[전자기사 필기] 15년 1회차 기출문제 해설 페이지
평행판 콘덴서의 극간 전압이 일정한 상태에서 극간에 공기가 있을 때의 흡인력을 F1, 극판 사이에 극판 간격의 2/3 두께의 유리판(εr=10)을 삽입할 때의 흡인력을 F2라 하면 F2/F1는?
0.6
0.8
1.5
2.5
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유전율 ε1, ε2인 두 유전체 경계면에서 전계가 경계면에 수직일 때 경계면에 작용하는 힘은 몇 [N/m2]인가? (단, ε1 > ε2이다.)
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진공 중에 +20μC과 -3.2μC인 2개의 점전하가 1.2m 간격으로 놓여 있을 때 두 전하 사이에 작용하는 힘(N)과 작용력은 어떻게 되는가?
0.2N, 반발력
0.2N, 흡인력
0.4N, 반발력
0.4N, 흡인력
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Ωㆍsec 와 같은 단위는?
F
F/m
H
H/m
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진공 중에 있는 반지름 α(m)인 도체구의 정전용량(F)은?
4πε0α
2πε0α
aε0α
a
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내부도체의 반지름이 a(m)이고, 외부도체의 내반지름이 b(m), 외반지름이 c(m)인 동축 케이블의 단위 길이당 자기 인덕턴스는 몇 H/m인가?
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균일한 자속밀도 B중에 자기모멘트 m의 지삭(관성모멘트 I)이 있다. 이 자석을 미소 진동시켰을 때의 주기는?
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60[Hz]의 교류 발전기의 회전자가 자속밀도 0.15[Wb/m2]의 자기장 내에서 회전하고 있다. 만일 코일의 면적이 2×10-2[m2]일 때 유도기전력이 최대값 Em=220[V]가 되려면 코일을 약 몇 번 감아야 하는가? (단, ω=2πf=377[rad/sec]이다.)
195회
220회
395회
440회
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무한장 선로에 균일하게 전하가 분포된 경우 선로로부터 r(m) 떨어진 P점에서의 전계의 세기 E(V/m)는 얼마인가?(단, 선전하 밀도는 ρL(C/m)이다.)
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0.2C의 점전하가 전계 E=5ay+az(V/m) 및 자속밀도 E=2ay+5az(Wb/m2) 내로 속도 v=2ax+3ay(m/s)로 이동할 때 점전하에 작용하는 힘 F(N)은? (단, ax, ay, az는 단위 벡터이다.)
2ax-ay+3az
3ax-ay+az
ax+ay-2az
5ax+ay-3az
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반지름이 5[mm]인 구리선에 10[A]의 전류가 흐르고 있을 때 단위시간당 구리선의 단면을 통과하는 전자의개수는? (단, 전자의 전하량 e=1.602×10-19[C]이다.)
6.24×1017
6.24×1019
1.28×1021
1.28×1023
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투자율을 μ라 하고 공기 중의 투자율 μ0와 비투자율 μs의 관계에서 
로 표현된다. 이에 대한 설명으로 알맞은 것은?(단, χ는 자화율이다.)χ＞0인 경우 역자성체
χ＜0인 경우 상자성체
μs＞1인 경우 비자성체
μs＜1인 경우 역자성체
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자계의 벡터포텐셜을 A라 할 때 자계의 변화에 의하여 생기는 전계의 세기 E는?
E=rotA
rotE=A
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공기 중에서 x방향으로 진행하는 전자파가 있다. Ey=3×10-2sinω(x-vt)(V/m), Ez=4×10-2sinω(x-vt)(V/m)일 때 포인팅 벡터의 크기(W/m2)는?
6.63×10-6sin2ω(x-vt)
6.63×10-6cos2ω(x-vt)
6.63×10-4sinω(x-vt)
6.63×10-4cosω(x-vt)
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자계의 세기 H=xyay-xzaz(A/m)일 때 점(2, 3, 5)에서 전류밀도는 몇 [A/m2]인가?
3ax+5ay
3ay+5az
5ax+3az
5ay+3az
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회로에서 단자 a-b 간에 V의 전위차를 인가할 때 C1의 에너지는?
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Qℓ=±200πЄ0×103(Cㆍm)인 전기쌍극자에서 ℓ과 r의 사이 각이 π/3이고, r=1m인 점의 전위(V)는?
50π×104
50×103
25×103
5π×104
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전속밀도에 대한 설명으로 가장 옳은 것은?
전속은 스칼라량이기 때문에 전속밀도도 스칼라량이다.
전속밀도는 전계의 세기의 방향과 반대 방향이다.
전속밀도는 유전체 내에 분극의 세기와 같다.
전속밀도는 유전체와 관계없이 크기는 일정하다.
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와전류와 관련된 설명으로 틀린 것은?
단위체적당 와류손의 단위는 W/m3이다.
와전류는 교번자속의 주파수와 최대자속밀도에 비례한다.
와전류손은 히스테리시스손과 함께 철손이다.
와전류손을 감소시키기 위하여 성층철심을 사용한다.
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무한장 직선도체가 있다. 이 도체로부터 수직으로 0.1m 떨어진 점의 자계의 세기가 180AT/m이다. 이 도체로부터 수직으로 0.3m 떨어진 점의 자계의 세기(AT/m)는?
20
60
180
540
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이상 변압기의 조건으로 옳은 것은?
와류 손실은 약간 있다.
동손, 철손은 약간 있다.
두 코일간의 결합계수가 1이다.
각 코일의 인덕턴스는 ∞가 아니다.
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리액턴스 함수가 
로 표시되는 리액턴스 2단자망은?
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회로의 영상 임피던스 Z01은 약 얼마인가?
4.1[Ω]
5.2[Ω]
6.3[Ω]
7.4[Ω]
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다음 그림의 교류 회로에서 R에 전류가 흐르지 않기 위한 조건으로 옳은 것은?
ωM=ωL2
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f(t)=sint cost 를 라플라스 변환 하면?
1/(S2+2)
1/(S2+4)
1/((S+2)2)
1/((S+4)2)
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한 코일의 전류가 매초 60[A]의 비율로 변화할 때 다른 코일에는 30[V]의 기전력이 발생하는 경우에 두 코일의 상호 인덕턴스[H]는?
2
1.5
1
0.5
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h 파라미터 중 단락 순방향 전류 이득은?
h11
h21
h12
h22
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R=8[Ω], XL=8[Ω], XC=2[Ω]인 R-L-C 직렬회로에 정현파 전압 V=100[V]를 인가할 때 흐르는 전류는?
10[A]
20[A]
30[A]
40[A]
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고유저항 ρ, 반지름 r, 길이 ℓ인 전선의 저항이 R일 때, 같은 재료로 반지름은 m배, 길이는 n배로 하면 저항은 몇 배가 되는가?
m2/n
m/n
n/m
n/m2
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시간 a만큼 옮겨진 그림과 같은 단위 계단 함수를 라플라스 변환하면?
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2개 이상의 전원을 내포한 선형 회로에서 어떤 가지에 흐르는 전류나 단자의 전압을 해석하는데 사용하는 것은?
중첩의 원리
치환정리
Thevenin의 정리
Norton의 정리
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일 때 e1+e2의 실효치는 약 얼마인가?√4400
√3900
√3100
√2900
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그림과 같은 파형을 실수 푸리에 급수로 전개할 때 다음에서 옳은 것은?
sin항, cos항을 쓰면 유한항으로 전개된다.
sin항, cos항 모두 있다.
cos항은 없다.
sin항은 없다.
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다음 회로망의 합성 저항은?
6[Ω]
12[Ω]
30[Ω]
50[Ω]
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두 회로 간에 쌍대 관계가 옳지 않은 것은?
KㆍVㆍL → KㆍCㆍL
테브난 정리 → 노튼 정리
전압원 → 전류원
폐로전류 → 절점전류
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기본파의 10[%]인 제3고조파와 20[%]인 제5고조파를 포함하는 전압파의 왜형률은 약 얼마인가?
0.5
0.42
0.31
0.22
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회로에 60+j80[V]인 전압을 인가하여 4+j1[A] 전류가 흐를 때 소비되는 유효전력은?
140[W]
320[W]
480[W]
500[W]
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RC 직렬회로에서 직류전압을 인가할 때 전류값이 초기값의 e-2배가 되는 시간[s]은?
2RC
RC
C/R
1/RC
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그림의 T형 4단자 회로에 대한 전송 파라미터 D는?
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100[μF]의 콘덴서에 100[V], 60[Hz]의 교류전압을 가할 때 무효전력은?
-40π[Var]
-60π[Var]
-120π[Var]
-240π[Var]
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다음 회로에서 VCE는 약 몇 [V]인가? (단, βDC는 100이다.)
3.4
5.7
6.2
7.6
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전가산기를 반가산기 몇 개와 어떤 논리 게이트 몇 개로 구성하는 것이 가장 적당한가?
반가산기 2개, AND 게이트 1개
반가산기 2개, OR 게이트 2개
반가산기 3개, OR 게이트 1개
반가산기 2개, OR 게이트 1개
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R-L-C 병렬 공진회로에서 선택도(Q)를 높게 하려면?
R 값을 크게 한다.
R 값을 작게 한다.
C 값을 작게 한다.
L 값을 크게 한다.
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QAM(직교진폭변조) 방식에 대한 설명으로 옳은 것은?
FSK 변조방식의 일종이다.
AM 변조방식과 FSK 변조방식을 혼합한 것이다.
FSK 변조방식과 PSK 변조방식을 혼합한 것이다.
정보신호에 따라 반송파의 진폭과 위상을 변화시키는 APK 변조방식의 한 종류이다.
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짧은 ON 시간과 긴 OFF 시간을 가지며 펄스신호를 사용하는 증폭기회로에서 주로 쓰이는 증폭기는?
A급
B급
C급
D급
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이상적인 연산 증폭기에서 입력 바이어스 전류에 대해 옳은 것은?
V0 = 0일 때 (IB1 + IB2) / 2
V0 = ∞일 때 (IB1 + IB2) / 2
V0 = 0일 때 (IB1 + IB2)
V0 = ∞일 때 (IB1 + IB2)
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정류회로에서 전압 안정계수가 0.01일 때 정전압회로의 입력 전압이 ±5[V] 변화하면 출력 전압은?
±40[mV]
±50[mV]
±60[mV]
±70[mV]
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트랜지스터를 베이스 접지에서 이미터 접지로 해서 ICEO가 50배가 되었을 때 트랜지스터의 β는?
49
50
59
120
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압전현상을 이용하여 안정도가 높은 발진주파수를 얻는 발진기는?
VCO
빈브리지 발진기
수정 발진기
hartley 발진기
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위상천이(이동)형 RC 발진기에 대한 설명으로 옳은 것은?
펄스 발진기로 많이 사용된다.
100[MHz]대의 높은 주파수 발진용으로 적합하다.
발진을 계속하기 위해서 증폭도는 29보다 작아야 한다.
병렬 저항형 이상형 발진기의 발진주파수는 1/2π√RC[Hz]이다.
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부귀환 입력임피던스 변화에 대한 설명으로 틀린것은?
전류 병렬 귀환시 입력임피던스는 감소한다.
전류 직렬 귀환시 입력임피던스는 감소한다.
전압 병렬 귀환시 입력임피던스는 감소한다.
전압 직렬 귀환시 입력임피던스는 감소한다.
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다음 회로의 명칭으로 가장 적합한 것은?
평형 변조회로
전파 정류회로
배전압 정류회로
반파 정류회로
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2진 디지털 부호의 정보 내용에 따라 반송파의 위상을 두 가지로 천이되도록 하는 변조방식은?
FSK 방식
PSK 방식
ASK 방식
QAM 방식
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B급 푸시풀(Push-Pull) 증폭기의 특징이 아닌 것은?
트랜지스터의 비선형 특성에서 오는 일그러짐이 증가한다.
우수 고조파가 상쇄되어 일그러짐이 적다.
차단 상태 부근에 바이어스 되어 있다.
컬렉터 효율이 높다.
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교류전압에 직류전압을 더하는 것으로 직류 복원기(DC Restorer)라고 하는 회로는?
클램퍼
제너제한
리미터
체배기
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다음 회로는 어떤 회로인가?
전류귀환 증폭회로
전압귀환 증폭회로
임피던스귀환 증폭회로
어드미턴스귀환 증폭회로
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J-K 플립플롭의 J와 K 입력단자를 하나로 묶어 놓은 플립플롭으로 1을 인가하면 출력이 토글되는 플립플롭은?
RS 플립플롭
D 플립플롭
T 플립플롭
RS 마스터 슬레이브 플립플롭
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연산증폭기의 일반적인 특징에 대한 설명으로 옳은 것은?
주파수 대역폭이 좁다.
입력 임피던스가 낮다.
동상신호제거비가 크다.
온도변화에 따른 드리프트가 크다.
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FET의 핀치오프(Pinch off) 전압에 대한 설명으로 틀린 것은?
불순물 농도에 비례한다.
채널 폭의 자승에 비례한다.
캐리어(Carrier)의 전하량에 반비례한다.
채널(Channel)이 완전히 막히는 상태에 이르는 전압이다.
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다음 회로는 βDC=100이고, RC=1[kΩ], RE=470[Ω]인 트랜지스터의 베이스에서 바라본 직류 입력저항은?
1[kΩ]
47[kΩ]
100[kΩ]
470[kΩ]
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페르미 준위에 대한 설명으로 틀린 것은?
T=0[K]가 아닌 경우 전자의 존재 확률은 50%가 된다.
0[K]에서 전자의 최고 에너지가 된다.
0[K]에서 n형 반도체의 경우 전도대와 도너준위 사이에 위치한다.
진성 반도체의 경우 온도와 무관하게 전도대에 위치한다.
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순방향 전압이 걸린 PN 접합(부)의 특성을 설명한 것으로 옳지 않은 것은?
접합부의 저항은 외부 전압에 따라 변한다.
접합부의 저항은 전류에 반비례한다.
접합부의 저항은 온도와 무관하다.
접합부에는 전압이 생긴다.
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어떤 광자가 물질을 통과한 후 2537Å 및 4078Å의 두 광자로 분리되었을 때, 원래 조사한 빛의 파장은?
1270Å
1564Å
2040Å
6615Å
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트랜지스터의 증폭회로에서 안정도(stability factor)는? (단, IC는 컬렉터 전류, IB는 베이스 전류, ICD는 컬렉터 역포화 전류)
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트랜지스터의 전류이득 α를 크게 하는 조건으로 틀린 것은?
베이스폭을 좁게 한다.
이미터의 도핑(doping)을 베이스의 도핑보다 크게 한다.
캐리어의 수명을 길게 한다.
이미터 전류를 크게 한다.
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정상 바이어스를 가한 npn 트랜지스터에서 컬렉터 접합에 흐르는 주된 전류는?
확산 전류
드리프트 전류
정공 전류
베이스 전류와 같다.
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금속내부의 자유전자에 에너지를 공급하면 금속 밖으로 튀어나오는 현상이 아닌 것은?
열전자방출
광전자방출
전계방출
저항방출
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터널(tunnel) 다이오드에 대한 설명으로 틀린것은?
음성 저항(Negative resistance) 특성을 가진다.
N형 반도체의 페르미 준위는 금지대 내에 존재한다.
P형 반도체의 페르미 준위는 가전자대 내에 존재한다.
능동소자로서 발진기로 사용한다.
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페르미-디랙(Fermi-Dirac) 분포에 대한 설명이 틀린 것은?
고체 내의 전자는 Pauli의 배타원리의 지배를 받는다.
대부분의 전자는 페르미 준위 이상의 에너지 역에 존재한다.
분포형태는 금속의 온도에 변화한다.
도체가 가열될 때 전자는 분자 비열 용량에 거의 영향을 주지 못한다.
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직경 4[mm]인 동선에 4[A]의 전류가 흐르고 있을 때 전자의 평균이동속도는? (단, n=8.2×1023[개/cm3], e=1.602×10-19[C])
2.43[μm/s]
4.66[μm/s]
6.43[μm/s]
8.66[μm/s]
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PN 접합에 순바이어스(forward-bias)를 가할 때 공핍층의 폭은 무바이어스 시 보다 어떠한가?
변함이 없다.
좁아진다.
넓어진다.
넓어지기도 하고 좁아지기도 한다.
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반도체(semiconductor)에 대한 설명으로 옳은 것은?
홀(hole)의 이동도는 자유전자의 이동도보다 작다.
게르마늄(Ge)에 비소(As)를 첨가시키면 P형 반도체가 된다.
P형 반도체는 정공보다는 자유전자가 더 많다.
온도를 증가시키면 저항은 증가한다.
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MOSFET의 구조와 동작원리에 대한 설명으로 옳은 것은?
n채널 MOSFET의 단면구조는 드레인-소스간 p형 반도체의 기판 위에 절연체를 붙이고, 그 위에금속단자를 붙여 게이트 단자를 만든다.
n채널 MOSFET의 동작원리는 게이트 단자에 문턱전압 이상의 (+) 전압을 인가하면 MOSFET 드레인-소스 사이는 2개의 역방향 다이오드와 같은 등가회로를 갖는다.
p채널 MOSFET의 단면구조는 p형 반도체 기판(Substrate)에 2개의 p+형 반도체를 형성시킨다.
n채널 MOSFET의 단면구조는 n형 반도체 기판(Substrate)에 2개의 p+형 반도체를 형성시킨다.
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피에조 저항(piezo resistance)은?
압력 변화에 의한 저항의 변화이다.
자계 변화에 의한 저항의 변화이다.
온도 변화에 의한 저항의 변화이다.
광전류 변화에 의한 저항의 변화이다.
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도체, 반도체, 절연체의 에너지 대역에 관한 설명으로 틀린 것은?
도체는 전도대와 가전자대가 중첩되었다.
반도체의 금지대역폭이 절연체보다 작다.
도체의 금지대역폭이 반도체보다 작다.
반도체는 금지대역폭이 5eV 이상이다.
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컬렉터 접합부의 온도 상승으로 인하여 트랜지스터가 파괴되는 현상은?
얼리 현상
항복 현상
열폭주 현상
펀치 스로우 현상
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실리콘 n형 반도체에 관한 설명으로 옳은 것은?
불순물은 3개의 가전자 만을 갖는다.
억셉터(acceptor) 불순물을 첨가하여 제작한다.
정공은 소수 캐리어이다.
진성 반동체이다.
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초전도 현상에 대한 설명으로 틀린 것은?
초전도체는 완전도체의 성질을 갖는다.
초전도체는 완전 반자성체의 성질을 갖는다.
초전도 상태에 있는 물질 내에서는 전계가 0이다.
초전도체를 관통하는 자속의 시간적 변화는 완전히 주기적이다.
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광속도의 1/5의 속도로 운동하고 있는 전자의 드브로이(de Broglie) 파장은? (단, h=6.6×10-34[Jㆍsec], 전자의 질량 m=9.1×10-31[kg], 광속도 c=3×108[m/sec])
2.3×10-13[m]
2.3×10-11[m]
1.2×10-13[m]
1.2×10-11[m]
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반도체의 전도에 관한 설명으로 틀린 것은?
반도체의 저항은 온도의 증가에 따라 감소한다.
캐리어의 이동도는 온도와 결정구조의 규칙성에 따라 변한다.
절대온도 0[K]에서 모든 가전자는 전도대에 존재한다.
자유전자가 정공과 결합하는 과정을 재결합이라 한다.
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C 언어 중 모든 면에서 구조체와 같으며 선언문법이나 사용하는 방법이 같은 것은?
constant
array
union
pointer
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주소지정 방식 중에서 반드시 누산기를 필요로 하는 방식은?
3-주소지정 방식
2-주소지정 방식
1-주소지정 방식
0-주소지정 방식
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명령어의 형식에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?
3-주소 명령어 형식은 3개의 자료 필드를 갖고 있다.
2-주소 명령어 형식에서는 연산 후에도 원래 입력 자료가 항상 보존된다.
1-주소 명령어 형식에서는 연산 결과가 항상 누산기(accumulator)에 기억된다.
0-주소 명령어 형식을 사용하는 컴퓨터는 일반적으로 스택(stack)을 갖고 있다.
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2진수 (1110.0111)2를 16진수로 옳게 바꾼 것은?
(7.7)16
(14.14)16
(E.7)16
(E.E)16
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다음 프로그램 작성 과정을 순서대로 올바르게 나열한 것은?
㉣ → ㉠ → ㉡ → ㉢ → ㉤
㉣ → ㉠ → ㉡ → ㉤ → ㉢
㉠ → ㉣ → ㉡ → ㉢ → ㉤
㉠ → ㉡ → ㉤ → ㉢ → ㉣
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원시 프로그램을 목적 프로그램으로 바꾸어 주기억장치에 저장하기까지의 실행과정으로 옳은 것은?
컴파일러 → 로더 → 링커
링커 → 컴파일러 → 로더
링커 → 로더 → 컴파일러
컴파일러 → 링커 → 로더
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10진수 13을 그레이 코드(Gray code)로 변환하면?
1001
0100
1100
1011
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컴퓨터 확장슬롯에 연결되는 PCI 신호 중에서 현재 지정된 어드레스가 디코딩되어 접근이 가능한지를 나타내는 신호는?
LOCK
STOP
IDSEL
TRDY
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그림과 같은 회로의 명칭은?
반가산기
전가산기
전감산기
parity checker
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프로그램이 수행되는 도중에 인터럽트가 발생되면 현 사이클의 일을 끝내고 프로그램이 수행될 수 있도록 현주소를 지시하는 것은?
상태 레지스터
프로그램 레지스터
스택 포인터
인덱스 레지스터
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서브루틴 호출시 필요한 자료 구조는?
환형 큐(circular queue)
다중 큐(multi queue)
스택(stack)
트리(tree)
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논리회로를 설계하는 과정에서 최적화를 위한 고려 대상이 아닌 것은?
전파 지연신가의 최소화
사용 게이트 수의 최소화
게이트 종류의 다양화
게이트 간 상호변수의 최소화
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16비트로 나타낼 수 있는 정수의 범위는?
-216 ~ 216
-216-1 ~ 216+1
-215 ~ 215
-215 ~ 215-1
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콘솔(console)이나 보조기억장치에서 마이크로프로그램이 로드(load)되는 기법은?
dynamic micro-programming
static micro-programming
horizontal micro-programming
vertical micro-programming
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소프트웨어적으로 인터럽트의 우선순위를 결정하는 인터럽트 형식은?
벡터 방식에 의한 인터럽트
슈퍼바이저 콜에 의한 인터럽트
데이지체인 방법에 의한 인터럽트
폴링 방법에 의한 인터럽트
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메모리 장치와 주변 장치 사이에서 데이터의 입출력 전송이 직접 이루어지는 것은?
DMA
MIMO
UART
MIPS
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컴퓨터가 직접 해독할 수 있는 2진 숫자(binary digit)로 나타낸 언어는?
기계어(machine language)
컴파일러 언어(compiler language)
어셈블리 언어(assembly language)
기호식 언어(symbolic language)
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전기신호에 의하여 자료를 기록하고, 삭제할 수 있는 ROM은?
MASK ROM
PROM
EEPROM
EPROM
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10110과 01111을 exclusive-OR 하였을 때의 결과는?
00111
00110
11000
11001
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CPU의 수행 상태를 나타내는 주 상태(Major State) 중에서 메모리로부터 실행하기 위한 다음 명령의 번지를 결정한 후 메모리로부터 명령을 CPU로 읽어 들이는 동작은?
Fetch 상태
Indirect 상태
Execute 상태
Interrupt 상태
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