MOSFET의 구조와 동작원리에 대한 설명으로 옳은 것은? | [전자기사 필기] 15년 1회차 기출문제 상세 페이지
1[전자기사 필기] 15년 1회차
MOSFET의 구조와 동작원리에 대한 설명으로 옳은 것은?
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n채널 MOSFET의 단면구조는 드레인-소스간 p형 반도체의 기판 위에 절연체를 붙이고, 그 위에금속단자를 붙여 게이트 단자를 만든다.
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n채널 MOSFET의 동작원리는 게이트 단자에 문턱전압 이상의 (+) 전압을 인가하면 MOSFET 드레인-소스 사이는 2개의 역방향 다이오드와 같은 등가회로를 갖는다.
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p채널 MOSFET의 단면구조는 p형 반도체 기판(Substrate)에 2개의 p+형 반도체를 형성시킨다.
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n채널 MOSFET의 단면구조는 n형 반도체 기판(Substrate)에 2개의 p+형 반도체를 형성시킨다.
해설
n채널 MOSFET은 p형 기판 위에 절연막을 놓고 그 위에 금속 게이트를 붙인 구조이므로 이 서술이 옳다.
반전층 채널이 생기는 구조로, 드레인과 소스는 p형 기판 속에 만든 두 개의 n+ 영역이며, 게이트 전압이 문턱전압을 넘으면 기판 표면에 반전층 채널이 생긴다.
- 문턱전압 이상의 양 전압에서 두 개의 역방향 다이오드 등가가 된다는 보기는 틀렸다. 이 경우에는 채널이 형성되어 드레인-소스가 도통하며, 두 역방향 다이오드 모양은 채널이 없는 문턱 미만 상태이다.
- p채널 MOSFET이 p형 기판에 p+ 두 영역을 만든다는 보기는 틀렸다. p채널은 n형 기판에 p+ 두 영역을 만든다.
- n채널 MOSFET이 n형 기판에 p+ 두 영역을 만든다는 보기는 틀렸다. n채널은 p형 기판에 n+ 두 영역을 만든다.
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