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[전자기사 필기] 15년 1회차
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문제 1
평행판 콘덴서의 극간 전압이 일정한 상태에서 극간에 공기가 있을 때의 흡인력을 F1, 극판 사이에 극판 간격의 2/3 두께의 유리판(εr=10)을 삽입할 때의 흡인력을 F2라 하면 F2/F1는?
10.6
20.8
31.5
42.5
문제 2
유전율 ε1, ε2인 두 유전체 경계면에서 전계가 경계면에 수직일 때 경계면에 작용하는 힘은 몇 [N/m2]인가? (단, ε1 > ε2이다.)
1
2
3
4
문제 3
진공 중에 +20μC과 -3.2μC인 2개의 점전하가 1.2m 간격으로 놓여 있을 때 두 전하 사이에 작용하는 힘(N)과 작용력은 어떻게 되는가?
10.2N, 반발력
20.2N, 흡인력
30.4N, 반발력
40.4N, 흡인력
문제 4
Ωㆍsec 와 같은 단위는?
1F
2F/m
3H
4H/m
문제 5
진공 중에 있는 반지름 α(m)인 도체구의 정전용량(F)은?
14πε0α
22πε0α
3aε0α
4a
문제 6
내부도체의 반지름이 a(m)이고, 외부도체의 내반지름이 b(m), 외반지름이 c(m)인 동축 케이블의 단위 길이당 자기 인덕턴스는 몇 H/m인가?
1
2
3
4
문제 7
균일한 자속밀도 B중에 자기모멘트 m의 지삭(관성모멘트 I)이 있다. 이 자석을 미소 진동시켰을 때의 주기는?
1
2
3
4
문제 8
60[Hz]의 교류 발전기의 회전자가 자속밀도 0.15[Wb/m2]의 자기장 내에서 회전하고 있다. 만일 코일의 면적이 2×10-2[m2]일 때 유도기전력이 최대값 Em=220[V]가 되려면 코일을 약 몇 번 감아야 하는가? (단, ω=2πf=377[rad/sec]이다.)
1195회
2220회
3395회
4440회
문제 9
무한장 선로에 균일하게 전하가 분포된 경우 선로로부터 r(m) 떨어진 P점에서의 전계의 세기 E(V/m)는 얼마인가?(단, 선전하 밀도는 ρL(C/m)이다.)
1
2
3
4
문제 10
0.2C의 점전하가 전계 E=5ay+az(V/m) 및 자속밀도 E=2ay+5az(Wb/m2) 내로 속도 v=2ax+3ay(m/s)로 이동할 때 점전하에 작용하는 힘 F(N)은? (단, ax, ay, az는 단위 벡터이다.)
12ax-ay+3az
23ax-ay+az
3ax+ay-2az
45ax+ay-3az
문제 11
반지름이 5[mm]인 구리선에 10[A]의 전류가 흐르고 있을 때 단위시간당 구리선의 단면을 통과하는 전자의개수는? (단, 전자의 전하량 e=1.602×10-19[C]이다.)
16.24×1017
26.24×1019
31.28×1021
41.28×1023
문제 12
투자율을 μ라 하고 공기 중의 투자율 μ0와 비투자율 μs의 관계에서 로 표현된다. 이에 대한 설명으로 알맞은 것은?(단, χ는 자화율이다.)
1χ＞0인 경우 역자성체
2χ＜0인 경우 상자성체
3μs＞1인 경우 비자성체
4μs＜1인 경우 역자성체
문제 13
자계의 벡터포텐셜을 A라 할 때 자계의 변화에 의하여 생기는 전계의 세기 E는?
1E=rotA
2rotE=A
3
4
문제 14
공기 중에서 x방향으로 진행하는 전자파가 있다. Ey=3×10-2sinω(x-vt)(V/m), Ez=4×10-2sinω(x-vt)(V/m)일 때 포인팅 벡터의 크기(W/m2)는?
16.63×10-6sin2ω(x-vt)
26.63×10-6cos2ω(x-vt)
36.63×10-4sinω(x-vt)
46.63×10-4cosω(x-vt)
문제 15
자계의 세기 H=xyay-xzaz(A/m)일 때 점(2, 3, 5)에서 전류밀도는 몇 [A/m2]인가?
13ax+5ay
23ay+5az
35ax+3az
45ay+3az
문제 16
회로에서 단자 a-b 간에 V의 전위차를 인가할 때 C1의 에너지는?
1
2
3
4
문제 17
Qℓ=±200πЄ0×103(Cㆍm)인 전기쌍극자에서 ℓ과 r의 사이 각이 π/3이고, r=1m인 점의 전위(V)는?
150π×104
250×103
325×103
45π×104
문제 18
전속밀도에 대한 설명으로 가장 옳은 것은?
1전속은 스칼라량이기 때문에 전속밀도도 스칼라량이다.
2전속밀도는 전계의 세기의 방향과 반대 방향이다.
3전속밀도는 유전체 내에 분극의 세기와 같다.
4전속밀도는 유전체와 관계없이 크기는 일정하다.
문제 19
와전류와 관련된 설명으로 틀린 것은?
1단위체적당 와류손의 단위는 W/m3이다.
2와전류는 교번자속의 주파수와 최대자속밀도에 비례한다.
3와전류손은 히스테리시스손과 함께 철손이다.
4와전류손을 감소시키기 위하여 성층철심을 사용한다.
문제 20
무한장 직선도체가 있다. 이 도체로부터 수직으로 0.1m 떨어진 점의 자계의 세기가 180AT/m이다. 이 도체로부터 수직으로 0.3m 떨어진 점의 자계의 세기(AT/m)는?
120
260
3180
4540
문제 21
이상 변압기의 조건으로 옳은 것은?
1와류 손실은 약간 있다.
2동손, 철손은 약간 있다.
3두 코일간의 결합계수가 1이다.
4각 코일의 인덕턴스는 ∞가 아니다.
문제 22
리액턴스 함수가 로 표시되는 리액턴스 2단자망은?
1
2
3
4
문제 23
회로의 영상 임피던스 Z01은 약 얼마인가?
14.1[Ω]
25.2[Ω]
36.3[Ω]
47.4[Ω]
문제 24
다음 그림의 교류 회로에서 R에 전류가 흐르지 않기 위한 조건으로 옳은 것은?
1
2ωM=ωL2
3
4
문제 25
f(t)=sint cost 를 라플라스 변환 하면?
11/(S2+2)
21/(S2+4)
31/((S+2)2)
41/((S+4)2)
문제 26
한 코일의 전류가 매초 60[A]의 비율로 변화할 때 다른 코일에는 30[V]의 기전력이 발생하는 경우에 두 코일의 상호 인덕턴스[H]는?
12
21.5
31
40.5
문제 27
h 파라미터 중 단락 순방향 전류 이득은?
1h11
2h21
3h12
4h22
문제 28
R=8[Ω], XL=8[Ω], XC=2[Ω]인 R-L-C 직렬회로에 정현파 전압 V=100[V]를 인가할 때 흐르는 전류는?
110[A]
220[A]
330[A]
440[A]
문제 29
고유저항 ρ, 반지름 r, 길이 ℓ인 전선의 저항이 R일 때, 같은 재료로 반지름은 m배, 길이는 n배로 하면 저항은 몇 배가 되는가?
1m2/n
2m/n
3n/m
4n/m2
문제 30
시간 a만큼 옮겨진 그림과 같은 단위 계단 함수를 라플라스 변환하면?
1
2
3
4
문제 31
2개 이상의 전원을 내포한 선형 회로에서 어떤 가지에 흐르는 전류나 단자의 전압을 해석하는데 사용하는 것은?
1중첩의 원리
2치환정리
3Thevenin의 정리
4Norton의 정리
문제 32
일 때 e1+e2의 실효치는 약 얼마인가?
1√4400
2√3900
3√3100
4√2900
문제 33
그림과 같은 파형을 실수 푸리에 급수로 전개할 때 다음에서 옳은 것은?
1sin항, cos항을 쓰면 유한항으로 전개된다.
2sin항, cos항 모두 있다.
3cos항은 없다.
4sin항은 없다.
문제 34
다음 회로망의 합성 저항은?
16[Ω]
212[Ω]
330[Ω]
450[Ω]
문제 35
두 회로 간에 쌍대 관계가 옳지 않은 것은?
1KㆍVㆍL → KㆍCㆍL
2테브난 정리 → 노튼 정리
3전압원 → 전류원
4폐로전류 → 절점전류
문제 36
기본파의 10[%]인 제3고조파와 20[%]인 제5고조파를 포함하는 전압파의 왜형률은 약 얼마인가?
10.5
20.42
30.31
40.22
문제 37
회로에 60+j80[V]인 전압을 인가하여 4+j1[A] 전류가 흐를 때 소비되는 유효전력은?
1140[W]
2320[W]
3480[W]
4500[W]
문제 38
RC 직렬회로에서 직류전압을 인가할 때 전류값이 초기값의 e-2배가 되는 시간[s]은?
12RC
2RC
3C/R
41/RC
문제 39
그림의 T형 4단자 회로에 대한 전송 파라미터 D는?
1
2
3
4
문제 40
100[μF]의 콘덴서에 100[V], 60[Hz]의 교류전압을 가할 때 무효전력은?
1-40π[Var]
2-60π[Var]
3-120π[Var]
4-240π[Var]
문제 41
다음 회로에서 VCE는 약 몇 [V]인가? (단, βDC는 100이다.)
13.4
25.7
36.2
47.6
문제 42
전가산기를 반가산기 몇 개와 어떤 논리 게이트 몇 개로 구성하는 것이 가장 적당한가?
1반가산기 2개, AND 게이트 1개
2반가산기 2개, OR 게이트 2개
3반가산기 3개, OR 게이트 1개
4반가산기 2개, OR 게이트 1개
문제 43
R-L-C 병렬 공진회로에서 선택도(Q)를 높게 하려면?
1R 값을 크게 한다.
2R 값을 작게 한다.
3C 값을 작게 한다.
4L 값을 크게 한다.
문제 44
QAM(직교진폭변조) 방식에 대한 설명으로 옳은 것은?
1FSK 변조방식의 일종이다.
2AM 변조방식과 FSK 변조방식을 혼합한 것이다.
3FSK 변조방식과 PSK 변조방식을 혼합한 것이다.
4정보신호에 따라 반송파의 진폭과 위상을 변화시키는 APK 변조방식의 한 종류이다.
문제 45
짧은 ON 시간과 긴 OFF 시간을 가지며 펄스신호를 사용하는 증폭기회로에서 주로 쓰이는 증폭기는?
1A급
2B급
3C급
4D급
문제 46
이상적인 연산 증폭기에서 입력 바이어스 전류에 대해 옳은 것은?
1V0 = 0일 때 (IB1 + IB2) / 2
2V0 = ∞일 때 (IB1 + IB2) / 2
3V0 = 0일 때 (IB1 + IB2)
4V0 = ∞일 때 (IB1 + IB2)
문제 47
정류회로에서 전압 안정계수가 0.01일 때 정전압회로의 입력 전압이 ±5[V] 변화하면 출력 전압은?
1±40[mV]
2±50[mV]
3±60[mV]
4±70[mV]
문제 48
트랜지스터를 베이스 접지에서 이미터 접지로 해서 ICEO가 50배가 되었을 때 트랜지스터의 β는?
149
250
359
4120
문제 49
압전현상을 이용하여 안정도가 높은 발진주파수를 얻는 발진기는?
1VCO
2빈브리지 발진기
3수정 발진기
4hartley 발진기
문제 50
위상천이(이동)형 RC 발진기에 대한 설명으로 옳은 것은?
1펄스 발진기로 많이 사용된다.
2100[MHz]대의 높은 주파수 발진용으로 적합하다.
3발진을 계속하기 위해서 증폭도는 29보다 작아야 한다.
4병렬 저항형 이상형 발진기의 발진주파수는 1/2π√RC[Hz]이다.
문제 51
부귀환 입력임피던스 변화에 대한 설명으로 틀린것은?
1전류 병렬 귀환시 입력임피던스는 감소한다.
2전류 직렬 귀환시 입력임피던스는 감소한다.
3전압 병렬 귀환시 입력임피던스는 감소한다.
4전압 직렬 귀환시 입력임피던스는 감소한다.
문제 52
다음 회로의 명칭으로 가장 적합한 것은?
1평형 변조회로
2전파 정류회로
3배전압 정류회로
4반파 정류회로
문제 53
2진 디지털 부호의 정보 내용에 따라 반송파의 위상을 두 가지로 천이되도록 하는 변조방식은?
1FSK 방식
2PSK 방식
3ASK 방식
4QAM 방식
문제 54
B급 푸시풀(Push-Pull) 증폭기의 특징이 아닌 것은?
1트랜지스터의 비선형 특성에서 오는 일그러짐이 증가한다.
2우수 고조파가 상쇄되어 일그러짐이 적다.
3차단 상태 부근에 바이어스 되어 있다.
4컬렉터 효율이 높다.
문제 55
교류전압에 직류전압을 더하는 것으로 직류 복원기(DC Restorer)라고 하는 회로는?
1클램퍼
2제너제한
3리미터
4체배기
문제 56
다음 회로는 어떤 회로인가?
1전류귀환 증폭회로
2전압귀환 증폭회로
3임피던스귀환 증폭회로
4어드미턴스귀환 증폭회로
문제 57
J-K 플립플롭의 J와 K 입력단자를 하나로 묶어 놓은 플립플롭으로 1을 인가하면 출력이 토글되는 플립플롭은?
1RS 플립플롭
2D 플립플롭
3T 플립플롭
4RS 마스터 슬레이브 플립플롭
문제 58
연산증폭기의 일반적인 특징에 대한 설명으로 옳은 것은?
1주파수 대역폭이 좁다.
2입력 임피던스가 낮다.
3동상신호제거비가 크다.
4온도변화에 따른 드리프트가 크다.
문제 59
FET의 핀치오프(Pinch off) 전압에 대한 설명으로 틀린 것은?
1불순물 농도에 비례한다.
2채널 폭의 자승에 비례한다.
3캐리어(Carrier)의 전하량에 반비례한다.
4채널(Channel)이 완전히 막히는 상태에 이르는 전압이다.
문제 60
다음 회로는 βDC=100이고, RC=1[kΩ], RE=470[Ω]인 트랜지스터의 베이스에서 바라본 직류 입력저항은?
11[kΩ]
247[kΩ]
3100[kΩ]
4470[kΩ]
문제 61
페르미 준위에 대한 설명으로 틀린 것은?
1T=0[K]가 아닌 경우 전자의 존재 확률은 50%가 된다.
20[K]에서 전자의 최고 에너지가 된다.
30[K]에서 n형 반도체의 경우 전도대와 도너준위 사이에 위치한다.
4진성 반도체의 경우 온도와 무관하게 전도대에 위치한다.
문제 62
순방향 전압이 걸린 PN 접합(부)의 특성을 설명한 것으로 옳지 않은 것은?
1접합부의 저항은 외부 전압에 따라 변한다.
2접합부의 저항은 전류에 반비례한다.
3접합부의 저항은 온도와 무관하다.
4접합부에는 전압이 생긴다.
문제 63
어떤 광자가 물질을 통과한 후 2537Å 및 4078Å의 두 광자로 분리되었을 때, 원래 조사한 빛의 파장은?
11270Å
21564Å
32040Å
46615Å
문제 64
트랜지스터의 증폭회로에서 안정도(stability factor)는? (단, IC는 컬렉터 전류, IB는 베이스 전류, ICD는 컬렉터 역포화 전류)
1
2
3
4
문제 65
트랜지스터의 전류이득 α를 크게 하는 조건으로 틀린 것은?
1베이스폭을 좁게 한다.
2이미터의 도핑(doping)을 베이스의 도핑보다 크게 한다.
3캐리어의 수명을 길게 한다.
4이미터 전류를 크게 한다.
문제 66
정상 바이어스를 가한 npn 트랜지스터에서 컬렉터 접합에 흐르는 주된 전류는?
1확산 전류
2드리프트 전류
3정공 전류
4베이스 전류와 같다.
문제 67
금속내부의 자유전자에 에너지를 공급하면 금속 밖으로 튀어나오는 현상이 아닌 것은?
1열전자방출
2광전자방출
3전계방출
4저항방출
문제 68
터널(tunnel) 다이오드에 대한 설명으로 틀린것은?
1음성 저항(Negative resistance) 특성을 가진다.
2N형 반도체의 페르미 준위는 금지대 내에 존재한다.
3P형 반도체의 페르미 준위는 가전자대 내에 존재한다.
4능동소자로서 발진기로 사용한다.
문제 69
페르미-디랙(Fermi-Dirac) 분포에 대한 설명이 틀린 것은?
1고체 내의 전자는 Pauli의 배타원리의 지배를 받는다.
2대부분의 전자는 페르미 준위 이상의 에너지 역에 존재한다.
3분포형태는 금속의 온도에 변화한다.
4도체가 가열될 때 전자는 분자 비열 용량에 거의 영향을 주지 못한다.
문제 70
직경 4[mm]인 동선에 4[A]의 전류가 흐르고 있을 때 전자의 평균이동속도는? (단, n=8.2×1023[개/cm3], e=1.602×10-19[C])
12.43[μm/s]
24.66[μm/s]
36.43[μm/s]
48.66[μm/s]
문제 71
PN 접합에 순바이어스(forward-bias)를 가할 때 공핍층의 폭은 무바이어스 시 보다 어떠한가?
1변함이 없다.
2좁아진다.
3넓어진다.
4넓어지기도 하고 좁아지기도 한다.
문제 72
반도체(semiconductor)에 대한 설명으로 옳은 것은?
1홀(hole)의 이동도는 자유전자의 이동도보다 작다.
2게르마늄(Ge)에 비소(As)를 첨가시키면 P형 반도체가 된다.
3P형 반도체는 정공보다는 자유전자가 더 많다.
4온도를 증가시키면 저항은 증가한다.
문제 73
MOSFET의 구조와 동작원리에 대한 설명으로 옳은 것은?
1n채널 MOSFET의 단면구조는 드레인-소스간 p형 반도체의 기판 위에 절연체를 붙이고, 그 위에금속단자를 붙여 게이트 단자를 만든다.
2n채널 MOSFET의 동작원리는 게이트 단자에 문턱전압 이상의 (+) 전압을 인가하면 MOSFET 드레인-소스 사이는 2개의 역방향 다이오드와 같은 등가회로를 갖는다.
3p채널 MOSFET의 단면구조는 p형 반도체 기판(Substrate)에 2개의 p+형 반도체를 형성시킨다.
4n채널 MOSFET의 단면구조는 n형 반도체 기판(Substrate)에 2개의 p+형 반도체를 형성시킨다.
문제 74
피에조 저항(piezo resistance)은?
1압력 변화에 의한 저항의 변화이다.
2자계 변화에 의한 저항의 변화이다.
3온도 변화에 의한 저항의 변화이다.
4광전류 변화에 의한 저항의 변화이다.
문제 75
도체, 반도체, 절연체의 에너지 대역에 관한 설명으로 틀린 것은?
1도체는 전도대와 가전자대가 중첩되었다.
2반도체의 금지대역폭이 절연체보다 작다.
3도체의 금지대역폭이 반도체보다 작다.
4반도체는 금지대역폭이 5eV 이상이다.
문제 76
컬렉터 접합부의 온도 상승으로 인하여 트랜지스터가 파괴되는 현상은?
1얼리 현상
2항복 현상
3열폭주 현상
4펀치 스로우 현상
문제 77
실리콘 n형 반도체에 관한 설명으로 옳은 것은?
1불순물은 3개의 가전자 만을 갖는다.
2억셉터(acceptor) 불순물을 첨가하여 제작한다.
3정공은 소수 캐리어이다.
4진성 반동체이다.
문제 78
초전도 현상에 대한 설명으로 틀린 것은?
1초전도체는 완전도체의 성질을 갖는다.
2초전도체는 완전 반자성체의 성질을 갖는다.
3초전도 상태에 있는 물질 내에서는 전계가 0이다.
4초전도체를 관통하는 자속의 시간적 변화는 완전히 주기적이다.
문제 79
광속도의 1/5의 속도로 운동하고 있는 전자의 드브로이(de Broglie) 파장은? (단, h=6.6×10-34[Jㆍsec], 전자의 질량 m=9.1×10-31[kg], 광속도 c=3×108[m/sec])
12.3×10-13[m]
22.3×10-11[m]
31.2×10-13[m]
41.2×10-11[m]
문제 80
반도체의 전도에 관한 설명으로 틀린 것은?
1반도체의 저항은 온도의 증가에 따라 감소한다.
2캐리어의 이동도는 온도와 결정구조의 규칙성에 따라 변한다.
3절대온도 0[K]에서 모든 가전자는 전도대에 존재한다.
4자유전자가 정공과 결합하는 과정을 재결합이라 한다.
문제 81
C 언어 중 모든 면에서 구조체와 같으며 선언문법이나 사용하는 방법이 같은 것은?
1constant
2array
3union
4pointer
문제 82
주소지정 방식 중에서 반드시 누산기를 필요로 하는 방식은?
13-주소지정 방식
22-주소지정 방식
31-주소지정 방식
40-주소지정 방식
문제 83
명령어의 형식에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?
13-주소 명령어 형식은 3개의 자료 필드를 갖고 있다.
22-주소 명령어 형식에서는 연산 후에도 원래 입력 자료가 항상 보존된다.
31-주소 명령어 형식에서는 연산 결과가 항상 누산기(accumulator)에 기억된다.
40-주소 명령어 형식을 사용하는 컴퓨터는 일반적으로 스택(stack)을 갖고 있다.
문제 84
2진수 (1110.0111)2를 16진수로 옳게 바꾼 것은?
1(7.7)16
2(14.14)16
3(E.7)16
4(E.E)16
문제 85
다음 프로그램 작성 과정을 순서대로 올바르게 나열한 것은?
1㉣ → ㉠ → ㉡ → ㉢ → ㉤
2㉣ → ㉠ → ㉡ → ㉤ → ㉢
3㉠ → ㉣ → ㉡ → ㉢ → ㉤
4㉠ → ㉡ → ㉤ → ㉢ → ㉣
문제 86
원시 프로그램을 목적 프로그램으로 바꾸어 주기억장치에 저장하기까지의 실행과정으로 옳은 것은?
1컴파일러 → 로더 → 링커
2링커 → 컴파일러 → 로더
3링커 → 로더 → 컴파일러
4컴파일러 → 링커 → 로더
문제 87
10진수 13을 그레이 코드(Gray code)로 변환하면?
11001
20100
31100
41011
문제 88
컴퓨터 확장슬롯에 연결되는 PCI 신호 중에서 현재 지정된 어드레스가 디코딩되어 접근이 가능한지를 나타내는 신호는?
1LOCK
2STOP
3IDSEL
4TRDY
문제 89
그림과 같은 회로의 명칭은?
1반가산기
2전가산기
3전감산기
4parity checker
문제 90
프로그램이 수행되는 도중에 인터럽트가 발생되면 현 사이클의 일을 끝내고 프로그램이 수행될 수 있도록 현주소를 지시하는 것은?
1상태 레지스터
2프로그램 레지스터
3스택 포인터
4인덱스 레지스터
문제 91
서브루틴 호출시 필요한 자료 구조는?
1환형 큐(circular queue)
2다중 큐(multi queue)
3스택(stack)
4트리(tree)
문제 92
논리회로를 설계하는 과정에서 최적화를 위한 고려 대상이 아닌 것은?
1전파 지연신가의 최소화
2사용 게이트 수의 최소화
3게이트 종류의 다양화
4게이트 간 상호변수의 최소화
문제 93
16비트로 나타낼 수 있는 정수의 범위는?
1-216 ~ 216
2-216-1 ~ 216+1
3-215 ~ 215
4-215 ~ 215-1
문제 94
콘솔(console)이나 보조기억장치에서 마이크로프로그램이 로드(load)되는 기법은?
1dynamic micro-programming
2static micro-programming
3horizontal micro-programming
4vertical micro-programming
문제 95
소프트웨어적으로 인터럽트의 우선순위를 결정하는 인터럽트 형식은?
1벡터 방식에 의한 인터럽트
2슈퍼바이저 콜에 의한 인터럽트
3데이지체인 방법에 의한 인터럽트
4폴링 방법에 의한 인터럽트
문제 96
메모리 장치와 주변 장치 사이에서 데이터의 입출력 전송이 직접 이루어지는 것은?
1DMA
2MIMO
3UART
4MIPS
문제 97
컴퓨터가 직접 해독할 수 있는 2진 숫자(binary digit)로 나타낸 언어는?
1기계어(machine language)
2컴파일러 언어(compiler language)
3어셈블리 언어(assembly language)
4기호식 언어(symbolic language)
문제 98
전기신호에 의하여 자료를 기록하고, 삭제할 수 있는 ROM은?
1MASK ROM
2PROM
3EEPROM
4EPROM
문제 99
10110과 01111을 exclusive-OR 하였을 때의 결과는?
100111
200110
311000
411001
문제 100
CPU의 수행 상태를 나타내는 주 상태(Major State) 중에서 메모리로부터 실행하기 위한 다음 명령의 번지를 결정한 후 메모리로부터 명령을 CPU로 읽어 들이는 동작은?
1Fetch 상태
2Indirect 상태
3Execute 상태
4Interrupt 상태
문제 1
평행판 콘덴서의 극간 전압이 일정한 상태에서 극간에 공기가 있을 때의 흡인력을 F1, 극판 사이에 극판 간격의 2/3 두께의 유리판(εr=10)을 삽입할 때의 흡인력을 F2라 하면 F2/F1는?
10.6
20.8
31.5
42.5
문제 2
유전율 ε1, ε2인 두 유전체 경계면에서 전계가 경계면에 수직일 때 경계면에 작용하는 힘은 몇 [N/m2]인가? (단, ε1 > ε2이다.)
1
2
3
4
문제 3
진공 중에 +20μC과 -3.2μC인 2개의 점전하가 1.2m 간격으로 놓여 있을 때 두 전하 사이에 작용하는 힘(N)과 작용력은 어떻게 되는가?
10.2N, 반발력
20.2N, 흡인력
30.4N, 반발력
40.4N, 흡인력
문제 4
Ωㆍsec 와 같은 단위는?
1F
2F/m
3H
4H/m
문제 5
진공 중에 있는 반지름 α(m)인 도체구의 정전용량(F)은?
14πε0α
22πε0α
3aε0α
4a
문제 6
내부도체의 반지름이 a(m)이고, 외부도체의 내반지름이 b(m), 외반지름이 c(m)인 동축 케이블의 단위 길이당 자기 인덕턴스는 몇 H/m인가?
1
2
3
4
문제 7
균일한 자속밀도 B중에 자기모멘트 m의 지삭(관성모멘트 I)이 있다. 이 자석을 미소 진동시켰을 때의 주기는?
1
2
3
4
문제 8
60[Hz]의 교류 발전기의 회전자가 자속밀도 0.15[Wb/m2]의 자기장 내에서 회전하고 있다. 만일 코일의 면적이 2×10-2[m2]일 때 유도기전력이 최대값 Em=220[V]가 되려면 코일을 약 몇 번 감아야 하는가? (단, ω=2πf=377[rad/sec]이다.)
1195회
2220회
3395회
4440회
문제 9
무한장 선로에 균일하게 전하가 분포된 경우 선로로부터 r(m) 떨어진 P점에서의 전계의 세기 E(V/m)는 얼마인가?(단, 선전하 밀도는 ρL(C/m)이다.)
1
2
3
4
문제 10
0.2C의 점전하가 전계 E=5ay+az(V/m) 및 자속밀도 E=2ay+5az(Wb/m2) 내로 속도 v=2ax+3ay(m/s)로 이동할 때 점전하에 작용하는 힘 F(N)은? (단, ax, ay, az는 단위 벡터이다.)
12ax-ay+3az
23ax-ay+az
3ax+ay-2az
45ax+ay-3az
문제 11
반지름이 5[mm]인 구리선에 10[A]의 전류가 흐르고 있을 때 단위시간당 구리선의 단면을 통과하는 전자의개수는? (단, 전자의 전하량 e=1.602×10-19[C]이다.)
16.24×1017
26.24×1019
31.28×1021
41.28×1023
문제 12
투자율을 μ라 하고 공기 중의 투자율 μ0와 비투자율 μs의 관계에서 로 표현된다. 이에 대한 설명으로 알맞은 것은?(단, χ는 자화율이다.)
1χ＞0인 경우 역자성체
2χ＜0인 경우 상자성체
3μs＞1인 경우 비자성체
4μs＜1인 경우 역자성체
문제 13
자계의 벡터포텐셜을 A라 할 때 자계의 변화에 의하여 생기는 전계의 세기 E는?
1E=rotA
2rotE=A
3
4
문제 14
공기 중에서 x방향으로 진행하는 전자파가 있다. Ey=3×10-2sinω(x-vt)(V/m), Ez=4×10-2sinω(x-vt)(V/m)일 때 포인팅 벡터의 크기(W/m2)는?
16.63×10-6sin2ω(x-vt)
26.63×10-6cos2ω(x-vt)
36.63×10-4sinω(x-vt)
46.63×10-4cosω(x-vt)
문제 15
자계의 세기 H=xyay-xzaz(A/m)일 때 점(2, 3, 5)에서 전류밀도는 몇 [A/m2]인가?
13ax+5ay
23ay+5az
35ax+3az
45ay+3az
문제 16
회로에서 단자 a-b 간에 V의 전위차를 인가할 때 C1의 에너지는?
1
2
3
4
문제 17
Qℓ=±200πЄ0×103(Cㆍm)인 전기쌍극자에서 ℓ과 r의 사이 각이 π/3이고, r=1m인 점의 전위(V)는?
150π×104
250×103
325×103
45π×104
문제 18
전속밀도에 대한 설명으로 가장 옳은 것은?
1전속은 스칼라량이기 때문에 전속밀도도 스칼라량이다.
2전속밀도는 전계의 세기의 방향과 반대 방향이다.
3전속밀도는 유전체 내에 분극의 세기와 같다.
4전속밀도는 유전체와 관계없이 크기는 일정하다.
문제 19
와전류와 관련된 설명으로 틀린 것은?
1단위체적당 와류손의 단위는 W/m3이다.
2와전류는 교번자속의 주파수와 최대자속밀도에 비례한다.
3와전류손은 히스테리시스손과 함께 철손이다.
4와전류손을 감소시키기 위하여 성층철심을 사용한다.
문제 20
무한장 직선도체가 있다. 이 도체로부터 수직으로 0.1m 떨어진 점의 자계의 세기가 180AT/m이다. 이 도체로부터 수직으로 0.3m 떨어진 점의 자계의 세기(AT/m)는?
120
260
3180
4540
문제 21
이상 변압기의 조건으로 옳은 것은?
1와류 손실은 약간 있다.
2동손, 철손은 약간 있다.
3두 코일간의 결합계수가 1이다.
4각 코일의 인덕턴스는 ∞가 아니다.
문제 22
리액턴스 함수가 로 표시되는 리액턴스 2단자망은?
1
2
3
4
문제 23
회로의 영상 임피던스 Z01은 약 얼마인가?
14.1[Ω]
25.2[Ω]
36.3[Ω]
47.4[Ω]
문제 24
다음 그림의 교류 회로에서 R에 전류가 흐르지 않기 위한 조건으로 옳은 것은?
1
2ωM=ωL2
3
4
문제 25
f(t)=sint cost 를 라플라스 변환 하면?
11/(S2+2)
21/(S2+4)
31/((S+2)2)
41/((S+4)2)
문제 26
한 코일의 전류가 매초 60[A]의 비율로 변화할 때 다른 코일에는 30[V]의 기전력이 발생하는 경우에 두 코일의 상호 인덕턴스[H]는?
12
21.5
31
40.5
문제 27
h 파라미터 중 단락 순방향 전류 이득은?
1h11
2h21
3h12
4h22
문제 28
R=8[Ω], XL=8[Ω], XC=2[Ω]인 R-L-C 직렬회로에 정현파 전압 V=100[V]를 인가할 때 흐르는 전류는?
110[A]
220[A]
330[A]
440[A]
문제 29
고유저항 ρ, 반지름 r, 길이 ℓ인 전선의 저항이 R일 때, 같은 재료로 반지름은 m배, 길이는 n배로 하면 저항은 몇 배가 되는가?
1m2/n
2m/n
3n/m
4n/m2
문제 30
시간 a만큼 옮겨진 그림과 같은 단위 계단 함수를 라플라스 변환하면?
1
2
3
4
문제 31
2개 이상의 전원을 내포한 선형 회로에서 어떤 가지에 흐르는 전류나 단자의 전압을 해석하는데 사용하는 것은?
1중첩의 원리
2치환정리
3Thevenin의 정리
4Norton의 정리
문제 32
일 때 e1+e2의 실효치는 약 얼마인가?
1√4400
2√3900
3√3100
4√2900
문제 33
그림과 같은 파형을 실수 푸리에 급수로 전개할 때 다음에서 옳은 것은?
1sin항, cos항을 쓰면 유한항으로 전개된다.
2sin항, cos항 모두 있다.
3cos항은 없다.
4sin항은 없다.
문제 34
다음 회로망의 합성 저항은?
16[Ω]
212[Ω]
330[Ω]
450[Ω]
문제 35
두 회로 간에 쌍대 관계가 옳지 않은 것은?
1KㆍVㆍL → KㆍCㆍL
2테브난 정리 → 노튼 정리
3전압원 → 전류원
4폐로전류 → 절점전류
문제 36
기본파의 10[%]인 제3고조파와 20[%]인 제5고조파를 포함하는 전압파의 왜형률은 약 얼마인가?
10.5
20.42
30.31
40.22
문제 37
회로에 60+j80[V]인 전압을 인가하여 4+j1[A] 전류가 흐를 때 소비되는 유효전력은?
1140[W]
2320[W]
3480[W]
4500[W]
문제 38
RC 직렬회로에서 직류전압을 인가할 때 전류값이 초기값의 e-2배가 되는 시간[s]은?
12RC
2RC
3C/R
41/RC
문제 39
그림의 T형 4단자 회로에 대한 전송 파라미터 D는?
1
2
3
4
문제 40
100[μF]의 콘덴서에 100[V], 60[Hz]의 교류전압을 가할 때 무효전력은?
1-40π[Var]
2-60π[Var]
3-120π[Var]
4-240π[Var]
문제 41
다음 회로에서 VCE는 약 몇 [V]인가? (단, βDC는 100이다.)
13.4
25.7
36.2
47.6
문제 42
전가산기를 반가산기 몇 개와 어떤 논리 게이트 몇 개로 구성하는 것이 가장 적당한가?
1반가산기 2개, AND 게이트 1개
2반가산기 2개, OR 게이트 2개
3반가산기 3개, OR 게이트 1개
4반가산기 2개, OR 게이트 1개
문제 43
R-L-C 병렬 공진회로에서 선택도(Q)를 높게 하려면?
1R 값을 크게 한다.
2R 값을 작게 한다.
3C 값을 작게 한다.
4L 값을 크게 한다.
문제 44
QAM(직교진폭변조) 방식에 대한 설명으로 옳은 것은?
1FSK 변조방식의 일종이다.
2AM 변조방식과 FSK 변조방식을 혼합한 것이다.
3FSK 변조방식과 PSK 변조방식을 혼합한 것이다.
4정보신호에 따라 반송파의 진폭과 위상을 변화시키는 APK 변조방식의 한 종류이다.
문제 45
짧은 ON 시간과 긴 OFF 시간을 가지며 펄스신호를 사용하는 증폭기회로에서 주로 쓰이는 증폭기는?
1A급
2B급
3C급
4D급
문제 46
이상적인 연산 증폭기에서 입력 바이어스 전류에 대해 옳은 것은?
1V0 = 0일 때 (IB1 + IB2) / 2
2V0 = ∞일 때 (IB1 + IB2) / 2
3V0 = 0일 때 (IB1 + IB2)
4V0 = ∞일 때 (IB1 + IB2)
문제 47
정류회로에서 전압 안정계수가 0.01일 때 정전압회로의 입력 전압이 ±5[V] 변화하면 출력 전압은?
1±40[mV]
2±50[mV]
3±60[mV]
4±70[mV]
문제 48
트랜지스터를 베이스 접지에서 이미터 접지로 해서 ICEO가 50배가 되었을 때 트랜지스터의 β는?
149
250
359
4120
문제 49
압전현상을 이용하여 안정도가 높은 발진주파수를 얻는 발진기는?
1VCO
2빈브리지 발진기
3수정 발진기
4hartley 발진기
문제 50
위상천이(이동)형 RC 발진기에 대한 설명으로 옳은 것은?
1펄스 발진기로 많이 사용된다.
2100[MHz]대의 높은 주파수 발진용으로 적합하다.
3발진을 계속하기 위해서 증폭도는 29보다 작아야 한다.
4병렬 저항형 이상형 발진기의 발진주파수는 1/2π√RC[Hz]이다.
문제 51
부귀환 입력임피던스 변화에 대한 설명으로 틀린것은?
1전류 병렬 귀환시 입력임피던스는 감소한다.
2전류 직렬 귀환시 입력임피던스는 감소한다.
3전압 병렬 귀환시 입력임피던스는 감소한다.
4전압 직렬 귀환시 입력임피던스는 감소한다.
문제 52
다음 회로의 명칭으로 가장 적합한 것은?
1평형 변조회로
2전파 정류회로
3배전압 정류회로
4반파 정류회로
문제 53
2진 디지털 부호의 정보 내용에 따라 반송파의 위상을 두 가지로 천이되도록 하는 변조방식은?
1FSK 방식
2PSK 방식
3ASK 방식
4QAM 방식
문제 54
B급 푸시풀(Push-Pull) 증폭기의 특징이 아닌 것은?
1트랜지스터의 비선형 특성에서 오는 일그러짐이 증가한다.
2우수 고조파가 상쇄되어 일그러짐이 적다.
3차단 상태 부근에 바이어스 되어 있다.
4컬렉터 효율이 높다.
문제 55
교류전압에 직류전압을 더하는 것으로 직류 복원기(DC Restorer)라고 하는 회로는?
1클램퍼
2제너제한
3리미터
4체배기
문제 56
다음 회로는 어떤 회로인가?
1전류귀환 증폭회로
2전압귀환 증폭회로
3임피던스귀환 증폭회로
4어드미턴스귀환 증폭회로
문제 57
J-K 플립플롭의 J와 K 입력단자를 하나로 묶어 놓은 플립플롭으로 1을 인가하면 출력이 토글되는 플립플롭은?
1RS 플립플롭
2D 플립플롭
3T 플립플롭
4RS 마스터 슬레이브 플립플롭
문제 58
연산증폭기의 일반적인 특징에 대한 설명으로 옳은 것은?
1주파수 대역폭이 좁다.
2입력 임피던스가 낮다.
3동상신호제거비가 크다.
4온도변화에 따른 드리프트가 크다.
문제 59
FET의 핀치오프(Pinch off) 전압에 대한 설명으로 틀린 것은?
1불순물 농도에 비례한다.
2채널 폭의 자승에 비례한다.
3캐리어(Carrier)의 전하량에 반비례한다.
4채널(Channel)이 완전히 막히는 상태에 이르는 전압이다.
문제 60
다음 회로는 βDC=100이고, RC=1[kΩ], RE=470[Ω]인 트랜지스터의 베이스에서 바라본 직류 입력저항은?
11[kΩ]
247[kΩ]
3100[kΩ]
4470[kΩ]
문제 61
페르미 준위에 대한 설명으로 틀린 것은?
1T=0[K]가 아닌 경우 전자의 존재 확률은 50%가 된다.
20[K]에서 전자의 최고 에너지가 된다.
30[K]에서 n형 반도체의 경우 전도대와 도너준위 사이에 위치한다.
4진성 반도체의 경우 온도와 무관하게 전도대에 위치한다.
문제 62
순방향 전압이 걸린 PN 접합(부)의 특성을 설명한 것으로 옳지 않은 것은?
1접합부의 저항은 외부 전압에 따라 변한다.
2접합부의 저항은 전류에 반비례한다.
3접합부의 저항은 온도와 무관하다.
4접합부에는 전압이 생긴다.
문제 63
어떤 광자가 물질을 통과한 후 2537Å 및 4078Å의 두 광자로 분리되었을 때, 원래 조사한 빛의 파장은?
11270Å
21564Å
32040Å
46615Å
문제 64
트랜지스터의 증폭회로에서 안정도(stability factor)는? (단, IC는 컬렉터 전류, IB는 베이스 전류, ICD는 컬렉터 역포화 전류)
1
2
3
4
문제 65
트랜지스터의 전류이득 α를 크게 하는 조건으로 틀린 것은?
1베이스폭을 좁게 한다.
2이미터의 도핑(doping)을 베이스의 도핑보다 크게 한다.
3캐리어의 수명을 길게 한다.
4이미터 전류를 크게 한다.
문제 66
정상 바이어스를 가한 npn 트랜지스터에서 컬렉터 접합에 흐르는 주된 전류는?
1확산 전류
2드리프트 전류
3정공 전류
4베이스 전류와 같다.
문제 67
금속내부의 자유전자에 에너지를 공급하면 금속 밖으로 튀어나오는 현상이 아닌 것은?
1열전자방출
2광전자방출
3전계방출
4저항방출
문제 68
터널(tunnel) 다이오드에 대한 설명으로 틀린것은?
1음성 저항(Negative resistance) 특성을 가진다.
2N형 반도체의 페르미 준위는 금지대 내에 존재한다.
3P형 반도체의 페르미 준위는 가전자대 내에 존재한다.
4능동소자로서 발진기로 사용한다.
문제 69
페르미-디랙(Fermi-Dirac) 분포에 대한 설명이 틀린 것은?
1고체 내의 전자는 Pauli의 배타원리의 지배를 받는다.
2대부분의 전자는 페르미 준위 이상의 에너지 역에 존재한다.
3분포형태는 금속의 온도에 변화한다.
4도체가 가열될 때 전자는 분자 비열 용량에 거의 영향을 주지 못한다.
문제 70
직경 4[mm]인 동선에 4[A]의 전류가 흐르고 있을 때 전자의 평균이동속도는? (단, n=8.2×1023[개/cm3], e=1.602×10-19[C])
12.43[μm/s]
24.66[μm/s]
36.43[μm/s]
48.66[μm/s]
문제 71
PN 접합에 순바이어스(forward-bias)를 가할 때 공핍층의 폭은 무바이어스 시 보다 어떠한가?
1변함이 없다.
2좁아진다.
3넓어진다.
4넓어지기도 하고 좁아지기도 한다.
문제 72
반도체(semiconductor)에 대한 설명으로 옳은 것은?
1홀(hole)의 이동도는 자유전자의 이동도보다 작다.
2게르마늄(Ge)에 비소(As)를 첨가시키면 P형 반도체가 된다.
3P형 반도체는 정공보다는 자유전자가 더 많다.
4온도를 증가시키면 저항은 증가한다.
문제 73
MOSFET의 구조와 동작원리에 대한 설명으로 옳은 것은?
1n채널 MOSFET의 단면구조는 드레인-소스간 p형 반도체의 기판 위에 절연체를 붙이고, 그 위에금속단자를 붙여 게이트 단자를 만든다.
2n채널 MOSFET의 동작원리는 게이트 단자에 문턱전압 이상의 (+) 전압을 인가하면 MOSFET 드레인-소스 사이는 2개의 역방향 다이오드와 같은 등가회로를 갖는다.
3p채널 MOSFET의 단면구조는 p형 반도체 기판(Substrate)에 2개의 p+형 반도체를 형성시킨다.
4n채널 MOSFET의 단면구조는 n형 반도체 기판(Substrate)에 2개의 p+형 반도체를 형성시킨다.
문제 74
피에조 저항(piezo resistance)은?
1압력 변화에 의한 저항의 변화이다.
2자계 변화에 의한 저항의 변화이다.
3온도 변화에 의한 저항의 변화이다.
4광전류 변화에 의한 저항의 변화이다.
문제 75
도체, 반도체, 절연체의 에너지 대역에 관한 설명으로 틀린 것은?
1도체는 전도대와 가전자대가 중첩되었다.
2반도체의 금지대역폭이 절연체보다 작다.
3도체의 금지대역폭이 반도체보다 작다.
4반도체는 금지대역폭이 5eV 이상이다.
문제 76
컬렉터 접합부의 온도 상승으로 인하여 트랜지스터가 파괴되는 현상은?
1얼리 현상
2항복 현상
3열폭주 현상
4펀치 스로우 현상
문제 77
실리콘 n형 반도체에 관한 설명으로 옳은 것은?
1불순물은 3개의 가전자 만을 갖는다.
2억셉터(acceptor) 불순물을 첨가하여 제작한다.
3정공은 소수 캐리어이다.
4진성 반동체이다.
문제 78
초전도 현상에 대한 설명으로 틀린 것은?
1초전도체는 완전도체의 성질을 갖는다.
2초전도체는 완전 반자성체의 성질을 갖는다.
3초전도 상태에 있는 물질 내에서는 전계가 0이다.
4초전도체를 관통하는 자속의 시간적 변화는 완전히 주기적이다.
문제 79
광속도의 1/5의 속도로 운동하고 있는 전자의 드브로이(de Broglie) 파장은? (단, h=6.6×10-34[Jㆍsec], 전자의 질량 m=9.1×10-31[kg], 광속도 c=3×108[m/sec])
12.3×10-13[m]
22.3×10-11[m]
31.2×10-13[m]
41.2×10-11[m]
문제 80
반도체의 전도에 관한 설명으로 틀린 것은?
1반도체의 저항은 온도의 증가에 따라 감소한다.
2캐리어의 이동도는 온도와 결정구조의 규칙성에 따라 변한다.
3절대온도 0[K]에서 모든 가전자는 전도대에 존재한다.
4자유전자가 정공과 결합하는 과정을 재결합이라 한다.
문제 81
C 언어 중 모든 면에서 구조체와 같으며 선언문법이나 사용하는 방법이 같은 것은?
1constant
2array
3union
4pointer
문제 82
주소지정 방식 중에서 반드시 누산기를 필요로 하는 방식은?
13-주소지정 방식
22-주소지정 방식
31-주소지정 방식
40-주소지정 방식
문제 83
명령어의 형식에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?
13-주소 명령어 형식은 3개의 자료 필드를 갖고 있다.
22-주소 명령어 형식에서는 연산 후에도 원래 입력 자료가 항상 보존된다.
31-주소 명령어 형식에서는 연산 결과가 항상 누산기(accumulator)에 기억된다.
40-주소 명령어 형식을 사용하는 컴퓨터는 일반적으로 스택(stack)을 갖고 있다.
문제 84
2진수 (1110.0111)2를 16진수로 옳게 바꾼 것은?
1(7.7)16
2(14.14)16
3(E.7)16
4(E.E)16
문제 85
다음 프로그램 작성 과정을 순서대로 올바르게 나열한 것은?
1㉣ → ㉠ → ㉡ → ㉢ → ㉤
2㉣ → ㉠ → ㉡ → ㉤ → ㉢
3㉠ → ㉣ → ㉡ → ㉢ → ㉤
4㉠ → ㉡ → ㉤ → ㉢ → ㉣
문제 86
원시 프로그램을 목적 프로그램으로 바꾸어 주기억장치에 저장하기까지의 실행과정으로 옳은 것은?
1컴파일러 → 로더 → 링커
2링커 → 컴파일러 → 로더
3링커 → 로더 → 컴파일러
4컴파일러 → 링커 → 로더
문제 87
10진수 13을 그레이 코드(Gray code)로 변환하면?
11001
20100
31100
41011
문제 88
컴퓨터 확장슬롯에 연결되는 PCI 신호 중에서 현재 지정된 어드레스가 디코딩되어 접근이 가능한지를 나타내는 신호는?
1LOCK
2STOP
3IDSEL
4TRDY
문제 89
그림과 같은 회로의 명칭은?
1반가산기
2전가산기
3전감산기
4parity checker
문제 90
프로그램이 수행되는 도중에 인터럽트가 발생되면 현 사이클의 일을 끝내고 프로그램이 수행될 수 있도록 현주소를 지시하는 것은?
1상태 레지스터
2프로그램 레지스터
3스택 포인터
4인덱스 레지스터
문제 91
서브루틴 호출시 필요한 자료 구조는?
1환형 큐(circular queue)
2다중 큐(multi queue)
3스택(stack)
4트리(tree)
문제 92
논리회로를 설계하는 과정에서 최적화를 위한 고려 대상이 아닌 것은?
1전파 지연신가의 최소화
2사용 게이트 수의 최소화
3게이트 종류의 다양화
4게이트 간 상호변수의 최소화
문제 93
16비트로 나타낼 수 있는 정수의 범위는?
1-216 ~ 216
2-216-1 ~ 216+1
3-215 ~ 215
4-215 ~ 215-1
문제 94
콘솔(console)이나 보조기억장치에서 마이크로프로그램이 로드(load)되는 기법은?
1dynamic micro-programming
2static micro-programming
3horizontal micro-programming
4vertical micro-programming
문제 95
소프트웨어적으로 인터럽트의 우선순위를 결정하는 인터럽트 형식은?
1벡터 방식에 의한 인터럽트
2슈퍼바이저 콜에 의한 인터럽트
3데이지체인 방법에 의한 인터럽트
4폴링 방법에 의한 인터럽트
문제 96
메모리 장치와 주변 장치 사이에서 데이터의 입출력 전송이 직접 이루어지는 것은?
1DMA
2MIMO
3UART
4MIPS
문제 97
컴퓨터가 직접 해독할 수 있는 2진 숫자(binary digit)로 나타낸 언어는?
1기계어(machine language)
2컴파일러 언어(compiler language)
3어셈블리 언어(assembly language)
4기호식 언어(symbolic language)
문제 98
전기신호에 의하여 자료를 기록하고, 삭제할 수 있는 ROM은?
1MASK ROM
2PROM
3EEPROM
4EPROM
문제 99
10110과 01111을 exclusive-OR 하였을 때의 결과는?
100111
200110
311000
411001
문제 100
CPU의 수행 상태를 나타내는 주 상태(Major State) 중에서 메모리로부터 실행하기 위한 다음 명령의 번지를 결정한 후 메모리로부터 명령을 CPU로 읽어 들이는 동작은?
1Fetch 상태
2Indirect 상태
3Execute 상태
4Interrupt 상태