불순물 반도체의 페르미 준위에 대한 설명 중 옳은 것은? | [전자기사 필기] 15년 3회차 기출문제 상세 페이지

옳은 설명은 온도가 증가할수록 페르미 준위가 금지대 중앙으로 접근한다는 것이다.
온도가 오르면 열적으로 생성되는 진성 캐리어 $n_i$ 가 늘어 불순물에 의한 캐리어의 비중이 작아지고, 고온에서 진성 반도체에 가까워져 페르미 준위가 금지대 중앙에 다가간다.
나머지 보기가 맞지 않는 이유는 다음과 같다.
p형 반도체의 페르미 준위는 금지대 중앙보다 낮은, 가전자대 쪽에 위치한다.
p형 반도체의 페르미 준위는 억셉터 준위 부근에 있으며 전도대 바로 아래의 도너 준위와 일치하지 않는다.
절대온도 0K에서 페르미 준위보다 높은 준위는 비어 있어 $f(E)=0$ 이고, $f(E)=1$ 인 것은 낮은 준위이다.