 이다.
나머지 식은 특성 임피던스가 아니다.
1 은 단위 없는 상수이며, 특성 임피던스는 선로의 $L$, $C$ 로 정해지는 Ω 단위 값이다.
$\dfrac{1}{\sqrt{LC}}$ 은 선로의 위상속도 식이며 임피던스가 아니다.
$\dfrac{L}{C}$ 은 제곱근이 없어 특성 임피던스의 제곱 값이다.

시정수는 $\tau=\dfrac{L}{R}=0.2\ \mathrm{s}=200\ \mathrm{ms}$ 이다.
R-L 직렬회로의 시정수는 $\tau=\dfrac{L}{R}$ 이다.
$\tau=\dfrac{0.4}{2}=0.2\ \mathrm{s}=200\ \mathrm{ms}$
나머지 수치는 계산값과 다르다.
800 ms 는 계산값과 다르다.
0.8 ms 는 계산값과 다르다.
0.2 ms 는 0.2 초가 아니라 그 천분의 1이므로 계산값과 다르다.

이상적인 전압원의 내부 임피던스는 0이다.
전압원의 단자전압은 $V=E-Z_i I$ 이므로, 부하전류가 변해도 단자전압이 일정하려면 내부 임피던스 $Z_i=0$ 이어야 한다.
나머지 보기는 이상적인 전압원의 조건이 아니다.
무한대는 이상적인 전류원의 내부 임피던스이다.
1 Ω 이면 부하전류에 따라 $Z_i I$ 만큼 전압강하가 생겨 단자전압이 일정하지 않다.
이상적인 전압원은 정의상 내부 임피던스가 0으로 정해지므로 정해지지 않는다는 서술은 틀리다.

대칭 4단자 망의 영상 임피던스는 $Z_0=\sqrt{\dfrac{B}{C}}$ 이다.
영상 임피던스의 일반식은 $Z_{01}=\sqrt{\dfrac{AB}{CD}}$, $Z_{02}=\sqrt{\dfrac{DB}{CA}}$ 이다. 대칭이면 $A=D$ 이므로 $Z_0=\sqrt{\dfrac{B}{C}}$ 이다.
$B$ 는 Ω, $C$ 는 S 의 차원이라 $B/C$ 가 $\Omega^2$ 의 차원이 된다.
나머지 식은 임피던스 차원이 아니거나 계산값과 다르다.
반복 임피던스가 $\sqrt{BC}$ 라는 서술은 $BC$ 가 무차원이라 임피던스가 될 수 없다.
반복 임피던스가 $\sqrt{\dfrac{BC}{AD}}$ 라는 서술은 무차원 양이라 임피던스가 될 수 없다.
영상 임피던스가 $\sqrt{AD}$ 라는 서술은 $A$, $D$ 가 무차원이라 임피던스가 될 수 없다.

모든 주파수에서 공진하는 조건(무주파수 특성 회로)은 R=√(L/C)이다. 그림에서 L=4mH, C=40μF이므로 R=√(4×10⁻³/40×10⁻⁶)=√100=10Ω이다.

실제로 급격히 변할 수 없는 것은 코일에서 전류와 콘덴서에서 전압이다.
코일 에너지 $\dfrac{1}{2}Li^2$, 콘덴서 에너지 $\dfrac{1}{2}Cv^2$ 가 순간적으로 변하려면 무한대의 전력이 필요하다. 또 $v_L=L\dfrac{di}{dt}$, $i_C=C\dfrac{dv}{dt}$ 이므로 전류, 전압이 불연속이면 상대 양이 무한대가 된다.
나머지 짝에는 급변할 수 있는 양이 들어 있다.
코일 전류와 콘덴서 전류의 짝은, 콘덴서 전류가 스위치를 닫는 순간 0 에서 전원 전압 나누기 저항 값으로 뛸 수 있어 틀리다.
코일 전압과 콘덴서 전압의 짝은, 코일 전압이 직렬 R-L 회로에 전원을 넣는 순간 0 에서 전원 전압으로 뛸 수 있어 틀리다.
코일 전압과 콘덴서 전류의 짝은 둘 다 급변할 수 있는 양이라 틀리다.

전류는 처음의 $\dfrac{2}{5}$ 로 줄어든다.
콘덴서 전류는 $I=\omega CV=2\pi f CV$ 이므로 전류는 $f$ 와 $C$ 에 비례한다.
$I^{\prime}=2\pi\left(\dfrac{f}{5}\right)(2C)V=\dfrac{2}{5}\,I$
나머지 변화율은 계산값과 다르다.
처음의 1/5 로 줄어든다는 서술은 커패시턴스가 2배가 된 효과를 빠뜨려 계산값과 다르다.
2배로 증가한다는 서술은 주파수가 1/5 이 된 효과를 빠뜨려 계산값과 다르다.
4배로 증가한다는 서술은 계산값과 다르다.

컬렉터 전류는 이미터 전류보다 작다.
트랜지스터의 세 전류는 $I_E=I_C+I_B$ 이므로 베이스 전류가 0 보다 큰 한 $I_C=I_E-I_B$ 는 $I_E$ 보다 작다.
나머지 서술은 이 관계와 다르다.
컬렉터 전류가 베이스 전류보다 작다는 서술은, 증폭 동작에서 $I_C=\beta I_B$ 이고 $\beta$ 가 1 보다 훨씬 크므로 틀리다.
컬렉터 전류가 이미터 전류와 베이스 전류의 합과 같다는 서술은, 실제 관계가 $I_E=I_C+I_B$ 이므로 틀리다.
컬렉터 전류가 이미터 전류와 베이스 전류의 합보다 크다는 서술은, $I_C=I_E-I_B$ 로 $I_E+I_B$ 보다 작으므로 틀리다.

디지털 반가산기는 연산증폭기의 응용 회로가 아니다.
반가산기는 합 $S=A\oplus B$, 올림 $C=AB$ 를 만드는 논리 게이트 조합의 디지털 회로이며, 아날로그 연산에 쓰는 연산증폭기 회로가 아니다.
나머지 보기는 모두 연산증폭기 응용 회로이다.
적분기는 반전 증폭기의 귀환 소자를 커패시터로 바꾼 연산증폭기 회로이다.
미분기는 입력 쪽에 커패시터를 두고 귀환 저항을 쓰는 연산증폭기 회로이다.
비교기는 연산증폭기를 개루프로 써서 두 입력 전압의 크기를 비교하는 응용 회로이다.

적분기의 귀환 소자는 커패시터, 미분기의 귀환 소자는 저항이다.
반전 구조의 이득은 $-\dfrac{Z_f}{Z_i}$ 이다. 적분기(입력 R, 귀환 C)는 $v_o=-\dfrac{1}{RC}\int v_i\,dt$, 미분기(입력 C, 귀환 R)는 $v_o=-RC\dfrac{dv_i}{dt}$ 이다.
나머지 조합은 해당 연산을 하지 못한다.
적분기 귀환이 저항이고 미분기 귀환이 커패시터라는 조합은 서로 뒤바뀐 것이다.
적분기 귀환이 제너다이오드라는 조합은 전류를 시간 적분하는 소자가 커패시터이므로 적분 동작을 만들지 못한다.
두 회로 모두 귀환 소자가 커패시터라는 조합은 미분기의 귀환이 저항이 아니라 미분 동작이 되지 않는다.

전압변동률은 $\varepsilon=30\ \%$ 이다.
전압변동률은 $\varepsilon=\dfrac{V_{NL}-V_{FL}}{V_{FL}}\times100$ 이다.
$\varepsilon=\dfrac{13-10}{10}\times100=30\ \%$
나머지 수치는 계산값과 다르다.
10 % 는 계산값과 다르다.
20 % 는 계산값과 다르다.
40 % 는 계산값과 다르다.

원자 내에서 두 전자가 동일한 양자 상태에 있을 수 있다는 서술은 파울리 배타 원리와 반대이므로 틀리다.
파울리의 배타 원리에 따르면 원자 내의 어떤 두 전자도 네 양자수 $(n,\,l,\,m_l,\,m_s)$ 가 모두 같을 수 없다.
나머지 보기는 파울리 배타 원리에 대해 옳은 내용이다.
원자내의 전자 배열을 지배하는 원리라는 서술은 옳다. 껍질과 부껍질에 들어갈 수 있는 전자 수를 제한한다.
하나의 양자 궤도에 spin이 다른 두 전자가 존재할 수 있다는 서술은 옳다. 스핀 양자수가 $+\dfrac{1}{2}$, $-\dfrac{1}{2}$ 로 달라 허용된다.
네 개의 양자수가 전부 같을 수는 없다는 서술은 옳다. 배타 원리 그 자체이다.

정공은 양의 전하를 가진 캐리어이므로 전계가 가해지면 전계의 방향과 같은 방향으로 드리프트 속도를 갖는다. 전자는 음의 전하를 가지므로 전계와 반대 방향으로 움직이지만, 정공은 전계 방향 자체로 가속되어 전계 방향과 동일한 방향으로 드리프트한다. 따라서 정공의 드리프트 속도는 전계와 같은 방향이다.

공간전하 용량은 $C\approx5.31\ \mathrm{pF}$ 이다.
평행판 용량 $C=\dfrac{\varepsilon_0\varepsilon_r A}{d}$ 에 대입한다. $A=0.1\ \mathrm{mm^2}=1\times10^{-7}\ \mathrm{m^2}$, $d=2\times10^{-4}\ \mathrm{cm}=2\times10^{-6}\ \mathrm{m}$
$C=\dfrac{8.85\times10^{-12}\times12\times10^{-7}}{2\times10^{-6}}$
$=5.31\times10^{-12}\ \mathrm{F}=5.31\ \mathrm{pF}$
나머지 값은 크기가 계산값과 다르다.
$53.1\ \mu\mathrm{F}$ 은 계산값과 다르다.
$0.531\ \mu\mathrm{F}$ 은 계산값과 다르다.
$5.31\ \mu\mathrm{F}$ 은 계산값과 다르다.

Fermi-Dirac 분포 함수는 $f(E) = \frac{1}{1 + e^{(E-E_f)/k_B T}}$로 정의되며, 에너지 E가 페르미준위 Ef와 같을 때 지수 항의 지수가 0이 되므로 $f(E_f) = \frac{1}{1 + e^0} = \frac{1}{1 + 1} = 0.5$이다. 이는 온도와 무관하게 페르미준위에서 항상 성립하는 성질로, 해당 에너지 상태가 전자로 채워질 확률이 50%임을 의미한다.

베이스 영역의 저항률이 높을수록 펀치 스루 전압이 높아진다는 서술이 옳지 않다.
저항률이 높다는 것은 베이스 불순물 농도 $N_B$ 가 낮다는 뜻이며, 농도가 낮을수록 공핍층이 베이스 전체에 빨리 퍼져 펀치 스루 전압 $V_{PT}$ 는 낮아진다. 이 전압은 $N_B$ 가 클수록 커진다.
나머지 보기는 펀치 스루에 대해 옳은 내용이다.
베이스 중성 영역이 없는 상태라는 서술은 옳다. 컬렉터 공핍층이 베이스 폭 전체에 도달한 상태이다.
컬렉터 역바이어스를 충분히 증가시킨 경우라는 서술은 옳다. 역바이어스가 커질수록 공핍층이 베이스 쪽으로 넓어진다.
적당한 직렬저항을 접속하지 않으면 트랜지스터가 파괴된다는 서술은 옳다. 펀치 스루 시 전류가 급증하므로 외부 저항이 없으면 과전류가 흐른다.

확률 분포함수가 아닌 것은 드브로이(De Broglie) 분포함수이다.
드브로이의 이름이 붙은 것은 입자의 운동량과 파장을 잇는 물질파 관계 $\lambda=\dfrac{h}{p}$ 이며, 에너지 준위의 점유를 나타내는 통계 분포함수가 아니다.
나머지 보기는 모두 입자가 에너지 준위에 존재하는 정도를 나타내는 통계 분포함수에 해당한다.
보즈-아인슈타인 분포함수는 보손이 에너지 준위를 평균적으로 얼마나 점유하는지를 주는 통계 분포함수이다.
맥스웰-볼츠만 분포함수는 구별 가능한 고전 입자가 에너지 준위를 점유하는 통계 분포함수이다.
페르미-디랙 분포함수는 페르미온이 에너지 E 준위를 점유할 확률 $f(E)=\dfrac{1}{1+e^{(E-E_F)/kT}}$ 을 주는 통계 분포함수이다.

틀린 것은 공간 전하층이 일반 다이오드보다 넓다는 서술이다.
터널 다이오드는 불순물을 매우 높게 도핑해 공간 전하층(공핍층)이 일반 다이오드보다 매우 얇고, 그 얇은 장벽을 전자가 터널 효과로 통과한다.
나머지 보기는 터널 다이오드의 특성으로 옳은 내용이다.
터널 다이오드는 순방향 일부 구간에서 전압이 커지는데 전류는 줄어드는 부성 저항 특성을 나타낸다.
터널 다이오드는 부성 저항과 빠른 응답을 이용해 마이크로파 발진용으로 사용된다.
터널 다이오드는 얇은 장벽을 터널링으로 통과하므로 역바이어스 상태에서도 전도성이 양호하다.

광자의 에너지는 $E = h\nu = \frac{hc}{\lambda}$ 공식으로 구한다.
주어진 값: $\lambda = 1\text{ Å} = 1 \times 10^{-10}\text{ m}$, $h = 6.626 \times 10^{-34}\text{ J·s}$, $c = 3 \times 10^8\text{ m/s}$이다.
계산하면
$E = \frac{6.626 \times 10^{-34} \times 3 \times 10^8}{1 \times 10^{-10}} = \frac{19.878 \times 10^{-26}}{10^{-10}} = 19.878 \times 10^{-16} =$이다.

옳은 설명은 순바이어스에 의해 주입된 소수 캐리어에 의한 용량이라는 것이다.
순방향에서 접합 너머로 주입된 소수 캐리어가 확산하며 저장되는 전하가 전압에 따라 변하는데, 이것이 확산 용량으로 나타나며 순방향 전류가 클수록 커진다.
나머지 보기는 확산 용량의 원인을 바르게 설명하지 못한다.
공간 전하에 의한 용량은 접합(전이) 용량이며 확산 용량이 아니다.
다수 캐리어의 확산작용에 의한 용량이라는 서술은 틀리며, 확산 용량의 원인은 주입된 소수 캐리어이다.
역바이어스에 의한 소수 캐리어 확산 용량이라는 서술은 틀리며, 역방향에서는 소수 캐리어 주입이 거의 없어 공간 전하 용량이 지배한다.

전류 증폭률은 $\alpha=0.95$, $\beta=19$이다.
베이스 접지 전류 증폭률은 컬렉터·이미터 전류 변화비이다.
$\alpha=\dfrac{\Delta I_C}{\Delta I_E}=\dfrac{3.8}{4}=0.95$
$\beta=\dfrac{\alpha}{1-\alpha}=\dfrac{0.95}{0.05}=19$
나머지 보기는 계산값과 다르다.
$\alpha=9.5,\ \beta=1.9$ 는 계산값과 다르며, 컬렉터 전류 변화가 이미터 전류 변화보다 작으므로 α 는 1보다 작을 수밖에 없다.
$\alpha=95,\ \beta=0.19$ 는 계산값과 다르며, 컬렉터 전류 변화가 이미터 전류 변화보다 작으므로 α 는 1보다 작을 수밖에 없다.
$\alpha=9.5,\ \beta=19$ 는 β 만 계산값과 같고 α 는 계산값 0.95 와 다르다.

드레인 전류는 2.4 mA이다.
JFET 전달 특성식을 쓴다.
$I_D=I_{DSS}\left(1-\dfrac{V_{GS}}{V_P}\right)^2$
$=8\times\left(1-\dfrac{-1.8}{-4}\right)^2=8\times0.55^2=8\times0.3025=2.42\approx2.4\ \mathrm{mA}$
나머지 보기는 계산값과 다르다.
3.2 mA 는 계산값 2.4 mA 와 다르다.
3.9 mA 는 계산값 2.4 mA 와 다르다.
4.3 mA 는 계산값 2.4 mA 와 다르다.

객체지향언어가 아닌 것은 GW-BASIC이다.
GW-BASIC 은 줄 번호를 따라 순차적으로 실행하는 절차적 언어로, 클래스·객체·상속 개념이 없다.
나머지 보기는 모두 객체지향언어에 해당한다.
C#은 클래스와 상속·다형성을 지원하는 객체지향언어이다.
Java는 클래스 기반의 객체지향언어이다.
C++은 클래스와 상속·다형성 등 객체지향 기능을 지원하는 언어이다.

반드시 누산기를 사용하는 방식은 1-주소 방식이다.
1-주소 명령어는 오퍼랜드 주소를 하나만 지정하므로 나머지 한 오퍼랜드와 연산 결과는 누산기가 묵시적으로 맡는다.
나머지 보기는 누산기를 반드시 쓰지는 않는다.
0-주소 방식은 오퍼랜드 주소 없이 스택 상단의 값으로 연산하므로 누산기가 필수가 아니다.
2-주소 방식은 두 오퍼랜드 주소를 명시하고 그중 하나에 결과를 저장하므로 누산기 없이도 구성할 수 있다.
3-주소 방식은 두 원천 오퍼랜드와 결과 주소를 모두 명시하므로 누산기 없이도 구성할 수 있다.

인터럽트 원인이 될 수 있는 것은 정전(power failure)이다.
전원 전압 저하가 감지되면 프로세서에 인터럽트가 요청되고, 전원이 완전히 끊기기 전에 현재 작업 상태를 보존하는 처리 루틴이 실행된다.
나머지 보기는 인터럽트 원인이 아니다.
서브루틴 call 은 프로그램이 직접 수행하는 명령으로, 복귀 주소를 저장하고 분기할 뿐 인터럽트 요청이 아니다.
go to 문장 수행은 프로그램이 의도한 단순 분기이며 인터럽트 요청이 아니다.
compile 시에 발생한 오류는 번역 단계에서 컴파일러가 찾아 보고하는 문법 오류이며, 프로그램 실행 중 발생하는 인터럽트가 아니다.

필요한 비트 수는 MBR 24, MAR 15, PC 15 이다. 즉 24, 15, 15이다.
$32768=2^{15}$ 이므로 word 주소 지정에는 15비트가 필요하다. MBR은 한 word 를 담으므로 24비트이고, MAR 과 PC 는 주소를 담으므로 15비트이다.
나머지 보기는 주소 비트 수와 맞지 않는다.
24, 24, 24 는 MAR 과 PC 가 주소 비트 수 15 와 다르다.
24, 15, 24 는 PC 가 주소 비트 수 15 와 다르다.
24, 24, 15 는 MAR 가 주소 비트 수 15 와 다르다.

CPU 기본 구조가 아닌 것은 RAM이다.
RAM 은 CPU 와 별도의 주기억장치이며, CPU 는 연산 장치·레지스터·제어 장치로 구성된다.
나머지 보기는 모두 CPU 기본 구조에 해당한다.
ALU 는 산술·논리 연산을 수행하는 CPU 의 구성요소이다.
레지스터 세트는 데이터와 주소를 임시 보관하는 CPU 의 구성요소이다.
제어 유니트는 명령을 해독해 제어 신호를 내보내는 CPU 의 구성요소이다.

a[3][4] 의 위치는 14이다.
행 주도 순서에서 위치는 $(i-1)\times5+j$ 이다.
$(3-1)\times5+4=14$
나머지 보기는 계산값과 다르다.
18 은 계산값 14 와 다르다.
19 는 계산값 14 와 다르다.
25 는 계산값 14 와 다르다.

특정 비트를 삭제(0으로 만들거나 제거)할 때는 AND 연산을 사용한다. AND 연산에서 한쪽 피연산자를 0으로 설정하면 결과는 항상 0이 되기 때문에 원하는 비트를 선택적으로 제거할 수 있다. 예를 들어 1101과 1011을 AND 연산하면 1001이 되어 특정 위치의 비트가 제거된다. OR은 비트를 설정(1로 만들기)할 때, XOR은 비트를 반전시킬 때, NOR은 논리 게이트로 사용되므로 비트 삭제에 해당하지 않는다.

오른쪽으로 4회 산술 시프트하면 이전 값에 $2^{-4}$을 곱한 값이 된다.
오른쪽 1회 산술 시프트는 2로 나누는 것과 같고, 새로 들어온 비트가 0 이므로 4회는 $\times2^{-4}=\dfrac{1}{16}$ 이다.
나머지 보기는 오른쪽 4회 이동의 결과와 다르다.
$2^{4}$ 를 곱한 값은 왼쪽으로 4회 시프트한 결과(16배)이다.
4배는 왼쪽으로 2회 시프트한 결과로, 오른쪽 이동의 결과가 아니다.
8배는 왼쪽으로 3회 시프트한 결과로, 오른쪽 이동의 결과가 아니다.

변환값은 2619이다.
각 자리에 16의 거듭제곱을 곱해 더한다.
$A3B_{16}=10\times16^2+3\times16+11=2560+48+11=2619$
나머지 보기는 계산값과 다르다.
1269 는 10진 환산값 2619 와 다르다.
2916 은 10진 환산값 2619 와 다르다.
2196 은 10진 환산값 2619 와 다르다.