[전자기사 필기] 19년 1회차 기출문제 정답·해설 페이지

접지된 구도체와 점전하 사이의 힘은 항상 흡인력이다.
영상법에서 접지 구도체의 영향은 구 내부의 영상전하로 대체되고, 영상전하는 $q^{\prime}=-\dfrac{a}{d}q$ 로 점전하와 부호가 반대이다. 점전하의 부호와 관계없이 이종 전하 사이의 힘이므로 항상 끌어당긴다.
항상 반발력이라는 서술은 틀리다. 영상전하가 점전하와 반대 부호이므로 반발하는 경우가 없다.
조건적 흡인력이라는 서술은 틀리다. 거리나 전하 부호에 따라 달라지지 않고 항상 흡인이다.
조건적 반발력이라는 서술은 틀리다. 어떤 조건에서도 영상전하는 반대 부호라 반발이 되지 않는다.

이 사이클로트론의 에너지 효율은 4.8%이다.
효율은 가속된 양자가 매초 얻는 에너지(출력)를 필요한 고주파 전력(입력)으로 나눈 값이다.
$P_{out}=3\times10^{15}\times15\times10^{6}\times1.6\times10^{-19}=7200\,\mathrm{W}$
$\eta=\dfrac{7200}{150\times10^{3}}\times100=4.8\,\%$
나머지 값은 계산값과 다르다.

이 철심의 비투자율은 약 426이다.
자속밀도는 자속을 단면적으로 나눈 값이고, 투자율은 자속밀도를 자계로 나눈 값이다.
$B=\dfrac{\Phi}{S}=\dfrac{6\times10^{-4}}{4\times10^{-4}}=1.5\,\mathrm{T}$
$\mu=\dfrac{B}{H}=\dfrac{1.5}{2800}\approx5.36\times10^{-4}\,\mathrm{H/m}$
$\mu_{r}=\dfrac{\mu}{\mu_{0}}=\dfrac{5.36\times10^{-4}}{4\pi\times10^{-7}}\approx426$
나머지 값은 계산값과 다르다.

평행판 콘덴서에서 저항과 정전용량의 관계는 $RC=\rho\varepsilon$ 이다.
극판 면적 $S$, 간격 $d$ 일 때 저항은 $R=\rho\dfrac{d}{S}$, 정전용량은 $C=\varepsilon\dfrac{S}{d}$ 이다.
$RC=\rho\dfrac{d}{S}\cdot\varepsilon\dfrac{S}{d}=\rho\varepsilon$
$R=\rho\varepsilon C$ 는 틀리다. 올바른 관계 $RC=\rho\varepsilon$ 에서는 $R=\dfrac{\rho\varepsilon}{C}$ 이다.
$RC=\dfrac{\varepsilon}{\rho}$ 는 틀리다. $RC$ 는 $\rho$ 와 $\varepsilon$ 의 곱이다.
$RC\rho\varepsilon=1$ 은 틀리다. 이 식은 $RC=\dfrac{1}{\rho\varepsilon}$ 를 뜻해 계산 결과와 다르다.

자기저항은 투자율에 반비례한다는 설명이 옳다.
길이 $\ell$, 단면적 $S$, 투자율 $\mu$ 인 자기회로의 자기저항은 $R_{m}=\dfrac{\ell}{\mu S}$ 이다. 따라서 길이에 비례하고, 단면적과 투자율에 각각 반비례한다.
자기회로의 단면적에 비례한다는 설명은 틀리다. 자기저항은 단면적에 반비례한다.
자기회로의 길이에 반비례한다는 설명은 틀리다. 자기저항은 길이에 비례한다.
단면적에 반비례하고 길이의 제곱에 비례한다는 설명은 틀리다. 자기저항은 길이의 제곱이 아니라 길이에 비례한다.

도선에 작용하는 힘은 4배가 된다.
자장 내 직선 도선에 작용하는 힘은 전류와 도선 길이에 각각 비례하며 $F=BI\ell\sin\theta$ 이다. 전류와 길이를 각각 2배로 하면 $F^{\prime}=B(2I)(2\ell)\sin\theta=4F$ 이다.
1배는 계산값과 다르다. 전류와 길이가 변하면 힘도 변한다.
2배는 계산값과 다르다. 전류와 길이가 모두 2배이므로 두 배의 영향이 곱해져야 한다.
8배는 계산값과 다르다. 힘은 전류와 길이에 각각 1차로 비례하므로 배수는 $2\times2=4$ 이다.

와류손에 대한 설명 중 틀린 것은 저항률 $\rho$ 의 제곱에 비례한다는 서술이다.
와류손은 $P_{e}=k\dfrac{f^{2}B_{m}^{2}t^{2}}{\rho}$ 로 나타내며, 저항률이 클수록 와전류가 작아져 손실도 줄어든다. 와류손은 저항률에 반비례한다.
나머지 보기는 옳은 내용이다.
두께의 제곱에 비례한다는 설명은 옳다.
주파수의 제곱에 비례한다는 설명은 옳다.
최대자속밀도의 제곱에 비례한다는 설명은 옳다.

전하분포가 없는 유전체 경계면에서는 전계의 접선성분이 같고 전속밀도의 법선성분이 같다.
경계면에 자유전하가 없으면 접선성분과 법선성분에 대해 $E_{1t}=E_{2t}$, $D_{1n}=D_{2n}$ 이 성립한다. 반대로 전속밀도의 접선성분은 $\dfrac{D_{1t}}{D_{2t}}=\dfrac{\varepsilon_{1}}{\varepsilon_{2}}$, 전계의 법선성분은 $\dfrac{E_{1n}}{E_{2n}}=\dfrac{\varepsilon_{2}}{\varepsilon_{1}}$ 로 유전율이 다르면 서로 같지 않다.
전계와 전속밀도의 접선성분이 같다는 서술은 틀리다. 전속밀도의 접선성분은 유전율 비만큼 달라진다.
전계와 전속밀도의 법선성분이 같다는 서술은 틀리다. 전계의 법선성분은 유전율의 역비로 달라진다.
전계의 법선성분과 전속밀도의 접선성분이 같다는 서술은 틀리다. 같은 것은 전계의 접선성분과 전속밀도의 법선성분이다.

두 코일의 상호 인덕턴스는 24mH이다.
자기인덕턴스는 권수의 제곱에 비례하므로 B코일의 인덕턴스를 구한 뒤 결합계수 1을 적용한다.
$L_{B}=360\times\left(\dfrac{200}{3000}\right)^{2}=1.6\,\mathrm{mH}$
$M=k\sqrt{L_{A}L_{B}}=\sqrt{360\times1.6}=\sqrt{576}=24\,\mathrm{mH}$
나머지 값은 계산값과 다르다.

유전체의 유전율은 약 $5.43\times10^{-12}\,\mathrm{F/m}$이다.
단위 체적당 저장 에너지 밀도는 전속밀도로 $w=\dfrac{D^2}{2\varepsilon}$ 이므로 유전율은 $\varepsilon=\dfrac{D^2}{2w}$ 이다.
$\varepsilon=\dfrac{(2.4\times10^{-7})^2}{2\times5.3\times10^{-3}}=\dfrac{5.76\times10^{-14}}{1.06\times10^{-2}}$
$\approx5.43\times10^{-12}\,\mathrm{F/m}$
$2.17\times10^{-11}\,\mathrm{F/m}$는 계산값과 다르다.
$5.43\times10^{-11}\,\mathrm{F/m}$는 계산값과 다르다.
$5.17\times10^{-12}\,\mathrm{F/m}$는 계산값과 다르다.

틀린 서술은 도체 내부에 전하가 존재한다는 내용이다.
정전 평형 상태에서 도체 내부 전계는 0이다. 내부 폐곡면을 지나는 전속이 없으므로 가우스 정리에 따라 내부의 순전하도 0이고, 전하는 표면에만 분포한다.
나머지 보기는 모두 옳은 내용이다.
전계가 도체 표면에 수직이라는 서술은 옳다. 접선 성분이 있으면 표면 전하가 움직여 정전 평형이 깨지기 때문이다.
전하가 도체 표면에만 분포한다는 서술은 옳다. 내부 순전하가 0이기 때문이다.
표면 전하밀도가 곡률이 클수록 높다는 서술은 옳다. 곡률 반지름이 작은 뾰족한 부분에 전하가 더 모인다.

평행한 두 도선 사이의 전자력은 거리 $r$에 반비례한다.
단위 길이당 전자력은 $\dfrac{F}{\ell}=\dfrac{\mu_0I_1I_2}{2\pi r}$ 이며 $r$이 분모에 일차로 들어간다.
거리 $r$에 비례한다는 서술은 식에서 $r$이 분모에 있으므로 틀리다.
$r^2$에 비례한다는 서술은 식에서 $r$이 분모에 있으므로 틀리다.
$r^2$에 반비례한다는 서술은 식의 $r$이 일차이므로 틀리다.

매질의 고유임피던스는 약 $39.7\,\Omega$이다.
고유임피던스는 투자율과 유전율의 비로 $\eta=\sqrt{\dfrac{\mu}{\varepsilon}}=120\pi\sqrt{\dfrac{\mu_s}{\varepsilon_s}}$ 이다.
$\eta=\dfrac{120\pi}{\sqrt{90}}\approx\dfrac{377}{9.49}$
$\approx39.7\,\Omega$
$32.5\,\Omega$는 계산값과 다르다.
$42.3\,\Omega$는 계산값과 다르다.
$45.6\,\Omega$는 계산값과 다르다.

$x>0$ 영역의 전속밀도는 $10(10\mathbf{a}_x+9\mathbf{a}_y-12\mathbf{a}_z)\varepsilon_0\,\mathrm{C/m^2}$ 이다.
유전체 경계면에서는 전계의 접선 성분이 연속이고 전속밀도의 법선 성분이 연속이다. 경계면은 $x=0$ 면이므로 $x$ 성분이 법선, $y,z$ 성분이 접선이다.
$D_{1x}=D_{2x}=\varepsilon_{r2}\varepsilon_0E_{2x}=5\varepsilon_0\times20=100\varepsilon_0$
$E_{1x}=\dfrac{D_{1x}}{\varepsilon_{r1}\varepsilon_0}=\dfrac{100}{3},\ E_{1y}=30,\ E_{1z}=-40$
$\mathbf{D}_1=3\varepsilon_0\left(\dfrac{100}{3},30,-40\right)=\varepsilon_0(100,90,-120)$
$20(5,-10,6)\varepsilon_0$는 접선 성분이 계산값 $(90,-120)$과 달라 틀리다.
$50(2,1,-4)\varepsilon_0$는 $x$ 성분만 같고 접선 성분이 계산값과 달라 틀리다.
$50(2,-3,4)\varepsilon_0$는 $x$ 성분만 같고 접선 성분이 계산값과 달라 틀리다.

$t=2\tau$에서 전류는 최종값의 약 86 %이다.
R-L 직렬 회로에 직류를 인가하면 전류는 시정수 $\tau$로 지수적으로 증가한다.
$i(t)=I_f\left(1-e^{-t/\tau}\right)$
$\dfrac{i}{I_f}=1-e^{-2}\approx1-0.135=0.865$
약 86 %
73 %는 계산값과 다르다.
95 %는 $t=3\tau$에서의 값($1-e^{-3}\approx0.95$)이므로 계산값과 다르다.
100 %는 $t\to\infty$에서만 도달하므로 $t=2\tau$의 값이 아니다.

폐로전류와 절점전류의 대응은 정확한 쌍대 관계가 아니다. 쌍대 관계를 이루려면 폐로전류와 절점전류(절점에서의 분기 전류)가 아니라 폐로전류와 절점전압(또는 절점 임피던스)이 쌍대 대응되어야 한다.
쌍대(duality) 관계는 회로 이론에서 전압과 전류, 임피던스와 어드미턴스 등이 대칭적으로 대응되는 원리다. 폐로전류법(메시 분석)과 절점전압법(노드 분석)은 회로 해석 방법으로, 폐로전류는 독립적인 루프를 기준으로 하고 절점전압은 독립적인 절점을 기준으로 한다.
KVL(키르히호프 전압 법칙)과 KCL(키르히호프 전류 법칙)은 전압-전류 쌍대 관계의 기본으로, KVL의 "폐로에서 전압 합=0"은 KCL의 "절점에서 전류 합=0"과 정확히 대응된다.
테브난 정리(전압원+임피던스)와 노튼 정리(전류원+어드미턴스)도 쌍대 대응의 대표 사례다.
전압원과 전류원은 쌍대 소자로서 회로 변환 시 서로 대응된다.

전압을 60 %로 낮추면 소비 전력은 360 W이다.
저항이 일정하면 전력은 전압의 제곱에 비례한다.
$P=\dfrac{V^2}{R}\ \Rightarrow\ P\propto V^2$
$P\prime=1000\times0.6^2=1000\times0.36$
$=360\,\mathrm{W}$
$490\,\mathrm{W}$는 계산값과 다르다.
$580\,\mathrm{W}$는 계산값과 다르다.
$860\,\mathrm{W}$는 계산값과 다르다.

이 회로의 역률은 0.75이다.
역률은 유효전력을 피상전력으로 나눈 값이다.
$\cos\theta=\dfrac{P}{P_a}=\dfrac{15}{20}=0.75$
0.9는 계산값과 다르다.
0.6은 계산값과 다르다.
0.45는 계산값과 다르다.

R-L 직렬회로에서 임피던스는 $Z = \sqrt{R^2 + (X_L)^2}$이고, $X_L = \omega L$이다.
전압과 전류의 진폭 비로부터 임피던스를 구하면 $Z = \frac{V_m}{I_m} = \frac{100}{20} = 5\,\Omega$이다. $R^2 + X_L^2 = Z^2$에 값을 대입하면 $30^2 + X_L^2 = 5^2$이 되는데, 이는 물리적으로 불가능하다(R이 Z보다 클 수 없음).
문제를 재검토하면 저항값이 $R = 3\,\Omega$로 읽혀야 타당하다.
$3^2 + X_L^2 = 5^2$에서 $X_L^2 = 25 - 9 = 16$, $X_L = 4\,\Omega$이다.
$X_L = \omega L = 10^4 \times L = 4$에서 $L = \frac{4}{10^4} = 4 \times 10^{-4}\,\text{H} =$이다.

전압원 2V가 저항 3Ω과 병렬로 직접 연결되어 있으므로, 전류원 1A의 크기와 관계없이 저항 양단 전압은 전압원의 값과 같은 2V로 고정된다.

증폭기의 대역폭과 이득의 관계는 이득-대역폭 곱(gain-bandwidth product)이 일정하다는 원리에 기초한다. 대역폭을 반으로 줄이면 이득은 2배 증가하며, 이를 dB로 환산하면 $20\log_{10}(2) \approx 6.02 \text{ dB}$이다. 따라서 증폭이득은 약 +6 dB 변화한다.

이상적인 전압 증폭기는 입력임피던스가 무한대이고 출력임피던스가 0이다.
입력임피던스가 무한대여야 신호원 전압을 손실 없이 받아들이고, 출력임피던스가 0이어야 부하와 무관하게 출력 전압이 유지된다.
$Z_i=0,\ Z_o=\infty$는 이상적인 전류 증폭기의 값이다.
$Z_i=0,\ Z_o=0$은 이상적인 전달 저항 증폭기의 값이다.
$Z_i=\infty,\ Z_o=\infty$는 이상적인 전달 컨덕턴스 증폭기의 값이다.

T형 플립플롭 4단 계수기는 16개의 상태를 순환하는 16진 계수기가 된다.
T형 플립플롭 한 단은 입력 펄스 두 개마다 출력이 한 번 바뀌는 2분주 회로이므로, $n$단을 종속 접속하면 $2^n$개의 상태를 갖는다.
$2^4=16$ 이므로 16개 펄스마다 처음 상태로 돌아온다.
8개는 $2^3$이므로 3단 계수기의 값이다.
32개는 $2^5$이므로 5단 계수기의 값이다.
64개는 $2^6$이므로 6단 계수기의 값이다.

베이스 전류는 $I_B = \dfrac{V_{BB}-V_{BE}}{R_B} = \dfrac{5-0.7}{10\text{k}} = 0.43\text{mA}$로 구해진다. 컬렉터 전류는 $I_C = \beta_{DC} \times I_B = 150 \times 0.43\text{mA} = 64.5\text{mA}$로 계산되며, 이는 포화 여부를 무시한 이상적 계산값이다. 따라서 64.5mA가 정답이다.

위상 변조에서 변조지수는 신호파의 진폭에 비례한다.
위상 변조는 반송파의 위상 편이가 신호 전압에 비례하는 방식이다. 최대 위상 편이인 변조지수는 $m_p=k_pV_m$ 이며 신호 주파수와 무관하다.
신호파 주파수의 $f_m^2$에 비례한다는 서술은 식에 주파수 항이 없으므로 틀리다.
신호파의 진폭에 반비례한다는 서술은 식에서 진폭에 비례하므로 틀리다.
신호파의 주파수에 반비례한다는 서술은 주파수 변조의 변조지수($m_f=\dfrac{\Delta f}{f_m}$)의 성질이며 위상 변조에는 해당하지 않는다.

압전현상으로 안정도 높은 발진 주파수를 얻는 발진기는 수정 발진기이다.
수정 진동자는 압전효과에 따른 기계적 공진을 이용하며 공진의 Q가 매우 높아 발진 주파수가 안정하다.
VCO는 제어 전압에 따라 발진 주파수를 바꾸는 것이 목적인 전압 제어 발진기이다.
빈브리지 발진기는 저항과 커패시터로 이루어진 RC 궤환 회로를 쓰는 발진기이다.
Hartley 발진기는 탭이 있는 코일과 커패시터의 LC 공진 회로를 쓰는 발진기이다.

틀린 서술은 광흡수 특성이 불순물 농도와 무관하다는 내용이다.
불순물은 금지대 안에 도너·억셉터 준위를 만들고 자유 캐리어를 늘리므로, 이 준위를 통한 전이와 자유 캐리어 흡수가 생겨 광흡수는 불순물 농도에 따라 달라진다.
나머지 보기는 모두 옳은 내용이다.
자유전자가 연속적인 에너지 값을 갖는다는 서술은 옳다. 속박되지 않은 자유전자는 허용 에너지가 띄엄띄엄하지 않다.
결정 내 에너지 대역이 결정격자의 주기적 배열에서 생긴다는 서술은 옳다. 주기적 포텐셜 속에서 원자의 에너지 준위가 대역으로 퍼진다.
속박 입자의 에너지가 양자화된다는 서술은 옳다. 속박된 입자는 불연속적인 에너지 준위만 갖는다.

p형 반도체의 전기적 성질로 옳은 것은 정공이 다수캐리어라는 서술이다.
3족 불순물 원자는 가전자가 하나 부족해 가전자대에서 전자를 받아 정공을 만들며, 이 정공이 전류를 나르는 다수캐리어가 된다.
3족이 불순물로 도핑되어 도너 준위를 형성한다는 서술은 틀리다. 3족 불순물은 억셉터 준위를 만들고 도너 준위는 5족 불순물이 만든다.
n형과 접촉하면 (+)로 대전된다는 서술은 틀리다. 접합에서 정공이 n형 쪽으로 확산해 나가면 p형 쪽 공간전하 영역에는 음전하를 띤 억셉터 이온이 드러나 (-)로 대전된다.
페르미 준위가 금지대 중앙의 위쪽에 있다는 서술은 틀리다. p형에서는 페르미 준위가 금지대 중앙보다 아래, 가전자대 쪽에 있다.

광양자가 운동량을 가짐을 보이는 것은 Compton 효과이다.
X선 광자가 전자와 충돌해 산란되면 산란 광자의 파장이 길어지며, 이는 광자가 에너지뿐 아니라 운동량 $p=\dfrac{h}{\lambda}$를 갖는 입자처럼 충돌한다고 해야 에너지와 운동량 보존으로 설명된다.
Zener 효과는 역방향 강전계에서 전자가 에너지 대역 사이를 터널링하는 현상이다.
Hall 효과는 전류와 수직인 자계가 있을 때 두 방향에 모두 수직으로 전압이 생기는 현상이다.
Edison 효과는 가열된 음극에서 열전자가 방출되는 현상이다.

발광 다이오드는 정공과 전자의 재결합에 의해 빛이 발생한다.
순방향 바이어스로 접합에 주입된 전자와 정공이 재결합하면서 에너지 갭에 해당하는 에너지를 광자로 방출한다.
빛에 의해 기전력이 발생한다는 서술은 광기전 효과를 쓰는 태양전지의 동작이다.
광전류의 증폭이 이루어진다는 서술은 포토트랜지스터나 애벌란시 포토다이오드의 동작이다.
역바이어스 접합을 사용한다는 서술은 포토다이오드의 동작 방식이며 발광 다이오드는 순방향으로 구동한다.

자계와 수직이 아닌 임의의 각으로 운동하는 전자의 궤도는 나선 운동이다.
속도와 자계가 이루는 각을 $\theta$라 하면, 자계에 수직인 성분 $v\sin\theta$는 로렌츠 힘으로 원운동을 하고 평행한 성분 $v\cos\theta$는 힘을 받지 않아 등속 직선 운동을 한다. 두 운동이 합쳐져 나선을 그린다.
직선 운동은 속도가 자계와 평행해 힘을 받지 않을 때의 궤도이다.
원 운동은 속도가 자계와 수직일 때의 궤도이다.
포물선 운동은 일정한 힘(균일 전계 등)을 받을 때의 궤도이며 로렌츠 힘은 속도에 항상 수직이라 포물선을 만들지 않는다.

n채널 MOSFET의 단면구조는 p형 기판(Substrate) 위에 산화막(절연체)을 형성하고, 그 위에 금속으로 된 게이트 전극을 만드는 구조이므로 1번이 옳다. 게이트에 문턱전압 이상의 양의 전압을 인가하면 p형 기판 표면에 n채널이 유도되어 드레인과 소스 사이에 전도경로가 형성된다.
2번은 오류인데, 게이트에 문턱전압 이상의 양의 전압을 인가하면 반대로 n채널이 형성되어 드레인-소스 간이 도통 상태(저항체)가 되므로 역방향 다이오드 등가회로는 틀렸다. 3번은 p채널 MOSFET의 기판이 n형이어야 하고 드레인·소스는 p+형이 맞으나, 문항에서는 기판 종류를 명시하지 않아 불완전하다. 4번은 n채널 MOSFET이 n형 기판이 아니라 p형 기판을 사용하므로 오류다.

틀린 서술은 한계 파장보다 긴 파장의 빛을 다량 입사시키면 광전자 방출이 일어난다는 내용이다.
광자 에너지 $E=h\nu=\dfrac{hc}{\lambda}$가 금속의 일함수보다 커야 전자가 방출된다. 한계 파장보다 긴 빛은 광자 하나의 에너지가 부족하므로 빛의 양을 늘려도 방출되지 않는다.
나머지 보기는 모두 옳은 내용이다.
광전자 방출이 금속의 일함수와 관계가 있다는 서술은 옳다. 방출 조건이 일함수로 정해진다.
금속 표면에 빛이 입사되어 전자가 방출되는 현상을 광전자 방출이라 한다는 서술은 옳다.
입사광의 파장이 한계 파장보다 짧아야 한다는 서술은 옳다. 파장이 짧을수록 광자 에너지가 커진다.

컬렉터 전류의 변화량은 1 mA이다.
이미터접지에서 전류 증폭률은 $\beta=\dfrac{\Delta I_C}{\Delta I_B}$ 이다.
$\Delta I_B=20-10=10\,\mu\mathrm{A}$
$\Delta I_C=\beta\Delta I_B=100\times10\,\mu\mathrm{A}=1000\,\mu\mathrm{A}=1\,\mathrm{mA}$
$10\,\mathrm{mA}$는 계산값과 다르다.
$100\,\mathrm{mA}$는 계산값과 다르다.
$1\,\mathrm{A}$는 계산값과 다르다.

정상 동작하는 NPN 트랜지스터에서 컬렉터 접합을 통과하는 주된 전류는 드리프트 전류이다.
정상 동작 상태에서는 컬렉터 접합이 역바이어스된다. 이미터에서 주입되어 베이스를 지나온 소수캐리어 전자가 컬렉터 접합의 강한 전계에 의해 컬렉터로 쓸려 들어간다.
확산 전류는 베이스 영역 안에서 농도 차로 캐리어가 이동하는 성분이며, 역바이어스된 컬렉터 접합의 공핍층을 가로지르는 이동은 전계에 의한 것이다.
정공 전류는 NPN 트랜지스터의 주된 전류가 아니다. 주된 전류는 전자의 흐름이다.
베이스 전류는 컬렉터 전류보다 훨씬 작은 제어 전류이므로 접합을 통과하는 주된 전류가 아니다.

버스 대역폭은 데이터 버스 폭(비트) × 버스 클럭 주파수로 계산한다. 데이터 버스 폭 32비트 = 4바이트이고, 버스 클럭 주파수 10MHz에서 1초당 전송되는 데이터량은 4바이트 × 10MHz = 4 × 10^7 바이트/초 = 40Mbyte/s이다.

포인터 사용 가능은 메모리 직접 접근 기능으로서 호환성과는 직접적인 관계가 없으며, 오히려 포인터의 크기나 동작이 플랫폼에 따라 달라져 이식성을 해칠 수 있으므로 호환성의 주요 이유가 아니다.
C 언어의 높은 호환성과 이식성의 근거는 다음과 같다.
함수 인터페이스 통일은 모듈화와 표준화를 가능하게 한다.
높은 이식성은 다양한 플랫폼 간 이동을 용이하게 한다.
자료형 변환의 자유로움은 서로 다른 환경의 자료형 간 호환을 지원한다.

서브루틴 호출에 필요한 자료 구조는 스택이다.
호출될 때마다 복귀 주소를 쌓고, 서브루틴이 끝나면 가장 나중에 저장한 주소부터 꺼내 복귀하므로 후입선출 구조가 필요하다. 중첩 호출도 이 방식으로 순서대로 처리된다.
나머지 보기는 후입선출 방식으로 자료를 다루지 않는다.
환형 큐는 먼저 넣은 자료를 먼저 꺼내는 선입선출 구조라 복귀 순서와 맞지 않는다.
다중 큐는 큐를 여러 개 두는 선입선출 구조라 복귀 순서와 맞지 않는다.
트리는 부모와 자식으로 계층을 이루는 구조로, 복귀 주소를 쌓았다가 꺼내는 용도의 구조가 아니다.

최근에 사용한 명령어와 데이터를 다시 사용할 가능성이 높은 현상은 참조의 지역성이다.
프로그램은 루프처럼 같은 영역을 반복 접근하는 경향이 있어, 캐시나 가상기억장치가 효과를 낼 수 있다. 이 중 시간적 지역성이 최근 사용한 것의 재사용을 뜻한다.
나머지 보기는 이 현상을 가리키는 용어가 아니다.
디스크 인터리빙은 디스크 섹터의 배치 순서를 조절해 접근 속도를 높이는 기법이다.
페이징은 기억 공간을 같은 크기의 페이지로 나누어 관리하는 기법이다.
블록킹은 여러 레코드를 하나의 블록으로 묶어 입출력하는 방식이다.

선행처리기는 컴파일 전에 지시문을 처리하는 단계일 뿐, 함수를 제공하지 않는다. 표준 함수를 제공하는 것은 표준 라이브러리이다.
$\#include$ 는 헤더 파일의 선언을 소스에 끼워 넣을 뿐이고, 함수의 실제 코드는 링크 단계에서 라이브러리로부터 연결된다.
나머지 보기는 선행처리기에 대한 옳은 서술이다.
컴파일하기 전에 처리해야 할 일을 수행한다는 서술은 선행처리기의 정의 그대로이므로 옳다.
상수를 정의하는 데에도 쓴다는 서술은 $\#define$ 으로 기호 상수를 정의하므로 옳다.
샵 기호를 사용한다는 서술은 선행처리 지시문이 모두 샵 기호로 시작하므로 옳다.

DMA 는 CPU 의 개입 없이 기억장치와 입출력 모듈 사이에서 데이터를 직접 전송하는 방식이다.
DMA 컨트롤러가 버스를 사용해 전송을 맡으므로 CPU 는 그동안 다른 일을 할 수 있다. 전송이 끝났을 때 CPU 에 알리는 용도로 인터럽트를 쓴다.
나머지 보기는 DMA 의 특징이 아니다.
CPU 가 입출력을 직접 제어하는 것은 프로그램에 의한 입출력 방식의 특징이다.
입출력 동작 중 프로세서가 다른 일을 하지 못하는 것은 DMA 가 아니라 CPU 가 전송을 직접 수행하는 방식의 특징이다.
입출력 모듈의 인터럽트 신호로 데이터 전송이 이루어지는 것은 인터럽트 구동 입출력 방식의 특징이다.

저장 공간이 효율적으로 사용된다는 서술은 등각속도 방식의 특징이 아니다. 등각속도 방식은 오히려 바깥쪽 트랙의 저장 공간이 낭비된다.
등각속도 방식은 디스크를 일정한 각속도로 돌리고 모든 트랙에 같은 수의 비트를 기록한다. 바깥 트랙은 길이가 길어도 비트 수가 같으므로 바깥 트랙일수록 저장 밀도가 낮다.
나머지 보기는 등각속도 방식의 옳은 특징이다.
회전 구동장치가 간단하다는 서술은 트랙 위치와 상관없이 한 속도로만 돌리면 되므로 옳다.
디스크 평판이 일정한 속도로 회전한다는 서술은 등각속도 방식의 정의이므로 옳다.
트랙 사이의 저장 밀도가 서로 다르다는 서술은 트랙 길이가 달라도 비트 수가 같으므로 옳다.

비트 전송시간은 $0.2\,\mu\mathrm{s}$, 워드 전송시간은 $3.2\,\mu\mathrm{s}$ 이다.
클록 주파수 $f=5\,\mathrm{MHz}$ 이므로 클록 주기는 $T=\dfrac{1}{5\times10^{6}}=0.2\,\mu\mathrm{s}$ 이다.
직렬 전송은 한 클록에 1비트를 보내므로 비트 전송시간은 $0.2\,\mu\mathrm{s}$ 이다.
16비트 워드는 $16\times0.2=3.2\,\mu\mathrm{s}$ 이다.
나머지 보기는 계산값과 다르다.
비트 0.2 마이크로초에 워드 0.5 마이크로초는 워드 전송시간이 계산값과 다르다.
비트 0.4 마이크로초에 워드 6.4 마이크로초는 비트 전송시간이 계산값과 다르다.
비트 0.4 마이크로초에 워드 12.8 마이크로초는 두 값 모두 계산값과 다르다.

수의 변환이 옳은 것은 십진수 256 을 이진수 $100000000_{2}$ 로 바꾼 것이다.
$256=2^{8}$ 이므로 이진수로는 1 뒤에 0이 8개 붙는다. 십육진수 한 자리는 이진수 4자리에 대응한다.
나머지 보기는 변환이 틀렸다.
십육진수 FFF 는 이진수로 1이 12개여야 하므로 1이 9개인 값과 다르다.
십육진수 FF 는 이진수로 1이 8개여야 하므로 1이 6개인 값과 다르다.
십육진수 F 는 십진수 15 이므로 14 와 다르다.

수식 $E=(A+B-C)\times D$ 의 연산 명령어 순서는 ADD, SUB, MUL 이다.
괄호 안을 왼쪽부터 계산해 $A+B$ 를 먼저 더하고, 그 결과에서 $C$ 를 뺀 뒤, 괄호 밖의 곱셈을 마지막에 한다. 후위 표기로는 $A\ B\ +\ C\ -\ D\ \times$ 이고 스택은 이 순서대로 연산한다.
나머지 보기는 연산 순서가 맞지 않는다.
SUB, ADD, ADD 는 곱셈이 없고 덧셈이 두 번이라 수식의 연산 종류와 다르다.
ADD, MUL, SUB 는 뺄셈보다 곱셈을 먼저 하므로 괄호 안 계산이 끝나기 전에 곱하게 된다.
MUL, ADD, SUB 는 곱셈을 가장 먼저 하므로 괄호 안 계산보다 앞선다.