[전자기사 필기] 19년 1회차 기출문제 해설 페이지
접지된 구도체와 점전하 간에 작용하는 힘은?
항상 흡인력이다.
항상 반발력이다.
조건적 흡인력이다.
조건적 반발력이다.
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사이클로트론에서 양자가 매초 3×1015 개의 비율로 가속되어 나오고 있다. 양자가 15MeV의 에너지를 가지고 있다고 할 때, 이 사이클로트론은 가속용 고주파 전계를 만들기 위해서 150kW의 전력을 필요로 한다면 에너지 효율(%)은?
2.8
3.8
4.8
5.8
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단면적 4cm2의 철심에 6×10-4Wb의 자속을 통하게 하려면 2800AT/m의 자계가 필요하다. 이 철심의 비투자율은 약 얼마인가?
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375
407
426
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진공 중에서 무한장 직선도체에 선전하밀도 ρL=2π × 10-3C/m가 균일하게 분포된 경우 직선도체에서 2m와 4m떨어진 두 점사이의 전위차는 몇 V 인가?
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평행판 콘덴서의 극판 사이에 유전율 ε, 저항률 ρ인 유전체를 삽입하였을 때, 두 전극간의 저항 R과 정전용량 C의 관계는?
R = ρεC
RC = ε / ρ
RC = ρε
RCρε = 1
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맥스웰방정식 중 틀린 것은?
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다음의 관계식 중 성립할 수 없는 것은? (단, μ는 투자율, χ는 자화율, μ0는 진공의 투자율, J는 자화의 세기이다.)
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자기회로의 자기저항에 대한 설명으로 옳은 것은?
투자율에 반비례한다.
자기회로의 단면적에 비례한다.
자기회로의 길이에 반비례한다.
단면적에 반비례하고, 길이의 제곱에 비례한다.
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균일한 자장 내에 놓여 있는 직선도선에 전류 및 길이를 각각 2배로 하면 이 도선에 작용하는 힘은 몇 배가 되는가?
1
2
4
8
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와류손에 대한 설명으로 틀린 것은? (단, f : 주파수, Bm : 최대자속밀도, t : 두께, ρ : 저항률이다.)
t2 에 비례한다.
f2 에 비례한다.
ρ2 에 비례한다.
Bm2에 비례한다.
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그림과 같이 전류가 흐르는 반원형 도선이 평면 Z=0 상에 놓여 있다. 이 도선이 자속밀도 B = 0.6ax - 0.5ay + az(Wb/m2)인 균일 자계 내에 놓여 있을 때 도선의 직선 부분에 작용하는 힘(N)은?
4ax + 2.4az
4ax - 2.4az
5ax – 3.5az
-5ax + 3.5az
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서로 다른 두 유전체사이의 경계면에 전하분포에 없다면 경계면 양쪽에서의 전계 및 전속밀도는?
전계 및 전속밀도의 접선성분은 서로 같다.
전계 및 전속밀도의 법선성분은 서로 같다.
전계의 법선성분이 서로 같고, 전속밀도의 접선성분이 서로 같다.
전계의 접선성분이 서로 같고, 전속밀도의 법선성분이 서로 같다.
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환상철심에 권수 3000회 A코일과 권수 200회 B코일이 감겨져 있다. A코일의 자기인덕턴스가 360mH일 때 A, B 두 코일의 상호 인덕턴스는 몇 mH 인가? (단, 결합계수는 1이다.)
16
24
36
72
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평행판 콘덴서에 어떤 유전체를 넣었을 때 전속밀도가 2.4 × 10-7C/m2이고, 단위 체적중의 에너지가 5.3 × 10-3J/m3이었다. 이 유전체의 유전율은 약 몇 F/m인가?
2.17 × 10-11
5.43 × 10-11
5.17 × 10-12
5.43 × 10-12
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대전된 도체의 특징으로 틀린 것은?
가우스정리에 의해 내부에는 전하가 존재한다.
전계는 도체 표면에 수직인 방향으로 진행된다.
도체에 인가된 전하는 도체 표면에만 분포한다.
도체 표면에서의 전하밀도는 곡률이 클수록 높다.
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평행한 두 도선간의 전자력은? (단, 두 도선간의 거리는 r(m)라 한다.)
r에 비례
r2에 비례
r에 반비례
r2에 반비례
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원형 선전류 I(A)의 중심축상 점 P의 자위(A)를 나타내는 식은? (단, θ는 점 P에서 원형전류를 바라보는 평면각이다.)
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비투자율 μs=1, 비유전율 εs=90인 매질 내의 고유임피던스는 약 몇 Ω 인가?
32.5
39.7
42.3
45.6
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q(C)의 전하가 진공 중에서 v(m/s)의 속도로 운동하고 있을 때, 이 운동방향과 θ의 각으로 r(m) 떨어진 점의 자계의 세계(AT/m)는?
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x ＞ 0인 영역에 비유전율 εr1=3인 유전체, x ＜ 0인 영역에 비유전율 εr2=5인 유전체가 있다. x ＜ 0 인 영역에서 전계 E2 = 20ax + 30ay-40az V/m일 때 x ＞ 0 인 영역에서의 전속밀도는 몇 C/m2 인가?
10(10ax+9ay-12az)ε0
20(5ax-10ay+6az)ε0
50(2ax+ay-4az)ε0
50(2ax-3ay+4az)ε0
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다음과 같은 L-C 회로의 구동점 임피던스로 옳은 것은? (단, L1=L2=1H, C1=C2=1F 이다.)
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정현파에서 평균치가 Iav, 실효치가 I 일 때 평균치와 실효치 사이의 관계는?
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시정수 τ를 갖는 R-L 직렬 회로에 직류 전압을 인가할 때 t=2τ 가 되는 시간에 회로에 흐르는 전류는 최종값의 몇 % 가 되는가?
86
73
95
100
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다음 그림에 표시한 여파기는?
고역 여파기
대역 여파기
대역 소거 여파기
저역 여파기
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그림과 같은 L형 회로에 대한 영상 임피던스 Z01과 Z02를 구하면?
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R-C직렬 회로망에서 스위치 S가 t=0 일 때 닫혔다고 하면 전류 i(t)는? (단, 콘덴서에는 초기 전하가 없었다.)
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두 회로 간에 쌍대 관계가 옳지 않은 것은?
KVL → KCL
테브난 정리 → 노튼 정리
전압원 → 전류원
폐로전류 → 절점전류
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정격전압에서 1kW의 전력을 소비하는 저항에 60%인 전압을 인가할 때의 전력(W)은?
490
580
360
860
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어떤 회로의 피상전력이 20kVA이고 유효전력이 15kW일 때 이 회로의 역률은?
0.9
0.75
0.6
0.45
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그림의 회로에서 독립적인 전류방정식 N과 독립적인 전압방정식 B는 몇 개인가?
N=2, B=3
N=1, B=2
N=2, B=2
N=3, B=4
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그림과 같은 회로가 정저항 회로로 되기 위한 C값은 몇 uF인가? (단, R=1㏀, L=400mH이다.)
0.1
0.2
0.4
1
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R-L 직렬회로에 v(t) = 100sin(104t + Q1)V 의 전압을 가할 때 i(t) = 20sin(104t + Q2)A 의 전류가 흘렀다. R=30Ω 일 때 인덕턴스 L의 값은?
4mH
40mH
0.4mH
0.04mH
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리액턴스 함수가 
로 표시되는 리액턴스 2단자망은?
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다음 4단자 회로망에 있어서 4단자 정수(또는 ABCD 파라미터) 중 정수 A와 C의 정의가 옳은 것은?
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다음 회로에서 부하(Load)에 최대로 전력을 공급하기 위한 R의 값은?
16Ω
1Ω
4Ω
Ω
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아래의 A와 B단자에 대해 테브난 등가회로로 변경하였을 때, 등가전압과 등가저항은?
2.5V, 12.5Ω
5V, 12.5Ω
5V, 15Ω
2.5V, 15Ω
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다음 회로에서 단자 1, 2간의 인덕턴스 L은?
L1 + L2
L1 + L2 - 2M
L1 + L2 + 2M
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그림과 같은 파형을 실수 푸리에 급수로 전개할 때 설명으로 옳은 것은?
sin항, cos항을 쓰면 유한항으로 전개된다.
sin항, cos항 모두 있다.
cos항은 없다.
sin항은 없다.
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다음 회로에서 저항 3Ω의 전압은?
1V
2V
3V
4V
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다음 함수에 대한 f(t)의 최종값은?
3
6
9
18
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그림 (a)와 같은 리미터(limiter) 회로에 정현파 입력을 인가할 때, (b)와 같은 출력파형이 나타난다. 이때 전원 E1(㉠, ㉡), E2(㉢, ㉣)의 극성은?
㉠ +, ㉡ -, ㉢ -, ㉣ +
㉠ +, ㉡ -, ㉢ +, ㉣ -
㉠ -, ㉡ +, ㉢ -, ㉣ +
㉠ -, ㉡ +, ㉢ +, ㉣ -
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증폭기에서 주파수 대역폭을 반으로 줄이면 증폭이득은 약 몇 dB 변화하는가?
3
-3
6
-6
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이상적인 전압 증폭기에서 능동소자의 입력임피던스와 출력 임피던스의 값은?
Zi = ∞, Zo = 0
Zi = 0, Zo = ∞
Zi = 0, Zo = 0
Zi = ∞, Zo = ∞
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다음 (b)회로에 (a)와 같은 정현파 전압을 인가했을 때, 출력 측에 나타나는 파형은? (단, Vm ＞ VR 이다.)
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차동 증폭기에서 V1 = 10V, V2 = 8V를 인가할 때 출력 전압(VO)은 몇 V인가? (단, 연산증폭기는 이상적이다.)
-2
-3
-4
-6
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A급 증폭기와 B급 증폭기의 최대효율은 얼마인가?
A급 25%, B급 50%
A급 50%, B급 78.5%
A급 78.5%, B급 78.5%
A급 78.5%, B급 100%
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다음과 같은 순차표를 가지는 카운터의 명칭은?
동기식 2진 카운터
링 카운터
존슨 카운터
모듈러 카운터
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다음 전원 평활회로에서 출력전압의 맥동률(Ripple Factor)을 작게 하는 방안으로 가장 적합한 것은?
L과 C를 모두 작게 한다.
L을 작게 하고 C를 크게 한다.
L과 C를 모두 크게 한다.
L을 크게 하고 C를 작게 한다.
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JFET에서 포화 드레인 전류 ID를 나타낸 식은? (단, IDSS는 VGS 일 때 최대 드레인 전류이다.)
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T형 플립플롭을 사용하여 4단 계수기를 만들면 최대 몇 개의 펄스까지 계수할 수 있는가?
8개
16개
32개
64개
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pn접합 다이오드에 순방향 바이어스를 인가하기 위한 설명으로 옳은 것은?
양극에 (+), 음극에 (-)의 외부전압을 공급한다.
양극에 (-), 음극에 (+)의 외부전압을 공급한다.
p형 반도체에 (-), n형 반도체에 (+)의 외부전압을 공급한다.
p형 반도체에 (+), n형 반도체에 (+)의 외부전압을 공급한다.
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다음 회로의 컬렉터 전류(IC)는 몇 mA 인가? (단, VBE = 0.7V, 트랜지스터의 βDC=150)
430
64.5
43.0
645
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위상 변조(PM) 방식에서 변조지수와 신호파의 관계 중 옳은 것은?
신호파의 주파수 제곱에 비례한다.
신호파의 진폭에 비례한다.
신호파의 진폭에 반비례한다.
신호파의 주파수에 반비례한다.
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다음 회로에 관한 설명 중 가장 적합하지 않은 것은?
구형파를 주기적으로 발생시키는 회로이다.
R과 C를 조절함으로써 발생하는 파형의 주파수를 조절할 수 있다.
R1과 R2의 값을 조절함에 따라 출력파형의 주파수를 조절할 수 있다.
연산증폭기의 (+)단자의 파형은 정현파이다.
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다음 회로의 명칭으로 가장 적합한 것은?
고역통과 여파기
저역통과 여파기
DC – AC 변환기
슈미트 트리거
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증폭기로 동작하기 위하여 NPN 트랜지스터 베이스의 바이어스 설정으로 옳은 것은?
이미터에 대한 양(+)의 값
이미터에 대한 음(-)의 값
컬렉터에 대한 양(+)의 값
접지
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다음 회로에서 입력전압(Vi)과 출력전압(VO)의 관계곡선으로 옳은 것은?
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압전현상을 이용하여 안정도가 높은 발진주파수를 얻는 발진기는?
VCO
빈브리지 발진기
수정 발진기
Hartley 발진기
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LPF(Low-Pass Filter) 회로에서 입력저항(Ri)은 10㏀, DC 증폭률은 10, 주파수는 10kHz 일 때, R1, R2, C의 값은?
R1 = 10㏀, R2 = 10㏀, C = 16nF
R1 = 10㏀, R2 = 100㏀, C = 16nF
R1 = 10㏀, R2 = 10㏀, C = 0.16nF
R1 = 10㏀, R2 = 100㏀, C = 0.16nF
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다음 회로의 출력 파형(VO)으로 가장 적합한 것은?
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반도체의 에너지 대역에 대한 설명으로 틀린 것은?
자유전자는 연속적인 에너지 값을 갖는다.
결정 내의 에너지 대역은 결정격자의 주기적인 배열에 의해 생긴다.
속박 입자의 에너지는 양자화 된다.
반도체의 광흡수 특성은 불순물 농도에 무관하다.
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p형 반도체의 전기적 성질을 바르게 설명한 것은?
3족이 불순물로 도핑 되어 도너 준위를 형성한다.
n형과 접촉하면 (+)로 대전된다.
페르미 준위가 금지대 중앙으로부터 위쪽에 위치한다.
정공이 다수캐리어이다.
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광양자가 운동량을 갖고 있음을 증명할 수 있는 것은?
Zener 효과
Compton 효과
Hall 효과
Edison 효과
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T=0K에서 전자가 가질 수 있는 최대 에너지 준위는?
페르미 에너지 준위
도너 준위
억셉터 준위
드리프트 준위
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높은 주파수의 응용에 중요한 관계를 갖는 반도체의 성질은?
비저항이 클 것
캐리어의 이동도 클 것
에너지 갭이 좁을 것
에너지 갭이 넓을 것
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Fermi 에너지에 대한 설명으로 틀린 것은?
온도에 따라 그 크기가 변한다.
캐리어 농도에 따라 그 크기가 변한다.
상온에서 전자가 점유할 수 있는 최저에너지이다.
0K에서 전자가 점유할 수 있는 최고 에너지이다.
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다음 중 스위칭 시간이 대단히 짧아 고속 스위칭 회로에 사용되는 소자는?
UJT
SCR
제너 다이오드
터널 다이오드
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발광 다이오드(LED)에 대한 설명으로 옳은 것은?
정공과 전자의 재결합에 의해 발생한다.
빛에 의하여 기전력이 발생한다.
광전류의 증폭이 이루어진다.
역바이어스 접합을 사용한다.
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접합형 전계효과 트랜지스터의 핀치오프 상태에 대한 설명으로 적합하지 않는 것은?
드레인 전류가 최대가 되는 상태
채널의 저항이 최대가 되는 상태
채널의 단면적이 최소가 되는 상태
채널이 끊기는 상태
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정자계내에서 자계와 수직이 아닌 임의의 각도로 운동하는 전자의 궤도는?
직선 운동
원 운동
나선 운동
포물선 운동
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MOSFET의 구조와 동작원리에 대한 설명으로 옳은 것은?
n채널 MOSFET의 단면구조는 드레인-소스간 p형 반도체의 기판 위에 절연체를 붙이고, 그 위에 금속단자를 붙여 게이트 단자를 만든다.
n채널 MOSFET의 동작원리는 게이트 단자에 문턱전압이상의 (+) 전압을 인가하면 MOSFET 드레인-소스사이는 2개의 역방향 다이오드와 같은 등가회로를 갖는다.
p채널 MOSFET의 단면구조는 p형 반도체기판(Substrate)에 2개의 p+형 반도체를 형성시킨다.
n채널 MOSFET의 단면구조는 n형 반도체기판(Substrate)에 2개의 p+형 반도체를 형성시킨다.
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MOSFET에 대한 설명 중 틀린 것은?
문턱전압(thereshold voltage)을 넘는 게이트 전압에서만 작동한다.
소스와 게이트간의 바이어스 전압의 극성에는 무관하게 동작한다.
소스와 게이트간의 전압에 의하여 채널이 생긴다.
게이트와 기판 사이에는 엷은 산화막이 있다.
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반도체의 성질에 대한 설명으로 틀린 것은?
반도체는 역기전력이 크며 부 온도계수를 갖는다.
PN 접합 부근에서는 n에서 p로 전계가 생긴다.
직접 재결합률은 정공밀도와 전자밀도의 곱에 비례한다.
p형 반도체의 억셉터 원자는 정상 동작 온도에서 부전하가 된다.
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수소원자에서 원자핵 주위를 돌고 있는 전자가 에너지 준위 E1 = -5.4×10-13(erg)상태에서, 에너지 준위 E2 = -21.7×10-12(erg)상태로 천이할 때 내는 빛의 진동수는 약 얼마인가? (단, Planck 상수 h = 6.63×10-27erg·sec이다.)
1.2×105 s-1
2.5×1015 s-1
5.03×1016 s-1
10.3×1022 s-1
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JFET의 특성곡선에 대한 설명으로 틀린 것은?
저항성 영역에서는 채널저항이 거의 일정하다.
저항성 영역에서는 공간전하층이 매우 좁다.
항복영역에서는 VDS를 크게 증가시키면 ID가 급격히 증대한다.
포화영역에서는 VDS가 어느 정도 증대되면 채널저항이 급격히 감소된다.
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광전자 방출에 대한 설명으로 틀린 것은?
광전자 방출은 금속의 일함수와 관계가 있다.
금속 표면에 빛이 입사되면 전자가 방출되는 현상을 광전자 방출이라 한다.
한계 파장보다 긴 파장의 빛을 다량으로 입사시키면 광전자 방출이 일어난다.
광전자 방출을 위해서는 금속 표면에 입사되는 빛의 파장이 한계 파장보다 짧아야 한다.
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이미터접지 증폭회로에서 베이스전류를 10㎂에서 20㎂로 증가시켰을 때, 컬렉터 전류의 변화량은? (단, β = 100이다.)
1mA
10mA
100mA
1A
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실온에서 Si 진성반도체의 고유저항은 약 얼마인가? (단, 실온에서 n = 1400cm2/V·sec, p = 600cm2/V·sec, ni = 1.5×1010개/cm3 이다.)
5.1×103 Ω·m
3.8×104 Ω·m
2.1×105 Ω·m
4.8×10-6 Ω·m
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도체, 반도체, 절연체의 에너지 대역에 관한 설명으로 틀린 것은?
도체는 전도대와 가전자대가 중첩되었다.
반도체의 금지대역폭이 절연체보다 작다.
도체의 금지대역폭이 반도체보다 작다.
반도체는 금지대역폭이 5eV 이상이다.
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정상 동작 상태로 바이어스 된 NPN 트랜지스터에 컬렉터 접합을 통과하는 주된 전류는?
확산 전류
정공 전류
드리프트 전류
베이스 전류
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데이터 버스 폭이 32비트이고, 버스 클럭 주파수가 10MHz 일 때 버스 대역폭은?
32Mbyte/s
40Mbyte/s
320Mbyte/s
400Mbyte/s
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RISC에 대한 설명으로 틀린 것은?
CISC에 비하여 전체 명령어의 수가 적다.
칩설계가 쉽다.
데이터 처리속도가 CISC보다 빠르다.
설계 시 에러 발생률이 높다.
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C 언어가 높은 호환성을 갖는 이유가 아닌 것은?
프로그램간의 인터페이스가 함수로 통일
높은 이식성
자료형 변환이 자유로움
포인터 사용이 가능
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다음과 같은 명령어 형식을 만들기 위해 요구되는 명령의 최소 비트(bit)는?
12
15
17
19
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서브루틴 호출 시 필요한 자료 구조는?
스택(stack)
환형 큐(circular queue)
다중 큐(multi queue)
트리(tree)
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프로그램이 수행될 때 최근에 사용한 인스트럭션과 데이터를 다시 사용할 가능성이 높은 현상을 무엇이라 하는가?
참조(접근)의 지역성
디스크인터리빙
페이징
블록킹
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C 프로그램에서 선행처리기에 대한 설명으로 틀린 것은?
컴파일하기 전에 처리해야 할 일들을 수행하는 것이다.
상수를 정의하는 데에도 사용한다.
프로그램에서 '#' 표시를 사용한다.
유틸리티 루틴을 포함한 표준 함수를 제공한다.
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지정 어드레스로 분기한 후에 그 명령으로 되돌아오는 명령은?
비교 명령
조건부 분기 명령
서브루틴 분기 명령
강제 인터럽트 명령
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사용자가 프로그래밍 할 수 없는 ROM은?
ROM
PROM
EPROM
EEPROM
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16비트 컴퓨터 시스템에서 다음과 같은 두 가지의 인스트럭션 형식을 사용한다면 최대 연산자의 수는 얼마인가?
36
72
86
512
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어셈블리 언어로 프로그램을 작성할 때 절대번지 대신에 간단한 기호 및 명칭을 사용할 수 있는데 이러한 번지를 무엇이라 하는가?
self address
symbolic address
relative address
symbolic relative address
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DMA(Direct Memory Access)에 관한 설명으로 옳은 것은?
CPU가 입·출력을 직접 제어한다.
입·출력 동작을 수행하는 동안에는 프로세서가 다른 일을 하지 못한다.
입·출력 모듈의 인터럽트 신호에 의하여 데이터전송이 이루어진다.
CPU가 개입하지 않고 기억장치와 입·출력 모듈사이에 데이터 전송이 이루어진다.
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하드디스크에서 등각속도방식의 특징이 아닌 것은?
회전 구동장치가 간단하다.
디스크 평판이 일정한 속도로 회전한다.
디스크 저장 공간이 효율적으로 사용된다.
트랙간의 저장밀도가 모두 다르다.
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컴퓨터의 클록 펄스 주기가 5MHz 이고, 16비트 레지스터를 통해 데이터를 직렬 전송한다면, 순수 데이터의 비트 전송시간(A)과 워드 전송시간(B)은?
A : 0.2㎲, B : 0.5㎲
A : 0.2㎲, B : 3.2㎲
A : 0.4㎲, B : 6.4㎲
A : 0.4㎲, B : 12.8㎲
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동시에 2개 이상의 프로그램을 컴퓨터에 로드(load)시켜 처리하는 방법을 무엇이라 하는가?
double programming
multi programming
multi-accessing
real-time programming
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짝수 패리티 비트의 해밍(HAMMING)코드로 0011011을 받았을 때 오류가 수정된 정확한 코드는?
0010001
0001011
0111011
0011001
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다음 중 수의 변환이 옳은 것은?
FFF16 = 1111111112
25610 = 1000000002
FF16 = 1111112
F16 = 1410
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6비트로 표시되는 지수가 있다. 지수표시 방법으로서 바이어스 된 지수표시를 사용하였을 때 바이어스 값은?
6
16
32
64
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AND 연산에서 레지스터 내의 어느 비트 또는 문자를 지울 것인가를 결정하는 것은?
mask bit
sing bit
check bit
parity bit
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스택 메모리를 이용하여 수식 E = (A+ B – C)×D 연산을 하려고 할 때, 연산 명령어 순서로 옳은 것은?
SUB → ADD → ADD
ADD → MUL → SUB
MUL → ADD → SUB
ADD → SUB → MUL
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