[전자기사 필기] 19년 2회차 기출문제 정답·해설 페이지

평행판 콘덴서에 유전체를 넣었을 때 틀린 것은 유전체 내 전계가 진공일 때보다 강해진다는 보기이다.
분극으로 생긴 분극전하가 판 전하의 전계를 일부 상쇄하므로 유전체 내 전계는 약해지거나(전하 일정) 같다(전압 일정). 어느 경우에도 강해지지 않는다.
나머지 보기는 옳은 내용이며, 소거 근거는 다음과 같다.
정전 용량 C 가 진공일 때의 $C_0$ 보다 커진다는 보기는 $C=\varepsilon_r C_0$ 이고 $\varepsilon_r$ 가 1보다 크므로 옳은 내용이다.
용량의 비 $C/C_0$ 가 유전체 종류로 정해지는 비유전율이라는 보기는 $C/C_0=\varepsilon_r$ 이므로 옳은 내용이다.
분극의 세기 P 가 분극에 의해 발생된 전하 밀도와 같다는 보기는 분극의 세기가 표면 분극전하 밀도와 크기가 같으므로 옳은 내용이다.

표면전하 밀도는 자유전하의 표면밀도를 말하며, 구속전하(polarization bound charge)의 표면밀도가 아니다. 구속전하의 표면밀도는 분극(polarization)의 법선 성분으로 표현되는 별개의 양이다.
완전 유전체 내 자유전하 부재: 완전 유전체 내부에 자유전하가 없다는 정의와 일치한다.
경계면의 외부 전하: 경계면의 외부 전하가 유전체의 자유전하 평형을 깨뜨린다는 원리에 맞다.
경계면 표면전하 밀도 영: 자유전하가 없는 경계면에서 표면전하 밀도가 0이 되는 일반적 경우를 올바르게 설명한다.

전류가 흐르는 방향으로 오른나사를 돌려 나아가게 할 때 나사가 회전하는 방향이 자계의 방향이라는 것이 암페어의 오른나사 법칙이다. 플레밍의 오른손 법칙은 유도기전력의 방향, 비오-사바르 법칙은 전류 요소가 만드는 자계의 크기, 렌츠의 법칙은 유도기전력의 방향(자속 변화를 방해하는 방향)을 정한다.

운동 기전력 공식에 속도와 자계가 이루는 각의 사인을 곱해 구하며, 값은 0.9 V 이다.
$e = B\ell v\sin\theta$
$= 0.2 \times 0.3 \times 30 \times \sin 30^\circ$
$= 0.2 \times 0.3 \times 30 \times 0.5 = 0.9\ \mathrm{V}$
0.3 V 는 계산값 0.9 V 와 다르다.
0.6 V 는 계산값 0.9 V 와 다르다.
1.2 V 는 계산값 0.9 V 와 다르다.

자기 인덕턴스의 단위는 헨리(H) 이다.
인덕턴스는 유기 기전력 $e = L\dfrac{di}{dt}$ 으로 정의되므로 전류 변화율에 대한 유기 기전력의 비이며, $\mathrm{H} = \mathrm{V\cdot s/A}$ 이다.
V 는 전압(전위차)의 단위이다.
A 는 전류의 단위이다.
T 는 자속밀도의 단위이다.

전자파의 고유 임피던스는 약 42 Ω 이다.
$\eta = \sqrt{\dfrac{\mu}{\varepsilon}} = 120\pi\sqrt{\dfrac{\mu_r}{\varepsilon_r}}$
$= 377 \times \dfrac{1}{\sqrt{80}} \approx 42\ \mathrm{\Omega}$
즉 비유전율의 제곱근에 반비례한다.
21 Ω 은 계산값 약 42 Ω 와 다르다.
80 Ω 은 계산값 약 42 Ω 와 다르다.
160 Ω 은 계산값 약 42 Ω 와 다르다.

물속 전자파의 속도는 진공 속도를 비유전율과 비투자율의 곱의 제곱근으로 나눈 값으로, 매우 느려진 $3.35 \times 10^{7}\ \mathrm{m/s}$ 이다.
$v = \dfrac{1}{\sqrt{\mu\varepsilon}} = \dfrac{3 \times 10^{8}}{\sqrt{\varepsilon_r \mu_r}}$
$= \dfrac{3 \times 10^{8}}{\sqrt{80 \times 1}} \approx 3.35 \times 10^{7}\ \mathrm{m/s}$
$2.67 \times 10^{8}\ \mathrm{m/s}$ 는 계산값과 다르다.
$3.0 \times 10^{9}\ \mathrm{m/s}$ 는 진공 속도 $3 \times 10^{8}\ \mathrm{m/s}$ 보다 커서 매질 속 속도로 될 수 없다.
$9.0 \times 10^{9}\ \mathrm{m/s}$ 는 진공 속도 $3 \times 10^{8}\ \mathrm{m/s}$ 보다 커서 매질 속 속도로 될 수 없다.

영구자석 재료로 폐회로를 만들면 자속이 재료 내부에서만 돌기 때문에 자극이 생기지 않는다. 그래서 외부로 자계가 나오지 않고, 강한 영구자석으로 쓸 수 없다. 좋은 영구자석은 잔류 자속밀도와 보자력이 모두 커야 한다.

동심구형 콘덴서의 정전용량은 $C = 4\pi\epsilon_0\frac{ab}{b-a}$ (a: 내반지름, b: 외반지름)로 표현된다.
내외 반지름을 각각 10배로 증가시키면 a' = 10a, b' = 10b이므로
$C' = 4\pi\epsilon_0\frac{10a \cdot 10b}{10b-10a} = 4\pi\epsilon_0\frac{100ab}{10(b-a)} = 10 \cdot 4\pi\epsilon_0\frac{ab}{b-a} = 10C$
이다.
따라서 정전용량은 10배로 증가한다.

무한 직선 전류의 자계는 거리에 반비례하므로 0.2 m 지점의 자계는 50 AT/m 이다.
$H = \dfrac{I}{2\pi r}\ \propto\ \dfrac{1}{r}$
$H_2 = 100 \times \dfrac{0.1}{0.2} = 50\ \mathrm{AT/m}$
40 AT/m 는 계산값 50 AT/m 와 다르다.
30 AT/m 는 계산값 50 AT/m 와 다르다.
20 AT/m 는 계산값 50 AT/m 와 다르다.

무한 솔레노이드의 자계 분포는 암페르 법칙으로부터 도출되는데, 내부의 자계는 축에 평행하고 위치에 관계없이 균일하며 그 크기는 $B = \mu_0 n I$ (n: 단위 길이당 권선 수, I: 전류)로 일정하다. 반면 외부의 자계는 0이다.
내부 자계와 외부 자계의 값이 같다는 설명은 틀렸다.
외부 자계가 멀어질수록 작아진다는 설명은 외부에 자계가 존재하지 않아 거리에 따른 감소를 논할 수 없다.
내부 자계의 크기가 0이라는 설명도 내부 자계가 명확히 존재하므로 오답이다.

기자력 식에서 코일의 권수는 400회 이다.
$F = NI$ 이므로
$N = \dfrac{F}{I} = \dfrac{2000}{5} = 400$
10000회는 계산값 400회와 다르다.
500회는 계산값 400회와 다르다.
250회는 계산값 400회와 다르다.

코일에서는 전류, 콘덴서에서는 전압이 급격히 변할 수 없다.
코일의 자기 에너지 $\dfrac{1}{2}Li^{2}$ 과 콘덴서의 정전 에너지 $\dfrac{1}{2}Cv^{2}$ 은 순간적으로 변하려면 무한대의 전력이 필요하므로, 코일 전류와 콘덴서 전압은 연속이다.
코일 전류와 콘덴서 전류를 짝지은 보기는 콘덴서 전류가 $i = C\dfrac{dv}{dt}$ 이어서 전압 변화율이 순간적으로 바뀌면 급변할 수 있으므로 틀리다.
코일 전압과 콘덴서 전압을 짝지은 보기는 코일 전압이 $v = L\dfrac{di}{dt}$ 이어서 전류 변화율이 바뀌면 급변할 수 있으므로 틀리다.
코일 전압과 콘덴서 전류를 짝지은 보기는 두 양 모두 변화율에 비례하는 값이라 급변할 수 있으므로 틀리다.

결합계수 식으로 상호 인덕턴스를 구하면 5 H 이다.
$M = k\sqrt{L_1 L_2}$
$= 0.5 \times \sqrt{20 \times 5} = 0.5 \times 10 = 5\ \mathrm{H}$
7.5 H 는 계산값 5 H 와 다르다.
8 H 는 계산값 5 H 와 다르다.
9 H 는 계산값 5 H 와 다르다.

오버슈트는 과도 응답 중 최초 피크치와 최종치의 차이이다.
응답이 최종치를 넘어 올라간 크기(초과량)를 뜻하므로 시간으로 정의되는 지표와 구별된다.
최종치의 90%에 도달하는 시간은 응답 속도를 나타내는 시간 값이므로 초과량인 오버슈트와 다르다.
목표값의 50%에 도달하는 데 필요한 시간은 지연 시간의 정의이다.
응답이 허용 오차 이내로 정착하는 데 필요한 시간은 정정 시간의 정의이다.

이상적인 전류원의 내부 임피던스는 무한대 이다.
부하가 바뀌어 단자 전압이 달라져도 출력 전류가 일정하려면 내부 임피던스가 부하보다 훨씬 커야 하며, 이상적인 경우 Z = ∞ 로 정의한다.
Z = 0 은 이상적인 전압원의 내부 임피던스이다.
Z = 1 Ω 은 유한한 값이어서 부하에 따라 내부로 분류되는 전류가 달라져 일정 전류가 유지되지 않는다.
이상적인 전류원의 내부 임피던스는 무한대로 정해져 있으므로 정해지지 않는다는 보기는 틀리다.

자기 인덕턴스는 10 mH 이다.
$e = L\dfrac{\Delta i}{\Delta t}$ 에서
$L = \dfrac{e}{\Delta i/\Delta t} = \dfrac{20}{(50-30)/0.01} = \dfrac{20}{2000} = 0.01\ \mathrm{H}$
즉 10 mH 이다.
5 mH 는 계산값 10 mH 와 다르다.
15 mH 는 계산값 10 mH 와 다르다.
20 mH 는 계산값 10 mH 와 다르다.

코일의 유도 리액턴스 식으로 구한 주파수는 약 60 Hz 이다.
$X_L = 2\pi f L$ 이므로
$f = \dfrac{X_L}{2\pi L} = \dfrac{377}{2\pi \times 1} \approx 60\ \mathrm{Hz}$
6 Hz 는 계산값 약 60 Hz 와 다르다.
36 Hz 는 계산값 약 60 Hz 와 다르다.
360 Hz 는 계산값 약 60 Hz 와 다르다.

부하전압 변동률은 무부하와 최대 부하 출력전압의 차를 최대 부하 전압으로 나눈 값으로, 약 0.572% 이다.
$VR = \dfrac{V_{NL} - V_{FL}}{V_{FL}} \times 100$
$= \dfrac{10.55 - 10.49}{10.49} \times 100 \approx 0.572\ \%$
0.384% 는 계산값 0.572% 와 다르다.
0.716% 는 계산값 0.572% 와 다르다.
0.924% 는 계산값 0.572% 와 다르다.

충격계수는 펄스폭과 반복주파수의 곱이며 $9 \times 10^{-4}$ 이다.
$D = \dfrac{\tau}{T} = \tau f$
$= 1.5 \times 10^{-6} \times 600 = 9 \times 10^{-4}$
$3 \times 10^{-4}$ 는 계산값 $9 \times 10^{-4}$ 와 다르다.
$6 \times 10^{-4}$ 는 계산값 $9 \times 10^{-4}$ 와 다르다.
$12 \times 10^{-4}$ 는 계산값 $9 \times 10^{-4}$ 와 다르다.

슬루 레이트는 출력전압이 시간에 따라 변할 수 있는 최대 비율이므로 단위는 V/μs 이다.
$SR = \left|\dfrac{dv_o}{dt}\right|_{max}$ 로, 전압을 시간으로 나눈 차원을 갖는 전압 변화율이다.
μs/V 는 시간을 전압으로 나눈 값이어서 전압 변화율의 역수이다.
μs/A 는 시간을 전류로 나눈 값이어서 전압 변화율이 아니다.
A/μs 는 전류 변화율의 단위이어서 전압 변화율이 아니다.

부궤환을 걸면 이득은 감소하는 대신 잡음과 왜율이 줄고 대역폭은 넓어진다.
궤환 후 이득 $A_f = \dfrac{A}{1 + A\beta}$ 로 궤환량 $1 + A\beta$ 만큼 줄어들고, 그 대가로 증폭기 내부에서 생기는 잡음과 비선형 왜곡이 억제되며 대역폭이 넓어진다.
이득만 감소하고 다른 특성은 변화가 없다는 보기는 왜율과 대역폭이 달라지므로 틀리다.
이득이 커진다는 보기는 부궤환이 이득을 줄이므로 틀리다.
이득이 감소하면서 잡음과 왜율이 증가한다는 보기는 부궤환에서 잡음과 왜율이 감소하므로 틀리다.

동상신호 제거비는 차동이득과 동상이득의 비를 dB 로 바꾼 80 dB 이다.
$CMRR = \dfrac{A_d}{A_c} = \dfrac{1000}{0.1} = 10^{4}$
$20\log_{10}10^{4} = 80\ \mathrm{dB}$
10,000 은 dB 로 환산하기 전의 두 이득의 비이다.
1000 은 차동이득 값 그대로이며 dB 로 환산한 CMRR 이 아니다.
60 dB 은 계산값 80 dB 와 다르다(전압비 1000 에 해당하는 값이다).

접합형 트랜지스터를 스위치로 쓸 때는 포화 영역(ON)과 차단 영역(OFF) 을 사용한다.
차단 영역에서는 두 접합이 역바이어스되어 전류가 거의 흐르지 않아 열린 스위치와 같고, 포화 영역에서는 컬렉터-이미터 전압이 매우 작아 닫힌 스위치와 같다.
포화 영역과 활성 영역을 짝지은 보기는 활성 영역이 증폭 동작 영역이라 OFF 상태를 만드는 차단 영역이 빠져 있어 틀리다.
활성 영역과 차단 영역을 짝지은 보기는 활성 영역이 증폭 동작 영역이라 ON 상태를 만드는 포화 영역이 빠져 있어 틀리다.
활성 영역과 역활성 영역을 짝지은 보기는 두 영역 모두 한쪽 접합만 순바이어스된 상태라 완전한 ON, OFF 가 아니므로 틀리다.

터널 효과의 가능성은 슈뢰딩거의 파동방정식으로 설명된다.
입자 에너지가 장벽 높이보다 낮아도 장벽 속 파동함수는 지수적으로 감쇠할 뿐 0 이 되지 않아, 반대편에서 존재 확률(투과 확률)이 생긴다.
제벡 효과는 온도차로 기전력이 생기는 열전 현상이다.
상대성 원리는 서로 등속 운동하는 관성계에서 물리 법칙이 같다는 원리로 장벽 투과와 관련이 없다.
드브로이 방정식은 입자의 파장을 운동량과 연결하는 관계로 파동성을 나타낼 뿐이며, 장벽 내부 파동함수와 투과 확률은 슈뢰딩거 방정식을 풀어야 얻는다.

열전자 전류밀도는 Richardson-Dushman 방정식으로 나타나며, $J = A T^2 e^{-\phi/(k_B T)}$의 형태이다. 여기서 $\phi$는 일함수이다.
일함수가 $\phi$에서 $\phi/2$로 변할 때, 지수항의 변화를 보면
$e^{-\phi/(2k_B T)} = (e^{-\phi/(k_B T)})^{1/2}$
이다. 온도 $T$가 일정하면 전류밀도의 비는
$J_{\text{new}}/J_{\text{old}} = e^{-\phi/(2k_B T)} / e^{-\phi/(k_B T)} = e^{\phi/(2k_B T)}$
이다.
이는 원래 지수항의 제곱근에 역수를 취한 형태로, 원래 전류밀도에 $e^{\phi/(2k_B T)}$를 곱한 값이 된다.

순방향 바이어스에서는 공핍층 가까이의 소수캐리어 농도가 P형과 N형 양쪽에서 모두 증가한다.
순방향 전압이 장벽을 낮추면 P형의 정공과 N형의 전자가 접합을 넘어 반대 영역으로 주입되며, 주입된 캐리어가 그 영역의 소수캐리어가 된다.
두 영역에서 동시에 감소한다는 보기는 순방향에서는 주입으로 소수캐리어가 늘어나므로 틀리다.
P형에서 증가하고 N형에서 감소한다는 보기는 N형에서도 정공이 주입되어 늘어나므로 틀리다.
N형에서 증가하고 P형에서 감소한다는 보기는 P형에서도 전자가 주입되어 늘어나므로 틀리다.

터널 다이오드의 공간전하층은 일반 다이오드보다 넓지 않고 매우 좁다.
불순물을 아주 높게 도핑하므로 공핍층 폭이 극히 얇아져 전자가 장벽을 터널링한다. 나머지 보기는 옳은 내용이다.
부성 저항 특성을 나타낸다는 서술은 순방향 일정 구간에서 전압이 늘어도 전류가 줄어드는 터널 다이오드의 특징이라 옳다.
마이크로파 발진용으로 사용된다는 서술은 부성 저항을 이용해 높은 주파수에서 발진시키는 용도라 옳다.
역바이어스 상태에서 전도성이 양호하다는 서술은 역방향에서는 P측 가전자대 전자가 얇은 장벽을 지나 N측 전도대로 터널링해 전류가 잘 흐르므로 옳다.

빛을 받으면 저항이 변하는 광도전 소자는 CdS 셀 이다.
빛이 입사하면 전자와 정공 쌍이 생겨 전도도가 늘고 저항이 줄어드는 광도전 효과를 이용한다.
터널 다이오드는 고농도 접합의 터널링으로 부성 저항을 나타내는 소자이다.
버랙터 다이오드는 역바이어스 전압으로 접합 용량을 바꾸는 소자이다.
서미스터는 온도에 따라 저항이 크게 변하는 소자이다.

광전면의 일함수는 약 1.5V이다.
광전 효과에서 광자 에너지는 일함수와 광전자 최대 운동 에너지의 합이다. 파장 $5600\,\mathrm{\AA}=5.6\times10^{-7}\,\mathrm{m}$ 이다.
$E=\dfrac{hc}{\lambda}=\dfrac{6.6\times10^{-34}\times3\times10^{8}}{5.6\times10^{-7}}\approx3.54\times10^{-19}\,\mathrm{J}$
$E\approx\dfrac{3.54\times10^{-19}}{1.6\times10^{-19}}\approx2.21\,\mathrm{eV}$
$\phi=E-E_{k}=2.21-0.68\approx1.53\,\mathrm{eV}$
계산값을 유효 두 자리로 반올림하면 $1.5\,\mathrm{V}$이고, 나머지 값은 계산값과 다르다.

균등전계 내 전자의 운동에서 틀린 설명은 속도가 전위차의 제곱근에 반비례한다는 것이다.
전위차 $V$로 가속된 전자는 $eV=\dfrac{1}{2}mv^{2}$ 이므로 $v=\sqrt{\dfrac{2eV}{m}}$ 이고, 속도는 전위차의 제곱근에 비례한다.
나머지 보기는 옳은 내용이다.
전자가 전계와 반대 방향의 일정한 힘을 받는다는 설명은 옳다. 전자는 음전하라 힘이 $F=-eE$ 이고 균등전계에서는 크기가 일정하다.
전계에 의한 전자의 운동 에너지가 $\dfrac{1}{2}mv^{2}$ 이라는 설명은 옳다. 이는 질량 $m$, 속도 $v$인 입자의 운동 에너지 정의이다.
전위차에 의한 가속전자의 운동 에너지가 $eV$ 라는 설명은 옳다. 전계가 전자에 한 일이 $eV$ 이고 이것이 운동 에너지로 바뀐다.

통과하는 전자 수는 $6.25\times10^{17}$ 개이다.
통과한 전하량은 전류와 시간의 곱이고, 전자 수는 이를 전자 한 개의 전하량으로 나눈 값이다.
$Q=It=1\times0.1=0.1\,\mathrm{C}$
$N=\dfrac{Q}{e}=\dfrac{0.1}{1.6\times10^{-19}}=6.25\times10^{17}$
$6.25\times10^{19}$ 개는 계산값과 다르다.
$6.25\times10^{21}$ 개는 계산값과 다르다.
$6.25\times10^{23}$ 개는 계산값과 다르다.

P채널 FET의 전류는 주로 정공의 드리프트 현상에 의한 것이다.
P채널 FET의 채널은 P형 반도체라 다수 캐리어가 정공이고, 드레인-소스 사이 전계가 정공을 이동시키므로 전류는 전계에 의한 드리프트 전류이다.
전자의 확산 현상은 주된 전류가 아니다. 채널의 캐리어가 전자가 아니라 정공이며 전류도 전계에 의한 이동이 지배한다.
정공의 확산 현상은 주된 전류가 아니다. 정공이 캐리어이긴 하지만 FET 채널 전류는 농도 구배가 아니라 인가 전계에 의한 이동이다.
전자의 드리프트 현상은 P채널 FET의 전류가 아니다. 전자가 다수 캐리어인 것은 N채널 FET이다.

시프트레지스터에 대한 틀린 설명은 왼쪽 시프트가 나누기, 오른쪽 시프트가 곱하기라는 서술이다.
이진수를 왼쪽으로 한 비트 시프트하면 각 자리의 가중치가 두 배가 되어 2를 곱한 결과, 오른쪽으로 시프트하면 2로 나눈 결과가 된다. 서술은 방향이 반대로 되어 있다.
나머지 보기는 옳은 내용이다.
입출력 방식이 직렬입력-직렬출력, 직렬입력-병렬출력, 병렬입력-직렬출력, 병렬입력-병렬출력으로 나뉜다는 설명은 옳다.
n비트 시프트레지스터가 n개의 플립플롭과 시프트 동작을 제어하는 게이트로 구성된다는 설명은 옳다.
왼쪽 시프트 또는 오른쪽 시프트 중 하나이거나 둘을 겸할 수 있다는 설명은 옳다. 양방향 시프트레지스터가 후자에 해당한다.

어셈블리어 프로그램을 기계어로 바꾸어 주는 것은 어셈블러이다.
어셈블러는 니모닉으로 쓴 어셈블리어를 기계어(목적 코드)로 번역하는 번역 프로그램이다.
인터프리터는 소스를 한 줄씩 해석하며 곧바로 실행하는 프로그램이라 어셈블리어를 기계어로 번역해 목적 코드를 만드는 일을 하지 않는다.
로더는 실행 가능한 프로그램을 주기억장치에 적재하는 프로그램이라 번역 기능이 없다.
컴파일러는 고급 언어로 쓴 프로그램을 번역하는 프로그램이다. 어셈블리어는 저급 언어라 어셈블러의 대상이다.

고급 언어가 기계어로 실행되기까지의 순서는 컴파일러, 어셈블러, 링커, 로더이다.
고급 언어 소스는 컴파일러가 어셈블리어로 번역하고, 어셈블러가 목적 코드로 만들며, 링커가 여러 목적 코드와 라이브러리를 연결해 실행 파일을 만든다. 마지막으로 로더가 실행 파일을 주기억장치에 적재한다.
컴파일러, 어셈블러, 로더, 링커의 순서는 적절하지 않다. 링커가 만든 실행 파일을 로더가 적재하므로 링커가 로더보다 앞서야 한다.
어셈블러, 컴파일러, 로더, 링커의 순서는 적절하지 않다. 어셈블러는 컴파일러가 만든 어셈블리어를 입력으로 받으므로 컴파일러 뒤에 와야 한다.
어셈블러, 컴파일러, 링커, 로더의 순서는 적절하지 않다. 어셈블러가 고급 언어 소스를 직접 처리하지 못하므로 컴파일러가 먼저 와야 한다.

8진수 $(375.24)_{8}$ 을 10진수로 바꾸면 253.3125이다.
각 자리에 8의 거듭제곱 가중치를 곱해 더한다.
$3\times8^{2}+7\times8^{1}+5\times8^{0}=192+56+5=253$
$2\times8^{-1}+4\times8^{-2}=0.25+0.0625=0.3125$
따라서 합은 $253.3125$ 이고, 나머지 값은 계산값과 다르다.

시스템버스에 속하지 않는 것은 I/O 버스이다.
시스템버스는 CPU, 기억장치, 입출력 장치 사이에서 정보를 나르는 공통 통로로 제어 버스·주소 버스·데이터 버스 세 가지로 구성된다. I/O 버스는 이 세 버스의 하나가 아니다.
제어 버스는 읽기·쓰기 같은 제어 신호를 전달하는 시스템버스의 구성 요소이다.
주소 버스는 접근할 기억장치나 입출력 위치의 주소를 전달하는 시스템버스의 구성 요소이다.
데이터 버스는 데이터를 주고받는 시스템버스의 구성 요소이다.

세 입력의 홀수 패리티 발생기는 $(x\oplus y)\odot z$ 로 나타낸다.
입력 1의 개수가 홀수이면 $x\oplus y\oplus z=1$ 이므로, 짝수 패리티 비트는 이 값이고 홀수 패리티 비트는 이를 반전한 값이다. $A\odot B=\overline{A\oplus B}$ 이므로 $(x\oplus y)\odot z=\overline{x\oplus y\oplus z}$ 가 홀수 패리티 비트이다.
$(x\odot y)\odot z$ 는 $\overline{\overline{x\oplus y}\oplus z}=x\oplus y\oplus z$ 로 짝수 패리티 발생기이다.
$(x\oplus y)\oplus z$ 는 짝수 패리티 발생기이다.
$(x+y)\cdot z$ 는 패리티와 무관한 논리식이다. 입력이 모두 1이면 값이 1이지만 홀수 패리티 비트는 0이어야 한다.

분기되는 주소는 24F8H 번지이다.
상대주소 모드에서는 명령어를 인출한 뒤 증가한 PC에 변위를 더한다. 3바이트 명령어이므로 PC는 $256\mathrm{AH}+3=256\mathrm{DH}$ 가 된다.
$256\mathrm{DH}-75\mathrm{H}=24\mathrm{F8H}$
24F2H 번지는 계산값과 다르다.
24F5H 번지는 명령어 자신의 주소에서 변위만 뺀 값이다. 명령어 길이만큼 증가한 PC가 기준이므로 계산값과 다르다.
256DH 번지는 증가한 PC 값 그대로이다. 변위를 반영하지 않았으므로 계산값과 다르다.

순차 논리 회로에 해당하는 것은 플립플롭이다.
순차 논리 회로는 출력이 현재 입력뿐 아니라 이전 상태에도 의존하는 회로이고, 플립플롭은 1비트를 기억하는 기억 소자라 이에 해당한다. 조합 논리 회로는 출력이 현재 입력만으로 정해진다.
부호기는 현재 입력 조합만으로 출력 코드가 정해지는 조합 논리 회로이다.
반가산기는 두 입력의 합과 올림수를 현재 입력만으로 내는 조합 논리 회로이다.
멀티플렉서는 선택 신호에 따라 현재 입력 중 하나를 출력하는 조합 논리 회로이다.

16개의 레지스터를 지정하려면 4비트의 레지스터 지정 필드가 필요하다.
n비트로 구분할 수 있는 레지스터 수는 $2^{n}$ 개이다. $2^{n}=16$ 에서 $n=\log_{2}16=4$ 이다.
1비트로는 $2^{1}=2$ 개만 구분할 수 있어 부족하다.
8비트는 $2^{8}=256$ 개를 구분할 수 있어 필요한 비트 수보다 크다.
16비트는 $2^{16}$ 개를 구분할 수 있어 필요한 비트 수보다 훨씬 크다.