MOSFET의 구조와 동작원리에 대한 설명으로 옳은 것은? | [전자기사 필기] 19년 1회차 기출문제 상세 페이지
1[전자기사 필기] 19년 1회차
MOSFET의 구조와 동작원리에 대한 설명으로 옳은 것은?
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n채널 MOSFET의 단면구조는 드레인-소스간 p형 반도체의 기판 위에 절연체를 붙이고, 그 위에 금속단자를 붙여 게이트 단자를 만든다.
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n채널 MOSFET의 동작원리는 게이트 단자에 문턱전압이상의 (+) 전압을 인가하면 MOSFET 드레인-소스사이는 2개의 역방향 다이오드와 같은 등가회로를 갖는다.
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p채널 MOSFET의 단면구조는 p형 반도체기판(Substrate)에 2개의 p+형 반도체를 형성시킨다.
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n채널 MOSFET의 단면구조는 n형 반도체기판(Substrate)에 2개의 p+형 반도체를 형성시킨다.
해설
n채널 MOSFET의 단면구조는 p형 기판(Substrate) 위에 산화막(절연체)을 형성하고, 그 위에 금속으로 된 게이트 전극을 만드는 구조이므로 1번이 옳다. 게이트에 문턱전압 이상의 양의 전압을 인가하면 p형 기판 표면에 n채널이 유도되어 드레인과 소스 사이에 전도경로가 형성된다.
2번은 오류인데, 게이트에 문턱전압 이상의 양의 전압을 인가하면 반대로 n채널이 형성되어 드레인-소스 간이 도통 상태(저항체)가 되므로 역방향 다이오드 등가회로는 틀렸다. 3번은 p채널 MOSFET의 기판이 n형이어야 하고 드레인·소스는 p+형이 맞으나, 문항에서는 기판 종류를 명시하지 않아 불완전하다. 4번은 n채널 MOSFET이 n형 기판이 아니라 p형 기판을 사용하므로 오류다.
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