펀치 스루(punch-through) 현상에 대한 설명으로 옳지 않은 … | [전자기사 필기] 16년 2회차 기출문제 상세 페이지
1[전자기사 필기] 16년 2회차
펀치 스루(punch-through) 현상에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
1
베이스 중성 영역이 없는 상태이다.
2
컬렉터 역바이어스를 충분히 증가시킨 경우이다.
3
베이스 영역의 저항률이 높을수록 펀치 스루현상을 일으키는 컬렉터 전압은 높아진다.
4
회로에 적당한 직렬저항을 접속하지 않으면 트랜지스터가 파괴된다.
해설
베이스 영역의 저항률이 높을수록 펀치 스루 전압이 높아진다는 서술이 옳지 않다.
저항률이 높다는 것은 베이스 불순물 농도 가 낮다는 뜻이며, 농도가 낮을수록 공핍층이 베이스 전체에 빨리 퍼져 펀치 스루 전압 는 낮아진다. 이 전압은 가 클수록 커진다.
나머지 보기는 펀치 스루에 대해 옳은 내용이다.
- 베이스 중성 영역이 없는 상태라는 서술은 옳다. 컬렉터 공핍층이 베이스 폭 전체에 도달한 상태이다.
- 컬렉터 역바이어스를 충분히 증가시킨 경우라는 서술은 옳다. 역바이어스가 커질수록 공핍층이 베이스 쪽으로 넓어진다.
- 적당한 직렬저항을 접속하지 않으면 트랜지스터가 파괴된다는 서술은 옳다. 펀치 스루 시 전류가 급증하므로 외부 저항이 없으면 과전류가 흐른다.
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