[전자기사 필기] 15년 3회차 기출문제 정답·해설 페이지

비오-사바르 법칙으로 구하는 것은 자계의 세기이다.
전류 요소가 만드는 자계를 $dH=\dfrac{I\,d\ell\sin\theta}{4\pi r^2}$ 로 구하는 법칙이며, 전류와 자계의 관계를 나타낸다.
전하 사이의 힘은 쿨롱의 법칙으로 구한다.
자하 사이의 힘은 자기에 관한 쿨롱의 법칙으로 구한다.
전계의 세기는 쿨롱의 법칙이나 가우스 법칙으로 구하며, 전류가 만드는 자계를 다루는 비오-사바르 법칙의 대상이 아니다.

쌍극자 전계는 $0.1\,\mathbf{a}_r+0.087\,\mathbf{a}_\theta$ V/m 이다.
쌍극자 전계의 반경 성분과 각 성분: $E_r=\dfrac{p\cos\theta}{2\pi\varepsilon_0 r^3}$, $E_\theta=\dfrac{p\sin\theta}{4\pi\varepsilon_0 r^3}$
$E_r=\dfrac{400\pi\varepsilon_0\times0.5}{2\pi\varepsilon_0\times10^3}=0.1$
$E_\theta=\dfrac{400\pi\varepsilon_0\times0.866}{4\pi\varepsilon_0\times10^3}\approx0.087$
반경 성분 0.87, 각 성분 0.1 인 보기는 계산값과 다르다.
반경 성분 0.087, 각 성분 0.1 인 보기는 계산값과 다르다.
반경 성분 0.1, 각 성분 0.87 인 보기는 각 성분이 계산값과 다르다.

전자극의 세기는 $\dfrac{\pi d^2J}{4}$ Wb 이다.
자화의 세기 $J$ 는 단위 면적당 자극의 세기이므로 $m=J\cdot S$ 이고, 단면적은 $S=\pi\left(\dfrac{d}{2}\right)^2=\dfrac{\pi d^2}{4}$ 이다. 즉 자극의 세기는 자화의 세기와 단면적의 곱이다.
$\pi d^2J$ 는 단면적을 $\pi d^2$ 으로 잘못 잡은 값이라 계산값과 다르다.
$\pi dJ$ 는 차원이 $\mathrm{Wb/m}$ 이어서 Wb 가 아니다.
$\dfrac{4J}{\pi d^2}$ 는 차원이 $\mathrm{Wb/m^4}$ 이어서 Wb 가 아니다.

코일 내부의 자속은 $2.01\times10^{-3}$ Wb 이다.
환상철심의 자속: $\Phi=\dfrac{\mu_0\mu_r NIS}{\ell}$
$=\dfrac{4\pi\times10^{-7}\times800\times600\times1\times10\times10^{-4}}{0.3}$
$\approx2.01\times10^{-3}\ \mathrm{Wb}$
$3.01\times10^{-3}$ 은 계산값과 다르다.
$4.01\times10^{-3}$ 은 계산값과 다르다.
$5.01\times10^{-3}$ 은 계산값과 다르다.

평행한 왕복 도선 사이의 힘은 거리 $r$ 에 반비례하는 반발력이다.
$\dfrac{F}{\ell}=\dfrac{\mu_0I_1I_2}{2\pi r}$ 이므로 단위 길이당 힘은 $\dfrac{1}{r}$ 에 비례한다. 왕복 도선은 전류 방향이 서로 반대여서 서로 밀어낸다.
$\dfrac{1}{r^2}$ 에 비례한다는 서술은 힘이 $\dfrac{1}{r}$ 에 비례하므로 틀리다.
$r$ 에 비례한다는 서술은 거리가 멀수록 힘이 작아지므로 틀리다.
$r^2$ 에 비례한다는 서술은 거리가 멀수록 힘이 작아지므로 틀리다.

전자의 가속도는 $1.759\times10^{16}\ \mathrm{m/s^2}$ 이다.
힘과 가속도: $a=\dfrac{eE}{m}$
$=\dfrac{1.602\times10^{-19}\times10^{5}}{9.107\times10^{-31}}\approx1.759\times10^{16}$
$17.59\times10^{16}$ 은 계산값과 다르다.
$175.9\times10^{16}$ 은 계산값과 다르다.
$1759\times10^{16}$ 은 계산값과 다르다.

유기되는 기전력은 50 V이다.
패러데이 법칙: $e=N\dfrac{\Delta\Phi}{\Delta t}=100\times\dfrac{2-1}{2}=50\ \mathrm{V}$
20 V 는 계산값과 다르다.
100 V 는 계산값과 다르다.
200 V 는 계산값과 다르다.

자기저항은 $12.73\times10^{4}$ AT/Wb 이다.
자기저항 정의 길이를 투자율과 단면적의 곱으로 나눈 값: $R=\dfrac{\ell}{\mu_0\mu_rS}$
$=\dfrac{0.8}{4\pi\times10^{-7}\times10\times0.5}\approx12.73\times10^{4}$
$1.92\times10^{4}$ 은 계산값과 다르다.
$3.18\times10^{4}$ 은 계산값과 다르다.
$6.37\times10^{4}$ 은 계산값과 다르다.

누설이 없는 콘덴서의 소모전력은 0 이다.
이상적인 콘덴서는 전류가 $i=C\dfrac{dv}{dt}$ 로 흘러 교류에서 전압과 전류가 90° 위상차를 가지므로 평균 전력이 0 이다. 충전 때 저장한 에너지를 방전 때 되돌려 줄 뿐 소모하지 않는다.
$\dfrac{1}{2}CV^2$ 은 콘덴서에 저장되는 에너지이며 단위가 J 이므로 전력이 아니다.
$CV^2$ 도 에너지의 차원이어서 전력이 아니다.
무한대는 유한한 전압과 전류에서 나올 수 없는 값이다.

유전체 경계면에서 접선 방향 전계는 연속이고, 법선 방향 전속밀도는 연속이다(경계면에 자유전하 없음). z=0 경계면에서 x, y 성분은 접선, z 성분은 법선 방향이다.
접선 성분 연속: $E_{1x} = E_{2x} = 30$, $E_{1y} = E_{2y} = 10$ (V/m)
법선 방향 전속밀도 연속: $\varepsilon_0 \varepsilon_{s1} E_{1z} = \varepsilon_0 \varepsilon_{s2} E_{2z}$ → $2 \times 20 = 4 \times E_{2z}$ → $E_{2z} = 10$ (V/m)
따라서 $E_2 = 30a_x + 10a_y + 10a_z$ (V/m)

평등 자계를 얻으려면 단면적에 비하여 길이가 충분히 긴 솔레노이드에 전류를 흘린다.
충분히 긴 솔레노이드 내부의 자계는 $H=nI$ 로 위치에 관계없이 균일하고 끝 효과도 작다.
길이에 비하여 단면적이 충분히 큰 솔레노이드는 원형 코일에 가까워 내부 자계가 위치마다 달라 균일하지 않다.
길이에 비하여 단면적이 충분히 큰 원통형 도선에 전류를 흘리는 것은 평등 자계를 만들지 못한다. 도선 둘레의 자계는 방향이 점마다 다른 원형이다.
단면적에 비하여 길이가 충분히 긴 원통형 도선(직선 전류)의 자계는 $H=\dfrac{I}{2\pi r}$ 로 거리에 따라 세기가 달라 평등하지 않다.

RL 직렬 회로의 시정수는 $\tau = \frac{L}{R}$로 구한다. 주어진 값에서 $L = 40 \text{ mH} = 0.04 \text{ H}$, $R = 10 \text{ Ω}$이므로 $\tau = \frac{0.04}{10} = 0.004 \text{ s}$이다.

이 회로는 휘트스톤 브리지 구조로, a-c-b 경로(5Ω+5Ω)와 a-d-b 경로(10Ω+10Ω)의 비율이 같아(5:5=10:10) 평형 브리지가 성립한다. 따라서 c-d 사이의 5Ω에는 전류가 흐르지 않아 이를 제거할 수 있다.
이때 상단 경로는 5+5=10Ω, 하단 경로는 10+10=20Ω이며 이 둘이 병렬로 연결되므로, 합성저항은
$R = \dfrac{10 \times 20}{10+20} = \dfrac{200}{30} = 6.67\,\Omega$
이 된다.

코일에 흐르는 전류는 $5.84\angle-90^\circ$ 이다.
유도성 리액턴스: $X_L=2\pi fL=2\pi\times60\times0.1\approx37.7\ \Omega$
$I=\dfrac{V}{jX_L}=\dfrac{220}{37.7}\angle-90^\circ\approx5.84\angle-90^\circ$
$5.84\angle0^\circ$ 은 위상이 계산값과 다르다. 인덕터 전류는 전압보다 90° 늦다.
$22\angle-90^\circ$ 은 크기가 계산값과 다르다.
$22\angle0^\circ$ 은 크기와 위상이 계산값과 다르다.

상호 인덕턴스는 약 3.55H이다.
결합계수 정의 $k=\dfrac{M}{\sqrt{L_1L_2}}$ 에서 $M=k\sqrt{L_1L_2}$ 이다.
$M=0.3\times\sqrt{20\times7}=0.3\times\sqrt{140}\approx0.3\times11.83$
$M\approx3.55\,\mathrm{H}$
나머지 보기의 값은 계산값과 다르다.
1.55H는 계산값과 다르다.
2.55H는 계산값과 다르다.
4.55H는 계산값과 다르다.

단위 계단함수의 라플라스 변환은 1/s이다.
적분 정의로 계산한다.
$\mathcal{L}[u(t)]=\int_0^\infty 1\cdot e^{-st}\,dt=\left[-\dfrac{e^{-st}}{s}\right]_0^\infty=\dfrac{1}{s}$
나머지 보기가 맞지 않는 이유는 다음과 같다.
1은 단위 충격함수 $\delta(t)$ 의 라플라스 변환값이다.
s는 단위 충격함수의 미분 $\delta'(t)$ 의 라플라스 변환값이다.
ts는 시간 변수 t 가 남아 있어 s 영역의 함수가 될 수 없다.

CE 차단주파수는 약 1.6MHz이다.
β 차단주파수는 출력 단락 전류 이득이 저주파 값의 $1/\sqrt{2}$ 로 떨어지는 주파수로, 입력을 전류원으로 구동해 정의하므로 직렬인 베이스 확산 저항 $r_{bb'}$ 는 들어가지 않는다.
$f_\beta=\dfrac{1}{2\pi r_{b'e}(C_e+C_c)}\approx\dfrac{1}{2\pi r_{b'e}C_e}$
$f_\beta=\dfrac{1}{2\pi\times1000\times100\times10^{-12}}\approx1.59\times10^{6}\,\mathrm{Hz}\approx1.6\,\mathrm{MHz}$
나머지 보기가 맞지 않는 이유는 다음과 같다.
1.2MHz는 계산값과 다르다.
2.4MHz는 계산값과 다르다.
3.2MHz는 계산값과 다르다.

B급 증폭기의 최대 효율은 약 79%이다.
B급 푸시풀 증폭기의 이론 최대 효율은 $\eta_{max}=\dfrac{\pi}{4}\times100\%\approx78.5\%$ 이다.
나머지 보기가 맞지 않는 이유는 다음과 같다.
25%는 저항 부하 A급 증폭기의 최대 효율이다.
50%는 변압기 결합 A급 증폭기의 최대 효율이다.
100%는 B급 최대 효율의 계산값 78.5%와 다르다.

슈미트 트리거의 용도로 틀린 서술은 D/A 변환회로로 사용된다는 것이다.
슈미트 트리거는 입력이 상·하 문턱 전압을 넘을 때마다 출력이 두 레벨 중 하나로 바뀌는 히스테리시스(정궤환) 비교 회로이다.
D/A 변환은 디지털 코드에 비례하는 여러 단계의 아날로그 전압을 만드는 기능이므로, 두 레벨만 내는 이 회로의 기능과 다르다.
나머지 보기는 다음과 같이 옳은 내용이다.
천천히 변하는 입력을 구형파로 정형하고, RC 궤환을 달면 무안정 발진으로 구형파 펄스를 발생시킨다.
히스테리시스 폭 안의 잡음에는 출력이 바뀌지 않으므로 잡음에 의한 오동작을 막는다.
트랜지스터 두 개로 구성하거나 연산증폭기에 정궤환 저항을 달아 구성한다.

FET 증폭기의 이득-대역폭(GB) 곱은 $GB = g_m \cdot R_L \cdot \frac{1}{2\pi R_L C}$ 형태로, 결국 $GB \propto g_m$에 지배적으로 좌우된다. GB 곱을 작게 하려면 gm(상호컨덕턴스)을 작게 해야 한다.
gm은 FET의 특성 상수이며, 직접적으로 저주파 이득과 대역폭 양쪽에 영향을 주므로 이는 가장 직접적인 방법이다.
μ(증폭도)를 크게 한다: 이득이 커져 GB도 증가한다.
부하저항을 크게 한다: 이득은 증가하지만 기생 정전용량의 영향으로 대역폭이 감소하여 GB는 거의 불변이다.
분포된 정전용량을 작게 한다: 대역폭만 증가하여 GB가 오히려 증가한다.

12비트 연속근사 A/D 변환기의 총 변환시간은 12μs이다.
연속근사 방식은 MSB부터 한 비트씩 비교·결정하므로 비트 수만큼의 클록이 걸린다.
$T_{clk}=\dfrac{1}{1\,\mathrm{MHz}}=1\,\mu\mathrm{s}$
$T=N\cdot T_{clk}=12\times1\,\mu\mathrm{s}=12\,\mu\mathrm{s}$
나머지 보기가 맞지 않는 이유는 다음과 같다.
0.12μs는 계산값과 다르다.
0.42μs는 계산값과 다르다.
24μs는 계산값과 다르다.

전력 증폭도는 40dB이다.
전력 증폭도는 전류 증폭도와 전압 증폭도의 곱이다.
$A_p=A_i\cdot A_v=50\times200=10000$
$G=10\log_{10}10000=40\,\mathrm{dB}$
나머지 보기가 맞지 않는 이유는 다음과 같다.
10dB는 전력비 10배에 해당하여 계산값 10000배와 다르다.
20dB는 전력비 100배에 해당하여 계산값 10000배와 다르다.
30dB는 전력비 1000배에 해당하여 계산값 10000배와 다르다.

이 회로는 반전 증폭기의 궤환 커패시턴스 $C$가 밀러 효과(Miller effect)에 의해 입력 측에서 확대되어 보이는 경우이다. 밀러 효과에 의한 입력 등가 커패시턴스는 $C_{in} = C(1+A_v)$로 주어지며, 여기서 $A_v$는 증폭기의 전압이득(반전 증폭기이므로 음수 값)이다. 즉 궤환 소자의 임피던스가 이득만큼 배가되어 입력단에서 훨씬 큰 등가 커패시턴스로 나타나므로, $C_{in} = C(1+A_v)$ 형태의 식이 옳다.

틀린 서술은 컬렉터 역바이어스가 커지면 이미터 전류와 컬렉터 전류가 감소한다는 것이다.
컬렉터 역바이어스가 커지면 컬렉터 접합 공핍층이 넓어져 베이스 중성 영역의 폭이 줄고, 소수 캐리어 농도의 기울기가 커져 같은 입력 조건에서 이미터·컬렉터 전류는 증가한다(베이스 폭 변조, 얼리 효과).
나머지 보기는 다음과 같이 옳은 내용이다.
컬렉터 전압이 커지면 공핍층이 베이스 쪽으로 확장되어 베이스 중성 영역의 폭이 줄어든다.
베이스 폭이 줄면 같은 농도 차가 더 짧은 거리에 걸리므로 소수 캐리어 농도의 기울기가 커진다.
베이스 폭이 줄면 베이스 안의 재결합 손실이 줄어 전류증폭률 α 가 커진다.

광양자가 운동량을 가짐을 증명하는 것은 콤프턴 효과이다.
X선 광자가 전자와 충돌해 산란되면 파장이 길어지는데, 이는 에너지와 운동량 보존으로만 설명되며 광자 운동량은 $p=\dfrac{h}{\lambda}$ 이다.
나머지 보기가 맞지 않는 이유는 다음과 같다.
Zener 효과는 강한 전계에서 가전자가 터널링해 일어나는 항복 현상이다.
Hall 효과는 자계 속을 흐르는 전류에 대해 전류와 자계 모두에 수직인 방향으로 전압이 생기는 현상이다.
Edison 효과는 가열된 필라멘트에서 전자가 방출되는 열전자 방출 현상이다.

전자의 속도는 약 $2.69\times10^{6}\,\mathrm{m/s}$이다.
드브로이 파장 $\lambda=\dfrac{h}{mv}$ 에서 $v=\dfrac{h}{m\lambda}$ 이다.
$v=\dfrac{6.6\times10^{-34}}{9.1\times10^{-31}\times2.7\times10^{-10}}=\dfrac{6.6\times10^{-34}}{2.457\times10^{-40}}$
$v\approx2.69\times10^{6}\,\mathrm{m/s}$
나머지 보기가 맞지 않는 이유는 다음과 같다.
$2.69\times10^{4}\,\mathrm{m/s}$ 는 계산값과 다르다.
$2.69\times10^{5}\,\mathrm{m/s}$ 는 계산값과 다르다.
$2.69\times10^{7}\,\mathrm{m/s}$ 는 계산값과 다르다.

접촉 전위차의 극성은 일함수가 작은 금속이 양, 큰 금속이 음이다.
일함수가 작은 금속은 페르미 준위가 높아, 접촉하면 전자가 일함수가 큰 금속 쪽으로 이동한다.
그 결과 작은 쪽은 전자가 줄어 양, 큰 쪽은 전자가 늘어 음이 되고 평형에서 두 페르미 준위가 같아진다.
나머지 보기가 맞지 않는 이유는 다음과 같다.
일함수가 작은 금속이 음이라는 서술은 전자의 이동 방향과 반대이다.
페르미 준위가 낮은 금속이 양이라는 서술은 틀리다. 페르미 준위가 높은 금속에서 낮은 금속으로 전자가 이동하므로 높은 쪽이 양이 된다.
금속 사이에 극성이 없다는 서술은 틀리다. 접촉하면 일함수 차에 해당하는 접촉 전위차가 생긴다.

컬렉터 전류의 변화량은 1mA이다.
β 배의 관계를 쓴다.
$\Delta I_B=20-10=10\,\mu\mathrm{A}$
$\Delta I_C=\beta\,\Delta I_B=100\times10\,\mu\mathrm{A}=1000\,\mu\mathrm{A}=1\,\mathrm{mA}$
나머지 보기가 맞지 않는 이유는 다음과 같다.
10mA는 계산값과 다르다.
100mA는 계산값과 다르다.
1A는 계산값과 다르다.

바랙터 다이오드는 전압과 정전용량의 비선형 관계를 이용한다.
역바이어스를 가하면 공핍층 폭이 전압에 따라 변하고, 접합 정전용량이 역전압이 커질수록 비선형으로 줄어든다. 이 가변 용량 특성을 동조 회로 등에 쓴다.
나머지 보기가 맞지 않는 이유는 다음과 같다.
전류와 전압의 비선형 관계는 일반 다이오드의 정류 특성이며 바랙터가 이용하는 특성이 아니다.
전류와 온도의 관계는 서미스터처럼 온도로 저항이 변하는 소자가 이용하는 것이며, 바랙터는 온도가 아니라 역전압으로 용량을 바꾼다.
주파수와 정전용량은 용량 변화의 결과로 동조 주파수가 바뀌는 응용 관계이며, 소자가 직접 이용하는 비선형 관계는 전압과 정전용량이다.

확산 전류 밀도는 농도의 기울기와 이동도에 의존한다.
확산 전류 밀도는 확산계수와 농도 기울기의 곱이고, 확산계수는 아인슈타인 관계로 이동도와 연결된다.
$J_n=qD_n\dfrac{dn}{dx},\quad D_n=\mu_n\dfrac{kT}{q}$
$J_n=\mu_n kT\dfrac{dn}{dx}$
나머지 보기가 맞지 않는 이유는 다음과 같다.
농도 기울기에만 의존한다는 서술은 틀리다. 확산계수(이동도)에 따라 같은 기울기에서도 전류가 달라진다.
확산계수에만 의존한다는 서술은 틀리다. 농도 기울기가 0이면 확산 전류도 0이다.
이동도에만 의존한다는 서술은 틀리다. 농도가 균일하면 이동도와 무관하게 확산 전류는 0이다.

드브로이 파동 이론에서 입자의 운동량과 파장은 역비례 관계를 가지며, 드브로이 파장 공식은 $\lambda = \frac{h}{P}$이다. 이를 운동량 P에 대해 정리하면 $P = \frac{h}{\lambda}$가 되므로 정답은 2번이다.

옳은 설명은 온도가 증가할수록 페르미 준위가 금지대 중앙으로 접근한다는 것이다.
온도가 오르면 열적으로 생성되는 진성 캐리어 $n_i$ 가 늘어 불순물에 의한 캐리어의 비중이 작아지고, 고온에서 진성 반도체에 가까워져 페르미 준위가 금지대 중앙에 다가간다.
나머지 보기가 맞지 않는 이유는 다음과 같다.
p형 반도체의 페르미 준위는 금지대 중앙보다 낮은, 가전자대 쪽에 위치한다.
p형 반도체의 페르미 준위는 억셉터 준위 부근에 있으며 전도대 바로 아래의 도너 준위와 일치하지 않는다.
절대온도 0K에서 페르미 준위보다 높은 준위는 비어 있어 $f(E)=0$ 이고, $f(E)=1$ 인 것은 낮은 준위이다.

자유전자가 정공에 잡혀 정공을 채우는 과정은 재결합이다.
재결합에서는 전자-정공 쌍이 함께 사라지며 에너지가 방출된다.
나머지 보기가 맞지 않는 이유는 다음과 같다.
열적 평형은 생성과 재결합이 균형을 이룬 상태이며 그 과정의 이름이 아니다.
확산은 농도 차에 의해 캐리어가 이동하는 현상이다.
수명시간은 생성된 캐리어가 재결합하기까지의 평균 시간이다.

억셉터 불순물이 아닌 것은 비소(As)이다.
억셉터는 3가 원소로 정공을 만들고, 비소는 5가 원소여서 자유전자를 내는 도너이다.
나머지 보기는 다음과 같이 억셉터로 쓰이는 원소이다.
갈륨(Ga)은 3가 원소로 억셉터이다.
인듐(In)은 3가 원소로 억셉터이다.
붕소(B)는 3가 원소로 억셉터이다.

성립하는 관계식은 $V=E-IR$이다.
안정저항 R 이 전원과 직렬이므로 키르히호프 전압 법칙에서 $E=V+IR$ 이고, 정리하면 $V=E-IR$ 이다.
나머지 보기가 맞지 않는 이유는 다음과 같다.
$V=IR-E$ 는 $E=V+IR$ 과 부호가 맞지 않는다.
$V=IR+E$ 는 관 전압이 전원 전압보다 커져 $E=V+IR$ 과 맞지 않는다.
$V=E-I/R$ 의 $I/R$ 은 전압의 차원이 아니라 차원이 맞지 않는다.

데이터를 연산할 때 스택만 사용하는 명령은 0-주소 명령이다.
0-주소 명령은 주소 필드 없이 스택의 맨 위 값을 암묵적으로 오퍼랜드로 쓴다. 두 값을 꺼내 연산한 뒤 결과를 다시 스택에 넣는다.
나머지 보기가 맞지 않는 이유는 다음과 같다.
1-주소 명령은 주소 필드 하나로 오퍼랜드 하나를 지정하고 나머지는 누산기를 쓴다.
2-주소 명령은 명령 안에 두 오퍼랜드의 주소를 지정한다.
3-주소 명령은 두 오퍼랜드와 결과의 주소를 모두 명령 안에 지정한다.

RISC에 대한 서술 중 옳지 않은 것은 복잡한 명령 set를 선택해 고속 동작이 어렵다는 내용이다.
RISC는 단순한 명령을 쓰고 명령당 실행을 짧게 하여 파이프라인에 유리하므로 고속 동작에 적합하다.
나머지 보기는 다음과 같이 옳은 내용이다.
RISC는 복잡한 명령을 갖는 프로세서보다 명령 수가 적다.
명령이 단순해 제어 회로가 간단하므로 하드웨어 구현의 최적화가 쉽다.
명령 set이 간략하면 제어 논리가 작아져 고집적화에 유리하다.

절대번지(절대주소) 대신 간단한 기호나 명칭을 사용하여 메모리 위치를 참조하는 방식을 symbolic address(기호적 주소)라고 한다.
어셈블리 언어에서 레이블(label)이나 변수명 같은 기호를 사용하면 어셈블러가 이를 실제 절대번지로 변환해주므로, 프로그래머는 복잡한 숫자 주소 대신 의미 있는 기호로 프로그래밍할 수 있다.
relative address: 기준점으로부터의 상대적 거리를 나타내는 개념으로 다르다.
self address: 표준 용어가 아니다.
symbolic relative address: 표준 용어가 아니다.

옳은 설명은 십진수 72의 9의 보수가 27, 10의 보수가 28이라는 것이다.
보수 계산이다.
$99-72=27$(9의 보수), $27+1=28$(10의 보수)
1010의 1의 보수는 비트 반전인 0101, 2의 보수는 $0101+1=0110$ 이다.
나머지 보기가 맞지 않는 이유는 다음과 같다.
72의 9의 보수가 28이고 10의 보수가 27이라는 서술은 계산값과 반대이다.
1010의 2의 보수가 0100이라는 서술은 계산값 0110과 다르다.
1010의 1의 보수가 0110이라는 서술은 비트 반전값 0101과 다르다.

연결선 수가 가장 많은 소자는 64K × 8 bit DRAM이다.
주소선과 데이터선을 센다. 주소선 수는 워드 수의 $\log_2$ 값이며, 64K는 $2^{16}$ 이므로 주소 16개, 데이터 8개로 합 24개이다.
주소를 행·열로 나눠 다중화해도 주소 핀 수가 절반 정도로 줄 뿐 순서는 같고, RAS·CAS·WE 같은 제어 신호는 네 소자 모두 몇 개로 비슷해 이 차이를 뒤집지 못한다.
나머지 보기는 주소선과 데이터선이 모두 더 적다.
8K × 4 bit는 주소 13개와 데이터 4개로 합 17개이다.
1K × 4 bit는 주소 10개와 데이터 4개로 합 14개이다.
4K × 1 bit는 주소 12개와 데이터 1개로 합 13개이다.

다중처리 시스템에 대해 틀린 서술은 두 개 이상의 CPU가 업무를 분담해 처리할 수 없다는 것이다.
다중처리는 여러 CPU가 작업을 나누어 병렬로 처리하는 방식이며 업무 분담이 핵심이다.
나머지 보기는 다음과 같이 옳은 내용이다.
여러 CPU가 주기억장치를 공유하며 동시에 사용할 수 있다.
한 CPU가 고장 나도 다른 CPU로 업무를 계속할 수 있다.
CPU가 둘 이상이므로 여러 프로그램을 동시에 수행할 수 있다.

RAM 사용의 영향으로 틀린 것은 명령어군이 반드시 데이터군보다 앞에 있어야 한다는 서술이다.
RAM 은 임의의 번지에 직접 접근하는 임의 접근 기억장치이므로 명령어와 데이터를 어느 번지에 두어도 되고 순서를 강제할 이유가 없다. 옳은 내용인 나머지 보기는 다음과 같다.
프로그램과 자료를 수행 순서대로 기억시킬 필요가 없다는 서술은 옳다. 번지를 지정해 어느 위치든 읽을 수 있기 때문이다.
같은 자료를 여러 번 쓰더라도 사용 횟수만큼 기억시킬 필요가 없다는 서술은 옳다. 한 번지에 저장해 두고 그 번지를 반복해서 지정하면 된다.
BRANCH, 조건부 BRANCH, SUBROUTINE 의 사용이 가능하다는 서술은 옳다. 임의의 번지로 실행 위치를 옮길 수 있기 때문이다.

16진수 CAF.28 을 8진수로 고치면 6257.12 이다.
16진수 한 자리를 2진수 4비트로 풀어 3비트씩 묶어 8진수로 바꾼다.
$\mathrm{CAF}=1100\,1010\,1111=110\,010\,101\,111=6257_{8}$
$.28=.0010\,1000=.001\,010\,000=.12_{8}$
10진수로 확인하면 $3247.15625$ 이고 $6257.12_{8}$ 도 같은 값이다.
$6255.62$ 는 정수부가 3245 로 계산값과 다르다.
$6255.52$ 는 정수부가 3245 로 계산값과 다르다.
$6257.32$ 는 소수부가 0.40625 로 계산값과 다르다.