[전자기사 필기] 15년 3회차 시험지 PDF 다운로드

[전자기사 필기] 15년 3회차
1/ 1 페이지•A4 출력 미리보기
드래그하거나 버튼으로 페이지 이동
💡 최적 출력을 위한 프린트 설정
용지크기: A4 • 여백: 기본 • 배경그래픽: 체크 • 머릿말/바닥글: 사용안함
일부 브라우저(카카오톡 인앱브라우저 등)에서는 출력이 제대로 되지 않을 수 있어요 — Chrome 브라우저 사용을 권장합니다.
문제 1
정전용량이 1μF인 공기콘덴서가 있다. 이 콘덴서 판간의 1/2인 두께를 갖고 비유전율 Єr=2인 유전체를 그 콘덴서의 한 전극면에 접촉하여 넣었을 때 전체의 정전용량은 몇 μF이 되는가?
12
21/3
34/3
45/3
문제 2
공기 중에 있는 반지름 a(m)의 독립 금속구의 정전용량은 몇 F 인가?
12πЄ0a
24πЄ0a
3
4
문제 3
비오-사바르의 법칙에서 구할 수 있는 것은?
1전하 사이의 힘
2자하 사이의 힘
3전계의 세기
4자계의 세기
문제 4
무한장 선전하와 무한평면 전하에서 r(m) 떨어진 점의 전위는 각각 몇 V 인가? (단, ρL은 선전하밀도, ρs는 평면전하밀도이다.)
1무한직선 : ρL/2πЄ0, 무한평면도체 : ρs/Є
2무한직선 : ρL/4πЄ0, 무한평면도체 : ρs/2πЄ0
3무한직선 : ρL/Є0, 무한평면도체 : ∞
4무한직선 : ∞, 무한평면도체 : ∞
문제 5
전기쌍극자 모멘트 400πε0(Cㆍm)에 의한 점 r=10(m), θ=60°의 전계는 몇 V/m 인가?
10.87ar+0.1aθ
20.087ar+0.1aθ
30.1ar+0.087aθ
40.1ar+0.87aθ
문제 6
정전계에 관한 식 중 틀린 것은?
1가우스 법칙의 적분 :
2전계의 연속성 : div E=ρ
3라플라스 방정식 :
4포아송의 방정식 :
문제 7
길이 ℓ(m), 단면적 지름 d(m)인 원통이 길이 방향으로 균일하게 자화되어 자화의 세기가 J(Wb/m2)인 경우 원통 양단에서의 전자극의 세기(Wb)는?
1πd2J
2πdJ
34J/πd2
4πd2J/4
문제 8
그림과 같은 환상 솔레노이드에서 평균 반지름 r(m), 코일권수 N회에 I(A)의 전류를 흘릴 때 중심 O점의 자계의 세기 H(AT/m)는?
10
21
3NI/2πr
4NI/2πr2
문제 9
자기 감자력(self demagnetizing force)이 평등자화되는 자성체에서의 관계로 옳은 것은?
1투자율에 비례한다.
2자화의 세기에 비례한다.
3감자율에 반비례한다.
4자계에 반비례한다.
문제 10
공기가 채워진 동축케이블에서 내원통의 반지름a, 외원통의 내반지름 b인 무한히 긴 동축원통 도체의 단위 길이당 정전용량은?
1
2
3
4
문제 11
비투자율 800, 원형단면적 10cm2, 평균 자로 길이 30 cm의 환상철심에 600회의 권선을 감은 무단 솔레노이드가 있다. 이것에 1A의 전류를 흘리면 코일 내부의 자속은 몇 Wb 인가?
12.01×10-3
23.01×10-3
34.01×10-3
45.01×10-3
문제 12
평행한 왕복 두 도선 간에 전류가 흐르면 전자력은? (단, 두 도선 간의 거리를 r(m)라 한다.)
11/r에 비례, 반발력
21/r2에 비례, 반발력
3r에 비례, 반발력
4r2에 비례, 반발력
문제 13
전계의 세기 E=105 V/m의 균등전계 내에 놓여 있는 전자의 가속도(m/sec2)는? (단, 전자의 전하량 e=1.602×10-19 C, 전자의 질량 m=9.107×10-31 kg이다.)
11.759×1016
217.59×1016
3175.9×1016
41759×1016
문제 14
100회 감은 코일에 코일당 자속이 2초 동안에 2Wb에서 1Wb로 감소했다. 이때 유기되는 기전력은 몇 V 인가?
120
250
3100
4200
문제 15
전계의 세기가 30 kV/m인 전계 내에 단위 체적당의 전기쌍극자 모멘트가 1 μC/m2인 물질이 있을 때, 이 물질 내의 전속밀도는 약 몇 μC/m2 인가?
11.266
21.566
310.66
412.66
문제 16
어떤 막대꼴 철심의 단면적이 0.5m2 길이가 0.8 m, 비투자율이 10이다. 이 철심의 자기저항(AT/Wb)은?
11.92×104
23.18×104
36.37×104
412.73×104
문제 17
누설이 없는 콘덴서의 소모전력은 얼마인가? (단, C는 콘덴서의 정전용량, V는 전압이다.)
11/2CV2
2CV2
3∞
40
문제 18
z＞0인 영역에는 비유전율 εs1=2인 유전체, z＜0인 영역에는 εs2=4인 유전체가 있으며 유전체 경계면에 전하가 없는 경우 E1=30ax+10ay+20az(V/m)일 때 εs2인 유전체 내에서 전계 E2(V/m)를 구하면? (단, ax, ay, az는 단위 벡터이다.)
1E2=15ax+10ay+20az
2E2=15ax+5ay+20az
3E2=30ax+10ay+10az
4E2=30ax+5ay+10az
문제 19
평등 자계를 얻는 방법으로 가장 알맞은 것은?
1길이에 비하여 단면적이 충분히 큰 솔레노이드에 전류를 흘린다.
2길이에 비하여 단면적이 충분히 큰 원통형 도선에 전류를 흘린다.
3단면적에 비하여 길이가 충분히 긴 솔레노이드에 전류를 흘린다.
4단면적에 비하여 길이가 충분히 긴 원통형 도선에 전류를 흘린다.
문제 20
그림과 같이 한 변의 길이가 a(m)인 정삼각형 회로에 전류 I(A)가 흐를 때, 삼각형의 중심에 있어서의 자계의 세기는 몇 A/m 인가?
19I/2πa
26I/2πa
36I/4πa
4I/4πa
문제 21
정 K형 필터에서 임피던스 Z1, Z2와 공칭임피던스 K와의 관계는?
1
2
3
4
문제 22
회로에서 단자 1, 2간의 인덕턴스 L은?
1L1+L2
2L1+L2-2M
3L1+L2+2M
4L1+L2±√L1L2
문제 23
다음 그림에서 전달함수 는?
1
2
3
4
문제 24
RC직렬 회로에서 일정한 전압 V1을 인가하여 장시간 지난 후 커패시터 C의 전압이 V1이 되었다면 저항 R에서 소비된 에너지는?
1 이다.
2 보다 크다.
3 보다 작다.
4무한대가 될 수 있다.
문제 25
어떤 회로망의 4단자 정수가 A = 8, B = j2, D = 3 + j2이면 이 회로망의 C는?
13 - j4.5
24 + j6
38 - j11.5
424 + j14
문제 26
어떤 선형시스템의 전달함수가 일 때, 이 시스템의 단위계단응답(unit-step response)은?
1e3t(t)
21/3(1-e3t)u(t)
31/3(1-e-3t)u(t)
4e-3tu(t)
문제 27
인덕턴스 40mA, 저항 10Ω의 직렬 회로 시정수는 몇 s 인가?
10.001
20.002
30.003
40.004
문제 28
그림과 같은 4단자 회로망의 4단자 정수(ABCD파라미터)가 옳은 것은?
1
2
3
4
문제 29
그림과 같은 인덕터 l의 초기전류가 i(0)일 때 라플라스 변환에 의해서 S의 함수로 표시되는 등가회로를 구하면?
1
2
3
4
문제 30
다음 회로에서 a, b 단자의 합성 저항은 몇 Ω 인가?
11.5
22.5
33.34
46.67
문제 31
그림과 같은 회로의 쌍대 회로는?
1
2
3
4
문제 32
라플라스 변환식 의 역변환은?
1
2
3
4
문제 33
그림과 같은 회로에 100V의 전압을 인가했을 때 최대전력이 되기 위한 용량성 리액턴스 XC는? (단, R=10Ω, ωL=10ω이다.)
110Ω
215Ω
320Ω
425Ω
문제 34
교류 전압 220V를 인덕턴스 0.1H의 코일에 인가하였을 때 이 코일에 흐르는 전류는? (단, 주파수는 60Hz이다.)
15.84/-90°
25.84/0°
322/-90°
422/0°
문제 35
그림과 같은 회로를 t=0에서 스위치 K를 닫을 때 2초 후의 전류는?
13.2A
24.6A
310/√5A
46.3A
문제 36
그리과 같은 RC회로에 스텝 전압을 인가하면 출력 전압은? (단, 콘덴서는 미리 충전되어 있지 않은 상태이다.)
1아무것도 나타나지 않는다.
2같은 모양의 스텝 전압이 나타난다.
3처음엔 입력과 같이 변했다가 지수적으로 감쇄한다.
40부터 지수적으로 증가한다.
문제 37
그림 (a)와 같은 히스테리시스 곡선을 그리는 비선형 인덕터에 그림 (b)와 같은 전류를 흘릴 때, 그 양단에 나타나는 전압 파형은?
1삼각파형
2정현파
3구형파
4구형 펄스파
문제 38
회로에서 스위치가 오랫동안 개방되어 있다가 t=0에 닫았을 때 바로 직후의 vL(0+)과 vC(0-)로 적절한 것은? (단, t<0에서 vC=3V이다.)
1
2
3
4
문제 39
L1=20H, L2=7H인 전자 유도 결합 회로에서 결합계수 k=0.3일 때 상호 인덕턴스 M은 몇 H인가?
11.55
22.55
33.55
44.55
문제 40
단위 계단함수 u(t)를 라플라스 변환하면?
11
21/s
3s
4ts
문제 41
발진기에 대한 설명으로 틀린 것은?
1펄스 발진기는 비정형파 발진기이다.
2직류를 교류로 변환시키는 기기라 생각할 수 있다.
3입력신호 없이는 자체적으로 주기적인 신호를 발생시킬 수 없다.
4출력을 증가시키는 방향에서 볼 때 입력으로 귀환되는 정귀환 방식이다.
문제 42
하이브리드 π모델에서 rbb=100Ω, rbe=1kΩ, Cre=100pF일 때 CE 차단주파수 fβ의 값은? (단, Ce≫Cc이다.)
11.2MHz
21.6MHz
32.4MHz
43.2MHz
문제 43
그림과 같은 회로의 명칭은?
1Trigger 회로
2Clamper 회로
3Slicer 회로
4Clipper 회로
문제 44
B급 증폭기의 최대효율은 약 얼마인가?
125%
250%
379%
4100%
문제 45
다음 그림에서 점유율(duty cycle)을 나타내는 식은?
1τ/B
2E/B
3τ/T
4E/T
문제 46
다음 회로에서 연산증폭기의 (+)입력단자와 (-)입력단자의 전위는? (단, Vin=5V, R1=10kΩ, R2=5kΩ, RL=1kΩ)
10V
21V
32.5V
45V
문제 47
슈미트 트리거(Schmidt trigger) 회로의 용도에 대한 설명으로 틀린 것은?
1D/A 변환회로로 사용된다.
2구형파 펄스 발생회로로 사용한다.
3잡음 등에 의한 오동작을 방지하기 위하여 사용된다.
4트랜지스터 또는 OP amp의 부품을 이용하여 회로를 구성하여 사용한다.
문제 48
FET 증폭기에서 이득-대역폭(GB) 곱을 작게 하려면?
1gm을 작게 한다.
2μ를 크게 한다.
3부하저항을 크게 한다.
4분포된 정전용량을 작게 한다.
문제 49
연산증폭기에 대한 설명으로 틀린 것은?
1귀환저항이 개방되면 출력이 심하게 잘리는(Clipping) 현상이 발생한다.
2전압 플로워는 높은 임피던스와 가장 낮은 임피던스를 가진다.
3입력 바이어스 전류효과는 내부저항으로 보상할 수 있다.
4폐루프 전압이득은 항상 개루프 전압이득보다 크다.
문제 50
RC 결합 증폭기에서 구형파 입력 전압에 대해 그림과 같은 출력이 나온다면 이 증폭기의 주파수 특성은?
1대역폭이 너무 넓다.
2중역특성이 좋지 않다.
3저역특성이 좋지 않다.
4고역특성이 좋지 않다.
문제 51
그림과 같은 회로를 무슨 회로라 부르는가?
1블록킹 발진회로
2비안정 멀티바이브레이터
3단안정 멀티바이브레이터
4쌍안정 멀티바이브레이터
문제 52
12비트 연속근사 A/D 변환기가 1MHz의 클럭 주파수에 의해 구동된다고 할 때 총 변환시간은?
10.12μs
20.42μs
312μs
424μs
문제 53
A급 전력증폭기에서 VCEQ=12V이고, ICQ=12mA이면, 최대 신호의 출력전력은? (단, 입력 신호가 없을 때의 트랜지스터의 전력소모일 때로 가정한다.)
11.2W
22.4W
36W
412W
문제 54
다음 회로에서 β=100, IREF=1mA일 때, 전류 I1, I2, I3는 약 몇 mA인가? (단, Q1~Q8의 크기는 모두 같다.)
10.019, 0.038, 0.057
20.0481, 0.962, 1.443
30.7, 1.4, 2.1
41, 2, 3
문제 55
C급 전력증폭기에 대한 설명으로 틀린 것은?
1출력파형이 심하게 일그러진다.
2180° 미만에서 도통될 수 있도록 바이어스 한다.
3고주파 동조증포긱에만 한정적으로 응용된다.
4입력주기의 긴 기간 동안 도통되므로 전력 손실이 크다.
문제 56
트랜지스터 증폭회로의 전류증폭도 Ai=50, 전압증폭도 Av=200 이라고 할 때 전력 증폭도는?
110dB
220dB
330dB
440dB
문제 57
증가형 MOSFET(E-MOSFET)의 전달 특성을 나타낸 식으로 옳은 것은? (단, VGS(off)는 차단전압, VGS(th)는 임계전압, IDSS는 VGS=0일 때의 드레인 전류, K는 상수)
1
2
3
4
문제 58
트랜지스터의 밀러(Miller) 입력 용량 성분에 대한 설명으로 옳은 것은?
1트랜지스터의 fT가 크면 증가한다.
2트랜지스터의 부하 저항 값이 커지면 증가한다.
3트랜지스터의 α차단 주파수가 증가하면 증가한다.
4트랜지스터의 베이스 분포 저항이 증가하면 매우 증가한다.
문제 59
다음 회로에서 입력과 접지사이의 실효 커패시턴스(Cin)를 나타내는 식으로 옳은 것은? (단, 반전 증폭기라고 가정한다.)
1
2
3
4
문제 60
다음과 같은 DTL 논리 회로의 게이트 기능은?
1NAND
2NOR
3AND
4NOT
문제 61
3극 진공관과 특성이 유사한 반도체 소자는?
1다이오드
2pnp 트랜지스터
3n형 JFET
4SCR
문제 62
광전효과(photo electric effect)를 설명한 것으로 틀린 것은?
1임계주파수보다 높은 주파수의 빛이라 하더라도 일정량 이상의 빛의 세기로 조사해야만 광전자 방출이 있다.
2빛의 세기를 크게 하여도 방출된 전자의 운동에너지는 증가하지 못하고 전자방출의 수만 증가하게 된다.
3어떠한 금속에서도 각각의 특유한 임계주파수가 있기 때문에 이 이상일 때만 광전자 방출이 있다.
4방출된 전자의 운동 에너지는 조사된 빛의 주파수에 비례한다.
문제 63
애버랜치 항복에 대한 설명으로 옳은 것은?
1바이어스에 따른 공간전하 영역의 크기 변화에 기인한다.
2불순물 농도가 매우 높은 PN 접합에서 잘 일어난다.
3전자의 터널 효과에 의한 현상이다.
4높은 에너지를 갖는 캐리어의 충돌에 의해 가속된다.
문제 64
트랜지스터의 베이스 폭 변조에 대한 설명으로 틀린 것은?
1컬렉터 전압 VCB가 증가함에 따라 베이스 중성 영역의 폭이 줄어든다
2베이스 폭의 감소는 베이스 영역의 소수 캐리어 농도의 기울기를 증대시킨다.
3컬렉터 역바이어스의 증가에 따라 이미터 전류와 컬렉터 전류가 감소한다.
4베이스 폭이 감소하면 전류증폭률 α가 증대한다.
문제 65
광양자가 운동량을 갖고 있음을 증명할 수 있는 것은?
1Zener 효과
2Hall 효과
3Edison 효과
4Compton 효과
문제 66
운동 전자가 가지는 파장이 2.7×10-10m/s인 경우 그 전의 속도는? (단, 플랭크 상수 h=6.6×10-34[Jㆍs],전자의 질량 m=9.1×10-31[kg]이다.)
12.69×104 m/s
22.69×105 m/s
32.69×106 m/s
42.69×107 m/s
문제 67
JFET의 특성곡선에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
1저항성 영역에서는 채널저항이 거의 일정하다.
2저항성 영역에서는 공간전하층이 매우 좁다.
3항복영역에서는 VDS를 크게 증가시키면 ID가 급격히 증대한다.
4포화영역에서는 VDS가 어느 정도 증대되면 채널저항이 급격히 감소된다.
문제 68
두 종류의 금속을 접촉했을 때 생기는 접촉 전위차의 극성으로 옳은 것은?
1일함수가 작은 금속이 양, 큰 금속이 음의 극성을 갖는다.
2일함수가 작음 금속이 음, 큰 금속이 양의 극성을 갖는다.
3페르미 준위가 낮은 금속이 양, 높은 금속이 음의 극성을 갖는다.
4금속 간에는 극성이 발생하지 않는다.
문제 69
이미터 접지 증폭회로에서 베이스 전류를 10μA에서 20μA로 증가시켰을 때, 컬렉터 전류의 변화량은? (단, β=100이다.)
11mA
210mA
3100mA
41A
문제 70
300[eV]로 가속된 전자가 0.01Wb/m2인 균등한 자계 중에 자계의 방향과 60°의 각도를 이루며 사출되었을 때 전자가 그리는 궤도의 직경은? (단, 전자의 전하 e=1.602×10-19[C], 전자의 질량 m=9.106×10-31[kg]이다.)
1약 5.84×10-3[m]
2약 5.84×10-2[m]
3약 2.02×10-2[m]
4약 2.02×10-3[m]
문제 71
바랙터(varactor) 다이오드는 어떠한 양(量)들 사이의 비선형적 관계를 이용하는 소자인가?
1전류와 전압
2전류와 온도
3전압과 정전용량
4주파수와 정전용량
문제 72
페르미 디랙(Fermi-Dirac) 분포에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?
1고체 내의 전자는 Pauli의 배타 원리의 지배를 받는다.
2대부분의 전자는 이 분포의 저 에너지역에 존재한다.
3금속의 경우 온도에 거의 무관하다.
4도체가 가열될 때 전자는 분자 비열 용량에 거의 영향을 주지 않는다.
문제 73
확산 전류 밀도에 관한 설명으로 옳은 것은?
1농도의 기울기(gradient)에만 의존한다.
2농도의 기울기와 이동도에 의존한다.
3확산계수에만 의존한다.
4이동도에만 의존한다.
문제 74
전자의 운동량(P)과 파장(λ) 사이의 드브로이(De Broglie) 관계식은? (단, h는 Plank 상수이다.)
1P=λh
2P=h/λ
3P=λ/h
4λ=1/Ph
문제 75
n형 반도체의 Hall 계수는? (단, N은 캐리어의 농도, q는 캐리어의 전하, T는 절대온도, A는 상수이다.)
1
2-AnqT
3
4
문제 76
불순물 반도체의 페르미 준위에 대한 설명 중 옳은 것은?
1p형 반도체의 페르미 준위는 금지대 중앙보다 높은 곳에 위치한다.
2온도가 증가할수록 금지대 중앙으로 접근한다.
3p형 반도체의 페르미 준위는 도너 준위와 일치한다.
4절대온도 0[K]에서 페르미 준위보다 높은 에너지 준위에서 f(E)=1이다.
문제 77
자유전자가 정공에 의해 다시 잡혀서 정공을 채우는 과정을 무엇이라고 하는가?
1열적 평형
2확산(diffusion)
3수명시간(life time)
4재결합(recombination)
문제 78
억셉터 불순물로 사용되는 원소가 아닌 것은?
1갈륨(Ga)
2인듐(In)
3비소(As)
4붕소(B)
문제 79
글로우 방전관의 방전을 안정하게 유지하기 위하여 전원전압 E, 전류 I, 안정저항 R과 관전압 V 사이에 성립하는 관계식은?
1V = IR - E
2V = E - IR
3V = IR + E
4V = E -I/R
문제 80
정지하고 있는 질량이 m인 전자를 V[V]의 전위차로 가속시킬 때 전자의 속도(v)를 구하는 식은?
1
2
3
4
문제 81
다음 중 프로그래머가 사용 가능한 레지스터는?
1메모리 주소 레지스터(Memory Address Register)
2메모리 버퍼 레지스터(Memory Buffer Register)
3스택 포인터(Stack Pointer)
4명령어 레지스터(Instruction Register)
문제 82
데이터를 연산할 때 스택(stack)만 사용하는 명령은?
10-주소 명령
21-주소 명령
32-주소 명령
43-주소 명령
문제 83
다음의 C 프로그램은 무엇을 입력한 것인가?
1실수입력
2정수입력
3문자열입력
4문자입력
문제 84
MPU(micro processing unit)의 처리방식에서 RISC(reduced instruction set computer)의 설명 중 옳지 않은 것은?
1복잡한 명령을 갖는 프로세서에 비하여 명령수가 적다.
2하드웨어 실현효율의 최적화가 용이하다.
3명령 set의 간략화가 가능하므로 고집적화에 유리하다.
4비교적 복잡한 명령 set를 선택하고 있어 고속 동작이 어렵다.
문제 85
다음 karnaugh도에 의한 논리식은?
1A
2B
3AB
4A+B
문제 86
순서도의 기호 중에서 다음 기호가 나타내는 것은?
1판단
2처리
3터미널
4입ㆍ출력
문제 87
어셈블리 언어로 프로그램을 작성할 때 절대번지 대신에 간단한 기호 및 명칭을 사용할 수 있는데 이러한 번지를 무엇이라 하는가?
1self address
2symbolic address
3relative address
4symbolic relative address
문제 88
다음 설명 중 옳은 것은?
110진수 72의 ″9의 보수″는 27이고, ″10의 보수″는 28이다.
210진수 72의 ″9의 보수″는 28이고, ″10의 보수″는 27이다.
32진수 1010의 ″1의 보수″는 0101이고, ″2의 보수″는 0100이다.
42진수 1010의 ″1의 보수″는 0110이고, ″2의 보수″는 0101이다.
문제 89
다음의 소자 중에서 전원과 관련된 신호는 제외하고 연결선의 수가 가장 많은 것은?
11K × 4 bit DRAM
28K × 4 bit DRAM
34K × 1 bit DRAM
464K × 8 bit DRAM
문제 90
다중처리(multi-processing) 시스템에 대한 설명 중 틀린 것은?
1주기억장치를 여러 개의 CPU가 공유하여 동시에 사용할 수 있다.
2여러 개의 CPU 중에 한 쪽의 CPU가 고장이 날 경우 다른 쪽의 CPU를 이용하여 업무처리를 계속할 수 있다.
3CPU를 두 개 이상 두고 동시에 여러 프로그램을 수행할 수 있다.
4두 개 이상의 CPU가 각자의 업무를 분담하여 처리할 수 없다.
문제 91
주소 설계 시 고려해야 할 사항이 아닌 것은?
1주소를 효율적으로 나타낼 수 있어야 한다.
2주소공간과 기억공간을 독립시켜야 한다.
3사용자가 사용하기 편리해야 한다.
4.캐시 메모리가 있어야 한다.
문제 92
중앙처리장치(CPU)의 3대 구성요소가 아닌 것은?
1제어장치
2연산장치
3입력장치
4기억부(register)
문제 93
캐시 메모리에서 사용되는 매핑(mapping) 방법이 아닌 것은?
1세트-어소시에티브 매핑
2어소시에티브 매핑
3직접 매핑
4간접 매핑
문제 94
다음 마이크로 오퍼레이션이 나타내는 기능은? (단, SP : Stack Pointer, MAR : Memory Address Register, M[addr] : Memory)
1ADD
2PUSH
3RET(return)
4LOAD
문제 95
인터럽트의 종류 중 입ㆍ출력장치, 타이밍장치, 전원 등의 용인에 의해 발생되는 인터럽트는?
1기계 인터럽트
2외부 인터럽트
3내부 인터럽트
4소프트웨어 인터럽트
문제 96
지정 어드레스로 분기한 후에 그 명령으로 되돌아오는 명령은?
1비교 명령
2조건부 분기 명령
3서브루틴 분기 명령
4강제 인터럽트 명령
문제 97
다음은 1비트를 비교하는 진리표이다. ( )에 알맞은 값은?
1a : 0, b : 0, c : 0
2a : 1, b : 0, c : 0
3a : 1, b : 0, c : 1
4a : 0, b : 0, c : 1
문제 98
계산기 구조에서 기억장치에 RAM을 사용함으로써 계산기에 프로그램 하는데 미치는 영향 중 틀린 것은?
1프로그램과 자료는 수행되는 순서대로 기억시켜 놓을 필요가 없다.
2프로그램이 같은 자료를 여러 번 반복하여 이용한다면 이들을 그 사용한 횟수만큼 기억시킬 필요가 없다.
3BRANCH, 조건부 BRANCH, SUBROUTINE의 사용이 가능하다.
4프로그램 중에서 명령어군과 데이터군의 순서는 반드시 명령어군이 선두에 있어야 한다.
문제 99
사용자가 프로그래밍 할 수 없는 ROM은?
1ROM
2PROM
3EPROM
4EEPROM
문제 100
16진수 CAF.28을 8진수로 고치면?
16255.62
26255.52
36257.32
46257.12
문제 1
정전용량이 1μF인 공기콘덴서가 있다. 이 콘덴서 판간의 1/2인 두께를 갖고 비유전율 Єr=2인 유전체를 그 콘덴서의 한 전극면에 접촉하여 넣었을 때 전체의 정전용량은 몇 μF이 되는가?
12
21/3
34/3
45/3
문제 2
공기 중에 있는 반지름 a(m)의 독립 금속구의 정전용량은 몇 F 인가?
12πЄ0a
24πЄ0a
3
4
문제 3
비오-사바르의 법칙에서 구할 수 있는 것은?
1전하 사이의 힘
2자하 사이의 힘
3전계의 세기
4자계의 세기
문제 4
무한장 선전하와 무한평면 전하에서 r(m) 떨어진 점의 전위는 각각 몇 V 인가? (단, ρL은 선전하밀도, ρs는 평면전하밀도이다.)
1무한직선 : ρL/2πЄ0, 무한평면도체 : ρs/Є
2무한직선 : ρL/4πЄ0, 무한평면도체 : ρs/2πЄ0
3무한직선 : ρL/Є0, 무한평면도체 : ∞
4무한직선 : ∞, 무한평면도체 : ∞
문제 5
전기쌍극자 모멘트 400πε0(Cㆍm)에 의한 점 r=10(m), θ=60°의 전계는 몇 V/m 인가?
10.87ar+0.1aθ
20.087ar+0.1aθ
30.1ar+0.087aθ
40.1ar+0.87aθ
문제 6
정전계에 관한 식 중 틀린 것은?
1가우스 법칙의 적분 :
2전계의 연속성 : div E=ρ
3라플라스 방정식 :
4포아송의 방정식 :
문제 7
길이 ℓ(m), 단면적 지름 d(m)인 원통이 길이 방향으로 균일하게 자화되어 자화의 세기가 J(Wb/m2)인 경우 원통 양단에서의 전자극의 세기(Wb)는?
1πd2J
2πdJ
34J/πd2
4πd2J/4
문제 8
그림과 같은 환상 솔레노이드에서 평균 반지름 r(m), 코일권수 N회에 I(A)의 전류를 흘릴 때 중심 O점의 자계의 세기 H(AT/m)는?
10
21
3NI/2πr
4NI/2πr2
문제 9
자기 감자력(self demagnetizing force)이 평등자화되는 자성체에서의 관계로 옳은 것은?
1투자율에 비례한다.
2자화의 세기에 비례한다.
3감자율에 반비례한다.
4자계에 반비례한다.
문제 10
공기가 채워진 동축케이블에서 내원통의 반지름a, 외원통의 내반지름 b인 무한히 긴 동축원통 도체의 단위 길이당 정전용량은?
1
2
3
4
문제 11
비투자율 800, 원형단면적 10cm2, 평균 자로 길이 30 cm의 환상철심에 600회의 권선을 감은 무단 솔레노이드가 있다. 이것에 1A의 전류를 흘리면 코일 내부의 자속은 몇 Wb 인가?
12.01×10-3
23.01×10-3
34.01×10-3
45.01×10-3
문제 12
평행한 왕복 두 도선 간에 전류가 흐르면 전자력은? (단, 두 도선 간의 거리를 r(m)라 한다.)
11/r에 비례, 반발력
21/r2에 비례, 반발력
3r에 비례, 반발력
4r2에 비례, 반발력
문제 13
전계의 세기 E=105 V/m의 균등전계 내에 놓여 있는 전자의 가속도(m/sec2)는? (단, 전자의 전하량 e=1.602×10-19 C, 전자의 질량 m=9.107×10-31 kg이다.)
11.759×1016
217.59×1016
3175.9×1016
41759×1016
문제 14
100회 감은 코일에 코일당 자속이 2초 동안에 2Wb에서 1Wb로 감소했다. 이때 유기되는 기전력은 몇 V 인가?
120
250
3100
4200
문제 15
전계의 세기가 30 kV/m인 전계 내에 단위 체적당의 전기쌍극자 모멘트가 1 μC/m2인 물질이 있을 때, 이 물질 내의 전속밀도는 약 몇 μC/m2 인가?
11.266
21.566
310.66
412.66
문제 16
어떤 막대꼴 철심의 단면적이 0.5m2 길이가 0.8 m, 비투자율이 10이다. 이 철심의 자기저항(AT/Wb)은?
11.92×104
23.18×104
36.37×104
412.73×104
문제 17
누설이 없는 콘덴서의 소모전력은 얼마인가? (단, C는 콘덴서의 정전용량, V는 전압이다.)
11/2CV2
2CV2
3∞
40
문제 18
z＞0인 영역에는 비유전율 εs1=2인 유전체, z＜0인 영역에는 εs2=4인 유전체가 있으며 유전체 경계면에 전하가 없는 경우 E1=30ax+10ay+20az(V/m)일 때 εs2인 유전체 내에서 전계 E2(V/m)를 구하면? (단, ax, ay, az는 단위 벡터이다.)
1E2=15ax+10ay+20az
2E2=15ax+5ay+20az
3E2=30ax+10ay+10az
4E2=30ax+5ay+10az
문제 19
평등 자계를 얻는 방법으로 가장 알맞은 것은?
1길이에 비하여 단면적이 충분히 큰 솔레노이드에 전류를 흘린다.
2길이에 비하여 단면적이 충분히 큰 원통형 도선에 전류를 흘린다.
3단면적에 비하여 길이가 충분히 긴 솔레노이드에 전류를 흘린다.
4단면적에 비하여 길이가 충분히 긴 원통형 도선에 전류를 흘린다.
문제 20
그림과 같이 한 변의 길이가 a(m)인 정삼각형 회로에 전류 I(A)가 흐를 때, 삼각형의 중심에 있어서의 자계의 세기는 몇 A/m 인가?
19I/2πa
26I/2πa
36I/4πa
4I/4πa
문제 21
정 K형 필터에서 임피던스 Z1, Z2와 공칭임피던스 K와의 관계는?
1
2
3
4
문제 22
회로에서 단자 1, 2간의 인덕턴스 L은?
1L1+L2
2L1+L2-2M
3L1+L2+2M
4L1+L2±√L1L2
문제 23
다음 그림에서 전달함수 는?
1
2
3
4
문제 24
RC직렬 회로에서 일정한 전압 V1을 인가하여 장시간 지난 후 커패시터 C의 전압이 V1이 되었다면 저항 R에서 소비된 에너지는?
1 이다.
2 보다 크다.
3 보다 작다.
4무한대가 될 수 있다.
문제 25
어떤 회로망의 4단자 정수가 A = 8, B = j2, D = 3 + j2이면 이 회로망의 C는?
13 - j4.5
24 + j6
38 - j11.5
424 + j14
문제 26
어떤 선형시스템의 전달함수가 일 때, 이 시스템의 단위계단응답(unit-step response)은?
1e3t(t)
21/3(1-e3t)u(t)
31/3(1-e-3t)u(t)
4e-3tu(t)
문제 27
인덕턴스 40mA, 저항 10Ω의 직렬 회로 시정수는 몇 s 인가?
10.001
20.002
30.003
40.004
문제 28
그림과 같은 4단자 회로망의 4단자 정수(ABCD파라미터)가 옳은 것은?
1
2
3
4
문제 29
그림과 같은 인덕터 l의 초기전류가 i(0)일 때 라플라스 변환에 의해서 S의 함수로 표시되는 등가회로를 구하면?
1
2
3
4
문제 30
다음 회로에서 a, b 단자의 합성 저항은 몇 Ω 인가?
11.5
22.5
33.34
46.67
문제 31
그림과 같은 회로의 쌍대 회로는?
1
2
3
4
문제 32
라플라스 변환식 의 역변환은?
1
2
3
4
문제 33
그림과 같은 회로에 100V의 전압을 인가했을 때 최대전력이 되기 위한 용량성 리액턴스 XC는? (단, R=10Ω, ωL=10ω이다.)
110Ω
215Ω
320Ω
425Ω
문제 34
교류 전압 220V를 인덕턴스 0.1H의 코일에 인가하였을 때 이 코일에 흐르는 전류는? (단, 주파수는 60Hz이다.)
15.84/-90°
25.84/0°
322/-90°
422/0°
문제 35
그림과 같은 회로를 t=0에서 스위치 K를 닫을 때 2초 후의 전류는?
13.2A
24.6A
310/√5A
46.3A
문제 36
그리과 같은 RC회로에 스텝 전압을 인가하면 출력 전압은? (단, 콘덴서는 미리 충전되어 있지 않은 상태이다.)
1아무것도 나타나지 않는다.
2같은 모양의 스텝 전압이 나타난다.
3처음엔 입력과 같이 변했다가 지수적으로 감쇄한다.
40부터 지수적으로 증가한다.
문제 37
그림 (a)와 같은 히스테리시스 곡선을 그리는 비선형 인덕터에 그림 (b)와 같은 전류를 흘릴 때, 그 양단에 나타나는 전압 파형은?
1삼각파형
2정현파
3구형파
4구형 펄스파
문제 38
회로에서 스위치가 오랫동안 개방되어 있다가 t=0에 닫았을 때 바로 직후의 vL(0+)과 vC(0-)로 적절한 것은? (단, t<0에서 vC=3V이다.)
1
2
3
4
문제 39
L1=20H, L2=7H인 전자 유도 결합 회로에서 결합계수 k=0.3일 때 상호 인덕턴스 M은 몇 H인가?
11.55
22.55
33.55
44.55
문제 40
단위 계단함수 u(t)를 라플라스 변환하면?
11
21/s
3s
4ts
문제 41
발진기에 대한 설명으로 틀린 것은?
1펄스 발진기는 비정형파 발진기이다.
2직류를 교류로 변환시키는 기기라 생각할 수 있다.
3입력신호 없이는 자체적으로 주기적인 신호를 발생시킬 수 없다.
4출력을 증가시키는 방향에서 볼 때 입력으로 귀환되는 정귀환 방식이다.
문제 42
하이브리드 π모델에서 rbb=100Ω, rbe=1kΩ, Cre=100pF일 때 CE 차단주파수 fβ의 값은? (단, Ce≫Cc이다.)
11.2MHz
21.6MHz
32.4MHz
43.2MHz
문제 43
그림과 같은 회로의 명칭은?
1Trigger 회로
2Clamper 회로
3Slicer 회로
4Clipper 회로
문제 44
B급 증폭기의 최대효율은 약 얼마인가?
125%
250%
379%
4100%
문제 45
다음 그림에서 점유율(duty cycle)을 나타내는 식은?
1τ/B
2E/B
3τ/T
4E/T
문제 46
다음 회로에서 연산증폭기의 (+)입력단자와 (-)입력단자의 전위는? (단, Vin=5V, R1=10kΩ, R2=5kΩ, RL=1kΩ)
10V
21V
32.5V
45V
문제 47
슈미트 트리거(Schmidt trigger) 회로의 용도에 대한 설명으로 틀린 것은?
1D/A 변환회로로 사용된다.
2구형파 펄스 발생회로로 사용한다.
3잡음 등에 의한 오동작을 방지하기 위하여 사용된다.
4트랜지스터 또는 OP amp의 부품을 이용하여 회로를 구성하여 사용한다.
문제 48
FET 증폭기에서 이득-대역폭(GB) 곱을 작게 하려면?
1gm을 작게 한다.
2μ를 크게 한다.
3부하저항을 크게 한다.
4분포된 정전용량을 작게 한다.
문제 49
연산증폭기에 대한 설명으로 틀린 것은?
1귀환저항이 개방되면 출력이 심하게 잘리는(Clipping) 현상이 발생한다.
2전압 플로워는 높은 임피던스와 가장 낮은 임피던스를 가진다.
3입력 바이어스 전류효과는 내부저항으로 보상할 수 있다.
4폐루프 전압이득은 항상 개루프 전압이득보다 크다.
문제 50
RC 결합 증폭기에서 구형파 입력 전압에 대해 그림과 같은 출력이 나온다면 이 증폭기의 주파수 특성은?
1대역폭이 너무 넓다.
2중역특성이 좋지 않다.
3저역특성이 좋지 않다.
4고역특성이 좋지 않다.
문제 51
그림과 같은 회로를 무슨 회로라 부르는가?
1블록킹 발진회로
2비안정 멀티바이브레이터
3단안정 멀티바이브레이터
4쌍안정 멀티바이브레이터
문제 52
12비트 연속근사 A/D 변환기가 1MHz의 클럭 주파수에 의해 구동된다고 할 때 총 변환시간은?
10.12μs
20.42μs
312μs
424μs
문제 53
A급 전력증폭기에서 VCEQ=12V이고, ICQ=12mA이면, 최대 신호의 출력전력은? (단, 입력 신호가 없을 때의 트랜지스터의 전력소모일 때로 가정한다.)
11.2W
22.4W
36W
412W
문제 54
다음 회로에서 β=100, IREF=1mA일 때, 전류 I1, I2, I3는 약 몇 mA인가? (단, Q1~Q8의 크기는 모두 같다.)
10.019, 0.038, 0.057
20.0481, 0.962, 1.443
30.7, 1.4, 2.1
41, 2, 3
문제 55
C급 전력증폭기에 대한 설명으로 틀린 것은?
1출력파형이 심하게 일그러진다.
2180° 미만에서 도통될 수 있도록 바이어스 한다.
3고주파 동조증포긱에만 한정적으로 응용된다.
4입력주기의 긴 기간 동안 도통되므로 전력 손실이 크다.
문제 56
트랜지스터 증폭회로의 전류증폭도 Ai=50, 전압증폭도 Av=200 이라고 할 때 전력 증폭도는?
110dB
220dB
330dB
440dB
문제 57
증가형 MOSFET(E-MOSFET)의 전달 특성을 나타낸 식으로 옳은 것은? (단, VGS(off)는 차단전압, VGS(th)는 임계전압, IDSS는 VGS=0일 때의 드레인 전류, K는 상수)
1
2
3
4
문제 58
트랜지스터의 밀러(Miller) 입력 용량 성분에 대한 설명으로 옳은 것은?
1트랜지스터의 fT가 크면 증가한다.
2트랜지스터의 부하 저항 값이 커지면 증가한다.
3트랜지스터의 α차단 주파수가 증가하면 증가한다.
4트랜지스터의 베이스 분포 저항이 증가하면 매우 증가한다.
문제 59
다음 회로에서 입력과 접지사이의 실효 커패시턴스(Cin)를 나타내는 식으로 옳은 것은? (단, 반전 증폭기라고 가정한다.)
1
2
3
4
문제 60
다음과 같은 DTL 논리 회로의 게이트 기능은?
1NAND
2NOR
3AND
4NOT
문제 61
3극 진공관과 특성이 유사한 반도체 소자는?
1다이오드
2pnp 트랜지스터
3n형 JFET
4SCR
문제 62
광전효과(photo electric effect)를 설명한 것으로 틀린 것은?
1임계주파수보다 높은 주파수의 빛이라 하더라도 일정량 이상의 빛의 세기로 조사해야만 광전자 방출이 있다.
2빛의 세기를 크게 하여도 방출된 전자의 운동에너지는 증가하지 못하고 전자방출의 수만 증가하게 된다.
3어떠한 금속에서도 각각의 특유한 임계주파수가 있기 때문에 이 이상일 때만 광전자 방출이 있다.
4방출된 전자의 운동 에너지는 조사된 빛의 주파수에 비례한다.
문제 63
애버랜치 항복에 대한 설명으로 옳은 것은?
1바이어스에 따른 공간전하 영역의 크기 변화에 기인한다.
2불순물 농도가 매우 높은 PN 접합에서 잘 일어난다.
3전자의 터널 효과에 의한 현상이다.
4높은 에너지를 갖는 캐리어의 충돌에 의해 가속된다.
문제 64
트랜지스터의 베이스 폭 변조에 대한 설명으로 틀린 것은?
1컬렉터 전압 VCB가 증가함에 따라 베이스 중성 영역의 폭이 줄어든다
2베이스 폭의 감소는 베이스 영역의 소수 캐리어 농도의 기울기를 증대시킨다.
3컬렉터 역바이어스의 증가에 따라 이미터 전류와 컬렉터 전류가 감소한다.
4베이스 폭이 감소하면 전류증폭률 α가 증대한다.
문제 65
광양자가 운동량을 갖고 있음을 증명할 수 있는 것은?
1Zener 효과
2Hall 효과
3Edison 효과
4Compton 효과
문제 66
운동 전자가 가지는 파장이 2.7×10-10m/s인 경우 그 전의 속도는? (단, 플랭크 상수 h=6.6×10-34[Jㆍs],전자의 질량 m=9.1×10-31[kg]이다.)
12.69×104 m/s
22.69×105 m/s
32.69×106 m/s
42.69×107 m/s
문제 67
JFET의 특성곡선에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
1저항성 영역에서는 채널저항이 거의 일정하다.
2저항성 영역에서는 공간전하층이 매우 좁다.
3항복영역에서는 VDS를 크게 증가시키면 ID가 급격히 증대한다.
4포화영역에서는 VDS가 어느 정도 증대되면 채널저항이 급격히 감소된다.
문제 68
두 종류의 금속을 접촉했을 때 생기는 접촉 전위차의 극성으로 옳은 것은?
1일함수가 작은 금속이 양, 큰 금속이 음의 극성을 갖는다.
2일함수가 작음 금속이 음, 큰 금속이 양의 극성을 갖는다.
3페르미 준위가 낮은 금속이 양, 높은 금속이 음의 극성을 갖는다.
4금속 간에는 극성이 발생하지 않는다.
문제 69
이미터 접지 증폭회로에서 베이스 전류를 10μA에서 20μA로 증가시켰을 때, 컬렉터 전류의 변화량은? (단, β=100이다.)
11mA
210mA
3100mA
41A
문제 70
300[eV]로 가속된 전자가 0.01Wb/m2인 균등한 자계 중에 자계의 방향과 60°의 각도를 이루며 사출되었을 때 전자가 그리는 궤도의 직경은? (단, 전자의 전하 e=1.602×10-19[C], 전자의 질량 m=9.106×10-31[kg]이다.)
1약 5.84×10-3[m]
2약 5.84×10-2[m]
3약 2.02×10-2[m]
4약 2.02×10-3[m]
문제 71
바랙터(varactor) 다이오드는 어떠한 양(量)들 사이의 비선형적 관계를 이용하는 소자인가?
1전류와 전압
2전류와 온도
3전압과 정전용량
4주파수와 정전용량
문제 72
페르미 디랙(Fermi-Dirac) 분포에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?
1고체 내의 전자는 Pauli의 배타 원리의 지배를 받는다.
2대부분의 전자는 이 분포의 저 에너지역에 존재한다.
3금속의 경우 온도에 거의 무관하다.
4도체가 가열될 때 전자는 분자 비열 용량에 거의 영향을 주지 않는다.
문제 73
확산 전류 밀도에 관한 설명으로 옳은 것은?
1농도의 기울기(gradient)에만 의존한다.
2농도의 기울기와 이동도에 의존한다.
3확산계수에만 의존한다.
4이동도에만 의존한다.
문제 74
전자의 운동량(P)과 파장(λ) 사이의 드브로이(De Broglie) 관계식은? (단, h는 Plank 상수이다.)
1P=λh
2P=h/λ
3P=λ/h
4λ=1/Ph
문제 75
n형 반도체의 Hall 계수는? (단, N은 캐리어의 농도, q는 캐리어의 전하, T는 절대온도, A는 상수이다.)
1
2-AnqT
3
4
문제 76
불순물 반도체의 페르미 준위에 대한 설명 중 옳은 것은?
1p형 반도체의 페르미 준위는 금지대 중앙보다 높은 곳에 위치한다.
2온도가 증가할수록 금지대 중앙으로 접근한다.
3p형 반도체의 페르미 준위는 도너 준위와 일치한다.
4절대온도 0[K]에서 페르미 준위보다 높은 에너지 준위에서 f(E)=1이다.
문제 77
자유전자가 정공에 의해 다시 잡혀서 정공을 채우는 과정을 무엇이라고 하는가?
1열적 평형
2확산(diffusion)
3수명시간(life time)
4재결합(recombination)
문제 78
억셉터 불순물로 사용되는 원소가 아닌 것은?
1갈륨(Ga)
2인듐(In)
3비소(As)
4붕소(B)
문제 79
글로우 방전관의 방전을 안정하게 유지하기 위하여 전원전압 E, 전류 I, 안정저항 R과 관전압 V 사이에 성립하는 관계식은?
1V = IR - E
2V = E - IR
3V = IR + E
4V = E -I/R
문제 80
정지하고 있는 질량이 m인 전자를 V[V]의 전위차로 가속시킬 때 전자의 속도(v)를 구하는 식은?
1
2
3
4
문제 81
다음 중 프로그래머가 사용 가능한 레지스터는?
1메모리 주소 레지스터(Memory Address Register)
2메모리 버퍼 레지스터(Memory Buffer Register)
3스택 포인터(Stack Pointer)
4명령어 레지스터(Instruction Register)
문제 82
데이터를 연산할 때 스택(stack)만 사용하는 명령은?
10-주소 명령
21-주소 명령
32-주소 명령
43-주소 명령
문제 83
다음의 C 프로그램은 무엇을 입력한 것인가?
1실수입력
2정수입력
3문자열입력
4문자입력
문제 84
MPU(micro processing unit)의 처리방식에서 RISC(reduced instruction set computer)의 설명 중 옳지 않은 것은?
1복잡한 명령을 갖는 프로세서에 비하여 명령수가 적다.
2하드웨어 실현효율의 최적화가 용이하다.
3명령 set의 간략화가 가능하므로 고집적화에 유리하다.
4비교적 복잡한 명령 set를 선택하고 있어 고속 동작이 어렵다.
문제 85
다음 karnaugh도에 의한 논리식은?
1A
2B
3AB
4A+B
문제 86
순서도의 기호 중에서 다음 기호가 나타내는 것은?
1판단
2처리
3터미널
4입ㆍ출력
문제 87
어셈블리 언어로 프로그램을 작성할 때 절대번지 대신에 간단한 기호 및 명칭을 사용할 수 있는데 이러한 번지를 무엇이라 하는가?
1self address
2symbolic address
3relative address
4symbolic relative address
문제 88
다음 설명 중 옳은 것은?
110진수 72의 ″9의 보수″는 27이고, ″10의 보수″는 28이다.
210진수 72의 ″9의 보수″는 28이고, ″10의 보수″는 27이다.
32진수 1010의 ″1의 보수″는 0101이고, ″2의 보수″는 0100이다.
42진수 1010의 ″1의 보수″는 0110이고, ″2의 보수″는 0101이다.
문제 89
다음의 소자 중에서 전원과 관련된 신호는 제외하고 연결선의 수가 가장 많은 것은?
11K × 4 bit DRAM
28K × 4 bit DRAM
34K × 1 bit DRAM
464K × 8 bit DRAM
문제 90
다중처리(multi-processing) 시스템에 대한 설명 중 틀린 것은?
1주기억장치를 여러 개의 CPU가 공유하여 동시에 사용할 수 있다.
2여러 개의 CPU 중에 한 쪽의 CPU가 고장이 날 경우 다른 쪽의 CPU를 이용하여 업무처리를 계속할 수 있다.
3CPU를 두 개 이상 두고 동시에 여러 프로그램을 수행할 수 있다.
4두 개 이상의 CPU가 각자의 업무를 분담하여 처리할 수 없다.
문제 91
주소 설계 시 고려해야 할 사항이 아닌 것은?
1주소를 효율적으로 나타낼 수 있어야 한다.
2주소공간과 기억공간을 독립시켜야 한다.
3사용자가 사용하기 편리해야 한다.
4.캐시 메모리가 있어야 한다.
문제 92
중앙처리장치(CPU)의 3대 구성요소가 아닌 것은?
1제어장치
2연산장치
3입력장치
4기억부(register)
문제 93
캐시 메모리에서 사용되는 매핑(mapping) 방법이 아닌 것은?
1세트-어소시에티브 매핑
2어소시에티브 매핑
3직접 매핑
4간접 매핑
문제 94
다음 마이크로 오퍼레이션이 나타내는 기능은? (단, SP : Stack Pointer, MAR : Memory Address Register, M[addr] : Memory)
1ADD
2PUSH
3RET(return)
4LOAD
문제 95
인터럽트의 종류 중 입ㆍ출력장치, 타이밍장치, 전원 등의 용인에 의해 발생되는 인터럽트는?
1기계 인터럽트
2외부 인터럽트
3내부 인터럽트
4소프트웨어 인터럽트
문제 96
지정 어드레스로 분기한 후에 그 명령으로 되돌아오는 명령은?
1비교 명령
2조건부 분기 명령
3서브루틴 분기 명령
4강제 인터럽트 명령
문제 97
다음은 1비트를 비교하는 진리표이다. ( )에 알맞은 값은?
1a : 0, b : 0, c : 0
2a : 1, b : 0, c : 0
3a : 1, b : 0, c : 1
4a : 0, b : 0, c : 1
문제 98
계산기 구조에서 기억장치에 RAM을 사용함으로써 계산기에 프로그램 하는데 미치는 영향 중 틀린 것은?
1프로그램과 자료는 수행되는 순서대로 기억시켜 놓을 필요가 없다.
2프로그램이 같은 자료를 여러 번 반복하여 이용한다면 이들을 그 사용한 횟수만큼 기억시킬 필요가 없다.
3BRANCH, 조건부 BRANCH, SUBROUTINE의 사용이 가능하다.
4프로그램 중에서 명령어군과 데이터군의 순서는 반드시 명령어군이 선두에 있어야 한다.
문제 99
사용자가 프로그래밍 할 수 없는 ROM은?
1ROM
2PROM
3EPROM
4EEPROM
문제 100
16진수 CAF.28을 8진수로 고치면?
16255.62
26255.52
36257.32
46257.12