[전자기사 필기] 15년 1회차
전자기사 필기 기출문제

15년 1회차

총 100문항 · 객관식 · A4 약 1장

1 / 1
A4정답 포함
전자기사 필기 기출문제모두CBT · moducbt.com

15년 1회차

총 100문항 · 객관식 · 정답·해설 포함
문제 1
평행판 콘덴서의 극간 전압이 일정한 상태에서 극간에 공기가 있을 때의 흡인력을 F1, 극판 사이에 극판 간격의 2/3 두께의 유리판(εr=10)을 삽입할 때의 흡인력을 F2라 하면 F2/F1는?
10.6
20.8
31.5
42.5
정답 및 해설

평행판 콘덴서의 극판 사이 흡인력은 F = \frac{1}{2}\varepsilon_0 \varepsilon_r A V^2}{d^2}로 표현되며, 극간 전압 V가 일정할 때 전기장 에너지에 의한 흡인력은 용량에 비례한다. 공기만 있을 때 용량을 C1=ε0AdC_1 = \frac{\varepsilon_0 A}{d}라 하면 흡인력은 F1=12C1V2=ε0AV22dF_1 = \frac{1}{2}C_1 V^2 = \frac{\varepsilon_0 A V^2}{2d}이다.
유리판(상대유전율 εr=10\varepsilon_r = 10)을 극간 2/3 두께로 삽입하면, 극판 사이는 유리판(두께 2d/3, εr=10\varepsilon_r = 10)과 공기층(두께 d/3, εr=1\varepsilon_r = 1)의 직렬 구조가 된다. 직렬 커패시터 용량은 C2=ε0A2d3⋅10+d3=ε0A2d30+10d30=ε0A12d30=30ε0A12d=5ε0A2dC_2 = \frac{\varepsilon_0 A}{\frac{2d}{3 \cdot 10} + \frac{d}{3}} = \frac{\varepsilon_0 A}{\frac{2d}{30} + \frac{10d}{30}} = \frac{\varepsilon_0 A}{\frac{12d}{30}} = \frac{30\varepsilon_0 A}{12d} = \frac{5\varepsilon_0 A}{2d}이다.
흡인력의 비는 F2F1=C2C1=5ε0A2dε0Ad=52=2.5\frac{F_2}{F_1} = \frac{C_2}{C_1} = \frac{\frac{5\varepsilon_0 A}{2d}}{\frac{\varepsilon_0 A}{d}} = \frac{5}{2} = 2.5이다.

문제 2
유전율 ε1, ε2인 두 유전체 경계면에서 전계가 경계면에 수직일 때 경계면에 작용하는 힘은 몇 [N/m2]인가? (단, ε1 > ε2이다.)
1
2
3
4
정답 및 해설

경계면에 작용하는 힘은 f=12(1ϵ2−1ϵ1)D2 [N/m2]f = \dfrac{1}{2}\left(\dfrac{1}{\epsilon_2} - \dfrac{1}{\epsilon_1}\right)D^2\,[\mathrm{N/m^2}] 이다. 전계가 경계면에 수직이면 경계 양쪽에서 전속밀도가 연속이므로, 각 쪽의 단위 체적당 에너지 w=D22ϵw = \dfrac{D^2}{2\epsilon} 의 차이가 경계면에 작용하는 정전응력이 된다.

f=w2−w1=D22ϵ2−D22ϵ1=12(1ϵ2−1ϵ1)D2f = w_2 - w_1 = \dfrac{D^2}{2\epsilon_2} - \dfrac{D^2}{2\epsilon_1} = \dfrac{1}{2}\left(\dfrac{1}{\epsilon_2} - \dfrac{1}{\epsilon_1}\right)D^2
ϵ1\epsilon_1 이 ϵ2\epsilon_2 보다 크므로 값은 양이고, 힘은 유전율이 큰 쪽에서 작은 쪽으로 경계면을 민다.

  • (1ϵ1+1ϵ2)D\left(\dfrac{1}{\epsilon_1} + \dfrac{1}{\epsilon_2}\right)D 보기는 D 를 유전율로 나눈 전계(V/m) 차원이라 단위 면적당 힘이 될 수 없다.
  • 2(1ϵ12+1ϵ22)D22\left(\dfrac{1}{\epsilon_1^2} + \dfrac{1}{\epsilon_2^2}\right)D^2 보기는 전계의 제곱 차원이라 단위 면적당 힘이 될 수 없다.
  • 12(1ϵ2−1ϵ1)D\dfrac{1}{2}\left(\dfrac{1}{\epsilon_2} - \dfrac{1}{\epsilon_1}\right)D 보기는 D 가 1제곱이라 전계 차원이며 단위 면적당 힘이 될 수 없다.
문제 3
진공 중에 +20μC과 -3.2μC인 2개의 점전하가 1.2m 간격으로 놓여 있을 때 두 전하 사이에 작용하는 힘(N)과 작용력은 어떻게 되는가?
10.2N, 반발력
20.2N, 흡인력
30.4N, 반발력
40.4N, 흡인력
정답 및 해설

두 전하 사이에는 0.4N의 흡인력이 작용한다.

쿨롱 법칙으로 힘의 크기를 구한다.
F=14πε0q1q2r2≈9×109×20×10−6×3.2×10−61.22F=\dfrac{1}{4\pi\varepsilon_0}\dfrac{q_1q_2}{r^2}\approx 9\times10^{9}\times\dfrac{20\times10^{-6}\times3.2\times10^{-6}}{1.2^{2}}
=0.5761.44=0.4 N=\dfrac{0.576}{1.44}=0.4\ \mathrm{N}

같은 부호의 전하는 서로 밀고, 다른 부호의 전하는 서로 당긴다. 이 문항의 전하는 +와 -이므로 흡인력이다.

나머지 보기는 힘의 크기나 방향이 맞지 않는다.

  • 0.2N, 반발력은 크기가 계산값과 다르고, 부호가 서로 다른 전하 사이에는 흡인력이 작용하므로 방향도 맞지 않다.
  • 0.2N, 흡인력은 방향은 맞지만 크기가 계산값과 다르다.
  • 0.4N, 반발력은 크기는 맞지만 부호가 서로 다른 전하 사이에는 반발력이 작용하지 않는다.
문제 4
Ωㆍsec 와 같은 단위는?
1F
2F/m
3H
4H/m
정답 및 해설

Ω·s는 인덕턴스의 단위인 H와 같다.

인덕터의 전압-전류 관계 v=Ldidtv=L\dfrac{di}{dt} 에서 인덕턴스는 전압·시간을 전류로 나눈 값이다.
H=V⋅sA=Ω⋅s\mathrm{H}=\dfrac{\mathrm{V\cdot s}}{\mathrm{A}}=\Omega\cdot\mathrm{s}

나머지 보기는 차원이 다르다.

  • F는 정전용량의 단위로 F=A⋅sV=sΩ\mathrm{F}=\dfrac{\mathrm{A\cdot s}}{\mathrm{V}}=\dfrac{\mathrm{s}}{\Omega} 이므로 Ω·s가 아니라 s/Ω와 같다.
  • F/m는 유전율의 단위이며 정전용량을 길이로 나눈 차원이므로 Ω·s와 다르다.
  • H/m는 투자율의 단위이며 인덕턴스를 길이로 나눈 차원이므로 Ω·s와 다르다.
문제 5
진공 중에 있는 반지름 α(m)인 도체구의 정전용량(F)은?
14πε0α
22πε0α
3aε0α
4a
문제 6
내부도체의 반지름이 a(m)이고, 외부도체의 내반지름이 b(m), 외반지름이 c(m)인 동축 케이블의 단위 길이당 자기 인덕턴스는 몇 H/m인가?
1
2
3
4
문제 7
균일한 자속밀도 B중에 자기모멘트 m의 지삭(관성모멘트 I)이 있다. 이 자석을 미소 진동시켰을 때의 주기는?
1
2
3
4
정답 및 해설

미소 진동 주기는 T=2πImBT = 2\pi\sqrt{\dfrac{I}{mB}} 이다. 자석이 평형 방향에서 각 θ\theta 만큼 기울면 복원 토크 −mBsin⁡θ≈−mBθ-mB\sin\theta \approx -mB\theta 가 작용해 각도에 대한 단진동을 한다.

Id2θdt2=−mBθ  ⇒  ω=mBII\dfrac{d^2\theta}{dt^2} = -mB\theta \;\Rightarrow\; \omega = \sqrt{\dfrac{mB}{I}}
T=2πω=2πImBT = \dfrac{2\pi}{\omega} = 2\pi\sqrt{\dfrac{I}{mB}}

  • 12πImB\dfrac{1}{2\pi}\sqrt{\dfrac{I}{mB}} 보기는 12πω\dfrac{1}{2\pi\omega} 에 해당해 계산값과 다르다.
  • 12πmBI\dfrac{1}{2\pi}\sqrt{\dfrac{mB}{I}} 보기는 ω2π\dfrac{\omega}{2\pi}, 곧 진동수(1/s 차원)라 주기가 아니다.
  • 같은 식 12πmBI\dfrac{1}{2\pi}\sqrt{\dfrac{mB}{I}} 으로 인쇄된 나머지 한 보기도 진동수를 나타내므로 주기가 아니다.
문제 8
60[Hz]의 교류 발전기의 회전자가 자속밀도 0.15[Wb/m2]의 자기장 내에서 회전하고 있다. 만일 코일의 면적이 2×10-2[m2]일 때 유도기전력이 최대값 Em=220[V]가 되려면 코일을 약 몇 번 감아야 하는가? (단, ω=2πf=377[rad/sec]이다.)
1195회
2220회
3395회
4440회
정답 및 해설

코일의 권수는 약 195회이다.

회전 코일의 최대 유도기전력은 Em=NBSωE_m=NBS\omega 이다.
N=EmBSω=2200.15×2×10−2×377N=\dfrac{E_m}{BS\omega}=\dfrac{220}{0.15\times 2\times10^{-2}\times 377}
=2201.131≈194.5≈195=\dfrac{220}{1.131}\approx 194.5\approx 195

나머지 보기는 계산값과 다르다.

  • 220회는 계산값과 다르다.
  • 395회는 계산값과 다르다.
  • 440회는 계산값과 다르다.
문제 9
무한장 선로에 균일하게 전하가 분포된 경우 선로로부터 r(m) 떨어진 P점에서의 전계의 세기 E(V/m)는 얼마인가?(단, 선전하 밀도는 ρL(C/m)이다.)
1
2
3
4
정답 및 해설

전계의 세기는 E=ρL2πϵ0rE = \dfrac{\rho_L}{2\pi\epsilon_0 r} 이다. 그림처럼 −∞ 에서 +∞ 까지 뻗은 무한장 선전하에서 거리 r 인 P점을 지나는, 선로를 축으로 한 반지름 r 의 원통을 가우스 면으로 잡는다.

E⋅2πrℓ=ρLℓϵ0  ⇒  E=ρL2πϵ0rE\cdot 2\pi r \ell = \dfrac{\rho_L \ell}{\epsilon_0} \;\Rightarrow\; E = \dfrac{\rho_L}{2\pi\epsilon_0 r}
전계는 선로에 수직인 방사 방향이며 거리 r 에 반비례한다.

  • E=ρL4πϵ0rE = \dfrac{\rho_L}{4\pi\epsilon_0 r} 보기는 원통 옆면 넓이 2πrℓ2\pi r\ell 로 구한 계산값의 절반이라 다르다.
  • E=ρL4πϵ0r2E = \dfrac{\rho_L}{4\pi\epsilon_0 r^2} 보기는 우변이 V/m 가 아닌 V/m2\mathrm{V/m^2} 차원이라 전계가 될 수 없다.
  • E=ρL2πϵ0r2E = \dfrac{\rho_L}{2\pi\epsilon_0 r^2} 보기도 우변이 V/m2\mathrm{V/m^2} 차원이라 전계가 될 수 없다.
문제 10
0.2C의 점전하가 전계 E=5ay+az(V/m) 및 자속밀도 E=2ay+5az(Wb/m2) 내로 속도 v=2ax+3ay(m/s)로 이동할 때 점전하에 작용하는 힘 F(N)은? (단, ax, ay, az는 단위 벡터이다.)
12ax-ay+3az
23ax-ay+az
3ax+ay-2az
45ax+ay-3az
정답 및 해설

점전하에 작용하는 로렌츠 힘은 3ax−ay+az N3a_x-a_y+a_z\ \mathrm{N} 이다.

발문의 두 번째 장은 단위가 Wb/m²(자속밀도)이므로 B⃗=2ay+5az\vec B=2a_y+5a_z 로 읽는다. 전계는 E⃗=5ay+az\vec E=5a_y+a_z 이다.

F⃗=q(E⃗+v⃗×B⃗)\vec F=q(\vec E+\vec v\times\vec B)
v⃗×B⃗=(2,3,0)×(0,2,5)=(15,−10,4)\vec v\times\vec B=(2,3,0)\times(0,2,5)=(15,-10,4)
E⃗+v⃗×B⃗=(15,−5,5)\vec E+\vec v\times\vec B=(15,-5,5)
F⃗=0.2×(15,−5,5)=(3,−1,1) N\vec F=0.2\times(15,-5,5)=(3,-1,1)\ \mathrm{N}

나머지 보기는 계산값과 성분이 다르다.

  • 2ax−ay+3az2a_x-a_y+3a_z 는 계산값과 다르다.
  • ax+ay−2aza_x+a_y-2a_z 는 계산값과 다르다.
  • 5ax+ay−3az5a_x+a_y-3a_z 는 계산값과 다르다.
문제 11
반지름이 5[mm]인 구리선에 10[A]의 전류가 흐르고 있을 때 단위시간당 구리선의 단면을 통과하는 전자의개수는? (단, 전자의 전하량 e=1.602×10-19[C]이다.)
16.24×1017
26.24×1019
31.28×1021
41.28×1023
정답 및 해설

단위시간당 단면을 통과하는 전자 수는 전류를 전자 전하량으로 나눈 값이다.

n=Ie=101.602×10−19≈6.24×1019n=\dfrac{I}{e}=\dfrac{10}{1.602\times10^{-19}}\approx 6.24\times10^{19}
구리선의 반지름은 총 전류가 정해져 있으므로 이 값에 영향을 주지 않는다.

나머지 보기는 계산값과 다르다.

  • 6.24×10176.24\times10^{17}은 계산값과 다르다.
  • 1.28×10211.28\times10^{21}은 계산값과 다르다.
  • 1.28×10231.28\times10^{23}은 계산값과 다르다.
문제 12
투자율을 μ라 하고 공기 중의 투자율 μ0와 비투자율 μs의 관계에서 로 표현된다. 이에 대한 설명으로 알맞은 것은?(단, χ는 자화율이다.)
1χ>0인 경우 역자성체
2χ<0인 경우 상자성체
3μs>1인 경우 비자성체
4μs<1인 경우 역자성체
문제 13
자계의 벡터포텐셜을 A라 할 때 자계의 변화에 의하여 생기는 전계의 세기 E는?
1E=rotA
2rotE=A
3
4
문제 14
공기 중에서 x방향으로 진행하는 전자파가 있다. Ey=3×10-2sinω(x-vt)(V/m), Ez=4×10-2sinω(x-vt)(V/m)일 때 포인팅 벡터의 크기(W/m2)는?
16.63×10-6sin2ω(x-vt)
26.63×10-6cos2ω(x-vt)
36.63×10-4sinω(x-vt)
46.63×10-4cosω(x-vt)
정답 및 해설

서로 직교하는 두 성분을 합성한 전계의 진폭은

Em=Ey2+Ez2=(3×10−2)2+(4×10−2)2=5×10−2 V/mE_m=\sqrt{E_y^2+E_z^2}=\sqrt{(3\times10^{-2})^2+(4\times10^{-2})^2}=5\times10^{-2}\,\mathrm{V/m}

평면파의 포인팅 벡터 순시값 크기는 S=E2η0S=\dfrac{E^2}{\eta_0}이고, 자유공간의 고유임피던스는 η0=120π≈377 Ω\eta_0=120\pi\approx377\,\Omega이다.

전계가 E=5×10−2sin⁡ω(x−vt)E=5\times10^{-2}\sin\omega(x-vt)이므로

S=(5×10−2)2120πsin⁡2ω(x−vt)≈6.63×10−6sin⁡2ω(x−vt) [W/m2]S=\dfrac{(5\times10^{-2})^2}{120\pi}\sin^2\omega(x-vt)\approx6.63\times10^{-6}\sin^2\omega(x-vt)\,[\mathrm{W/m^2}]

전계를 제곱하므로 시간 함수는 사인 제곱 형태가 되고, 크기 계수는 6.63×10−66.63\times10^{-6}이다.

문제 15
자계의 세기 H=xyay-xzaz(A/m)일 때 점(2, 3, 5)에서 전류밀도는 몇 [A/m2]인가?
13ax+5ay
23ay+5az
35ax+3az
45ay+3az
정답 및 해설

전류밀도는 암페어 법칙의 미분형 J = ∇×H로 구한다.

H⃗=(0, xy, −xz)\vec H=(0,\ xy,\ -xz) 이므로
∇×H⃗=(∂Hz∂y−∂Hy∂z, ∂Hx∂z−∂Hz∂x, ∂Hy∂x−∂Hx∂y)=(0, z, y)\nabla\times\vec H=\left(\dfrac{\partial H_z}{\partial y}-\dfrac{\partial H_y}{\partial z},\ \dfrac{\partial H_x}{\partial z}-\dfrac{\partial H_z}{\partial x},\ \dfrac{\partial H_y}{\partial x}-\dfrac{\partial H_x}{\partial y}\right)=(0,\ z,\ y)
점 (2, 3, 5)에서 (0, 5, 3)(0,\ 5,\ 3), 즉 5aya_y + 3aza_z 이다.

나머지 보기는 회전을 계산한 성분과 다르다.

  • 3axa_x + 5aya_y는 x 성분이 0이어야 하고 z 성분이 있어야 하므로 계산값과 다르다.
  • 3aya_y + 5aza_z는 y와 z 성분의 크기가 서로 바뀌어 계산값과 다르다.
  • 5axa_x + 3aza_z는 x 성분이 0이어야 하므로 계산값과 다르다.
문제 16
회로에서 단자 a-b 간에 V의 전위차를 인가할 때 C1의 에너지는?
1
2
3
4
정답 및 해설

병렬부 전압 V1V_1은 V1=C0C0+C1+C2VV_1=\dfrac{C_0}{C_0+C_1+C_2}V 이므로 에너지는 W1=C1V22(C0C0+C1+C2)2W_1=\dfrac{C_1V^2}{2}\left(\dfrac{C_0}{C_0+C_1+C_2}\right)^2 입니다.

그림은 a 쪽에 C0C_0 하나가 있고, 그 뒤에 C1C_1과 C2C_2가 병렬로 b 단자에 이어진 직렬 회로입니다. 직렬 콘덴서에는 같은 전하가 쌓이므로 전압은 정전용량에 반비례해 나뉩니다.

병렬부 합성 C1+C2C_1+C_2, 전체 C=C0(C1+C2)C0+C1+C2C=\dfrac{C_0(C_1+C_2)}{C_0+C_1+C_2}
전하 Q=CVQ=CV, 병렬부 전압 V1=QC1+C2=C0VC0+C1+C2V_1=\dfrac{Q}{C_1+C_2}=\dfrac{C_0V}{C_0+C_1+C_2}
W1=12C1V12=C1V22⋅C02(C0+C1+C2)2W_1=\dfrac{1}{2}C_1V_1^2=\dfrac{C_1V^2}{2}\cdot\dfrac{C_0^2}{(C_0+C_1+C_2)^2}

  • 괄호 안이 C1+C2C0+C1+C2\dfrac{C_1+C_2}{C_0+C_1+C_2} 인 보기는 C0C_0에 걸리는 전압의 비율을 쓴 것이고 앞 계수도 C12C_1^2이어서 계산값과 다르다.
  • 뒤 인자가 C0(C1+C2)(C0+C1+C2)2\dfrac{C_0(C_1+C_2)}{(C_0+C_1+C_2)^2} 인 보기는 전압비의 제곱 C02(C0+C1+C2)2\dfrac{C_0^2}{(C_0+C_1+C_2)^2}과 달라 계산값과 다르다.
  • 뒤 인자가 C02C2C0+C1+C2\dfrac{C_0^2C_2}{C_0+C_1+C_2} 인 보기는 C2C_2가 곱해지고 분모가 제곱이 아니어서 계산값과 다르다.
문제 17
Qℓ=±200πЄ0×103(Cㆍm)인 전기쌍극자에서 ℓ과 r의 사이 각이 π/3이고, r=1m인 점의 전위(V)는?
150π×104
250×103
325×103
45π×104
정답 및 해설

전위는 25×103 V이다. 전기쌍극자의 전위는 V=14πϵ0pcos⁡θr2V = \frac{1}{4\pi\epsilon_0} \frac{p\cos\theta}{r^2}로 주어진다. 여기서 p=Qℓp = Q\ell는 쌍극자 모멘트, θ\theta는 쌍극자 축과 위치벡터 사이의 각이다.

주어진 조건은 Qℓ=±200πϵ0×103Q\ell = \pm 200\pi\epsilon_0 \times 10^3 (Cㆍm), θ=π/3\theta = \pi/3, r=1r = 1 m이다.

전위식에 대입하면
V=14πϵ0200πϵ0×103×cos⁡(π/3)12=14πϵ0×200πϵ0×103×12V = \frac{1}{4\pi\epsilon_0} \frac{200\pi\epsilon_0 \times 10^3 \times \cos(\pi/3)}{1^2} = \frac{1}{4\pi\epsilon_0} \times 200\pi\epsilon_0 \times 10^3 \times \frac{1}{2}
이다. ϵ0\epsilon_0이 약분되어
V=200π×1034π×12=200×1038=25×103V = \frac{200\pi \times 10^3}{4\pi} \times \frac{1}{2} = \frac{200 \times 10^3}{8} = 25 \times 10^3
V가 된다.

문제 18
전속밀도에 대한 설명으로 가장 옳은 것은?
1전속은 스칼라량이기 때문에 전속밀도도 스칼라량이다.
2전속밀도는 전계의 세기의 방향과 반대 방향이다.
3전속밀도는 유전체 내에 분극의 세기와 같다.
4전속밀도는 유전체와 관계없이 크기는 일정하다.
문제 19
와전류와 관련된 설명으로 틀린 것은?
1단위체적당 와류손의 단위는 W/m3이다.
2와전류는 교번자속의 주파수와 최대자속밀도에 비례한다.
3와전류손은 히스테리시스손과 함께 철손이다.
4와전류손을 감소시키기 위하여 성층철심을 사용한다.
정답 및 해설

'와전류는 교번자속의 주파수와 최대자속밀도에 비례한다'는 설명은 와전류가 주파수에 1차 비례한다고 주장하지만, 실제로는 주파수의 제곱(f²)에 비례하므로 틀렸다.

와전류(eddy current) 손실의 크기는 다음 식으로 결정된다: Pe∝f2Bm2t2/ρP_e \propto f^2 B_m^2 t^2 / \rho (f: 주파수, BmB_m: 최대자속밀도, t: 철판 두께, ρ: 저항률).

  • 단위체적당 와류손의 단위는 W/m³: 철손의 단위가 W/m³으로 정확하다.
  • 와전류손은 히스테리시스손과 함께 철손: 와전류손이 히스테리시스손과 함께 철손의 구성 요소라는 점이 맞다.
  • 성층철심 사용: 성층철심이 와전류의 경로를 단절하여 손실을 감소시키는 표준적 방법이 맞다.
문제 20
무한장 직선도체가 있다. 이 도체로부터 수직으로 0.1m 떨어진 점의 자계의 세기가 180AT/m이다. 이 도체로부터 수직으로 0.3m 떨어진 점의 자계의 세기(AT/m)는?
120
260
3180
4540
정답 및 해설

무한장 직선도체의 자계 세기는 거리에 반비례하므로 60AT/m이다.

H=I2πr∝1rH=\dfrac{I}{2\pi r}\propto\dfrac{1}{r}
H2=180×0.10.3=60 AT/mH_2=180\times\dfrac{0.1}{0.3}=60\ \mathrm{AT/m}

나머지 보기는 계산값과 다르다.

  • 20은 거리의 제곱에 반비례한다고 본 값(180의 9분의 1)으로, 직선 전류의 자계는 거리에 반비례하므로 다르다.
  • 180은 거리에 관계없이 같다고 본 값으로, 직선 전류의 자계는 거리에 반비례하므로 다르다.
  • 540은 거리에 비례한다고 본 값으로, 직선 전류의 자계는 거리에 반비례하므로 다르다.
문제 21
이상 변압기의 조건으로 옳은 것은?
1와류 손실은 약간 있다.
2동손, 철손은 약간 있다.
3두 코일간의 결합계수가 1이다.
4각 코일의 인덕턴스는 ∞가 아니다.
정답 및 해설

이상 변압기는 두 코일의 결합계수가 1이다.

이상 변압기는 누설 자속이 없고(결합계수 1), 권선 저항과 철심 손실이 없으며, 권선의 인덕턴스는 무한대인 것으로 본다.

나머지 보기는 이상 변압기의 조건과 맞지 않는다.

  • 와류 손실은 약간 있다는 서술은 이상 변압기가 철심 손실이 없는 것으로 보는 것과 맞지 않는다.
  • 동손과 철손이 약간 있다는 서술은 이상 변압기가 권선 저항과 철심 손실을 모두 없는 것으로 보는 것과 맞지 않는다.
  • 각 코일의 인덕턴스가 무한대가 아니라는 서술은 이상 변압기가 인덕턴스를 무한대로 보는 것과 맞지 않는다.
문제 22
리액턴스 함수가 로 표시되는 리액턴스 2단자망은?
1
2
3
4
정답 및 해설

주어진 Z(s)=3ss2+9Z(s)=\dfrac{3s}{s^2+9} 는 L = 1/3 H 와 C = 1/3 F 의 병렬 회로입니다.

L·C 병렬의 임피던스를 구해 계수를 맞춥니다.
Z(s)=sL⋅1sCsL+1sC=1Css2+1LCZ(s)=\dfrac{sL\cdot\frac{1}{sC}}{sL+\frac{1}{sC}}=\dfrac{\frac{1}{C}s}{s^2+\frac{1}{LC}}
1C=3⇒C=13 F\dfrac{1}{C}=3\Rightarrow C=\dfrac{1}{3}\,\mathrm{F}, 1LC=9⇒L=19C=13 H\dfrac{1}{LC}=9\Rightarrow L=\dfrac{1}{9C}=\dfrac{1}{3}\,\mathrm{H}

주어진 함수는 s=0s=0에서 0, s=±j3s=\pm j3에서 무한대(극)가 되는 형태로, 직류에서 단락·공진에서 개방되는 병렬 공진 특성입니다.

  • 1/3 H 와 1/3 F 의 직렬 보기는 Z(s)=sL+1sCZ(s)=sL+\dfrac{1}{sC} 로 s=0s=0에서 무한대가 되어 주어진 함수와 다르다.
  • 3 H 와 1/3 F 의 직렬 보기도 직렬 연결이라 s=0s=0에서 무한대가 되어 주어진 함수와 다르다.
  • 3 H 와 1/3 F 의 병렬 보기는 Z(s)=3ss2+1Z(s)=\dfrac{3s}{s^2+1} 이 되어 극의 위치가 계산값과 다르다.
문제 23
회로의 영상 임피던스 Z01은 약 얼마인가?
14.1[Ω]
25.2[Ω]
36.3[Ω]
47.4[Ω]
정답 및 해설

영상 임피던스 Z01Z_{01}은 약 5.2Ω 입니다.

그림은 입력 쪽 직렬 Z1=3 ΩZ_1=3\,\Omega, 출력 쪽 병렬 Z2=6 ΩZ_2=6\,\Omega 인 L형 회로입니다. 전송 파라미터는
A=1+Z1Z2=1.5,  B=Z1=3,  C=1Z2=16,  D=1A=1+\dfrac{Z_1}{Z_2}=1.5,\; B=Z_1=3,\; C=\dfrac{1}{Z_2}=\dfrac{1}{6},\; D=1

Z01=ABCD=1.5×316×1=27≈5.196 ΩZ_{01}=\sqrt{\dfrac{AB}{CD}}=\sqrt{\dfrac{1.5\times 3}{\frac{1}{6}\times 1}}=\sqrt{27}\approx 5.196\,\Omega 이므로 약 5.2Ω 입니다.

  • 4.1Ω 보기는 계산값과 다르다.
  • 6.3Ω 보기는 계산값과 다르다.
  • 7.4Ω 보기는 계산값과 다르다.
문제 24
다음 그림의 교류 회로에서 R에 전류가 흐르지 않기 위한 조건으로 옳은 것은?
1
2ωM=ωL2
3
4
문제 25
f(t)=sint cost 를 라플라스 변환 하면?
11/(S2+2)
21/(S2+4)
31/((S+2)2)
41/((S+4)2)
정답 및 해설

sin⁡tcos⁡t\sin t\cos t의 라플라스 변환은 삼각함수 배각 공식으로 정리해 구한다.

sin⁡tcos⁡t=12sin⁡2t\sin t\cos t=\dfrac{1}{2}\sin 2t
L[12sin⁡2t]=12⋅2s2+22=1s2+4\mathcal{L}\left[\dfrac12\sin2t\right]=\dfrac12\cdot\dfrac{2}{s^2+2^2}=\dfrac{1}{s^2+4}

나머지 보기는 변환 형태가 맞지 않는다.

  • 1s2+2\dfrac{1}{s^2+2}은 분모의 상수가 ω2=4\omega^2=4가 아니므로 계산값과 다르다.
  • 1(s+2)2\dfrac{1}{(s+2)^2}은 te−2tte^{-2t}의 변환이다.
  • 1(s+4)2\dfrac{1}{(s+4)^2}은 te−4tte^{-4t}의 변환이다.
문제 26
한 코일의 전류가 매초 60[A]의 비율로 변화할 때 다른 코일에는 30[V]의 기전력이 발생하는 경우에 두 코일의 상호 인덕턴스[H]는?
12
21.5
31
40.5
정답 및 해설

상호 인덕턴스는 유도기전력을 전류 변화율로 나눈 값이다.

e=Mdidte=M\dfrac{di}{dt}
M=edi/dt=3060=0.5 HM=\dfrac{e}{di/dt}=\dfrac{30}{60}=0.5\ \mathrm{H}

나머지 보기는 계산값과 다르다.

  • 2H는 계산값과 다르다.
  • 1.5H는 계산값과 다르다.
  • 1H는 계산값과 다르다.
문제 27
h 파라미터 중 단락 순방향 전류 이득은?
1h11
2h21
3h12
4h22
정답 및 해설

단락 순방향 전류 이득은 h21h_{21}이다.

h 파라미터에서 h21=I2I1∣V2=0h_{21}=\dfrac{I_2}{I_1}\Big|_{V_2=0} 이며, 출력을 단락했을 때의 전류비이다.

나머지 보기는 다른 양을 나타낸다.

  • h11h_{11}은 출력 단락 시 입력 임피던스이다.
  • h12h_{12}는 입력 개방 시 역방향 전압 귀환비이다.
  • h22h_{22}는 입력 개방 시 출력 어드미턴스이다.
문제 28
R=8[Ω], XL=8[Ω], XC=2[Ω]인 R-L-C 직렬회로에 정현파 전압 V=100[V]를 인가할 때 흐르는 전류는?
110[A]
220[A]
330[A]
440[A]
정답 및 해설

직렬 RLC 회로의 전류는 전압을 합성 임피던스로 나눈 값이다.

Z=R+j(XL−XC)=8+j(8−2)=8+j6Z=R+j(X_L-X_C)=8+j(8-2)=8+j6
∣Z∣=82+62=10 Ω|Z|=\sqrt{8^2+6^2}=10\ \Omega
I=V∣Z∣=10010=10 AI=\dfrac{V}{|Z|}=\dfrac{100}{10}=10\ \mathrm{A}

나머지 보기는 계산값과 다르다.

  • 20A는 계산값과 다르다.
  • 30A는 계산값과 다르다.
  • 40A는 계산값과 다르다.
문제 29
고유저항 ρ, 반지름 r, 길이 ℓ인 전선의 저항이 R일 때, 같은 재료로 반지름은 m배, 길이는 n배로 하면 저항은 몇 배가 되는가?
1m2/n
2m/n
3n/m
4n/m2
정답 및 해설

저항은 길이에 비례하고 단면적(반지름의 제곱)에 반비례하므로 n/m2n/m^2배가 된다.

R=ρℓπr2R=\rho\dfrac{\ell}{\pi r^2}
R′=ρnℓπ(mr)2=nm2RR'=\rho\dfrac{n\ell}{\pi (mr)^2}=\dfrac{n}{m^2}R

나머지 보기는 계산값과 다르다.

  • m2/nm^2/n은 비례·반비례 관계가 거꾸로 된 값이다.
  • m/nm/n은 비례·반비례 관계가 거꾸로이고, 단면적이 반지름의 제곱에 비례함도 반영하지 않은 값이다.
  • n/mn/m은 단면적이 반지름의 제곱에 비례함을 반영하지 않은 값이다.
문제 30
시간 a만큼 옮겨진 그림과 같은 단위 계단 함수를 라플라스 변환하면?
1
2
3
4
정답 및 해설

크기 3 인 계단이 t=at=a에서 시작하므로 라플라스 변환은 3se−as\dfrac{3}{s}e^{-as} 입니다.

그림의 함수는 f(t)=3u(t−a)f(t)=3u(t-a) 입니다. 단위 계단 u(t)u(t)의 변환 1s\dfrac{1}{s}에 시간 추이 정리 L[g(t−a)u(t−a)]=e−asG(s)\mathcal{L}[g(t-a)u(t-a)]=e^{-as}G(s) 를 적용하면 F(s)=3se−asF(s)=\dfrac{3}{s}e^{-as} 입니다.

  • 3s(1−e−as)\dfrac{3}{s}(1-e^{-as}) 보기는 3u(t)−3u(t−a)3u(t)-3u(t-a), 곧 0부터 a 까지만 3 인 구형 펄스의 변환이어서 계산값과 다르다.
  • 3−e−as3-e^{-as} 보기는 계단 변환에 있어야 할 1s\dfrac{1}{s} 인자가 없어 계산값과 다르다.
  • 계수가 13\dfrac{1}{3} 인 보기는 크기 3 이 분자에 오지 않고 1s\dfrac{1}{s} 인자도 없어 계산값과 다르다.
문제 31
2개 이상의 전원을 내포한 선형 회로에서 어떤 가지에 흐르는 전류나 단자의 전압을 해석하는데 사용하는 것은?
1중첩의 원리
2치환정리
3Thevenin의 정리
4Norton의 정리
문제 32
일 때 e1+e2의 실효치는 약 얼마인가?
1√4400
2√3900
3√3100
4√2900
정답 및 해설

e1+e2e_1+e_2의 실효값은 3100\sqrt{3100} 입니다.

그림의 식은 e1=102sin⁡te_1=10\sqrt{2}\sin t, e2=502cos⁡(t−π6)e_2=50\sqrt{2}\cos\left(t-\dfrac{\pi}{6}\right) 입니다. cos 을 sin 으로 바꾸면 e2=502sin⁡(t+π3)e_2=50\sqrt{2}\sin\left(t+\dfrac{\pi}{3}\right) 이므로 두 전압은 같은 주파수이고 위상차가 60°입니다.

실효값 페이저로 더하면
E=10∠0∘+50∠60∘=(10+25)+j 253E=10\angle 0^\circ+50\angle 60^\circ=(10+25)+j\,25\sqrt{3}
∣E∣2=352+(253)2=1225+1875=3100|E|^2=35^2+(25\sqrt{3})^2=1225+1875=3100, ∣E∣=3100|E|=\sqrt{3100}

  • 4400\sqrt{4400} 보기는 계산값과 다르다.
  • 3900\sqrt{3900} 보기는 계산값과 다르다.
  • 2900\sqrt{2900} 보기는 계산값과 다르다.
문제 33
그림과 같은 파형을 실수 푸리에 급수로 전개할 때 다음에서 옳은 것은?
1sin항, cos항을 쓰면 유한항으로 전개된다.
2sin항, cos항 모두 있다.
3cos항은 없다.
4sin항은 없다.
정답 및 해설

그림의 삼각파는 우함수이므로 푸리에 급수에 sin 항은 없습니다.

파형은 t=0t=0에서 0, t=±πt=\pm\pi에서 최댓값 π\pi, t=±2πt=\pm 2\pi에서 다시 0 이 되는 주기 2π2\pi의 삼각파로, 한 주기 안에서 f(t)=∣t∣f(t)=|t| 입니다. 세로축에 대해 좌우 대칭 f(−t)=f(t)f(-t)=f(t) 이므로 bn=0b_n=0 입니다.

코사인 계수는
a0=π2,an=2π∫0πtcos⁡nt dt=2((−1)n−1)πn2a_0=\dfrac{\pi}{2},\quad a_n=\dfrac{2}{\pi}\int_0^{\pi}t\cos nt\,dt=\dfrac{2\left((-1)^n-1\right)}{\pi n^2}
로 홀수 n 에서 −4πn2-\dfrac{4}{\pi n^2} 이 끝없이 이어집니다.

  • sin 항·cos 항을 쓰면 유한항으로 전개된다는 보기는 홀수 차 코사인 계수가 모든 홀수 n 에서 0 이 아니어서 무한급수가 되므로 틀리다.
  • sin 항과 cos 항이 모두 있다는 보기는 우함수라 bn=0b_n=0 이므로 틀리다.
  • cos 항은 없다는 보기는 ana_n이 홀수 n 에서 0 이 아니므로 틀리다.
문제 34
다음 회로망의 합성 저항은?
16[Ω]
212[Ω]
330[Ω]
450[Ω]
정답 및 해설

합성 저항은 12Ω 입니다.

그림은 위 꼭짓점에서 왼쪽 15Ω·오른쪽 10Ω, 아래 꼭짓점으로 왼쪽 15Ω·오른쪽 10Ω 이 이어지고 가운데 두 마디 사이에 30Ω 이 걸린 브리지 회로입니다. 왼쪽 마디 전위는 15Ω 과 15Ω 으로, 오른쪽 마디 전위는 10Ω 과 10Ω 으로 나뉘어 둘 다 전원 전압의 절반이므로 평형 조건 15×10=10×1515\times 10=10\times 15 이 성립해 30Ω 에는 전류가 흐르지 않습니다.

30Ω 을 떼어 내면
R=(15+15)∥(10+10)=30×2030+20=12 ΩR=(15+15)\parallel(10+10)=\dfrac{30\times 20}{30+20}=12\,\Omega

  • 6Ω 보기는 계산값과 다르다.
  • 30Ω 보기는 계산값과 다르다.
  • 50Ω 보기는 계산값과 다르다.
문제 35
두 회로 간에 쌍대 관계가 옳지 않은 것은?
1KㆍVㆍL → KㆍCㆍL
2테브난 정리 → 노튼 정리
3전압원 → 전류원
4폐로전류 → 절점전류
정답 및 해설

폐로전류의 쌍대는 절점전류가 아니라 절점전압이다.

쌍대 관계에서는 전압과 전류, 직렬과 병렬, 폐로(망로)와 절점이 서로 짝을 이룬다. 따라서 폐로전류에는 절점전압이 대응한다.

나머지 보기는 옳은 쌍대 관계이다.

  • 키르히호프 전압 법칙의 쌍대는 키르히호프 전류 법칙이다.
  • 테브난 정리의 쌍대는 노턴 정리이다.
  • 전압원의 쌍대는 전류원이다.
문제 36
기본파의 10[%]인 제3고조파와 20[%]인 제5고조파를 포함하는 전압파의 왜형률은 약 얼마인가?
10.5
20.42
30.31
40.22
정답 및 해설

왜형률은 고조파 실효값의 합성값을 기본파로 나눈 값이다.

THD=V32+V52V1=0.12+0.22THD=\dfrac{\sqrt{V_3^2+V_5^2}}{V_1}=\sqrt{0.1^2+0.2^2}
=0.05≈0.22=\sqrt{0.05}\approx 0.22

나머지 보기는 계산값과 다르다.

  • 0.5는 계산값과 다르다.
  • 0.42는 계산값과 다르다.
  • 0.31은 계산값과 다르다.
문제 37
회로에 60+j80[V]인 전압을 인가하여 4+j1[A] 전류가 흐를 때 소비되는 유효전력은?
1140[W]
2320[W]
3480[W]
4500[W]
문제 38
RC 직렬회로에서 직류전압을 인가할 때 전류값이 초기값의 e-2배가 되는 시간[s]은?
12RC
2RC
3C/R
41/RC
정답 및 해설

RC 직렬회로의 전류는 시정수 RC로 지수 감쇠하며, 초기값의 e−2e^{-2}배가 되는 시간은 2RC이다.

i(t)=I0e−t/RC=I0e−2i(t)=I_0e^{-t/RC}=I_0e^{-2}
tRC=2 ⇒ t=2RC\dfrac{t}{RC}=2\ \Rightarrow\ t=2RC

나머지 보기는 계산값과 다르다.

  • RC는 초기값의 e−1e^{-1}배가 되는 시간(시정수)이다.
  • C/R은 시간의 차원이 아니므로 시간이 될 수 없다.
  • 1/RC는 시간의 역수인 주파수 차원이므로 시간이 될 수 없다.
문제 39
그림의 T형 4단자 회로에 대한 전송 파라미터 D는?
1
2
3
4
정답 및 해설

T형 회로의 전송 파라미터 D 는 1+Z2Z31+\dfrac{Z_2}{Z_3} 입니다.

그림은 직렬 가지 Z1Z_1(입력 쪽)·Z2Z_2(출력 쪽), 병렬 가지 Z3Z_3 인 T형입니다. V1=AV2+BI2,  I1=CV2+DI2V_1=AV_2+BI_2,\; I_1=CV_2+DI_2 에서 출력 단락(V2=0V_2=0) 시 D=I1I2D=\dfrac{I_1}{I_2} 입니다.

단락 시 I1I_1은 Z2Z_2와 Z3Z_3로 나뉘므로 I2=Z3Z2+Z3I1I_2=\dfrac{Z_3}{Z_2+Z_3}I_1
D=Z2+Z3Z3=1+Z2Z3D=\dfrac{Z_2+Z_3}{Z_3}=1+\dfrac{Z_2}{Z_3}

  • Z1+Z2+Z1Z2Z3Z_1+Z_2+\dfrac{Z_1Z_2}{Z_3} 보기는 임피던스 차원의 B 파라미터로, 무차원인 D 와 다르다.
  • 1+Z1Z31+\dfrac{Z_1}{Z_3} 보기는 출력 개방(I2=0I_2=0) 시 V1V2\dfrac{V_1}{V_2}인 A 파라미터여서 D 와 다르다.
  • 1Z3\dfrac{1}{Z_3} 보기는 어드미턴스 차원의 C 파라미터로, 무차원인 D 와 다르다.
문제 40
100[μF]의 콘덴서에 100[V], 60[Hz]의 교류전압을 가할 때 무효전력은?
1-40π[Var]
2-60π[Var]
3-120π[Var]
4-240π[Var]
정답 및 해설

콘덴서의 무효전력은 -V2V^2ωC\omega C이다.

Q=−V2ωC=−1002×(2π×60)×100×10−6Q=-V^2\omega C=-100^2\times(2\pi\times60)\times100\times10^{-6}
=−120π Var=-120\pi\ \mathrm{Var}

나머지 보기는 계산값과 다르다.

  • −40π-40\pi[Var]은 계산값과 다르다.
  • −60π-60\pi[Var]은 계산값과 다르다.
  • −240π-240\pi[Var]은 계산값과 다르다.
문제 41
다음 회로에서 VCE는 약 몇 [V]인가? (단, βDC는 100이다.)
13.4
25.7
36.2
47.6
문제 42
전가산기를 반가산기 몇 개와 어떤 논리 게이트 몇 개로 구성하는 것이 가장 적당한가?
1반가산기 2개, AND 게이트 1개
2반가산기 2개, OR 게이트 2개
3반가산기 3개, OR 게이트 1개
4반가산기 2개, OR 게이트 1개
문제 43
R-L-C 병렬 공진회로에서 선택도(Q)를 높게 하려면?
1R 값을 크게 한다.
2R 값을 작게 한다.
3C 값을 작게 한다.
4L 값을 크게 한다.
정답 및 해설

병렬 공진 회로의 선택도는 R을 크게 할수록 높아진다.

Q=RCLQ=R\sqrt{\dfrac{C}{L}} 이므로 R이 크고, C가 크고, L이 작을수록 Q가 높다.

나머지 보기는 선택도를 낮춘다.

  • R 값을 작게 하면 Q가 R에 비례해 낮아진다.
  • C 값을 작게 하면 C/L\sqrt{C/L}가 줄어 Q가 낮아진다.
  • L 값을 크게 하면 C/L\sqrt{C/L}가 줄어 Q가 낮아진다.
문제 44
QAM(직교진폭변조) 방식에 대한 설명으로 옳은 것은?
1FSK 변조방식의 일종이다.
2AM 변조방식과 FSK 변조방식을 혼합한 것이다.
3FSK 변조방식과 PSK 변조방식을 혼합한 것이다.
4정보신호에 따라 반송파의 진폭과 위상을 변화시키는 APK 변조방식의 한 종류이다.
정답 및 해설

QAM은 정보 신호에 따라 반송파의 진폭과 위상을 함께 변화시키는 APK 변조의 한 종류이다.

서로 직교하는 두 반송파(cos, sin)를 각각 진폭 변조해 합치므로 진폭과 위상이 동시에 변한다. 반송파 주파수는 변하지 않는다.

나머지 보기는 QAM의 구성과 맞지 않는다.

  • FSK 변조방식의 일종이라는 서술은 QAM이 주파수를 바꾸지 않는 것과 맞지 않는다.
  • AM과 FSK를 혼합한 것이라는 서술은 QAM이 주파수를 바꾸지 않는 것과 맞지 않는다.
  • FSK와 PSK를 혼합한 것이라는 서술은 QAM이 주파수를 바꾸지 않는 것과 맞지 않는다.
문제 45
짧은 ON 시간과 긴 OFF 시간을 가지며 펄스신호를 사용하는 증폭기회로에서 주로 쓰이는 증폭기는?
1A급
2B급
3C급
4D급
문제 46
이상적인 연산 증폭기에서 입력 바이어스 전류에 대해 옳은 것은?
1V0 = 0일 때 (IB1 + IB2) / 2
2V0 = ∞일 때 (IB1 + IB2) / 2
3V0 = 0일 때 (IB1 + IB2)
4V0 = ∞일 때 (IB1 + IB2)
문제 47
정류회로에서 전압 안정계수가 0.01일 때 정전압회로의 입력 전압이 ±5[V] 변화하면 출력 전압은?
1±40[mV]
2±50[mV]
3±60[mV]
4±70[mV]
정답 및 해설

전압 안정계수는 입력 변화에 대한 출력 변화의 비이므로 출력 변동은 ±50mV이다.

SV=ΔVoΔViS_V=\dfrac{\Delta V_o}{\Delta V_i}
ΔVo=0.01×(±5)=±0.05 V=±50 mV\Delta V_o=0.01\times(\pm5)=\pm0.05\ \mathrm{V}=\pm50\ \mathrm{mV}

나머지 보기는 계산값과 다르다.

  • ±40mV는 계산값과 다르다.
  • ±60mV는 계산값과 다르다.
  • ±70mV는 계산값과 다르다.
문제 48
트랜지스터를 베이스 접지에서 이미터 접지로 해서 ICEO가 50배가 되었을 때 트랜지스터의 β는?
149
250
359
4120
정답 및 해설

이미터 접지의 차단 전류는 ICEO = (1+β)ICBO이다.

ICEOICBO=1+β=50\dfrac{I_{CEO}}{I_{CBO}}=1+\beta=50
β=49\beta=49

나머지 보기는 계산값과 다르다.

  • β=50\beta=50이면 전류비가 51배가 되어 계산값과 다르다.
  • β=59\beta=59이면 전류비가 60배가 되어 계산값과 다르다.
  • β=120\beta=120이면 전류비가 121배가 되어 계산값과 다르다.
문제 49
압전현상을 이용하여 안정도가 높은 발진주파수를 얻는 발진기는?
1VCO
2빈브리지 발진기
3수정 발진기
4hartley 발진기
문제 50
위상천이(이동)형 RC 발진기에 대한 설명으로 옳은 것은?
1펄스 발진기로 많이 사용된다.
2100[MHz]대의 높은 주파수 발진용으로 적합하다.
3발진을 계속하기 위해서 증폭도는 29보다 작아야 한다.
4병렬 저항형 이상형 발진기의 발진주파수는 1/2π√RC[Hz]이다.
문제 51
부귀환 입력임피던스 변화에 대한 설명으로 틀린것은?
1전류 병렬 귀환시 입력임피던스는 감소한다.
2전류 직렬 귀환시 입력임피던스는 감소한다.
3전압 병렬 귀환시 입력임피던스는 감소한다.
4전압 직렬 귀환시 입력임피던스는 감소한다.
문제 52
다음 회로의 명칭으로 가장 적합한 것은?
1평형 변조회로
2전파 정류회로
3배전압 정류회로
4반파 정류회로
문제 53
2진 디지털 부호의 정보 내용에 따라 반송파의 위상을 두 가지로 천이되도록 하는 변조방식은?
1FSK 방식
2PSK 방식
3ASK 방식
4QAM 방식
정답 및 해설

2진 부호에 따라 반송파의 위상을 두 가지로 천이시키는 방식은 PSK이다.

PSK는 반송파의 위상에 정보를 싣는다. 2진 PSK(BPSK)는 두 가지 위상(예: 0°와 180°)을 쓴다.

나머지 보기는 변화시키는 요소가 다르다.

  • FSK는 반송파의 주파수를 바꾸는 방식이다.
  • ASK는 반송파의 진폭을 바꾸는 방식이다.
  • QAM은 진폭과 위상을 함께 바꾸는 방식이다.
문제 54
B급 푸시풀(Push-Pull) 증폭기의 특징이 아닌 것은?
1트랜지스터의 비선형 특성에서 오는 일그러짐이 증가한다.
2우수 고조파가 상쇄되어 일그러짐이 적다.
3차단 상태 부근에 바이어스 되어 있다.
4컬렉터 효율이 높다.
문제 55
교류전압에 직류전압을 더하는 것으로 직류 복원기(DC Restorer)라고 하는 회로는?
1클램퍼
2제너제한
3리미터
4체배기
정답 및 해설

교류 신호에 직류 레벨을 더해 파형 전체를 위나 아래로 옮기는 회로는 클램퍼이며, 직류 복원기라고도 한다.

콘덴서가 한 방향으로 충전되어 직류 성분을 공급하므로 파형의 모양은 유지된 채 기준 레벨만 이동한다.

  • 제너제한은 제너 다이오드로 전압의 크기를 일정 수준에서 잘라내는 회로이므로 직류 레벨을 더하는 회로가 아니다.
  • 리미터는 입력 파형의 일부를 일정 레벨에서 잘라내는 회로이므로 직류 레벨을 더하는 회로가 아니다.
  • 체배기는 입력 전압의 정수 배 직류 전압을 얻는 정류 회로이므로 직류 복원기가 아니다.
문제 56
다음 회로는 어떤 회로인가?
1전류귀환 증폭회로
2전압귀환 증폭회로
3임피던스귀환 증폭회로
4어드미턴스귀환 증폭회로
문제 57
J-K 플립플롭의 J와 K 입력단자를 하나로 묶어 놓은 플립플롭으로 1을 인가하면 출력이 토글되는 플립플롭은?
1RS 플립플롭
2D 플립플롭
3T 플립플롭
4RS 마스터 슬레이브 플립플롭
정답 및 해설

J와 K를 묶어 하나의 입력으로 만든 플립플롭이 T 플립플롭이며, 입력이 1이면 클록마다 출력이 반전(토글)된다.

J-K 플립플롭의 특성식은 Q+=JQ‾+K‾QQ^{+}=J\overline{Q}+\overline{K}Q 이고, J=K=TJ=K=T 로 놓으면 Q+=TQ‾+T‾QQ^{+}=T\overline{Q}+\overline{T}Q 가 된다. 토글 조건은 T=1T=1 이면 Q+=Q‾Q^{+}=\overline{Q} 이므로 토글한다.

  • RS 플립플롭은 입력이 둘 다 1이면 출력이 불확정이라 금지 입력이며, 토글 동작이 없다.
  • D 플립플롭은 입력 하나의 값을 그대로 출력으로 옮기므로 1을 인가하면 토글이 아니라 1로 세트된다.
  • RS 마스터 슬레이브 플립플롭은 두 입력이 모두 1인 경우가 금지되므로 토글 동작을 하지 못한다.
문제 58
연산증폭기의 일반적인 특징에 대한 설명으로 옳은 것은?
1주파수 대역폭이 좁다.
2입력 임피던스가 낮다.
3동상신호제거비가 크다.
4온도변화에 따른 드리프트가 크다.
문제 59
FET의 핀치오프(Pinch off) 전압에 대한 설명으로 틀린 것은?
1불순물 농도에 비례한다.
2채널 폭의 자승에 비례한다.
3캐리어(Carrier)의 전하량에 반비례한다.
4채널(Channel)이 완전히 막히는 상태에 이르는 전압이다.
문제 60
다음 회로는 βDC=100이고, RC=1[kΩ], RE=470[Ω]인 트랜지스터의 베이스에서 바라본 직류 입력저항은?
11[kΩ]
247[kΩ]
3100[kΩ]
4470[kΩ]
정답 및 해설

베이스에서 바라본 직류 입력저항은 이미터 저항이 β배로 보이는 값이므로 약 47kΩ이다.

그림은 NPN 트랜지스터의 컬렉터에 RCR_C를 거쳐 +VCC+V_{CC}, 이미터에 RER_E를 거쳐 접지가 연결되고 베이스가 입력 단자인 회로이다.
베이스 전류 IBI_B가 흐르면 RER_E에는 IE=(βDC+1)IBI_E = (\beta_{DC} + 1) I_B가 흘러 베이스 쪽에서 본 저항이 RIN=(βDC+1)RE≈βDCRER_{IN} = (\beta_{DC} + 1) R_E \approx \beta_{DC} R_E가 된다.
RIN≈100×470=47000 Ω=47 kΩR_{IN} \approx 100 \times 470 = 47000\,\Omega = 47\,\mathrm{k\Omega}
정밀식으로도 101×470=47470 Ω≈47 kΩ101 \times 470 = 47470\,\Omega \approx 47\,\mathrm{k\Omega}로 같다.

  • 1kΩ 보기는 컬렉터 저항 RCR_C 값으로, 컬렉터 쪽 저항은 베이스 입력저항 계산에 들어가지 않아 계산값과 다르다.
  • 100kΩ 보기는 계산값과 다르다.
  • 470kΩ 보기는 계산값과 다르다.
문제 61
페르미 준위에 대한 설명으로 틀린 것은?
1T=0[K]가 아닌 경우 전자의 존재 확률은 50%가 된다.
20[K]에서 전자의 최고 에너지가 된다.
30[K]에서 n형 반도체의 경우 전도대와 도너준위 사이에 위치한다.
4진성 반도체의 경우 온도와 무관하게 전도대에 위치한다.
문제 62
순방향 전압이 걸린 PN 접합(부)의 특성을 설명한 것으로 옳지 않은 것은?
1접합부의 저항은 외부 전압에 따라 변한다.
2접합부의 저항은 전류에 반비례한다.
3접합부의 저항은 온도와 무관하다.
4접합부에는 전압이 생긴다.
정답 및 해설

순방향 PN 접합의 저항은 온도에 따라 변하므로 온도와 무관하다는 서술이 옳지 않다.

순방향 동저항은 r=VTIr=\dfrac{V_T}{I} 이고 VT=kTqV_T=\dfrac{kT}{q} 이므로 온도에 비례하고 전류에 반비례한다. 따라서 온도가 바뀌면 저항도 변한다.

나머지 보기는 모두 옳은 내용이다.

  • 접합부의 저항이 외부 전압에 따라 변한다는 보기는 전압이 바뀌면 전류가 지수적으로 바뀌어 저항이 변하므로 옳은 내용이다.
  • 접합부의 저항이 전류에 반비례한다는 보기는 r=VT/Ir=V_T/I 와 일치하므로 옳은 내용이다.
  • 접합부에 전압이 생긴다는 보기는 접합부에 접촉 전위차(장벽 전위)가 존재하므로 옳은 내용이다.
문제 63
어떤 광자가 물질을 통과한 후 2537Å 및 4078Å의 두 광자로 분리되었을 때, 원래 조사한 빛의 파장은?
11270Å
21564Å
32040Å
46615Å
정답 및 해설

에너지 보존에서 광자 에너지 E=hcλE=\dfrac{hc}{\lambda} 가 보존되므로 원래 빛의 파장은 두 파장의 역수 합으로 구하며 약 1564 Å 이다.

1λ=12537+14078\dfrac{1}{\lambda}=\dfrac{1}{2537}+\dfrac{1}{4078}
λ=2537×40782537+4078≈1564 A˚\lambda=\dfrac{2537\times4078}{2537+4078}\approx1564\,\mathrm{\AA}

  • 1270 Å 는 계산값과 다르다.
  • 2040 Å 는 계산값과 다르다.
  • 6615 Å 는 계산값과 다르다.
문제 64
트랜지스터의 증폭회로에서 안정도(stability factor)는? (단, IC는 컬렉터 전류, IB는 베이스 전류, ICD는 컬렉터 역포화 전류)
1
2
3
4
정답 및 해설

트랜지스터 바이어스의 안정도(안정계수) S는 컬렉터 역포화 전류 변화에 대한 컬렉터 전류 변화의 비이므로 S=ΔICΔICOS = \dfrac{\Delta I_C}{\Delta I_{CO}}이다.

온도가 오르면 ICOI_{CO}가 늘고 그만큼 ICI_C가 늘어나는데, 그 증가 비율을 나타낸 값이 S이다. 따라서 S가 작을수록 ICOI_{CO} 변동이 ICI_C에 덜 전달되어 동작점이 안정하다.

  • 분자가 ΔICO\Delta I_{CO}, 분모가 ΔIC\Delta I_C인 보기는 정의의 역수여서 틀리다.
  • 분자가 ΔICO\Delta I_{CO}, 분모가 ΔIB\Delta I_B인 보기는 컬렉터 전류 변화가 들어 있지 않아 정의와 다르다.
  • 분자가 ΔIB\Delta I_B, 분모가 ΔICO\Delta I_{CO}인 보기도 컬렉터 전류 변화가 들어 있지 않아 정의와 다르다.
문제 65
트랜지스터의 전류이득 α를 크게 하는 조건으로 틀린 것은?
1베이스폭을 좁게 한다.
2이미터의 도핑(doping)을 베이스의 도핑보다 크게 한다.
3캐리어의 수명을 길게 한다.
4이미터 전류를 크게 한다.
문제 66
정상 바이어스를 가한 npn 트랜지스터에서 컬렉터 접합에 흐르는 주된 전류는?
1확산 전류
2드리프트 전류
3정공 전류
4베이스 전류와 같다.
문제 67
금속내부의 자유전자에 에너지를 공급하면 금속 밖으로 튀어나오는 현상이 아닌 것은?
1열전자방출
2광전자방출
3전계방출
4저항방출
문제 68
터널(tunnel) 다이오드에 대한 설명으로 틀린것은?
1음성 저항(Negative resistance) 특성을 가진다.
2N형 반도체의 페르미 준위는 금지대 내에 존재한다.
3P형 반도체의 페르미 준위는 가전자대 내에 존재한다.
4능동소자로서 발진기로 사용한다.
정답 및 해설

터널 다이오드는 불순물을 매우 많이 도핑한 축퇴 반도체이므로 N형의 페르미 준위는 전도대 안에 있다. 금지대 안에 있다는 서술이 틀리다.

불순물 농도가 매우 높아 N형은 전도대 안, P형은 가전자대 안에 페르미 준위가 놓이며 이 때문에 터널 현상이 일어난다.

나머지 보기는 모두 옳은 내용이다.

  • 음성 저항 특성을 가진다는 보기는 순방향 일부 구간에서 전압이 늘면 전류가 줄어드는 터널 다이오드의 특성이므로 옳은 내용이다.
  • P형 반도체의 페르미 준위가 가전자대 내에 존재한다는 보기는 축퇴된 P형의 성질이므로 옳은 내용이다.
  • 능동소자로서 발진기로 사용한다는 보기는 음성 저항으로 회로 손실을 보상해 발진시킬 수 있으므로 옳은 내용이다.
문제 69
페르미-디랙(Fermi-Dirac) 분포에 대한 설명이 틀린 것은?
1고체 내의 전자는 Pauli의 배타원리의 지배를 받는다.
2대부분의 전자는 페르미 준위 이상의 에너지 역에 존재한다.
3분포형태는 금속의 온도에 변화한다.
4도체가 가열될 때 전자는 분자 비열 용량에 거의 영향을 주지 못한다.
문제 70
직경 4[mm]인 동선에 4[A]의 전류가 흐르고 있을 때 전자의 평균이동속도는? (단, n=8.2×1023[개/cm3], e=1.602×10-19[C])
12.43[μm/s]
24.66[μm/s]
36.43[μm/s]
48.66[μm/s]
문제 71
PN 접합에 순바이어스(forward-bias)를 가할 때 공핍층의 폭은 무바이어스 시 보다 어떠한가?
1변함이 없다.
2좁아진다.
3넓어진다.
4넓어지기도 하고 좁아지기도 한다.
정답 및 해설

순바이어스는 외부 전압이 접촉 전위 장벽을 낮추므로 공핍층의 폭이 좁아진다.

순방향 전압만큼 접촉 전위가 상쇄되며, 공핍층 폭은 접합에 걸린 실제 전위차의 제곱근에 비례하여 W∝V0−VW\propto\sqrt{V_0-V} 이다. 순방향 전압 VV 가 커질수록 폭이 줄어든다.

  • 변함이 없다는 보기는 틀렸다. 순방향 전압이 장벽 전위차를 줄이므로 폭이 변한다.
  • 넓어진다는 보기는 틀렸다. 폭이 넓어지는 것은 역바이어스를 가할 때이다.
  • 넓어지기도 하고 좁아지기도 한다는 보기는 틀렸다. 순바이어스에서는 항상 좁아지는 방향으로만 변한다.
문제 72
반도체(semiconductor)에 대한 설명으로 옳은 것은?
1홀(hole)의 이동도는 자유전자의 이동도보다 작다.
2게르마늄(Ge)에 비소(As)를 첨가시키면 P형 반도체가 된다.
3P형 반도체는 정공보다는 자유전자가 더 많다.
4온도를 증가시키면 저항은 증가한다.
정답 및 해설

반도체의 전기적 특성을 비교하는 문항이다. 홀(정공)의 이동도는 자유전자의 이동도보다 작다. 정공은 자유전자에 비해 유효질량이 크고 산란이 더 크므로 이동도가 약 0.5배 정도로 낮다.

  • 게르마늄에 비소를 첨가하면 P형 반도체: 비소(As)는 5가 원소로 게르마늄에 첨가되면 N형 반도체가 되는데, P형 반도체가 되려면 3가 원소(B, Al, Ga 등)를 첨가해야 한다.
  • P형 반도체는 정공보다 자유전자가 더 많다: P형 반도체에서는 정공이 주요 캐리어(majority carrier)이므로 자유전자보다 정공이 훨씬 더 많다.
  • 온도를 증가시키면 저항은 증가한다: 반도체는 금속과 달리 온도 증가 시 열에너지로 인해 전자-정공 쌍이 증가하여 캐리어 농도가 증가하므로 저항은 감소한다(음의 온도 계수).
문제 73
MOSFET의 구조와 동작원리에 대한 설명으로 옳은 것은?
1n채널 MOSFET의 단면구조는 드레인-소스간 p형 반도체의 기판 위에 절연체를 붙이고, 그 위에금속단자를 붙여 게이트 단자를 만든다.
2n채널 MOSFET의 동작원리는 게이트 단자에 문턱전압 이상의 (+) 전압을 인가하면 MOSFET 드레인-소스 사이는 2개의 역방향 다이오드와 같은 등가회로를 갖는다.
3p채널 MOSFET의 단면구조는 p형 반도체 기판(Substrate)에 2개의 p+형 반도체를 형성시킨다.
4n채널 MOSFET의 단면구조는 n형 반도체 기판(Substrate)에 2개의 p+형 반도체를 형성시킨다.
정답 및 해설

n채널 MOSFET은 p형 기판 위에 절연막을 놓고 그 위에 금속 게이트를 붙인 구조이므로 이 서술이 옳다.

반전층 채널이 생기는 구조로, 드레인과 소스는 p형 기판 속에 만든 두 개의 n+ 영역이며, 게이트 전압이 문턱전압을 넘으면 기판 표면에 반전층 채널이 생긴다.

  • 문턱전압 이상의 양 전압에서 두 개의 역방향 다이오드 등가가 된다는 보기는 틀렸다. 이 경우에는 채널이 형성되어 드레인-소스가 도통하며, 두 역방향 다이오드 모양은 채널이 없는 문턱 미만 상태이다.
  • p채널 MOSFET이 p형 기판에 p+ 두 영역을 만든다는 보기는 틀렸다. p채널은 n형 기판에 p+ 두 영역을 만든다.
  • n채널 MOSFET이 n형 기판에 p+ 두 영역을 만든다는 보기는 틀렸다. n채널은 p형 기판에 n+ 두 영역을 만든다.
문제 74
피에조 저항(piezo resistance)은?
1압력 변화에 의한 저항의 변화이다.
2자계 변화에 의한 저항의 변화이다.
3온도 변화에 의한 저항의 변화이다.
4광전류 변화에 의한 저항의 변화이다.
정답 및 해설

피에조 저항은 반도체에 압력(응력)이 가해질 때 저항이 변하는 현상이다.

결정에 변형이 생기면 에너지 대역과 이동도가 달라져 비저항이 바뀌며, 압력 센서에 이용된다.

  • 자계 변화에 의한 저항의 변화는 자기저항 효과이다.
  • 온도 변화에 의한 저항의 변화는 서미스터 등에서 보는 온도 저항 특성이다.
  • 광전류 변화에 의한 저항의 변화는 광도전 효과이다.
문제 75
도체, 반도체, 절연체의 에너지 대역에 관한 설명으로 틀린 것은?
1도체는 전도대와 가전자대가 중첩되었다.
2반도체의 금지대역폭이 절연체보다 작다.
3도체의 금지대역폭이 반도체보다 작다.
4반도체는 금지대역폭이 5eV 이상이다.
문제 76
컬렉터 접합부의 온도 상승으로 인하여 트랜지스터가 파괴되는 현상은?
1얼리 현상
2항복 현상
3열폭주 현상
4펀치 스로우 현상
정답 및 해설

컬렉터 접합의 온도가 올라 전류가 늘고 다시 발열이 커지는 악순환으로 소자가 파괴되는 현상이 열폭주이다.

온도가 오르면 역포화 전류가 늘어 컬렉터 전류가 증가하고, 이것이 접합 온도를 더 올려 파괴에 이른다.

  • 얼리 현상은 컬렉터 전압에 따라 베이스 폭이 변하는 현상이며 온도 상승과 무관하다.
  • 항복 현상은 역방향 전압이 한계를 넘어 전류가 급증하는 현상이며 전압에 의한 것이다.
  • 펀치 스로우 현상은 컬렉터 공핍층이 베이스 전체로 퍼져 이미터 접합에 닿는 현상이며 온도에 의한 것이 아니다.
문제 77
실리콘 n형 반도체에 관한 설명으로 옳은 것은?
1불순물은 3개의 가전자 만을 갖는다.
2억셉터(acceptor) 불순물을 첨가하여 제작한다.
3정공은 소수 캐리어이다.
4진성 반동체이다.
문제 78
초전도 현상에 대한 설명으로 틀린 것은?
1초전도체는 완전도체의 성질을 갖는다.
2초전도체는 완전 반자성체의 성질을 갖는다.
3초전도 상태에 있는 물질 내에서는 전계가 0이다.
4초전도체를 관통하는 자속의 시간적 변화는 완전히 주기적이다.
문제 79
광속도의 1/5의 속도로 운동하고 있는 전자의 드브로이(de Broglie) 파장은? (단, h=6.6×10-34[Jㆍsec], 전자의 질량 m=9.1×10-31[kg], 광속도 c=3×108[m/sec])
12.3×10-13[m]
22.3×10-11[m]
31.2×10-13[m]
41.2×10-11[m]
정답 및 해설

드브로이 파장은 λ=hmv\lambda=\dfrac{h}{mv} 이며 계산하면 약 1.2×10−11 m1.2\times10^{-11}\,\mathrm{m} 이다.

운동량을 구하면 v=c5=6×107 m/sv=\dfrac{c}{5}=6\times10^{7}\,\mathrm{m/s}
λ=6.6×10−349.1×10−31×6×107≈1.21×10−11 m\lambda=\dfrac{6.6\times10^{-34}}{9.1\times10^{-31}\times6\times10^{7}}\approx1.21\times10^{-11}\,\mathrm{m}
상대론 보정(γ≈1.02\gamma\approx1.02)을 넣어도 1.18×10−11 m1.18\times10^{-11}\,\mathrm{m} 로 두 자리 값은 같다.

  • 2.3×10−13 m2.3\times10^{-13}\,\mathrm{m} 는 계산값과 다르다.
  • 2.3×10−11 m2.3\times10^{-11}\,\mathrm{m} 는 계산값과 다르다.
  • 1.2×10−13 m1.2\times10^{-13}\,\mathrm{m} 는 계산값과 다르다.
문제 80
반도체의 전도에 관한 설명으로 틀린 것은?
1반도체의 저항은 온도의 증가에 따라 감소한다.
2캐리어의 이동도는 온도와 결정구조의 규칙성에 따라 변한다.
3절대온도 0[K]에서 모든 가전자는 전도대에 존재한다.
4자유전자가 정공과 결합하는 과정을 재결합이라 한다.
문제 81
C 언어 중 모든 면에서 구조체와 같으며 선언문법이나 사용하는 방법이 같은 것은?
1constant
2array
3union
4pointer
정답 및 해설

구조체와 선언 문법과 사용 방법이 같은 것은 union(공용체)이다.

구조체와 같은 형식으로 멤버를 선언하고 점 연산자로 접근하며, 다른 점은 모든 멤버가 같은 기억 장소를 공유한다는 것이다.

  • constant 는 값이 바뀌지 않는 상수를 뜻하며 멤버를 묶는 자료형이 아니다.
  • array 는 같은 형의 요소를 대괄호로 연속 선언하는 자료형이며 구조체와 선언 문법이 다르다.
  • pointer 는 주소를 저장하는 변수이며 별표로 선언하므로 구조체와 선언 문법이 다르다.
문제 82
주소지정 방식 중에서 반드시 누산기를 필요로 하는 방식은?
13-주소지정 방식
22-주소지정 방식
31-주소지정 방식
40-주소지정 방식
정답 및 해설

연산 때 한 피연산자와 결과를 누산기에 묵시적으로 두는 방식이 1-주소 지정 방식이다.

명령어에는 메모리 피연산자 주소 하나만 두고 나머지 피연산자와 결과는 누산기가 담당한다.

  • 3-주소 지정 방식은 두 피연산자와 결과 주소를 모두 명령어에 명시하므로 누산기가 반드시 필요하지 않다.
  • 2-주소 지정 방식은 두 피연산자 주소 중 하나에 결과를 저장하므로 누산기가 반드시 필요하지 않다.
  • 0-주소 지정 방식은 피연산자를 스택에서 꺼내 쓰므로 누산기가 아니라 스택을 사용한다.
문제 83
명령어의 형식에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?
13-주소 명령어 형식은 3개의 자료 필드를 갖고 있다.
22-주소 명령어 형식에서는 연산 후에도 원래 입력 자료가 항상 보존된다.
31-주소 명령어 형식에서는 연산 결과가 항상 누산기(accumulator)에 기억된다.
40-주소 명령어 형식을 사용하는 컴퓨터는 일반적으로 스택(stack)을 갖고 있다.
정답 및 해설

2-주소 명령어에서는 두 피연산자 중 하나가 결과로 덮어쓰이므로 입력 자료가 항상 보존된다는 서술이 옳지 않다.

2-주소 형식은 결과를 따로 지정할 주소가 없어 한쪽 피연산자의 위치에 결과를 기억한다.

나머지 보기는 모두 옳은 내용이다.

  • 3-주소 명령어 형식이 3개의 자료 필드를 갖는다는 보기는 두 피연산자와 결과 주소를 명시하는 형식이므로 옳은 내용이다.
  • 1-주소 명령어 형식에서 연산 결과가 누산기에 기억된다는 보기는 누산기를 묵시적 피연산자로 쓰는 형식이므로 옳은 내용이다.
  • 0-주소 명령어 형식을 쓰는 컴퓨터가 스택을 갖는다는 보기는 피연산자를 스택 상단에서 묵시적으로 지정하므로 옳은 내용이다.
문제 84
2진수 (1110.0111)2를 16진수로 옳게 바꾼 것은?
1(7.7)16
2(14.14)16
3(E.7)16
4(E.E)16
정답 및 해설

2진수를 소수점 기준으로 4비트씩 묶어 변환하면 E.7 이다.

4비트씩 16진수 한 자리에 대응하므로 11102=E1110_{2}=\mathrm{E}, 01112=70111_{2}=7 이므로 (1110.0111)2=(E.7)16(1110.0111)_{2}=(\mathrm{E}.7)_{16}, 10진수로 14.4375 이다.

  • (7.7)16(7.7)_{16} 은 10진수 7.4375 로 계산값과 다르다.
  • (14.14)16(14.14)_{16} 는 10진수 20.078125 로 계산값과 다르다.
  • (E.E)16(\mathrm{E}.\mathrm{E})_{16} 은 10진수 14.875 로 계산값과 다르다.
문제 85
다음 프로그램 작성 과정을 순서대로 올바르게 나열한 것은?
1㉣ → ㉠ → ㉡ → ㉢ → ㉤
2㉣ → ㉠ → ㉡ → ㉤ → ㉢
3㉠ → ㉣ → ㉡ → ㉢ → ㉤
4㉠ → ㉡ → ㉤ → ㉢ → ㉣
문제 86
원시 프로그램을 목적 프로그램으로 바꾸어 주기억장치에 저장하기까지의 실행과정으로 옳은 것은?
1컴파일러 → 로더 → 링커
2링커 → 컴파일러 → 로더
3링커 → 로더 → 컴파일러
4컴파일러 → 링커 → 로더
정답 및 해설

원시 프로그램은 컴파일러 → 링커 → 로더 순서로 처리된다.

링커가 연결하기 전에 컴파일러가 원시 프로그램을 목적 프로그램으로 번역하고, 링커가 목적 모듈과 라이브러리를 하나의 실행 모듈로 연결하며, 로더가 이를 주기억장치에 적재한다.

  • 컴파일러 다음에 로더가 오고 링커가 마지막인 순서는, 로더가 링커가 만든 실행 모듈을 주기억장치에 적재하는 단계이므로 순서가 뒤바뀌었다.
  • 링커가 컴파일러보다 앞서는 순서는, 연결할 목적 모듈이 아직 만들어지지 않았으므로 성립하지 않는다.
  • 링커와 로더가 컴파일러보다 앞서는 순서는, 번역되지 않은 원시 프로그램을 연결하거나 적재해야 하므로 성립하지 않는다.
문제 87
10진수 13을 그레이 코드(Gray code)로 변환하면?
11001
20100
31100
41011
정답 및 해설

10진수 13을 먼저 2진수로 변환하면 1101이다. 그레이 코드는 2진수의 최상위 비트는 그대로 두고, 이후 각 비트는 원래 2진수의 해당 비트와 그 왼쪽 비트를 XOR 연산한 결과로 구성한다. 2진수 1101에서: 첫 번째 비트는 1(그대로), 두 번째는 1⊕1=0, 세 번째는 1⊕0=1, 네 번째는 0⊕1=1이므로 그레이 코드는 1011이다.

문제 88
컴퓨터 확장슬롯에 연결되는 PCI 신호 중에서 현재 지정된 어드레스가 디코딩되어 접근이 가능한지를 나타내는 신호는?
1LOCK
2STOP
3IDSEL
4TRDY
문제 89
그림과 같은 회로의 명칭은?
1반가산기
2전가산기
3전감산기
4parity checker
정답 및 해설

그림은 세 입력 X·Y·Z를 더해 합 S와 자리올림 C를 내는 전가산기이다.

그림에서 첫 XOR 게이트가 X⊕YX \oplus Y를 만들고, 두 번째 XOR 게이트가 이것과 Z를 받아 S=X⊕Y⊕ZS = X \oplus Y \oplus Z를 낸다.
아래 AND 게이트 두 개는 XYXY와 (X⊕Y)Z(X \oplus Y)Z를 만들고, OR 게이트가 이를 합쳐 C=XY+(X⊕Y)ZC = XY + (X \oplus Y)Z, 즉 세 입력 중 둘 이상이 1일 때 1인 자리올림을 낸다.

  • 반가산기는 입력이 두 개이고 합 X⊕YX \oplus Y와 자리올림 XYXY만 내는 회로이다. 이 회로는 입력이 세 개라 맞지 않다.
  • 전감산기는 빌림 출력에 피감수의 보수가 들어간다. 예를 들어 X=0, Y=1, Z=0이면 0−1에서 빌림이 1이어야 하지만 이 회로의 C는 0이어서 맞지 않다.
  • parity checker는 입력 비트의 XOR로 패리티 판정 출력 하나만 내는 회로이다. 이 회로는 AND·OR로 만든 자리올림 출력 C가 따로 있어 맞지 않다.
문제 90
프로그램이 수행되는 도중에 인터럽트가 발생되면 현 사이클의 일을 끝내고 프로그램이 수행될 수 있도록 현주소를 지시하는 것은?
1상태 레지스터
2프로그램 레지스터
3스택 포인터
4인덱스 레지스터
문제 91
서브루틴 호출시 필요한 자료 구조는?
1환형 큐(circular queue)
2다중 큐(multi queue)
3스택(stack)
4트리(tree)
정답 및 해설

서브루틴 호출에는 스택이 필요하다.

서브루틴은 중첩 호출되며 가장 나중에 호출된 것이 먼저 복귀하는 후입선출 순서이므로, 복귀 주소를 스택에 쌓았다가 꺼낸다.

  • 환형 큐는 먼저 넣은 것을 먼저 꺼내는 선입선출 구조라 호출의 역순 복귀에 맞지 않는다.
  • 다중 큐도 선입선출 구조의 큐를 여럿 둔 것이라 호출의 역순 복귀에 맞지 않는다.
  • 트리는 계층적 관계를 나타내는 구조이며 복귀 주소를 후입선출로 저장하는 구조가 아니다.
문제 92
논리회로를 설계하는 과정에서 최적화를 위한 고려 대상이 아닌 것은?
1전파 지연신가의 최소화
2사용 게이트 수의 최소화
3게이트 종류의 다양화
4게이트 간 상호변수의 최소화
문제 93
16비트로 나타낼 수 있는 정수의 범위는?
1-216 ~ 216
2-216-1 ~ 216+1
3-215 ~ 215
4-215 ~ 215-1
문제 94
콘솔(console)이나 보조기억장치에서 마이크로프로그램이 로드(load)되는 기법은?
1dynamic micro-programming
2static micro-programming
3horizontal micro-programming
4vertical micro-programming
문제 95
소프트웨어적으로 인터럽트의 우선순위를 결정하는 인터럽트 형식은?
1벡터 방식에 의한 인터럽트
2슈퍼바이저 콜에 의한 인터럽트
3데이지체인 방법에 의한 인터럽트
4폴링 방법에 의한 인터럽트
문제 96
메모리 장치와 주변 장치 사이에서 데이터의 입출력 전송이 직접 이루어지는 것은?
1DMA
2MIMO
3UART
4MIPS
정답 및 해설

메모리와 주변 장치 사이의 데이터 전송을 CPU 를 거치지 않고 직접 수행하는 방식은 DMA(Direct Memory Access)이다.

DMA 제어기가 버스를 넘겨받아 메모리와 입출력 장치 사이에서 데이터를 직접 주고받고, 전송이 끝나면 CPU 에 알린다.

  • MIMO 는 송신과 수신에 여러 안테나를 쓰는 무선 통신 기술이므로 메모리와 주변 장치 사이의 직접 전송 방식이 아니다.
  • UART 는 병렬 데이터와 직렬 데이터를 상호 변환하는 직렬 통신 회로이므로 메모리 직접 전송 방식이 아니다.
  • MIPS 는 초당 백만 개 단위의 명령어 실행 수로 나타내는 처리 속도 단위(또는 같은 이름의 프로세서 구조)이므로 데이터 전송 방식이 아니다.
문제 97
컴퓨터가 직접 해독할 수 있는 2진 숫자(binary digit)로 나타낸 언어는?
1기계어(machine language)
2컴파일러 언어(compiler language)
3어셈블리 언어(assembly language)
4기호식 언어(symbolic language)
정답 및 해설

컴퓨터가 번역 없이 바로 해독하는 2진 숫자(0과 1)로 표현된 언어는 기계어이다.

나머지 언어는 사람이 읽기 쉬운 문자나 기호로 쓰므로 실행 전에 기계어로 번역하는 과정이 필요하다.

  • 컴파일러 언어는 고급 언어로 작성되어 컴파일러가 기계어로 번역해야 실행되므로 2진 숫자 자체가 아니다.
  • 어셈블리 언어는 니모닉 기호로 명령을 적고 어셈블러가 기계어로 번역하므로 2진 숫자 자체가 아니다.
  • 기호식 언어는 2진 숫자 대신 니모닉 같은 기호로 명령을 나타내는 언어(어셈블리 언어가 대표적)이므로 기계어로 번역해야 하며 2진 숫자 자체가 아니다.
문제 98
전기신호에 의하여 자료를 기록하고, 삭제할 수 있는 ROM은?
1MASK ROM
2PROM
3EEPROM
4EPROM
정답 및 해설

전기 신호로 기록과 삭제를 모두 할 수 있는 ROM 은 EEPROM(Electrically Erasable PROM)이다.

이름 그대로 삭제를 전기적으로 수행하므로 장치에서 떼어내지 않고도 내용을 고쳐 쓸 수 있다.

  • MASK ROM 은 제조 과정에서 내용이 고정되어 사용자가 기록하거나 삭제할 수 없다.
  • PROM 은 사용자가 한 번만 기록할 수 있고 기록한 내용을 지울 수 없다.
  • EPROM 은 자외선을 쬐어 내용을 지우므로 전기 신호로 삭제하는 ROM 이 아니다.
문제 99
10110과 01111을 exclusive-OR 하였을 때의 결과는?
100111
200110
311000
411001
정답 및 해설

배타적 논리합(XOR)은 두 비트가 서로 다를 때만 1이므로 결과는 11001이다.

자리별로 계산한다(XOR).
10110
01111
1⊕0=1, 0⊕1=1, 1⊕1=0, 1⊕1=0, 0⊕1=1
따라서 결과는 11001 이다.

  • 00111 은 비트별 XOR 계산값과 다르다.
  • 00110 은 비트별 XOR 계산값과 다르다.
  • 11000 은 비트별 XOR 계산값과 다르다.
문제 100
CPU의 수행 상태를 나타내는 주 상태(Major State) 중에서 메모리로부터 실행하기 위한 다음 명령의 번지를 결정한 후 메모리로부터 명령을 CPU로 읽어 들이는 동작은?
1Fetch 상태
2Indirect 상태
3Execute 상태
4Interrupt 상태
정답 및 해설

다음 명령의 번지를 정해 메모리에서 명령을 CPU 로 읽어 들이는 동작은 Fetch 상태이다.

명령 주기의 첫 단계로, 프로그램 카운터가 가리키는 번지의 명령을 인출해 명령 레지스터에 가져온다.

  • Indirect 상태는 명령의 주소부가 간접 주소일 때 유효 주소를 얻으려고 메모리를 다시 읽는 상태이므로 명령을 읽어 들이는 동작이 아니다.
  • Execute 상태는 이미 인출한 명령을 해독한 결과대로 실행하는 상태이므로 명령을 읽어 들이는 동작이 아니다.
  • Interrupt 상태는 인터럽트 요구를 처리하려고 복귀 정보를 저장하고 분기하는 상태이므로 명령을 읽어 들이는 동작이 아니다.
전자기사 필기 기출문제모두CBT · moducbt.com
15년 1회차
총 100문항 · 객관식 · 정답·해설 포함
문제 1
평행판 콘덴서의 극간 전압이 일정한 상태에서 극간에 공기가 있을 때의 흡인력을 F1, 극판 사이에 극판 간격의 2/3 두께의 유리판(εr=10)을 삽입할 때의 흡인력을 F2라 하면 F2/F1는?
10.6
20.8
31.5
42.5
정답 및 해설

평행판 콘덴서의 극판 사이 흡인력은 F = \frac{1}{2}\varepsilon_0 \varepsilon_r A V^2}{d^2}로 표현되며, 극간 전압 V가 일정할 때 전기장 에너지에 의한 흡인력은 용량에 비례한다. 공기만 있을 때 용량을 C1=ε0AdC_1 = \frac{\varepsilon_0 A}{d}라 하면 흡인력은 F1=12C1V2=ε0AV22dF_1 = \frac{1}{2}C_1 V^2 = \frac{\varepsilon_0 A V^2}{2d}이다.
유리판(상대유전율 εr=10\varepsilon_r = 10)을 극간 2/3 두께로 삽입하면, 극판 사이는 유리판(두께 2d/3, εr=10\varepsilon_r = 10)과 공기층(두께 d/3, εr=1\varepsilon_r = 1)의 직렬 구조가 된다. 직렬 커패시터 용량은 C2=ε0A2d3⋅10+d3=ε0A2d30+10d30=ε0A12d30=30ε0A12d=5ε0A2dC_2 = \frac{\varepsilon_0 A}{\frac{2d}{3 \cdot 10} + \frac{d}{3}} = \frac{\varepsilon_0 A}{\frac{2d}{30} + \frac{10d}{30}} = \frac{\varepsilon_0 A}{\frac{12d}{30}} = \frac{30\varepsilon_0 A}{12d} = \frac{5\varepsilon_0 A}{2d}이다.
흡인력의 비는 F2F1=C2C1=5ε0A2dε0Ad=52=2.5\frac{F_2}{F_1} = \frac{C_2}{C_1} = \frac{\frac{5\varepsilon_0 A}{2d}}{\frac{\varepsilon_0 A}{d}} = \frac{5}{2} = 2.5이다.

문제 2
유전율 ε1, ε2인 두 유전체 경계면에서 전계가 경계면에 수직일 때 경계면에 작용하는 힘은 몇 [N/m2]인가? (단, ε1 > ε2이다.)
1
2
3
4
정답 및 해설

경계면에 작용하는 힘은 f=12(1ϵ2−1ϵ1)D2 [N/m2]f = \dfrac{1}{2}\left(\dfrac{1}{\epsilon_2} - \dfrac{1}{\epsilon_1}\right)D^2\,[\mathrm{N/m^2}] 이다. 전계가 경계면에 수직이면 경계 양쪽에서 전속밀도가 연속이므로, 각 쪽의 단위 체적당 에너지 w=D22ϵw = \dfrac{D^2}{2\epsilon} 의 차이가 경계면에 작용하는 정전응력이 된다.

f=w2−w1=D22ϵ2−D22ϵ1=12(1ϵ2−1ϵ1)D2f = w_2 - w_1 = \dfrac{D^2}{2\epsilon_2} - \dfrac{D^2}{2\epsilon_1} = \dfrac{1}{2}\left(\dfrac{1}{\epsilon_2} - \dfrac{1}{\epsilon_1}\right)D^2
ϵ1\epsilon_1 이 ϵ2\epsilon_2 보다 크므로 값은 양이고, 힘은 유전율이 큰 쪽에서 작은 쪽으로 경계면을 민다.

  • (1ϵ1+1ϵ2)D\left(\dfrac{1}{\epsilon_1} + \dfrac{1}{\epsilon_2}\right)D 보기는 D 를 유전율로 나눈 전계(V/m) 차원이라 단위 면적당 힘이 될 수 없다.
  • 2(1ϵ12+1ϵ22)D22\left(\dfrac{1}{\epsilon_1^2} + \dfrac{1}{\epsilon_2^2}\right)D^2 보기는 전계의 제곱 차원이라 단위 면적당 힘이 될 수 없다.
  • 12(1ϵ2−1ϵ1)D\dfrac{1}{2}\left(\dfrac{1}{\epsilon_2} - \dfrac{1}{\epsilon_1}\right)D 보기는 D 가 1제곱이라 전계 차원이며 단위 면적당 힘이 될 수 없다.
문제 3
진공 중에 +20μC과 -3.2μC인 2개의 점전하가 1.2m 간격으로 놓여 있을 때 두 전하 사이에 작용하는 힘(N)과 작용력은 어떻게 되는가?
10.2N, 반발력
20.2N, 흡인력
30.4N, 반발력
40.4N, 흡인력
정답 및 해설

두 전하 사이에는 0.4N의 흡인력이 작용한다.

쿨롱 법칙으로 힘의 크기를 구한다.
F=14πε0q1q2r2≈9×109×20×10−6×3.2×10−61.22F=\dfrac{1}{4\pi\varepsilon_0}\dfrac{q_1q_2}{r^2}\approx 9\times10^{9}\times\dfrac{20\times10^{-6}\times3.2\times10^{-6}}{1.2^{2}}
=0.5761.44=0.4 N=\dfrac{0.576}{1.44}=0.4\ \mathrm{N}

같은 부호의 전하는 서로 밀고, 다른 부호의 전하는 서로 당긴다. 이 문항의 전하는 +와 -이므로 흡인력이다.

나머지 보기는 힘의 크기나 방향이 맞지 않는다.

  • 0.2N, 반발력은 크기가 계산값과 다르고, 부호가 서로 다른 전하 사이에는 흡인력이 작용하므로 방향도 맞지 않다.
  • 0.2N, 흡인력은 방향은 맞지만 크기가 계산값과 다르다.
  • 0.4N, 반발력은 크기는 맞지만 부호가 서로 다른 전하 사이에는 반발력이 작용하지 않는다.
문제 4
Ωㆍsec 와 같은 단위는?
1F
2F/m
3H
4H/m
정답 및 해설

Ω·s는 인덕턴스의 단위인 H와 같다.

인덕터의 전압-전류 관계 v=Ldidtv=L\dfrac{di}{dt} 에서 인덕턴스는 전압·시간을 전류로 나눈 값이다.
H=V⋅sA=Ω⋅s\mathrm{H}=\dfrac{\mathrm{V\cdot s}}{\mathrm{A}}=\Omega\cdot\mathrm{s}

나머지 보기는 차원이 다르다.

  • F는 정전용량의 단위로 F=A⋅sV=sΩ\mathrm{F}=\dfrac{\mathrm{A\cdot s}}{\mathrm{V}}=\dfrac{\mathrm{s}}{\Omega} 이므로 Ω·s가 아니라 s/Ω와 같다.
  • F/m는 유전율의 단위이며 정전용량을 길이로 나눈 차원이므로 Ω·s와 다르다.
  • H/m는 투자율의 단위이며 인덕턴스를 길이로 나눈 차원이므로 Ω·s와 다르다.
문제 5
진공 중에 있는 반지름 α(m)인 도체구의 정전용량(F)은?
14πε0α
22πε0α
3aε0α
4a
문제 6
내부도체의 반지름이 a(m)이고, 외부도체의 내반지름이 b(m), 외반지름이 c(m)인 동축 케이블의 단위 길이당 자기 인덕턴스는 몇 H/m인가?
1
2
3
4
문제 7
균일한 자속밀도 B중에 자기모멘트 m의 지삭(관성모멘트 I)이 있다. 이 자석을 미소 진동시켰을 때의 주기는?
1
2
3
4
정답 및 해설

미소 진동 주기는 T=2πImBT = 2\pi\sqrt{\dfrac{I}{mB}} 이다. 자석이 평형 방향에서 각 θ\theta 만큼 기울면 복원 토크 −mBsin⁡θ≈−mBθ-mB\sin\theta \approx -mB\theta 가 작용해 각도에 대한 단진동을 한다.

Id2θdt2=−mBθ  ⇒  ω=mBII\dfrac{d^2\theta}{dt^2} = -mB\theta \;\Rightarrow\; \omega = \sqrt{\dfrac{mB}{I}}
T=2πω=2πImBT = \dfrac{2\pi}{\omega} = 2\pi\sqrt{\dfrac{I}{mB}}

  • 12πImB\dfrac{1}{2\pi}\sqrt{\dfrac{I}{mB}} 보기는 12πω\dfrac{1}{2\pi\omega} 에 해당해 계산값과 다르다.
  • 12πmBI\dfrac{1}{2\pi}\sqrt{\dfrac{mB}{I}} 보기는 ω2π\dfrac{\omega}{2\pi}, 곧 진동수(1/s 차원)라 주기가 아니다.
  • 같은 식 12πmBI\dfrac{1}{2\pi}\sqrt{\dfrac{mB}{I}} 으로 인쇄된 나머지 한 보기도 진동수를 나타내므로 주기가 아니다.
문제 8
60[Hz]의 교류 발전기의 회전자가 자속밀도 0.15[Wb/m2]의 자기장 내에서 회전하고 있다. 만일 코일의 면적이 2×10-2[m2]일 때 유도기전력이 최대값 Em=220[V]가 되려면 코일을 약 몇 번 감아야 하는가? (단, ω=2πf=377[rad/sec]이다.)
1195회
2220회
3395회
4440회
정답 및 해설

코일의 권수는 약 195회이다.

회전 코일의 최대 유도기전력은 Em=NBSωE_m=NBS\omega 이다.
N=EmBSω=2200.15×2×10−2×377N=\dfrac{E_m}{BS\omega}=\dfrac{220}{0.15\times 2\times10^{-2}\times 377}
=2201.131≈194.5≈195=\dfrac{220}{1.131}\approx 194.5\approx 195

나머지 보기는 계산값과 다르다.

  • 220회는 계산값과 다르다.
  • 395회는 계산값과 다르다.
  • 440회는 계산값과 다르다.
문제 9
무한장 선로에 균일하게 전하가 분포된 경우 선로로부터 r(m) 떨어진 P점에서의 전계의 세기 E(V/m)는 얼마인가?(단, 선전하 밀도는 ρL(C/m)이다.)
1
2
3
4
정답 및 해설

전계의 세기는 E=ρL2πϵ0rE = \dfrac{\rho_L}{2\pi\epsilon_0 r} 이다. 그림처럼 −∞ 에서 +∞ 까지 뻗은 무한장 선전하에서 거리 r 인 P점을 지나는, 선로를 축으로 한 반지름 r 의 원통을 가우스 면으로 잡는다.

E⋅2πrℓ=ρLℓϵ0  ⇒  E=ρL2πϵ0rE\cdot 2\pi r \ell = \dfrac{\rho_L \ell}{\epsilon_0} \;\Rightarrow\; E = \dfrac{\rho_L}{2\pi\epsilon_0 r}
전계는 선로에 수직인 방사 방향이며 거리 r 에 반비례한다.

  • E=ρL4πϵ0rE = \dfrac{\rho_L}{4\pi\epsilon_0 r} 보기는 원통 옆면 넓이 2πrℓ2\pi r\ell 로 구한 계산값의 절반이라 다르다.
  • E=ρL4πϵ0r2E = \dfrac{\rho_L}{4\pi\epsilon_0 r^2} 보기는 우변이 V/m 가 아닌 V/m2\mathrm{V/m^2} 차원이라 전계가 될 수 없다.
  • E=ρL2πϵ0r2E = \dfrac{\rho_L}{2\pi\epsilon_0 r^2} 보기도 우변이 V/m2\mathrm{V/m^2} 차원이라 전계가 될 수 없다.
문제 10
0.2C의 점전하가 전계 E=5ay+az(V/m) 및 자속밀도 E=2ay+5az(Wb/m2) 내로 속도 v=2ax+3ay(m/s)로 이동할 때 점전하에 작용하는 힘 F(N)은? (단, ax, ay, az는 단위 벡터이다.)
12ax-ay+3az
23ax-ay+az
3ax+ay-2az
45ax+ay-3az
정답 및 해설

점전하에 작용하는 로렌츠 힘은 3ax−ay+az N3a_x-a_y+a_z\ \mathrm{N} 이다.

발문의 두 번째 장은 단위가 Wb/m²(자속밀도)이므로 B⃗=2ay+5az\vec B=2a_y+5a_z 로 읽는다. 전계는 E⃗=5ay+az\vec E=5a_y+a_z 이다.

F⃗=q(E⃗+v⃗×B⃗)\vec F=q(\vec E+\vec v\times\vec B)
v⃗×B⃗=(2,3,0)×(0,2,5)=(15,−10,4)\vec v\times\vec B=(2,3,0)\times(0,2,5)=(15,-10,4)
E⃗+v⃗×B⃗=(15,−5,5)\vec E+\vec v\times\vec B=(15,-5,5)
F⃗=0.2×(15,−5,5)=(3,−1,1) N\vec F=0.2\times(15,-5,5)=(3,-1,1)\ \mathrm{N}

나머지 보기는 계산값과 성분이 다르다.

  • 2ax−ay+3az2a_x-a_y+3a_z 는 계산값과 다르다.
  • ax+ay−2aza_x+a_y-2a_z 는 계산값과 다르다.
  • 5ax+ay−3az5a_x+a_y-3a_z 는 계산값과 다르다.
문제 11
반지름이 5[mm]인 구리선에 10[A]의 전류가 흐르고 있을 때 단위시간당 구리선의 단면을 통과하는 전자의개수는? (단, 전자의 전하량 e=1.602×10-19[C]이다.)
16.24×1017
26.24×1019
31.28×1021
41.28×1023
정답 및 해설

단위시간당 단면을 통과하는 전자 수는 전류를 전자 전하량으로 나눈 값이다.

n=Ie=101.602×10−19≈6.24×1019n=\dfrac{I}{e}=\dfrac{10}{1.602\times10^{-19}}\approx 6.24\times10^{19}
구리선의 반지름은 총 전류가 정해져 있으므로 이 값에 영향을 주지 않는다.

나머지 보기는 계산값과 다르다.

  • 6.24×10176.24\times10^{17}은 계산값과 다르다.
  • 1.28×10211.28\times10^{21}은 계산값과 다르다.
  • 1.28×10231.28\times10^{23}은 계산값과 다르다.
문제 12
투자율을 μ라 하고 공기 중의 투자율 μ0와 비투자율 μs의 관계에서 로 표현된다. 이에 대한 설명으로 알맞은 것은?(단, χ는 자화율이다.)
1χ>0인 경우 역자성체
2χ<0인 경우 상자성체
3μs>1인 경우 비자성체
4μs<1인 경우 역자성체
문제 13
자계의 벡터포텐셜을 A라 할 때 자계의 변화에 의하여 생기는 전계의 세기 E는?
1E=rotA
2rotE=A
3
4
문제 14
공기 중에서 x방향으로 진행하는 전자파가 있다. Ey=3×10-2sinω(x-vt)(V/m), Ez=4×10-2sinω(x-vt)(V/m)일 때 포인팅 벡터의 크기(W/m2)는?
16.63×10-6sin2ω(x-vt)
26.63×10-6cos2ω(x-vt)
36.63×10-4sinω(x-vt)
46.63×10-4cosω(x-vt)
정답 및 해설

서로 직교하는 두 성분을 합성한 전계의 진폭은

Em=Ey2+Ez2=(3×10−2)2+(4×10−2)2=5×10−2 V/mE_m=\sqrt{E_y^2+E_z^2}=\sqrt{(3\times10^{-2})^2+(4\times10^{-2})^2}=5\times10^{-2}\,\mathrm{V/m}

평면파의 포인팅 벡터 순시값 크기는 S=E2η0S=\dfrac{E^2}{\eta_0}이고, 자유공간의 고유임피던스는 η0=120π≈377 Ω\eta_0=120\pi\approx377\,\Omega이다.

전계가 E=5×10−2sin⁡ω(x−vt)E=5\times10^{-2}\sin\omega(x-vt)이므로

S=(5×10−2)2120πsin⁡2ω(x−vt)≈6.63×10−6sin⁡2ω(x−vt) [W/m2]S=\dfrac{(5\times10^{-2})^2}{120\pi}\sin^2\omega(x-vt)\approx6.63\times10^{-6}\sin^2\omega(x-vt)\,[\mathrm{W/m^2}]

전계를 제곱하므로 시간 함수는 사인 제곱 형태가 되고, 크기 계수는 6.63×10−66.63\times10^{-6}이다.

문제 15
자계의 세기 H=xyay-xzaz(A/m)일 때 점(2, 3, 5)에서 전류밀도는 몇 [A/m2]인가?
13ax+5ay
23ay+5az
35ax+3az
45ay+3az
정답 및 해설

전류밀도는 암페어 법칙의 미분형 J = ∇×H로 구한다.

H⃗=(0, xy, −xz)\vec H=(0,\ xy,\ -xz) 이므로
∇×H⃗=(∂Hz∂y−∂Hy∂z, ∂Hx∂z−∂Hz∂x, ∂Hy∂x−∂Hx∂y)=(0, z, y)\nabla\times\vec H=\left(\dfrac{\partial H_z}{\partial y}-\dfrac{\partial H_y}{\partial z},\ \dfrac{\partial H_x}{\partial z}-\dfrac{\partial H_z}{\partial x},\ \dfrac{\partial H_y}{\partial x}-\dfrac{\partial H_x}{\partial y}\right)=(0,\ z,\ y)
점 (2, 3, 5)에서 (0, 5, 3)(0,\ 5,\ 3), 즉 5aya_y + 3aza_z 이다.

나머지 보기는 회전을 계산한 성분과 다르다.

  • 3axa_x + 5aya_y는 x 성분이 0이어야 하고 z 성분이 있어야 하므로 계산값과 다르다.
  • 3aya_y + 5aza_z는 y와 z 성분의 크기가 서로 바뀌어 계산값과 다르다.
  • 5axa_x + 3aza_z는 x 성분이 0이어야 하므로 계산값과 다르다.
문제 16
회로에서 단자 a-b 간에 V의 전위차를 인가할 때 C1의 에너지는?
1
2
3
4
정답 및 해설

병렬부 전압 V1V_1은 V1=C0C0+C1+C2VV_1=\dfrac{C_0}{C_0+C_1+C_2}V 이므로 에너지는 W1=C1V22(C0C0+C1+C2)2W_1=\dfrac{C_1V^2}{2}\left(\dfrac{C_0}{C_0+C_1+C_2}\right)^2 입니다.

그림은 a 쪽에 C0C_0 하나가 있고, 그 뒤에 C1C_1과 C2C_2가 병렬로 b 단자에 이어진 직렬 회로입니다. 직렬 콘덴서에는 같은 전하가 쌓이므로 전압은 정전용량에 반비례해 나뉩니다.

병렬부 합성 C1+C2C_1+C_2, 전체 C=C0(C1+C2)C0+C1+C2C=\dfrac{C_0(C_1+C_2)}{C_0+C_1+C_2}
전하 Q=CVQ=CV, 병렬부 전압 V1=QC1+C2=C0VC0+C1+C2V_1=\dfrac{Q}{C_1+C_2}=\dfrac{C_0V}{C_0+C_1+C_2}
W1=12C1V12=C1V22⋅C02(C0+C1+C2)2W_1=\dfrac{1}{2}C_1V_1^2=\dfrac{C_1V^2}{2}\cdot\dfrac{C_0^2}{(C_0+C_1+C_2)^2}

  • 괄호 안이 C1+C2C0+C1+C2\dfrac{C_1+C_2}{C_0+C_1+C_2} 인 보기는 C0C_0에 걸리는 전압의 비율을 쓴 것이고 앞 계수도 C12C_1^2이어서 계산값과 다르다.
  • 뒤 인자가 C0(C1+C2)(C0+C1+C2)2\dfrac{C_0(C_1+C_2)}{(C_0+C_1+C_2)^2} 인 보기는 전압비의 제곱 C02(C0+C1+C2)2\dfrac{C_0^2}{(C_0+C_1+C_2)^2}과 달라 계산값과 다르다.
  • 뒤 인자가 C02C2C0+C1+C2\dfrac{C_0^2C_2}{C_0+C_1+C_2} 인 보기는 C2C_2가 곱해지고 분모가 제곱이 아니어서 계산값과 다르다.
문제 17
Qℓ=±200πЄ0×103(Cㆍm)인 전기쌍극자에서 ℓ과 r의 사이 각이 π/3이고, r=1m인 점의 전위(V)는?
150π×104
250×103
325×103
45π×104
정답 및 해설

전위는 25×103 V이다. 전기쌍극자의 전위는 V=14πϵ0pcos⁡θr2V = \frac{1}{4\pi\epsilon_0} \frac{p\cos\theta}{r^2}로 주어진다. 여기서 p=Qℓp = Q\ell는 쌍극자 모멘트, θ\theta는 쌍극자 축과 위치벡터 사이의 각이다.

주어진 조건은 Qℓ=±200πϵ0×103Q\ell = \pm 200\pi\epsilon_0 \times 10^3 (Cㆍm), θ=π/3\theta = \pi/3, r=1r = 1 m이다.

전위식에 대입하면
V=14πϵ0200πϵ0×103×cos⁡(π/3)12=14πϵ0×200πϵ0×103×12V = \frac{1}{4\pi\epsilon_0} \frac{200\pi\epsilon_0 \times 10^3 \times \cos(\pi/3)}{1^2} = \frac{1}{4\pi\epsilon_0} \times 200\pi\epsilon_0 \times 10^3 \times \frac{1}{2}
이다. ϵ0\epsilon_0이 약분되어
V=200π×1034π×12=200×1038=25×103V = \frac{200\pi \times 10^3}{4\pi} \times \frac{1}{2} = \frac{200 \times 10^3}{8} = 25 \times 10^3
V가 된다.

문제 18
전속밀도에 대한 설명으로 가장 옳은 것은?
1전속은 스칼라량이기 때문에 전속밀도도 스칼라량이다.
2전속밀도는 전계의 세기의 방향과 반대 방향이다.
3전속밀도는 유전체 내에 분극의 세기와 같다.
4전속밀도는 유전체와 관계없이 크기는 일정하다.
문제 19
와전류와 관련된 설명으로 틀린 것은?
1단위체적당 와류손의 단위는 W/m3이다.
2와전류는 교번자속의 주파수와 최대자속밀도에 비례한다.
3와전류손은 히스테리시스손과 함께 철손이다.
4와전류손을 감소시키기 위하여 성층철심을 사용한다.
정답 및 해설

'와전류는 교번자속의 주파수와 최대자속밀도에 비례한다'는 설명은 와전류가 주파수에 1차 비례한다고 주장하지만, 실제로는 주파수의 제곱(f²)에 비례하므로 틀렸다.

와전류(eddy current) 손실의 크기는 다음 식으로 결정된다: Pe∝f2Bm2t2/ρP_e \propto f^2 B_m^2 t^2 / \rho (f: 주파수, BmB_m: 최대자속밀도, t: 철판 두께, ρ: 저항률).

  • 단위체적당 와류손의 단위는 W/m³: 철손의 단위가 W/m³으로 정확하다.
  • 와전류손은 히스테리시스손과 함께 철손: 와전류손이 히스테리시스손과 함께 철손의 구성 요소라는 점이 맞다.
  • 성층철심 사용: 성층철심이 와전류의 경로를 단절하여 손실을 감소시키는 표준적 방법이 맞다.
문제 20
무한장 직선도체가 있다. 이 도체로부터 수직으로 0.1m 떨어진 점의 자계의 세기가 180AT/m이다. 이 도체로부터 수직으로 0.3m 떨어진 점의 자계의 세기(AT/m)는?
120
260
3180
4540
정답 및 해설

무한장 직선도체의 자계 세기는 거리에 반비례하므로 60AT/m이다.

H=I2πr∝1rH=\dfrac{I}{2\pi r}\propto\dfrac{1}{r}
H2=180×0.10.3=60 AT/mH_2=180\times\dfrac{0.1}{0.3}=60\ \mathrm{AT/m}

나머지 보기는 계산값과 다르다.

  • 20은 거리의 제곱에 반비례한다고 본 값(180의 9분의 1)으로, 직선 전류의 자계는 거리에 반비례하므로 다르다.
  • 180은 거리에 관계없이 같다고 본 값으로, 직선 전류의 자계는 거리에 반비례하므로 다르다.
  • 540은 거리에 비례한다고 본 값으로, 직선 전류의 자계는 거리에 반비례하므로 다르다.
문제 21
이상 변압기의 조건으로 옳은 것은?
1와류 손실은 약간 있다.
2동손, 철손은 약간 있다.
3두 코일간의 결합계수가 1이다.
4각 코일의 인덕턴스는 ∞가 아니다.
정답 및 해설

이상 변압기는 두 코일의 결합계수가 1이다.

이상 변압기는 누설 자속이 없고(결합계수 1), 권선 저항과 철심 손실이 없으며, 권선의 인덕턴스는 무한대인 것으로 본다.

나머지 보기는 이상 변압기의 조건과 맞지 않는다.

  • 와류 손실은 약간 있다는 서술은 이상 변압기가 철심 손실이 없는 것으로 보는 것과 맞지 않는다.
  • 동손과 철손이 약간 있다는 서술은 이상 변압기가 권선 저항과 철심 손실을 모두 없는 것으로 보는 것과 맞지 않는다.
  • 각 코일의 인덕턴스가 무한대가 아니라는 서술은 이상 변압기가 인덕턴스를 무한대로 보는 것과 맞지 않는다.
문제 22
리액턴스 함수가 로 표시되는 리액턴스 2단자망은?
1
2
3
4
정답 및 해설

주어진 Z(s)=3ss2+9Z(s)=\dfrac{3s}{s^2+9} 는 L = 1/3 H 와 C = 1/3 F 의 병렬 회로입니다.

L·C 병렬의 임피던스를 구해 계수를 맞춥니다.
Z(s)=sL⋅1sCsL+1sC=1Css2+1LCZ(s)=\dfrac{sL\cdot\frac{1}{sC}}{sL+\frac{1}{sC}}=\dfrac{\frac{1}{C}s}{s^2+\frac{1}{LC}}
1C=3⇒C=13 F\dfrac{1}{C}=3\Rightarrow C=\dfrac{1}{3}\,\mathrm{F}, 1LC=9⇒L=19C=13 H\dfrac{1}{LC}=9\Rightarrow L=\dfrac{1}{9C}=\dfrac{1}{3}\,\mathrm{H}

주어진 함수는 s=0s=0에서 0, s=±j3s=\pm j3에서 무한대(극)가 되는 형태로, 직류에서 단락·공진에서 개방되는 병렬 공진 특성입니다.

  • 1/3 H 와 1/3 F 의 직렬 보기는 Z(s)=sL+1sCZ(s)=sL+\dfrac{1}{sC} 로 s=0s=0에서 무한대가 되어 주어진 함수와 다르다.
  • 3 H 와 1/3 F 의 직렬 보기도 직렬 연결이라 s=0s=0에서 무한대가 되어 주어진 함수와 다르다.
  • 3 H 와 1/3 F 의 병렬 보기는 Z(s)=3ss2+1Z(s)=\dfrac{3s}{s^2+1} 이 되어 극의 위치가 계산값과 다르다.
문제 23
회로의 영상 임피던스 Z01은 약 얼마인가?
14.1[Ω]
25.2[Ω]
36.3[Ω]
47.4[Ω]
정답 및 해설

영상 임피던스 Z01Z_{01}은 약 5.2Ω 입니다.

그림은 입력 쪽 직렬 Z1=3 ΩZ_1=3\,\Omega, 출력 쪽 병렬 Z2=6 ΩZ_2=6\,\Omega 인 L형 회로입니다. 전송 파라미터는
A=1+Z1Z2=1.5,  B=Z1=3,  C=1Z2=16,  D=1A=1+\dfrac{Z_1}{Z_2}=1.5,\; B=Z_1=3,\; C=\dfrac{1}{Z_2}=\dfrac{1}{6},\; D=1

Z01=ABCD=1.5×316×1=27≈5.196 ΩZ_{01}=\sqrt{\dfrac{AB}{CD}}=\sqrt{\dfrac{1.5\times 3}{\frac{1}{6}\times 1}}=\sqrt{27}\approx 5.196\,\Omega 이므로 약 5.2Ω 입니다.

  • 4.1Ω 보기는 계산값과 다르다.
  • 6.3Ω 보기는 계산값과 다르다.
  • 7.4Ω 보기는 계산값과 다르다.
문제 24
다음 그림의 교류 회로에서 R에 전류가 흐르지 않기 위한 조건으로 옳은 것은?
1
2ωM=ωL2
3
4
문제 25
f(t)=sint cost 를 라플라스 변환 하면?
11/(S2+2)
21/(S2+4)
31/((S+2)2)
41/((S+4)2)
정답 및 해설

sin⁡tcos⁡t\sin t\cos t의 라플라스 변환은 삼각함수 배각 공식으로 정리해 구한다.

sin⁡tcos⁡t=12sin⁡2t\sin t\cos t=\dfrac{1}{2}\sin 2t
L[12sin⁡2t]=12⋅2s2+22=1s2+4\mathcal{L}\left[\dfrac12\sin2t\right]=\dfrac12\cdot\dfrac{2}{s^2+2^2}=\dfrac{1}{s^2+4}

나머지 보기는 변환 형태가 맞지 않는다.

  • 1s2+2\dfrac{1}{s^2+2}은 분모의 상수가 ω2=4\omega^2=4가 아니므로 계산값과 다르다.
  • 1(s+2)2\dfrac{1}{(s+2)^2}은 te−2tte^{-2t}의 변환이다.
  • 1(s+4)2\dfrac{1}{(s+4)^2}은 te−4tte^{-4t}의 변환이다.
문제 26
한 코일의 전류가 매초 60[A]의 비율로 변화할 때 다른 코일에는 30[V]의 기전력이 발생하는 경우에 두 코일의 상호 인덕턴스[H]는?
12
21.5
31
40.5
정답 및 해설

상호 인덕턴스는 유도기전력을 전류 변화율로 나눈 값이다.

e=Mdidte=M\dfrac{di}{dt}
M=edi/dt=3060=0.5 HM=\dfrac{e}{di/dt}=\dfrac{30}{60}=0.5\ \mathrm{H}

나머지 보기는 계산값과 다르다.

  • 2H는 계산값과 다르다.
  • 1.5H는 계산값과 다르다.
  • 1H는 계산값과 다르다.
문제 27
h 파라미터 중 단락 순방향 전류 이득은?
1h11
2h21
3h12
4h22
정답 및 해설

단락 순방향 전류 이득은 h21h_{21}이다.

h 파라미터에서 h21=I2I1∣V2=0h_{21}=\dfrac{I_2}{I_1}\Big|_{V_2=0} 이며, 출력을 단락했을 때의 전류비이다.

나머지 보기는 다른 양을 나타낸다.

  • h11h_{11}은 출력 단락 시 입력 임피던스이다.
  • h12h_{12}는 입력 개방 시 역방향 전압 귀환비이다.
  • h22h_{22}는 입력 개방 시 출력 어드미턴스이다.
문제 28
R=8[Ω], XL=8[Ω], XC=2[Ω]인 R-L-C 직렬회로에 정현파 전압 V=100[V]를 인가할 때 흐르는 전류는?
110[A]
220[A]
330[A]
440[A]
정답 및 해설

직렬 RLC 회로의 전류는 전압을 합성 임피던스로 나눈 값이다.

Z=R+j(XL−XC)=8+j(8−2)=8+j6Z=R+j(X_L-X_C)=8+j(8-2)=8+j6
∣Z∣=82+62=10 Ω|Z|=\sqrt{8^2+6^2}=10\ \Omega
I=V∣Z∣=10010=10 AI=\dfrac{V}{|Z|}=\dfrac{100}{10}=10\ \mathrm{A}

나머지 보기는 계산값과 다르다.

  • 20A는 계산값과 다르다.
  • 30A는 계산값과 다르다.
  • 40A는 계산값과 다르다.
문제 29
고유저항 ρ, 반지름 r, 길이 ℓ인 전선의 저항이 R일 때, 같은 재료로 반지름은 m배, 길이는 n배로 하면 저항은 몇 배가 되는가?
1m2/n
2m/n
3n/m
4n/m2
정답 및 해설

저항은 길이에 비례하고 단면적(반지름의 제곱)에 반비례하므로 n/m2n/m^2배가 된다.

R=ρℓπr2R=\rho\dfrac{\ell}{\pi r^2}
R′=ρnℓπ(mr)2=nm2RR'=\rho\dfrac{n\ell}{\pi (mr)^2}=\dfrac{n}{m^2}R

나머지 보기는 계산값과 다르다.

  • m2/nm^2/n은 비례·반비례 관계가 거꾸로 된 값이다.
  • m/nm/n은 비례·반비례 관계가 거꾸로이고, 단면적이 반지름의 제곱에 비례함도 반영하지 않은 값이다.
  • n/mn/m은 단면적이 반지름의 제곱에 비례함을 반영하지 않은 값이다.
문제 30
시간 a만큼 옮겨진 그림과 같은 단위 계단 함수를 라플라스 변환하면?
1
2
3
4
정답 및 해설

크기 3 인 계단이 t=at=a에서 시작하므로 라플라스 변환은 3se−as\dfrac{3}{s}e^{-as} 입니다.

그림의 함수는 f(t)=3u(t−a)f(t)=3u(t-a) 입니다. 단위 계단 u(t)u(t)의 변환 1s\dfrac{1}{s}에 시간 추이 정리 L[g(t−a)u(t−a)]=e−asG(s)\mathcal{L}[g(t-a)u(t-a)]=e^{-as}G(s) 를 적용하면 F(s)=3se−asF(s)=\dfrac{3}{s}e^{-as} 입니다.

  • 3s(1−e−as)\dfrac{3}{s}(1-e^{-as}) 보기는 3u(t)−3u(t−a)3u(t)-3u(t-a), 곧 0부터 a 까지만 3 인 구형 펄스의 변환이어서 계산값과 다르다.
  • 3−e−as3-e^{-as} 보기는 계단 변환에 있어야 할 1s\dfrac{1}{s} 인자가 없어 계산값과 다르다.
  • 계수가 13\dfrac{1}{3} 인 보기는 크기 3 이 분자에 오지 않고 1s\dfrac{1}{s} 인자도 없어 계산값과 다르다.
문제 31
2개 이상의 전원을 내포한 선형 회로에서 어떤 가지에 흐르는 전류나 단자의 전압을 해석하는데 사용하는 것은?
1중첩의 원리
2치환정리
3Thevenin의 정리
4Norton의 정리
문제 32
일 때 e1+e2의 실효치는 약 얼마인가?
1√4400
2√3900
3√3100
4√2900
정답 및 해설

e1+e2e_1+e_2의 실효값은 3100\sqrt{3100} 입니다.

그림의 식은 e1=102sin⁡te_1=10\sqrt{2}\sin t, e2=502cos⁡(t−π6)e_2=50\sqrt{2}\cos\left(t-\dfrac{\pi}{6}\right) 입니다. cos 을 sin 으로 바꾸면 e2=502sin⁡(t+π3)e_2=50\sqrt{2}\sin\left(t+\dfrac{\pi}{3}\right) 이므로 두 전압은 같은 주파수이고 위상차가 60°입니다.

실효값 페이저로 더하면
E=10∠0∘+50∠60∘=(10+25)+j 253E=10\angle 0^\circ+50\angle 60^\circ=(10+25)+j\,25\sqrt{3}
∣E∣2=352+(253)2=1225+1875=3100|E|^2=35^2+(25\sqrt{3})^2=1225+1875=3100, ∣E∣=3100|E|=\sqrt{3100}

  • 4400\sqrt{4400} 보기는 계산값과 다르다.
  • 3900\sqrt{3900} 보기는 계산값과 다르다.
  • 2900\sqrt{2900} 보기는 계산값과 다르다.
문제 33
그림과 같은 파형을 실수 푸리에 급수로 전개할 때 다음에서 옳은 것은?
1sin항, cos항을 쓰면 유한항으로 전개된다.
2sin항, cos항 모두 있다.
3cos항은 없다.
4sin항은 없다.
정답 및 해설

그림의 삼각파는 우함수이므로 푸리에 급수에 sin 항은 없습니다.

파형은 t=0t=0에서 0, t=±πt=\pm\pi에서 최댓값 π\pi, t=±2πt=\pm 2\pi에서 다시 0 이 되는 주기 2π2\pi의 삼각파로, 한 주기 안에서 f(t)=∣t∣f(t)=|t| 입니다. 세로축에 대해 좌우 대칭 f(−t)=f(t)f(-t)=f(t) 이므로 bn=0b_n=0 입니다.

코사인 계수는
a0=π2,an=2π∫0πtcos⁡nt dt=2((−1)n−1)πn2a_0=\dfrac{\pi}{2},\quad a_n=\dfrac{2}{\pi}\int_0^{\pi}t\cos nt\,dt=\dfrac{2\left((-1)^n-1\right)}{\pi n^2}
로 홀수 n 에서 −4πn2-\dfrac{4}{\pi n^2} 이 끝없이 이어집니다.

  • sin 항·cos 항을 쓰면 유한항으로 전개된다는 보기는 홀수 차 코사인 계수가 모든 홀수 n 에서 0 이 아니어서 무한급수가 되므로 틀리다.
  • sin 항과 cos 항이 모두 있다는 보기는 우함수라 bn=0b_n=0 이므로 틀리다.
  • cos 항은 없다는 보기는 ana_n이 홀수 n 에서 0 이 아니므로 틀리다.
문제 34
다음 회로망의 합성 저항은?
16[Ω]
212[Ω]
330[Ω]
450[Ω]
정답 및 해설

합성 저항은 12Ω 입니다.

그림은 위 꼭짓점에서 왼쪽 15Ω·오른쪽 10Ω, 아래 꼭짓점으로 왼쪽 15Ω·오른쪽 10Ω 이 이어지고 가운데 두 마디 사이에 30Ω 이 걸린 브리지 회로입니다. 왼쪽 마디 전위는 15Ω 과 15Ω 으로, 오른쪽 마디 전위는 10Ω 과 10Ω 으로 나뉘어 둘 다 전원 전압의 절반이므로 평형 조건 15×10=10×1515\times 10=10\times 15 이 성립해 30Ω 에는 전류가 흐르지 않습니다.

30Ω 을 떼어 내면
R=(15+15)∥(10+10)=30×2030+20=12 ΩR=(15+15)\parallel(10+10)=\dfrac{30\times 20}{30+20}=12\,\Omega

  • 6Ω 보기는 계산값과 다르다.
  • 30Ω 보기는 계산값과 다르다.
  • 50Ω 보기는 계산값과 다르다.
문제 35
두 회로 간에 쌍대 관계가 옳지 않은 것은?
1KㆍVㆍL → KㆍCㆍL
2테브난 정리 → 노튼 정리
3전압원 → 전류원
4폐로전류 → 절점전류
정답 및 해설

폐로전류의 쌍대는 절점전류가 아니라 절점전압이다.

쌍대 관계에서는 전압과 전류, 직렬과 병렬, 폐로(망로)와 절점이 서로 짝을 이룬다. 따라서 폐로전류에는 절점전압이 대응한다.

나머지 보기는 옳은 쌍대 관계이다.

  • 키르히호프 전압 법칙의 쌍대는 키르히호프 전류 법칙이다.
  • 테브난 정리의 쌍대는 노턴 정리이다.
  • 전압원의 쌍대는 전류원이다.
문제 36
기본파의 10[%]인 제3고조파와 20[%]인 제5고조파를 포함하는 전압파의 왜형률은 약 얼마인가?
10.5
20.42
30.31
40.22
정답 및 해설

왜형률은 고조파 실효값의 합성값을 기본파로 나눈 값이다.

THD=V32+V52V1=0.12+0.22THD=\dfrac{\sqrt{V_3^2+V_5^2}}{V_1}=\sqrt{0.1^2+0.2^2}
=0.05≈0.22=\sqrt{0.05}\approx 0.22

나머지 보기는 계산값과 다르다.

  • 0.5는 계산값과 다르다.
  • 0.42는 계산값과 다르다.
  • 0.31은 계산값과 다르다.
문제 37
회로에 60+j80[V]인 전압을 인가하여 4+j1[A] 전류가 흐를 때 소비되는 유효전력은?
1140[W]
2320[W]
3480[W]
4500[W]
문제 38
RC 직렬회로에서 직류전압을 인가할 때 전류값이 초기값의 e-2배가 되는 시간[s]은?
12RC
2RC
3C/R
41/RC
정답 및 해설

RC 직렬회로의 전류는 시정수 RC로 지수 감쇠하며, 초기값의 e−2e^{-2}배가 되는 시간은 2RC이다.

i(t)=I0e−t/RC=I0e−2i(t)=I_0e^{-t/RC}=I_0e^{-2}
tRC=2 ⇒ t=2RC\dfrac{t}{RC}=2\ \Rightarrow\ t=2RC

나머지 보기는 계산값과 다르다.

  • RC는 초기값의 e−1e^{-1}배가 되는 시간(시정수)이다.
  • C/R은 시간의 차원이 아니므로 시간이 될 수 없다.
  • 1/RC는 시간의 역수인 주파수 차원이므로 시간이 될 수 없다.
문제 39
그림의 T형 4단자 회로에 대한 전송 파라미터 D는?
1
2
3
4
정답 및 해설

T형 회로의 전송 파라미터 D 는 1+Z2Z31+\dfrac{Z_2}{Z_3} 입니다.

그림은 직렬 가지 Z1Z_1(입력 쪽)·Z2Z_2(출력 쪽), 병렬 가지 Z3Z_3 인 T형입니다. V1=AV2+BI2,  I1=CV2+DI2V_1=AV_2+BI_2,\; I_1=CV_2+DI_2 에서 출력 단락(V2=0V_2=0) 시 D=I1I2D=\dfrac{I_1}{I_2} 입니다.

단락 시 I1I_1은 Z2Z_2와 Z3Z_3로 나뉘므로 I2=Z3Z2+Z3I1I_2=\dfrac{Z_3}{Z_2+Z_3}I_1
D=Z2+Z3Z3=1+Z2Z3D=\dfrac{Z_2+Z_3}{Z_3}=1+\dfrac{Z_2}{Z_3}

  • Z1+Z2+Z1Z2Z3Z_1+Z_2+\dfrac{Z_1Z_2}{Z_3} 보기는 임피던스 차원의 B 파라미터로, 무차원인 D 와 다르다.
  • 1+Z1Z31+\dfrac{Z_1}{Z_3} 보기는 출력 개방(I2=0I_2=0) 시 V1V2\dfrac{V_1}{V_2}인 A 파라미터여서 D 와 다르다.
  • 1Z3\dfrac{1}{Z_3} 보기는 어드미턴스 차원의 C 파라미터로, 무차원인 D 와 다르다.
문제 40
100[μF]의 콘덴서에 100[V], 60[Hz]의 교류전압을 가할 때 무효전력은?
1-40π[Var]
2-60π[Var]
3-120π[Var]
4-240π[Var]
정답 및 해설

콘덴서의 무효전력은 -V2V^2ωC\omega C이다.

Q=−V2ωC=−1002×(2π×60)×100×10−6Q=-V^2\omega C=-100^2\times(2\pi\times60)\times100\times10^{-6}
=−120π Var=-120\pi\ \mathrm{Var}

나머지 보기는 계산값과 다르다.

  • −40π-40\pi[Var]은 계산값과 다르다.
  • −60π-60\pi[Var]은 계산값과 다르다.
  • −240π-240\pi[Var]은 계산값과 다르다.
문제 41
다음 회로에서 VCE는 약 몇 [V]인가? (단, βDC는 100이다.)
13.4
25.7
36.2
47.6
문제 42
전가산기를 반가산기 몇 개와 어떤 논리 게이트 몇 개로 구성하는 것이 가장 적당한가?
1반가산기 2개, AND 게이트 1개
2반가산기 2개, OR 게이트 2개
3반가산기 3개, OR 게이트 1개
4반가산기 2개, OR 게이트 1개
문제 43
R-L-C 병렬 공진회로에서 선택도(Q)를 높게 하려면?
1R 값을 크게 한다.
2R 값을 작게 한다.
3C 값을 작게 한다.
4L 값을 크게 한다.
정답 및 해설

병렬 공진 회로의 선택도는 R을 크게 할수록 높아진다.

Q=RCLQ=R\sqrt{\dfrac{C}{L}} 이므로 R이 크고, C가 크고, L이 작을수록 Q가 높다.

나머지 보기는 선택도를 낮춘다.

  • R 값을 작게 하면 Q가 R에 비례해 낮아진다.
  • C 값을 작게 하면 C/L\sqrt{C/L}가 줄어 Q가 낮아진다.
  • L 값을 크게 하면 C/L\sqrt{C/L}가 줄어 Q가 낮아진다.
문제 44
QAM(직교진폭변조) 방식에 대한 설명으로 옳은 것은?
1FSK 변조방식의 일종이다.
2AM 변조방식과 FSK 변조방식을 혼합한 것이다.
3FSK 변조방식과 PSK 변조방식을 혼합한 것이다.
4정보신호에 따라 반송파의 진폭과 위상을 변화시키는 APK 변조방식의 한 종류이다.
정답 및 해설

QAM은 정보 신호에 따라 반송파의 진폭과 위상을 함께 변화시키는 APK 변조의 한 종류이다.

서로 직교하는 두 반송파(cos, sin)를 각각 진폭 변조해 합치므로 진폭과 위상이 동시에 변한다. 반송파 주파수는 변하지 않는다.

나머지 보기는 QAM의 구성과 맞지 않는다.

  • FSK 변조방식의 일종이라는 서술은 QAM이 주파수를 바꾸지 않는 것과 맞지 않는다.
  • AM과 FSK를 혼합한 것이라는 서술은 QAM이 주파수를 바꾸지 않는 것과 맞지 않는다.
  • FSK와 PSK를 혼합한 것이라는 서술은 QAM이 주파수를 바꾸지 않는 것과 맞지 않는다.
문제 45
짧은 ON 시간과 긴 OFF 시간을 가지며 펄스신호를 사용하는 증폭기회로에서 주로 쓰이는 증폭기는?
1A급
2B급
3C급
4D급
문제 46
이상적인 연산 증폭기에서 입력 바이어스 전류에 대해 옳은 것은?
1V0 = 0일 때 (IB1 + IB2) / 2
2V0 = ∞일 때 (IB1 + IB2) / 2
3V0 = 0일 때 (IB1 + IB2)
4V0 = ∞일 때 (IB1 + IB2)
문제 47
정류회로에서 전압 안정계수가 0.01일 때 정전압회로의 입력 전압이 ±5[V] 변화하면 출력 전압은?
1±40[mV]
2±50[mV]
3±60[mV]
4±70[mV]
정답 및 해설

전압 안정계수는 입력 변화에 대한 출력 변화의 비이므로 출력 변동은 ±50mV이다.

SV=ΔVoΔViS_V=\dfrac{\Delta V_o}{\Delta V_i}
ΔVo=0.01×(±5)=±0.05 V=±50 mV\Delta V_o=0.01\times(\pm5)=\pm0.05\ \mathrm{V}=\pm50\ \mathrm{mV}

나머지 보기는 계산값과 다르다.

  • ±40mV는 계산값과 다르다.
  • ±60mV는 계산값과 다르다.
  • ±70mV는 계산값과 다르다.
문제 48
트랜지스터를 베이스 접지에서 이미터 접지로 해서 ICEO가 50배가 되었을 때 트랜지스터의 β는?
149
250
359
4120
정답 및 해설

이미터 접지의 차단 전류는 ICEO = (1+β)ICBO이다.

ICEOICBO=1+β=50\dfrac{I_{CEO}}{I_{CBO}}=1+\beta=50
β=49\beta=49

나머지 보기는 계산값과 다르다.

  • β=50\beta=50이면 전류비가 51배가 되어 계산값과 다르다.
  • β=59\beta=59이면 전류비가 60배가 되어 계산값과 다르다.
  • β=120\beta=120이면 전류비가 121배가 되어 계산값과 다르다.
문제 49
압전현상을 이용하여 안정도가 높은 발진주파수를 얻는 발진기는?
1VCO
2빈브리지 발진기
3수정 발진기
4hartley 발진기
문제 50
위상천이(이동)형 RC 발진기에 대한 설명으로 옳은 것은?
1펄스 발진기로 많이 사용된다.
2100[MHz]대의 높은 주파수 발진용으로 적합하다.
3발진을 계속하기 위해서 증폭도는 29보다 작아야 한다.
4병렬 저항형 이상형 발진기의 발진주파수는 1/2π√RC[Hz]이다.
문제 51
부귀환 입력임피던스 변화에 대한 설명으로 틀린것은?
1전류 병렬 귀환시 입력임피던스는 감소한다.
2전류 직렬 귀환시 입력임피던스는 감소한다.
3전압 병렬 귀환시 입력임피던스는 감소한다.
4전압 직렬 귀환시 입력임피던스는 감소한다.
문제 52
다음 회로의 명칭으로 가장 적합한 것은?
1평형 변조회로
2전파 정류회로
3배전압 정류회로
4반파 정류회로
문제 53
2진 디지털 부호의 정보 내용에 따라 반송파의 위상을 두 가지로 천이되도록 하는 변조방식은?
1FSK 방식
2PSK 방식
3ASK 방식
4QAM 방식
정답 및 해설

2진 부호에 따라 반송파의 위상을 두 가지로 천이시키는 방식은 PSK이다.

PSK는 반송파의 위상에 정보를 싣는다. 2진 PSK(BPSK)는 두 가지 위상(예: 0°와 180°)을 쓴다.

나머지 보기는 변화시키는 요소가 다르다.

  • FSK는 반송파의 주파수를 바꾸는 방식이다.
  • ASK는 반송파의 진폭을 바꾸는 방식이다.
  • QAM은 진폭과 위상을 함께 바꾸는 방식이다.
문제 54
B급 푸시풀(Push-Pull) 증폭기의 특징이 아닌 것은?
1트랜지스터의 비선형 특성에서 오는 일그러짐이 증가한다.
2우수 고조파가 상쇄되어 일그러짐이 적다.
3차단 상태 부근에 바이어스 되어 있다.
4컬렉터 효율이 높다.
문제 55
교류전압에 직류전압을 더하는 것으로 직류 복원기(DC Restorer)라고 하는 회로는?
1클램퍼
2제너제한
3리미터
4체배기
정답 및 해설

교류 신호에 직류 레벨을 더해 파형 전체를 위나 아래로 옮기는 회로는 클램퍼이며, 직류 복원기라고도 한다.

콘덴서가 한 방향으로 충전되어 직류 성분을 공급하므로 파형의 모양은 유지된 채 기준 레벨만 이동한다.

  • 제너제한은 제너 다이오드로 전압의 크기를 일정 수준에서 잘라내는 회로이므로 직류 레벨을 더하는 회로가 아니다.
  • 리미터는 입력 파형의 일부를 일정 레벨에서 잘라내는 회로이므로 직류 레벨을 더하는 회로가 아니다.
  • 체배기는 입력 전압의 정수 배 직류 전압을 얻는 정류 회로이므로 직류 복원기가 아니다.
문제 56
다음 회로는 어떤 회로인가?
1전류귀환 증폭회로
2전압귀환 증폭회로
3임피던스귀환 증폭회로
4어드미턴스귀환 증폭회로
문제 57
J-K 플립플롭의 J와 K 입력단자를 하나로 묶어 놓은 플립플롭으로 1을 인가하면 출력이 토글되는 플립플롭은?
1RS 플립플롭
2D 플립플롭
3T 플립플롭
4RS 마스터 슬레이브 플립플롭
정답 및 해설

J와 K를 묶어 하나의 입력으로 만든 플립플롭이 T 플립플롭이며, 입력이 1이면 클록마다 출력이 반전(토글)된다.

J-K 플립플롭의 특성식은 Q+=JQ‾+K‾QQ^{+}=J\overline{Q}+\overline{K}Q 이고, J=K=TJ=K=T 로 놓으면 Q+=TQ‾+T‾QQ^{+}=T\overline{Q}+\overline{T}Q 가 된다. 토글 조건은 T=1T=1 이면 Q+=Q‾Q^{+}=\overline{Q} 이므로 토글한다.

  • RS 플립플롭은 입력이 둘 다 1이면 출력이 불확정이라 금지 입력이며, 토글 동작이 없다.
  • D 플립플롭은 입력 하나의 값을 그대로 출력으로 옮기므로 1을 인가하면 토글이 아니라 1로 세트된다.
  • RS 마스터 슬레이브 플립플롭은 두 입력이 모두 1인 경우가 금지되므로 토글 동작을 하지 못한다.
문제 58
연산증폭기의 일반적인 특징에 대한 설명으로 옳은 것은?
1주파수 대역폭이 좁다.
2입력 임피던스가 낮다.
3동상신호제거비가 크다.
4온도변화에 따른 드리프트가 크다.
문제 59
FET의 핀치오프(Pinch off) 전압에 대한 설명으로 틀린 것은?
1불순물 농도에 비례한다.
2채널 폭의 자승에 비례한다.
3캐리어(Carrier)의 전하량에 반비례한다.
4채널(Channel)이 완전히 막히는 상태에 이르는 전압이다.
문제 60
다음 회로는 βDC=100이고, RC=1[kΩ], RE=470[Ω]인 트랜지스터의 베이스에서 바라본 직류 입력저항은?
11[kΩ]
247[kΩ]
3100[kΩ]
4470[kΩ]
정답 및 해설

베이스에서 바라본 직류 입력저항은 이미터 저항이 β배로 보이는 값이므로 약 47kΩ이다.

그림은 NPN 트랜지스터의 컬렉터에 RCR_C를 거쳐 +VCC+V_{CC}, 이미터에 RER_E를 거쳐 접지가 연결되고 베이스가 입력 단자인 회로이다.
베이스 전류 IBI_B가 흐르면 RER_E에는 IE=(βDC+1)IBI_E = (\beta_{DC} + 1) I_B가 흘러 베이스 쪽에서 본 저항이 RIN=(βDC+1)RE≈βDCRER_{IN} = (\beta_{DC} + 1) R_E \approx \beta_{DC} R_E가 된다.
RIN≈100×470=47000 Ω=47 kΩR_{IN} \approx 100 \times 470 = 47000\,\Omega = 47\,\mathrm{k\Omega}
정밀식으로도 101×470=47470 Ω≈47 kΩ101 \times 470 = 47470\,\Omega \approx 47\,\mathrm{k\Omega}로 같다.

  • 1kΩ 보기는 컬렉터 저항 RCR_C 값으로, 컬렉터 쪽 저항은 베이스 입력저항 계산에 들어가지 않아 계산값과 다르다.
  • 100kΩ 보기는 계산값과 다르다.
  • 470kΩ 보기는 계산값과 다르다.
문제 61
페르미 준위에 대한 설명으로 틀린 것은?
1T=0[K]가 아닌 경우 전자의 존재 확률은 50%가 된다.
20[K]에서 전자의 최고 에너지가 된다.
30[K]에서 n형 반도체의 경우 전도대와 도너준위 사이에 위치한다.
4진성 반도체의 경우 온도와 무관하게 전도대에 위치한다.
문제 62
순방향 전압이 걸린 PN 접합(부)의 특성을 설명한 것으로 옳지 않은 것은?
1접합부의 저항은 외부 전압에 따라 변한다.
2접합부의 저항은 전류에 반비례한다.
3접합부의 저항은 온도와 무관하다.
4접합부에는 전압이 생긴다.
정답 및 해설

순방향 PN 접합의 저항은 온도에 따라 변하므로 온도와 무관하다는 서술이 옳지 않다.

순방향 동저항은 r=VTIr=\dfrac{V_T}{I} 이고 VT=kTqV_T=\dfrac{kT}{q} 이므로 온도에 비례하고 전류에 반비례한다. 따라서 온도가 바뀌면 저항도 변한다.

나머지 보기는 모두 옳은 내용이다.

  • 접합부의 저항이 외부 전압에 따라 변한다는 보기는 전압이 바뀌면 전류가 지수적으로 바뀌어 저항이 변하므로 옳은 내용이다.
  • 접합부의 저항이 전류에 반비례한다는 보기는 r=VT/Ir=V_T/I 와 일치하므로 옳은 내용이다.
  • 접합부에 전압이 생긴다는 보기는 접합부에 접촉 전위차(장벽 전위)가 존재하므로 옳은 내용이다.
문제 63
어떤 광자가 물질을 통과한 후 2537Å 및 4078Å의 두 광자로 분리되었을 때, 원래 조사한 빛의 파장은?
11270Å
21564Å
32040Å
46615Å
정답 및 해설

에너지 보존에서 광자 에너지 E=hcλE=\dfrac{hc}{\lambda} 가 보존되므로 원래 빛의 파장은 두 파장의 역수 합으로 구하며 약 1564 Å 이다.

1λ=12537+14078\dfrac{1}{\lambda}=\dfrac{1}{2537}+\dfrac{1}{4078}
λ=2537×40782537+4078≈1564 A˚\lambda=\dfrac{2537\times4078}{2537+4078}\approx1564\,\mathrm{\AA}

  • 1270 Å 는 계산값과 다르다.
  • 2040 Å 는 계산값과 다르다.
  • 6615 Å 는 계산값과 다르다.
문제 64
트랜지스터의 증폭회로에서 안정도(stability factor)는? (단, IC는 컬렉터 전류, IB는 베이스 전류, ICD는 컬렉터 역포화 전류)
1
2
3
4
정답 및 해설

트랜지스터 바이어스의 안정도(안정계수) S는 컬렉터 역포화 전류 변화에 대한 컬렉터 전류 변화의 비이므로 S=ΔICΔICOS = \dfrac{\Delta I_C}{\Delta I_{CO}}이다.

온도가 오르면 ICOI_{CO}가 늘고 그만큼 ICI_C가 늘어나는데, 그 증가 비율을 나타낸 값이 S이다. 따라서 S가 작을수록 ICOI_{CO} 변동이 ICI_C에 덜 전달되어 동작점이 안정하다.

  • 분자가 ΔICO\Delta I_{CO}, 분모가 ΔIC\Delta I_C인 보기는 정의의 역수여서 틀리다.
  • 분자가 ΔICO\Delta I_{CO}, 분모가 ΔIB\Delta I_B인 보기는 컬렉터 전류 변화가 들어 있지 않아 정의와 다르다.
  • 분자가 ΔIB\Delta I_B, 분모가 ΔICO\Delta I_{CO}인 보기도 컬렉터 전류 변화가 들어 있지 않아 정의와 다르다.
문제 65
트랜지스터의 전류이득 α를 크게 하는 조건으로 틀린 것은?
1베이스폭을 좁게 한다.
2이미터의 도핑(doping)을 베이스의 도핑보다 크게 한다.
3캐리어의 수명을 길게 한다.
4이미터 전류를 크게 한다.
문제 66
정상 바이어스를 가한 npn 트랜지스터에서 컬렉터 접합에 흐르는 주된 전류는?
1확산 전류
2드리프트 전류
3정공 전류
4베이스 전류와 같다.
문제 67
금속내부의 자유전자에 에너지를 공급하면 금속 밖으로 튀어나오는 현상이 아닌 것은?
1열전자방출
2광전자방출
3전계방출
4저항방출
문제 68
터널(tunnel) 다이오드에 대한 설명으로 틀린것은?
1음성 저항(Negative resistance) 특성을 가진다.
2N형 반도체의 페르미 준위는 금지대 내에 존재한다.
3P형 반도체의 페르미 준위는 가전자대 내에 존재한다.
4능동소자로서 발진기로 사용한다.
정답 및 해설

터널 다이오드는 불순물을 매우 많이 도핑한 축퇴 반도체이므로 N형의 페르미 준위는 전도대 안에 있다. 금지대 안에 있다는 서술이 틀리다.

불순물 농도가 매우 높아 N형은 전도대 안, P형은 가전자대 안에 페르미 준위가 놓이며 이 때문에 터널 현상이 일어난다.

나머지 보기는 모두 옳은 내용이다.

  • 음성 저항 특성을 가진다는 보기는 순방향 일부 구간에서 전압이 늘면 전류가 줄어드는 터널 다이오드의 특성이므로 옳은 내용이다.
  • P형 반도체의 페르미 준위가 가전자대 내에 존재한다는 보기는 축퇴된 P형의 성질이므로 옳은 내용이다.
  • 능동소자로서 발진기로 사용한다는 보기는 음성 저항으로 회로 손실을 보상해 발진시킬 수 있으므로 옳은 내용이다.
문제 69
페르미-디랙(Fermi-Dirac) 분포에 대한 설명이 틀린 것은?
1고체 내의 전자는 Pauli의 배타원리의 지배를 받는다.
2대부분의 전자는 페르미 준위 이상의 에너지 역에 존재한다.
3분포형태는 금속의 온도에 변화한다.
4도체가 가열될 때 전자는 분자 비열 용량에 거의 영향을 주지 못한다.
문제 70
직경 4[mm]인 동선에 4[A]의 전류가 흐르고 있을 때 전자의 평균이동속도는? (단, n=8.2×1023[개/cm3], e=1.602×10-19[C])
12.43[μm/s]
24.66[μm/s]
36.43[μm/s]
48.66[μm/s]
문제 71
PN 접합에 순바이어스(forward-bias)를 가할 때 공핍층의 폭은 무바이어스 시 보다 어떠한가?
1변함이 없다.
2좁아진다.
3넓어진다.
4넓어지기도 하고 좁아지기도 한다.
정답 및 해설

순바이어스는 외부 전압이 접촉 전위 장벽을 낮추므로 공핍층의 폭이 좁아진다.

순방향 전압만큼 접촉 전위가 상쇄되며, 공핍층 폭은 접합에 걸린 실제 전위차의 제곱근에 비례하여 W∝V0−VW\propto\sqrt{V_0-V} 이다. 순방향 전압 VV 가 커질수록 폭이 줄어든다.

  • 변함이 없다는 보기는 틀렸다. 순방향 전압이 장벽 전위차를 줄이므로 폭이 변한다.
  • 넓어진다는 보기는 틀렸다. 폭이 넓어지는 것은 역바이어스를 가할 때이다.
  • 넓어지기도 하고 좁아지기도 한다는 보기는 틀렸다. 순바이어스에서는 항상 좁아지는 방향으로만 변한다.
문제 72
반도체(semiconductor)에 대한 설명으로 옳은 것은?
1홀(hole)의 이동도는 자유전자의 이동도보다 작다.
2게르마늄(Ge)에 비소(As)를 첨가시키면 P형 반도체가 된다.
3P형 반도체는 정공보다는 자유전자가 더 많다.
4온도를 증가시키면 저항은 증가한다.
정답 및 해설

반도체의 전기적 특성을 비교하는 문항이다. 홀(정공)의 이동도는 자유전자의 이동도보다 작다. 정공은 자유전자에 비해 유효질량이 크고 산란이 더 크므로 이동도가 약 0.5배 정도로 낮다.

  • 게르마늄에 비소를 첨가하면 P형 반도체: 비소(As)는 5가 원소로 게르마늄에 첨가되면 N형 반도체가 되는데, P형 반도체가 되려면 3가 원소(B, Al, Ga 등)를 첨가해야 한다.
  • P형 반도체는 정공보다 자유전자가 더 많다: P형 반도체에서는 정공이 주요 캐리어(majority carrier)이므로 자유전자보다 정공이 훨씬 더 많다.
  • 온도를 증가시키면 저항은 증가한다: 반도체는 금속과 달리 온도 증가 시 열에너지로 인해 전자-정공 쌍이 증가하여 캐리어 농도가 증가하므로 저항은 감소한다(음의 온도 계수).
문제 73
MOSFET의 구조와 동작원리에 대한 설명으로 옳은 것은?
1n채널 MOSFET의 단면구조는 드레인-소스간 p형 반도체의 기판 위에 절연체를 붙이고, 그 위에금속단자를 붙여 게이트 단자를 만든다.
2n채널 MOSFET의 동작원리는 게이트 단자에 문턱전압 이상의 (+) 전압을 인가하면 MOSFET 드레인-소스 사이는 2개의 역방향 다이오드와 같은 등가회로를 갖는다.
3p채널 MOSFET의 단면구조는 p형 반도체 기판(Substrate)에 2개의 p+형 반도체를 형성시킨다.
4n채널 MOSFET의 단면구조는 n형 반도체 기판(Substrate)에 2개의 p+형 반도체를 형성시킨다.
정답 및 해설

n채널 MOSFET은 p형 기판 위에 절연막을 놓고 그 위에 금속 게이트를 붙인 구조이므로 이 서술이 옳다.

반전층 채널이 생기는 구조로, 드레인과 소스는 p형 기판 속에 만든 두 개의 n+ 영역이며, 게이트 전압이 문턱전압을 넘으면 기판 표면에 반전층 채널이 생긴다.

  • 문턱전압 이상의 양 전압에서 두 개의 역방향 다이오드 등가가 된다는 보기는 틀렸다. 이 경우에는 채널이 형성되어 드레인-소스가 도통하며, 두 역방향 다이오드 모양은 채널이 없는 문턱 미만 상태이다.
  • p채널 MOSFET이 p형 기판에 p+ 두 영역을 만든다는 보기는 틀렸다. p채널은 n형 기판에 p+ 두 영역을 만든다.
  • n채널 MOSFET이 n형 기판에 p+ 두 영역을 만든다는 보기는 틀렸다. n채널은 p형 기판에 n+ 두 영역을 만든다.
문제 74
피에조 저항(piezo resistance)은?
1압력 변화에 의한 저항의 변화이다.
2자계 변화에 의한 저항의 변화이다.
3온도 변화에 의한 저항의 변화이다.
4광전류 변화에 의한 저항의 변화이다.
정답 및 해설

피에조 저항은 반도체에 압력(응력)이 가해질 때 저항이 변하는 현상이다.

결정에 변형이 생기면 에너지 대역과 이동도가 달라져 비저항이 바뀌며, 압력 센서에 이용된다.

  • 자계 변화에 의한 저항의 변화는 자기저항 효과이다.
  • 온도 변화에 의한 저항의 변화는 서미스터 등에서 보는 온도 저항 특성이다.
  • 광전류 변화에 의한 저항의 변화는 광도전 효과이다.
문제 75
도체, 반도체, 절연체의 에너지 대역에 관한 설명으로 틀린 것은?
1도체는 전도대와 가전자대가 중첩되었다.
2반도체의 금지대역폭이 절연체보다 작다.
3도체의 금지대역폭이 반도체보다 작다.
4반도체는 금지대역폭이 5eV 이상이다.
문제 76
컬렉터 접합부의 온도 상승으로 인하여 트랜지스터가 파괴되는 현상은?
1얼리 현상
2항복 현상
3열폭주 현상
4펀치 스로우 현상
정답 및 해설

컬렉터 접합의 온도가 올라 전류가 늘고 다시 발열이 커지는 악순환으로 소자가 파괴되는 현상이 열폭주이다.

온도가 오르면 역포화 전류가 늘어 컬렉터 전류가 증가하고, 이것이 접합 온도를 더 올려 파괴에 이른다.

  • 얼리 현상은 컬렉터 전압에 따라 베이스 폭이 변하는 현상이며 온도 상승과 무관하다.
  • 항복 현상은 역방향 전압이 한계를 넘어 전류가 급증하는 현상이며 전압에 의한 것이다.
  • 펀치 스로우 현상은 컬렉터 공핍층이 베이스 전체로 퍼져 이미터 접합에 닿는 현상이며 온도에 의한 것이 아니다.
문제 77
실리콘 n형 반도체에 관한 설명으로 옳은 것은?
1불순물은 3개의 가전자 만을 갖는다.
2억셉터(acceptor) 불순물을 첨가하여 제작한다.
3정공은 소수 캐리어이다.
4진성 반동체이다.
문제 78
초전도 현상에 대한 설명으로 틀린 것은?
1초전도체는 완전도체의 성질을 갖는다.
2초전도체는 완전 반자성체의 성질을 갖는다.
3초전도 상태에 있는 물질 내에서는 전계가 0이다.
4초전도체를 관통하는 자속의 시간적 변화는 완전히 주기적이다.
문제 79
광속도의 1/5의 속도로 운동하고 있는 전자의 드브로이(de Broglie) 파장은? (단, h=6.6×10-34[Jㆍsec], 전자의 질량 m=9.1×10-31[kg], 광속도 c=3×108[m/sec])
12.3×10-13[m]
22.3×10-11[m]
31.2×10-13[m]
41.2×10-11[m]
정답 및 해설

드브로이 파장은 λ=hmv\lambda=\dfrac{h}{mv} 이며 계산하면 약 1.2×10−11 m1.2\times10^{-11}\,\mathrm{m} 이다.

운동량을 구하면 v=c5=6×107 m/sv=\dfrac{c}{5}=6\times10^{7}\,\mathrm{m/s}
λ=6.6×10−349.1×10−31×6×107≈1.21×10−11 m\lambda=\dfrac{6.6\times10^{-34}}{9.1\times10^{-31}\times6\times10^{7}}\approx1.21\times10^{-11}\,\mathrm{m}
상대론 보정(γ≈1.02\gamma\approx1.02)을 넣어도 1.18×10−11 m1.18\times10^{-11}\,\mathrm{m} 로 두 자리 값은 같다.

  • 2.3×10−13 m2.3\times10^{-13}\,\mathrm{m} 는 계산값과 다르다.
  • 2.3×10−11 m2.3\times10^{-11}\,\mathrm{m} 는 계산값과 다르다.
  • 1.2×10−13 m1.2\times10^{-13}\,\mathrm{m} 는 계산값과 다르다.
문제 80
반도체의 전도에 관한 설명으로 틀린 것은?
1반도체의 저항은 온도의 증가에 따라 감소한다.
2캐리어의 이동도는 온도와 결정구조의 규칙성에 따라 변한다.
3절대온도 0[K]에서 모든 가전자는 전도대에 존재한다.
4자유전자가 정공과 결합하는 과정을 재결합이라 한다.
문제 81
C 언어 중 모든 면에서 구조체와 같으며 선언문법이나 사용하는 방법이 같은 것은?
1constant
2array
3union
4pointer
정답 및 해설

구조체와 선언 문법과 사용 방법이 같은 것은 union(공용체)이다.

구조체와 같은 형식으로 멤버를 선언하고 점 연산자로 접근하며, 다른 점은 모든 멤버가 같은 기억 장소를 공유한다는 것이다.

  • constant 는 값이 바뀌지 않는 상수를 뜻하며 멤버를 묶는 자료형이 아니다.
  • array 는 같은 형의 요소를 대괄호로 연속 선언하는 자료형이며 구조체와 선언 문법이 다르다.
  • pointer 는 주소를 저장하는 변수이며 별표로 선언하므로 구조체와 선언 문법이 다르다.
문제 82
주소지정 방식 중에서 반드시 누산기를 필요로 하는 방식은?
13-주소지정 방식
22-주소지정 방식
31-주소지정 방식
40-주소지정 방식
정답 및 해설

연산 때 한 피연산자와 결과를 누산기에 묵시적으로 두는 방식이 1-주소 지정 방식이다.

명령어에는 메모리 피연산자 주소 하나만 두고 나머지 피연산자와 결과는 누산기가 담당한다.

  • 3-주소 지정 방식은 두 피연산자와 결과 주소를 모두 명령어에 명시하므로 누산기가 반드시 필요하지 않다.
  • 2-주소 지정 방식은 두 피연산자 주소 중 하나에 결과를 저장하므로 누산기가 반드시 필요하지 않다.
  • 0-주소 지정 방식은 피연산자를 스택에서 꺼내 쓰므로 누산기가 아니라 스택을 사용한다.
문제 83
명령어의 형식에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?
13-주소 명령어 형식은 3개의 자료 필드를 갖고 있다.
22-주소 명령어 형식에서는 연산 후에도 원래 입력 자료가 항상 보존된다.
31-주소 명령어 형식에서는 연산 결과가 항상 누산기(accumulator)에 기억된다.
40-주소 명령어 형식을 사용하는 컴퓨터는 일반적으로 스택(stack)을 갖고 있다.
정답 및 해설

2-주소 명령어에서는 두 피연산자 중 하나가 결과로 덮어쓰이므로 입력 자료가 항상 보존된다는 서술이 옳지 않다.

2-주소 형식은 결과를 따로 지정할 주소가 없어 한쪽 피연산자의 위치에 결과를 기억한다.

나머지 보기는 모두 옳은 내용이다.

  • 3-주소 명령어 형식이 3개의 자료 필드를 갖는다는 보기는 두 피연산자와 결과 주소를 명시하는 형식이므로 옳은 내용이다.
  • 1-주소 명령어 형식에서 연산 결과가 누산기에 기억된다는 보기는 누산기를 묵시적 피연산자로 쓰는 형식이므로 옳은 내용이다.
  • 0-주소 명령어 형식을 쓰는 컴퓨터가 스택을 갖는다는 보기는 피연산자를 스택 상단에서 묵시적으로 지정하므로 옳은 내용이다.
문제 84
2진수 (1110.0111)2를 16진수로 옳게 바꾼 것은?
1(7.7)16
2(14.14)16
3(E.7)16
4(E.E)16
정답 및 해설

2진수를 소수점 기준으로 4비트씩 묶어 변환하면 E.7 이다.

4비트씩 16진수 한 자리에 대응하므로 11102=E1110_{2}=\mathrm{E}, 01112=70111_{2}=7 이므로 (1110.0111)2=(E.7)16(1110.0111)_{2}=(\mathrm{E}.7)_{16}, 10진수로 14.4375 이다.

  • (7.7)16(7.7)_{16} 은 10진수 7.4375 로 계산값과 다르다.
  • (14.14)16(14.14)_{16} 는 10진수 20.078125 로 계산값과 다르다.
  • (E.E)16(\mathrm{E}.\mathrm{E})_{16} 은 10진수 14.875 로 계산값과 다르다.
문제 85
다음 프로그램 작성 과정을 순서대로 올바르게 나열한 것은?
1㉣ → ㉠ → ㉡ → ㉢ → ㉤
2㉣ → ㉠ → ㉡ → ㉤ → ㉢
3㉠ → ㉣ → ㉡ → ㉢ → ㉤
4㉠ → ㉡ → ㉤ → ㉢ → ㉣
문제 86
원시 프로그램을 목적 프로그램으로 바꾸어 주기억장치에 저장하기까지의 실행과정으로 옳은 것은?
1컴파일러 → 로더 → 링커
2링커 → 컴파일러 → 로더
3링커 → 로더 → 컴파일러
4컴파일러 → 링커 → 로더
정답 및 해설

원시 프로그램은 컴파일러 → 링커 → 로더 순서로 처리된다.

링커가 연결하기 전에 컴파일러가 원시 프로그램을 목적 프로그램으로 번역하고, 링커가 목적 모듈과 라이브러리를 하나의 실행 모듈로 연결하며, 로더가 이를 주기억장치에 적재한다.

  • 컴파일러 다음에 로더가 오고 링커가 마지막인 순서는, 로더가 링커가 만든 실행 모듈을 주기억장치에 적재하는 단계이므로 순서가 뒤바뀌었다.
  • 링커가 컴파일러보다 앞서는 순서는, 연결할 목적 모듈이 아직 만들어지지 않았으므로 성립하지 않는다.
  • 링커와 로더가 컴파일러보다 앞서는 순서는, 번역되지 않은 원시 프로그램을 연결하거나 적재해야 하므로 성립하지 않는다.
문제 87
10진수 13을 그레이 코드(Gray code)로 변환하면?
11001
20100
31100
41011
정답 및 해설

10진수 13을 먼저 2진수로 변환하면 1101이다. 그레이 코드는 2진수의 최상위 비트는 그대로 두고, 이후 각 비트는 원래 2진수의 해당 비트와 그 왼쪽 비트를 XOR 연산한 결과로 구성한다. 2진수 1101에서: 첫 번째 비트는 1(그대로), 두 번째는 1⊕1=0, 세 번째는 1⊕0=1, 네 번째는 0⊕1=1이므로 그레이 코드는 1011이다.

문제 88
컴퓨터 확장슬롯에 연결되는 PCI 신호 중에서 현재 지정된 어드레스가 디코딩되어 접근이 가능한지를 나타내는 신호는?
1LOCK
2STOP
3IDSEL
4TRDY
문제 89
그림과 같은 회로의 명칭은?
1반가산기
2전가산기
3전감산기
4parity checker
정답 및 해설

그림은 세 입력 X·Y·Z를 더해 합 S와 자리올림 C를 내는 전가산기이다.

그림에서 첫 XOR 게이트가 X⊕YX \oplus Y를 만들고, 두 번째 XOR 게이트가 이것과 Z를 받아 S=X⊕Y⊕ZS = X \oplus Y \oplus Z를 낸다.
아래 AND 게이트 두 개는 XYXY와 (X⊕Y)Z(X \oplus Y)Z를 만들고, OR 게이트가 이를 합쳐 C=XY+(X⊕Y)ZC = XY + (X \oplus Y)Z, 즉 세 입력 중 둘 이상이 1일 때 1인 자리올림을 낸다.

  • 반가산기는 입력이 두 개이고 합 X⊕YX \oplus Y와 자리올림 XYXY만 내는 회로이다. 이 회로는 입력이 세 개라 맞지 않다.
  • 전감산기는 빌림 출력에 피감수의 보수가 들어간다. 예를 들어 X=0, Y=1, Z=0이면 0−1에서 빌림이 1이어야 하지만 이 회로의 C는 0이어서 맞지 않다.
  • parity checker는 입력 비트의 XOR로 패리티 판정 출력 하나만 내는 회로이다. 이 회로는 AND·OR로 만든 자리올림 출력 C가 따로 있어 맞지 않다.
문제 90
프로그램이 수행되는 도중에 인터럽트가 발생되면 현 사이클의 일을 끝내고 프로그램이 수행될 수 있도록 현주소를 지시하는 것은?
1상태 레지스터
2프로그램 레지스터
3스택 포인터
4인덱스 레지스터
문제 91
서브루틴 호출시 필요한 자료 구조는?
1환형 큐(circular queue)
2다중 큐(multi queue)
3스택(stack)
4트리(tree)
정답 및 해설

서브루틴 호출에는 스택이 필요하다.

서브루틴은 중첩 호출되며 가장 나중에 호출된 것이 먼저 복귀하는 후입선출 순서이므로, 복귀 주소를 스택에 쌓았다가 꺼낸다.

  • 환형 큐는 먼저 넣은 것을 먼저 꺼내는 선입선출 구조라 호출의 역순 복귀에 맞지 않는다.
  • 다중 큐도 선입선출 구조의 큐를 여럿 둔 것이라 호출의 역순 복귀에 맞지 않는다.
  • 트리는 계층적 관계를 나타내는 구조이며 복귀 주소를 후입선출로 저장하는 구조가 아니다.
문제 92
논리회로를 설계하는 과정에서 최적화를 위한 고려 대상이 아닌 것은?
1전파 지연신가의 최소화
2사용 게이트 수의 최소화
3게이트 종류의 다양화
4게이트 간 상호변수의 최소화
문제 93
16비트로 나타낼 수 있는 정수의 범위는?
1-216 ~ 216
2-216-1 ~ 216+1
3-215 ~ 215
4-215 ~ 215-1
문제 94
콘솔(console)이나 보조기억장치에서 마이크로프로그램이 로드(load)되는 기법은?
1dynamic micro-programming
2static micro-programming
3horizontal micro-programming
4vertical micro-programming
문제 95
소프트웨어적으로 인터럽트의 우선순위를 결정하는 인터럽트 형식은?
1벡터 방식에 의한 인터럽트
2슈퍼바이저 콜에 의한 인터럽트
3데이지체인 방법에 의한 인터럽트
4폴링 방법에 의한 인터럽트
문제 96
메모리 장치와 주변 장치 사이에서 데이터의 입출력 전송이 직접 이루어지는 것은?
1DMA
2MIMO
3UART
4MIPS
정답 및 해설

메모리와 주변 장치 사이의 데이터 전송을 CPU 를 거치지 않고 직접 수행하는 방식은 DMA(Direct Memory Access)이다.

DMA 제어기가 버스를 넘겨받아 메모리와 입출력 장치 사이에서 데이터를 직접 주고받고, 전송이 끝나면 CPU 에 알린다.

  • MIMO 는 송신과 수신에 여러 안테나를 쓰는 무선 통신 기술이므로 메모리와 주변 장치 사이의 직접 전송 방식이 아니다.
  • UART 는 병렬 데이터와 직렬 데이터를 상호 변환하는 직렬 통신 회로이므로 메모리 직접 전송 방식이 아니다.
  • MIPS 는 초당 백만 개 단위의 명령어 실행 수로 나타내는 처리 속도 단위(또는 같은 이름의 프로세서 구조)이므로 데이터 전송 방식이 아니다.
문제 97
컴퓨터가 직접 해독할 수 있는 2진 숫자(binary digit)로 나타낸 언어는?
1기계어(machine language)
2컴파일러 언어(compiler language)
3어셈블리 언어(assembly language)
4기호식 언어(symbolic language)
정답 및 해설

컴퓨터가 번역 없이 바로 해독하는 2진 숫자(0과 1)로 표현된 언어는 기계어이다.

나머지 언어는 사람이 읽기 쉬운 문자나 기호로 쓰므로 실행 전에 기계어로 번역하는 과정이 필요하다.

  • 컴파일러 언어는 고급 언어로 작성되어 컴파일러가 기계어로 번역해야 실행되므로 2진 숫자 자체가 아니다.
  • 어셈블리 언어는 니모닉 기호로 명령을 적고 어셈블러가 기계어로 번역하므로 2진 숫자 자체가 아니다.
  • 기호식 언어는 2진 숫자 대신 니모닉 같은 기호로 명령을 나타내는 언어(어셈블리 언어가 대표적)이므로 기계어로 번역해야 하며 2진 숫자 자체가 아니다.
문제 98
전기신호에 의하여 자료를 기록하고, 삭제할 수 있는 ROM은?
1MASK ROM
2PROM
3EEPROM
4EPROM
정답 및 해설

전기 신호로 기록과 삭제를 모두 할 수 있는 ROM 은 EEPROM(Electrically Erasable PROM)이다.

이름 그대로 삭제를 전기적으로 수행하므로 장치에서 떼어내지 않고도 내용을 고쳐 쓸 수 있다.

  • MASK ROM 은 제조 과정에서 내용이 고정되어 사용자가 기록하거나 삭제할 수 없다.
  • PROM 은 사용자가 한 번만 기록할 수 있고 기록한 내용을 지울 수 없다.
  • EPROM 은 자외선을 쬐어 내용을 지우므로 전기 신호로 삭제하는 ROM 이 아니다.
문제 99
10110과 01111을 exclusive-OR 하였을 때의 결과는?
100111
200110
311000
411001
정답 및 해설

배타적 논리합(XOR)은 두 비트가 서로 다를 때만 1이므로 결과는 11001이다.

자리별로 계산한다(XOR).
10110
01111
1⊕0=1, 0⊕1=1, 1⊕1=0, 1⊕1=0, 0⊕1=1
따라서 결과는 11001 이다.

  • 00111 은 비트별 XOR 계산값과 다르다.
  • 00110 은 비트별 XOR 계산값과 다르다.
  • 11000 은 비트별 XOR 계산값과 다르다.
문제 100
CPU의 수행 상태를 나타내는 주 상태(Major State) 중에서 메모리로부터 실행하기 위한 다음 명령의 번지를 결정한 후 메모리로부터 명령을 CPU로 읽어 들이는 동작은?
1Fetch 상태
2Indirect 상태
3Execute 상태
4Interrupt 상태
정답 및 해설

다음 명령의 번지를 정해 메모리에서 명령을 CPU 로 읽어 들이는 동작은 Fetch 상태이다.

명령 주기의 첫 단계로, 프로그램 카운터가 가리키는 번지의 명령을 인출해 명령 레지스터에 가져온다.

  • Indirect 상태는 명령의 주소부가 간접 주소일 때 유효 주소를 얻으려고 메모리를 다시 읽는 상태이므로 명령을 읽어 들이는 동작이 아니다.
  • Execute 상태는 이미 인출한 명령을 해독한 결과대로 실행하는 상태이므로 명령을 읽어 들이는 동작이 아니다.
  • Interrupt 상태는 인터럽트 요구를 처리하려고 복귀 정보를 저장하고 분기하는 상태이므로 명령을 읽어 들이는 동작이 아니다.