19년 2회차

평행판 콘덴서에 유전체를 넣었을 때 틀린 것은 유전체 내 전계가 진공일 때보다 강해진다는 보기이다.

분극으로 생긴 분극전하가 판 전하의 전계를 일부 상쇄하므로 유전체 내 전계는 약해지거나(전하 일정) 같다(전압 일정). 어느 경우에도 강해지지 않는다.

나머지 보기는 옳은 내용이며, 소거 근거는 다음과 같다.

• 정전 용량 C 가 진공일 때의 $C_0$ 보다 커진다는 보기는 $C=\varepsilon_r C_0$ 이고 $\varepsilon_r$ 가 1보다 크므로 옳은 내용이다.
• 용량의 비 $C/C_0$ 가 유전체 종류로 정해지는 비유전율이라는 보기는 $C/C_0=\varepsilon_r$ 이므로 옳은 내용이다.
• 분극의 세기 P 가 분극에 의해 발생된 전하 밀도와 같다는 보기는 분극의 세기가 표면 분극전하 밀도와 크기가 같으므로 옳은 내용이다.

영상전하와 평면도체 사이에 작용하는 힘은 크기 $\dfrac{Q^2}{16\pi\epsilon_0 d^2}$ 인 흡인력이다.

무한 평면 도체 앞 d 지점의 +Q 는 도체 면 반대쪽 같은 거리 d 지점에 놓인 영상전하 −Q 로 대치된다. 두 전하 사이 거리는 2d 이므로 쿨롱 법칙으로
$F=\dfrac{Q\cdot Q}{4\pi\epsilon_0(2d)^2}=\dfrac{Q^2}{16\pi\epsilon_0 d^2}$
부호가 반대인 두 전하이므로 서로 끌어당긴다.

• $\dfrac{Q}{4\pi\epsilon_0 d^2}$, 반발력 보기는 전하 하나가 만드는 전계 꼴이라 힘의 크기가 아니고, 방향도 흡인이 아니어서 틀리다.
• $\dfrac{Q^2}{4\pi\epsilon_0 d^2}$, 흡인력 보기는 두 전하 사이 거리를 2d 가 아닌 d 로 잡은 값이라 계산값과 다르다.
• $\dfrac{Q^2}{8\pi\epsilon_0 d^2}$, 반발력 보기는 크기가 계산값과 다르고, 반대 부호 전하 사이의 힘을 반발력으로 둔 점도 틀리다.

표면전하 밀도는 자유전하의 표면밀도를 말하며, 구속전하(polarization bound charge)의 표면밀도가 아니다. 구속전하의 표면밀도는 분극(polarization)의 법선 성분으로 표현되는 별개의 양이다.

• 완전 유전체 내 자유전하 부재: 완전 유전체 내부에 자유전하가 없다는 정의와 일치한다.
• 경계면의 외부 전하: 경계면의 외부 전하가 유전체의 자유전하 평형을 깨뜨린다는 원리에 맞다.
• 경계면 표면전하 밀도 영: 자유전하가 없는 경계면에서 표면전하 밀도가 0이 되는 일반적 경우를 올바르게 설명한다.

전류가 흐르는 방향으로 오른나사를 돌려 나아가게 할 때 나사가 회전하는 방향이 자계의 방향이라는 것이 암페어의 오른나사 법칙이다. 플레밍의 오른손 법칙은 유도기전력의 방향, 비오-사바르 법칙은 전류 요소가 만드는 자계의 크기, 렌츠의 법칙은 유도기전력의 방향(자속 변화를 방해하는 방향)을 정한다.

운동 기전력 공식에 속도와 자계가 이루는 각의 사인을 곱해 구하며, 값은 0.9 V 이다.

$e = B\ell v\sin\theta$
$= 0.2 \times 0.3 \times 30 \times \sin 30^\circ$
$= 0.2 \times 0.3 \times 30 \times 0.5 = 0.9\ \mathrm{V}$

• 0.3 V 는 계산값 0.9 V 와 다르다.
• 0.6 V 는 계산값 0.9 V 와 다르다.
• 1.2 V 는 계산값 0.9 V 와 다르다.

자기 인덕턴스의 단위는 헨리(H) 이다.

인덕턴스는 유기 기전력 $e = L\dfrac{di}{dt}$ 으로 정의되므로 전류 변화율에 대한 유기 기전력의 비이며, $\mathrm{H} = \mathrm{V\cdot s/A}$ 이다.

• V 는 전압(전위차)의 단위이다.
• A 는 전류의 단위이다.
• T 는 자속밀도의 단위이다.

전자파의 고유 임피던스는 약 42 Ω 이다.

$\eta = \sqrt{\dfrac{\mu}{\varepsilon}} = 120\pi\sqrt{\dfrac{\mu_r}{\varepsilon_r}}$
$= 377 \times \dfrac{1}{\sqrt{80}} \approx 42\ \mathrm{\Omega}$
즉 비유전율의 제곱근에 반비례한다.

• 21 Ω 은 계산값 약 42 Ω 와 다르다.
• 80 Ω 은 계산값 약 42 Ω 와 다르다.
• 160 Ω 은 계산값 약 42 Ω 와 다르다.

물속 전자파의 속도는 진공 속도를 비유전율과 비투자율의 곱의 제곱근으로 나눈 값으로, 매우 느려진 $3.35 \times 10^{7}\ \mathrm{m/s}$ 이다.

$v = \dfrac{1}{\sqrt{\mu\varepsilon}} = \dfrac{3 \times 10^{8}}{\sqrt{\varepsilon_r \mu_r}}$
$= \dfrac{3 \times 10^{8}}{\sqrt{80 \times 1}} \approx 3.35 \times 10^{7}\ \mathrm{m/s}$

• $2.67 \times 10^{8}\ \mathrm{m/s}$ 는 계산값과 다르다.
• $3.0 \times 10^{9}\ \mathrm{m/s}$ 는 진공 속도 $3 \times 10^{8}\ \mathrm{m/s}$ 보다 커서 매질 속 속도로 될 수 없다.
• $9.0 \times 10^{9}\ \mathrm{m/s}$ 는 진공 속도 $3 \times 10^{8}\ \mathrm{m/s}$ 보다 커서 매질 속 속도로 될 수 없다.

영구자석 재료로 폐회로를 만들면 자속이 재료 내부에서만 돌기 때문에 자극이 생기지 않는다. 그래서 외부로 자계가 나오지 않고, 강한 영구자석으로 쓸 수 없다. 좋은 영구자석은 잔류 자속밀도와 보자력이 모두 커야 한다.

동심구형 콘덴서의 정전용량은 $C = 4\pi\epsilon_0\frac{ab}{b-a}$ (a: 내반지름, b: 외반지름)로 표현된다.

내외 반지름을 각각 10배로 증가시키면 a' = 10a, b' = 10b이므로
$C' = 4\pi\epsilon_0\frac{10a \cdot 10b}{10b-10a} = 4\pi\epsilon_0\frac{100ab}{10(b-a)} = 10 \cdot 4\pi\epsilon_0\frac{ab}{b-a} = 10C$
이다.

따라서 정전용량은 10배로 증가한다.

무한 직선 전류의 자계는 거리에 반비례하므로 0.2 m 지점의 자계는 50 AT/m 이다.

$H = \dfrac{I}{2\pi r}\ \propto\ \dfrac{1}{r}$
$H_2 = 100 \times \dfrac{0.1}{0.2} = 50\ \mathrm{AT/m}$

• 40 AT/m 는 계산값 50 AT/m 와 다르다.
• 30 AT/m 는 계산값 50 AT/m 와 다르다.
• 20 AT/m 는 계산값 50 AT/m 와 다르다.

무한 솔레노이드의 자계 분포는 암페르 법칙으로부터 도출되는데, 내부의 자계는 축에 평행하고 위치에 관계없이 균일하며 그 크기는 $B = \mu_0 n I$ (n: 단위 길이당 권선 수, I: 전류)로 일정하다. 반면 외부의 자계는 0이다.

• 내부 자계와 외부 자계의 값이 같다는 설명은 틀렸다.
• 외부 자계가 멀어질수록 작아진다는 설명은 외부에 자계가 존재하지 않아 거리에 따른 감소를 논할 수 없다.
• 내부 자계의 크기가 0이라는 설명도 내부 자계가 명확히 존재하므로 오답이다.

전극판을 떼어내는 데 필요한 힘은 $F=\dfrac{\epsilon_0\epsilon_r V^2A}{2d^2}$ 이다.

극판 사이 전계는 $E=\dfrac{V}{d}$ 이고, 극판 표면이 받는 정전응력은 단위면적당 $f=\dfrac{1}{2}\epsilon_0\epsilon_r E^2$ 이다. 여기에 극판 면적 A 를 곱하면
$F=fA=\dfrac{1}{2}\epsilon_0\epsilon_r\left(\dfrac{V}{d}\right)^2A=\dfrac{\epsilon_0\epsilon_r V^2A}{2d^2}$

• $\dfrac{\epsilon_0\epsilon_r V^2A}{d^2}$ 보기는 정전응력의 계수 1/2 이 빠져 계산값의 두 배이다.
• $\dfrac{\epsilon_0\epsilon_r V^2A}{2\pi d^2}$ 보기는 평행판 균일 전계에 없는 π 가 분모에 들어가 계산값과 다르다.
• $\dfrac{\epsilon_0\epsilon_r V^2A}{2d}$ 보기는 콘덴서 정전에너지 $\dfrac{1}{2}CV^2$ 와 같은 식으로, 힘이 아니라 에너지이다.

자계의 에너지밀도는 $w=\dfrac{1}{2}\mu H^2$ 이다.

자계 에너지밀도는 $w=\dfrac{1}{2}BH$ 이고, 여기에 B = μH 를 대입하면
$w=\dfrac{1}{2}\mu H^2=\dfrac{B^2}{2\mu}$ $\mathrm{J/m^3}$

• $\dfrac{H^2}{2\mu}$ 보기는 $\dfrac{B^2}{2\mu}$ 의 B 자리에 H 를 넣은 꼴로, 단위가 에너지밀도와 맞지 않는다.
• $\dfrac{\mu H}{2}$ 보기는 $\dfrac{B}{2}$ 와 같아 자속밀도 차원이며 에너지밀도가 아니다.
• $\dfrac{1}{2}B^2H$ 보기는 $\dfrac{1}{2}BH$ 에 B 가 한 번 더 곱해진 꼴이라 에너지밀도 차원이 아니다.

기자력 식에서 코일의 권수는 400회 이다.

$F = NI$ 이므로
$N = \dfrac{F}{I} = \dfrac{2000}{5} = 400$

• 10000회는 계산값 400회와 다르다.
• 500회는 계산값 400회와 다르다.
• 250회는 계산값 400회와 다르다.

무한원점을 기준으로 한 전위는 무한장 선전하와 무한평면 전하 모두 무한대(∞)로 발산한다.

무한장 선전하의 전계 $E=\dfrac{\rho_L}{2\pi\epsilon_0 r}$ 를 r 에서 무한원점까지 적분하면
$V=\displaystyle\int_r^{\infty}\dfrac{\rho_L}{2\pi\epsilon_0 r}\,dr=\dfrac{\rho_L}{2\pi\epsilon_0}\Big[\ln r\Big]_r^{\infty}=\infty$

무한평면 전하의 전계는 거리와 무관하게 일정하므로(전하 평면 $\dfrac{\rho_s}{2\epsilon_0}$, 도체 표면 $\dfrac{\rho_s}{\epsilon_0}$ 어느 쪽이든) 무한원점까지 적분한 전위도 $V=E\times\infty=\infty$ 이다.

• 선전하 $\dfrac{\rho_L}{2\pi\epsilon_0}$, 평면 $\dfrac{\rho_s}{\epsilon}$ 보기는 두 전위를 유한값으로 둔 것이라 적분이 발산하는 결과와 다르다.
• 선전하 $\dfrac{\rho_L}{4\pi\epsilon_0}$, 평면 $\dfrac{\rho_s}{2\pi\epsilon_0}$ 보기는 두 전위를 유한값으로 둔 것이라 적분이 발산하는 결과와 다르다.
• 선전하 $\dfrac{\rho_L}{\epsilon}$, 평면 ∞ 보기는 평면 쪽은 맞지만 선전하 전위를 유한값으로 둔 것이라 틀리다.

코일에서는 전류, 콘덴서에서는 전압이 급격히 변할 수 없다.

코일의 자기 에너지 $\dfrac{1}{2}Li^{2}$ 과 콘덴서의 정전 에너지 $\dfrac{1}{2}Cv^{2}$ 은 순간적으로 변하려면 무한대의 전력이 필요하므로, 코일 전류와 콘덴서 전압은 연속이다.

• 코일 전류와 콘덴서 전류를 짝지은 보기는 콘덴서 전류가 $i = C\dfrac{dv}{dt}$ 이어서 전압 변화율이 순간적으로 바뀌면 급변할 수 있으므로 틀리다.
• 코일 전압과 콘덴서 전압을 짝지은 보기는 코일 전압이 $v = L\dfrac{di}{dt}$ 이어서 전류 변화율이 바뀌면 급변할 수 있으므로 틀리다.
• 코일 전압과 콘덴서 전류를 짝지은 보기는 두 양 모두 변화율에 비례하는 값이라 급변할 수 있으므로 틀리다.

결합계수 식으로 상호 인덕턴스를 구하면 5 H 이다.

$M = k\sqrt{L_1 L_2}$
$= 0.5 \times \sqrt{20 \times 5} = 0.5 \times 10 = 5\ \mathrm{H}$

• 7.5 H 는 계산값 5 H 와 다르다.
• 8 H 는 계산값 5 H 와 다르다.
• 9 H 는 계산값 5 H 와 다르다.

오버슈트는 과도 응답 중 최초 피크치와 최종치의 차이이다.

응답이 최종치를 넘어 올라간 크기(초과량)를 뜻하므로 시간으로 정의되는 지표와 구별된다.

• 최종치의 90%에 도달하는 시간은 응답 속도를 나타내는 시간 값이므로 초과량인 오버슈트와 다르다.
• 목표값의 50%에 도달하는 데 필요한 시간은 지연 시간의 정의이다.
• 응답이 허용 오차 이내로 정착하는 데 필요한 시간은 정정 시간의 정의이다.

틀린 것은 C = 6 이며, 이 종속 접속 회로망의 C 는 1 이다.

그림 앞단은 직렬 4Ω·병렬 4Ω·직렬 4Ω 의 T형, 뒷단은 병렬 12Ω·직렬 12Ω·병렬 12Ω 의 π형이다.
T형: $A=1+\dfrac{4}{4}=2,\ B=4+4+\dfrac{4\times4}{4}=12,\ C=\dfrac{1}{4},\ D=1+\dfrac{4}{4}=2$
π형: $A=1+\dfrac{12}{12}=2,\ B=12,\ C=\dfrac{1}{12}+\dfrac{1}{12}+\dfrac{12}{12\times12}=\dfrac{1}{4},\ D=2$

종속 접속은 ABCD 행렬의 곱이므로
$\begin{bmatrix}2&12\\ \dfrac{1}{4}&2\end{bmatrix}\begin{bmatrix}2&12\\ \dfrac{1}{4}&2\end{bmatrix}=\begin{bmatrix}7&48\\ 1&7\end{bmatrix}$
$AD-BC=49-48=1$ 로 가역 조건도 맞는다.

나머지 세 값은 모두 계산과 일치하는 옳은 값이다.

• A = 7 보기는 계산한 A 와 같아 옳다.
• B = 48 보기는 계산한 B 와 같아 옳다.
• D = 7 보기는 계산한 D 와 같아 옳다.

시변 용량 커패시터의 전류는 $i(t)=c(t)\dfrac{dv(t)}{dt}+v(t)\dfrac{dc(t)}{dt}$ 이다.

전류는 전하의 시간 변화율이고 전하는 $q(t)=c(t)v(t)$ 이므로 곱의 미분을 적용한다.
$i(t)=\dfrac{dq(t)}{dt}=\dfrac{d}{dt}\{c(t)v(t)\}=c(t)\dfrac{dv(t)}{dt}+v(t)\dfrac{dc(t)}{dt}$

• $c(t)\dfrac{dv(t)}{dt}$ 보기는 용량이 일정할 때의 식으로, 용량 변화 항 $v(t)\dfrac{dc(t)}{dt}$ 가 빠져 있다.
• $v(t)\dfrac{dv(t)}{dt}$ 보기는 용량 대신 전압이 곱해진 꼴이라 전류를 나타내지 못한다.
• $c(t)\dfrac{dv(t)}{dt}-v(t)\dfrac{dc(t)}{dt}$ 보기는 두 항 사이 부호가 빼기라서 곱의 미분 결과와 다르다.

흐르는 전류는 $i(t)=2\left(1-e^{-5t}\right)$ A 이다.

RL 직렬 회로에 직류 E 를 가하면 $L\dfrac{di}{dt}+Ri=E$ 이고, $i(0)=0$ 에서
$i(t)=\dfrac{E}{R}\left(1-e^{-\frac{R}{L}t}\right)$
정상 전류 $\dfrac{E}{R}=\dfrac{100}{50}=2$ A, 감쇠 계수 $\dfrac{R}{L}=\dfrac{50}{10}=5$ (L = 10 H)

• $2\left(1+e^{5t}\right)$ 보기는 t = 0 에서 4 A 이고 시간이 갈수록 무한히 커져 계산값과 다르다.
• $4\left(1-e^{\frac{t}{5}}\right)$ 보기는 지수가 양수라 전류가 음으로 발산하고 정상 전류 2 A 에 이르지 않아 계산값과 다르다.
• $4\left(1+e^{-\frac{t}{5}}\right)$ 보기는 t = 0 에서 8 A 로 초기조건 i(0) = 0 과 맞지 않고 최종값도 4 A 라 계산값과 다르다.

$te^{-t}$ 의 라플라스 변환은 $\dfrac{1}{(s+1)^2}$ 이다.

정의 적분으로 $\mathcal{L}\{t\}=\displaystyle\int_0^{\infty}te^{-st}\,dt=\dfrac{1}{s^2}$ 이고, 복소 추이 정리 $\mathcal{L}\{e^{-at}f(t)\}=F(s+a)$ 에 a = 1 을 넣으면
$\mathcal{L}\{te^{-t}\}=\dfrac{1}{(s+1)^2}$

t 가 곱해진 효과는 분모의 제곱으로 나타난다.

• $\dfrac{1}{s+1}$ 보기는 $e^{-t}$ 만의 변환으로, t 가 곱해진 효과가 없어 계산값과 다르다.
• $\dfrac{2}{s+1}$ 보기는 $2e^{-t}$ 의 변환이라 계산값과 다르다.
• $\dfrac{2}{(s+1)^2}$ 보기는 $2te^{-t}$ 의 변환이라 계산값과 다르다.

이상적인 전류원의 내부 임피던스는 무한대 이다.

부하가 바뀌어 단자 전압이 달라져도 출력 전류가 일정하려면 내부 임피던스가 부하보다 훨씬 커야 하며, 이상적인 경우 Z = ∞ 로 정의한다.

• Z = 0 은 이상적인 전압원의 내부 임피던스이다.
• Z = 1 Ω 은 유한한 값이어서 부하에 따라 내부로 분류되는 전류가 달라져 일정 전류가 유지되지 않는다.
• 이상적인 전류원의 내부 임피던스는 무한대로 정해져 있으므로 정해지지 않는다는 보기는 틀리다.

전류 $i_1$ 은 약 0.62 A 이다.

그림에서 전류원 $I_s=4$ A 에 R1 = 10Ω, R2 = 2Ω, R3 = 20Ω 이 모두 같은 두 마디 사이에 병렬로 연결되어 있다.
$G=\dfrac{1}{10}+\dfrac{1}{2}+\dfrac{1}{20}=0.65$ S
$V=\dfrac{I_s}{G}=\dfrac{4}{0.65}\approx6.154$ V
$i_1=\dfrac{V}{R_1}=\dfrac{6.154}{10}\approx0.615\approx0.62$ A

• 0.12 A 보기는 계산값과 다르다.
• 0.32 A 보기는 계산값과 다르다.
• 0.92 A 보기는 계산값과 다르다.

출력전압은 초기값 0 에서 시작해 지수적으로 증가하며 입력 스텝 전압에 다가간다.

그림은 R 이 직렬, C 가 출력 단자 Vo 와 병렬인 회로로 출력이 곧 커패시터 전압이다. 커패시터 전압은 순간적으로 변할 수 없으므로 크기 V 인 스텝 입력에 대해
$v_o(t)=V\left(1-e^{-\frac{t}{RC}}\right)$
시정수 RC 로 서서히 충전된다.

• 계단파형이 나타난다는 보기는 커패시터 전압이 스텝처럼 즉시 바뀔 수 없으므로 틀리다.
• 처음에 계단전압으로 변했다가 지수적으로 감쇠한다는 보기는 C 가 직렬이고 R 양단이 출력인 고역통과(미분) 회로의 응답이라 이 회로와 맞지 않다.
• 직류성분이 나타나지 않는다는 보기는 정상상태에서 C 가 개방되어 출력이 입력 직류 전압 V 와 같아지므로 틀리다.

코일 양단전압의 크기는 v = L·di/dt 로 구하며, t = 0 에서 0.2V 가 된다.

그림의 전류식은 $i = 50e^{-10^{4}t}$ [mA] 이다.
$\dfrac{di}{dt} = -50\times10^{-3}\times10^{4}\,e^{-10^{4}t} = -500\,e^{-10^{4}t}\ \mathrm{A/s}$
$|v(0)| = L\left|\dfrac{di}{dt}\right|_{t=0} = 0.4\times10^{-3}\times500 = 0.2\ \mathrm{V}$

• 2V 보기는 계산값과 다르다.
• 5V 보기는 계산값과 다르다.
• 50V 보기는 계산값과 다르다.

라플라스 변환은 선형이고 $\mathcal{L}[e^{-at}] = \dfrac{1}{s+a}$ 이므로 E(s) 는 두 항을 따로 변환해 더한 $\dfrac{1}{s+1}+\dfrac{2}{s+2}$ 이다.

$e(t) = e^{-t}+2e^{-2t}$
$E(s) = \dfrac{1}{s+1}+2\cdot\dfrac{1}{s+2} = \dfrac{1}{s+1}+\dfrac{2}{s+2}$

• $\dfrac{2}{s+1}$ 보기는 $2e^{-t}$ 의 변환으로, 둘째 항을 반영하지 못해 계산값과 다르다.
• $\dfrac{2}{(s+1)(s+2)}$ 보기는 부분분수로 풀면 $\dfrac{2}{s+1}-\dfrac{2}{s+2}$ 이므로 $2e^{-t}-2e^{-2t}$ 의 변환이다.
• $\dfrac{1}{s+1}-\dfrac{2}{s-2}$ 보기는 $e^{-t}-2e^{2t}$ 의 변환이라 부호와 지수가 모두 다르다.

단위 임펄스 δ(t) 는 폭이 0 에 가깝고 높이는 무한대에 가까우며 면적이 1 인 펄스의 극한이다.

폭 a, 높이 1/a 인 사각 펄스에서 a 를 0 으로 보내도 면적은 항상 1 로 유지되며, 이것이 δ(t) 의 정의이다.

• 회로망에 δ(t) 를 가했을 때의 출력은 그 회로망의 임펄스 응답이며, 입력과 같아지는 것은 전달함수가 1 인 경우뿐이므로 틀리다.
• $\lim_{a\to0}\dfrac{1}{a}\{u(t)-u(t+a)\}$ 로 쓴 식은 u(t)−u(t+a) 가 −a 에서 0 사이에서 −1 이므로 극한이 $-\delta(t)$ 가 되어 틀리다(바른 꼴은 u(t+a)−u(t) 이다).
• 단위 램프 함수 t·u(t) 를 미분하면 단위 계단 함수 u(t) 가 되므로 틀리다(δ(t) 는 계단 함수의 미분이다).

자기 인덕턴스는 10 mH 이다.

$e = L\dfrac{\Delta i}{\Delta t}$ 에서
$L = \dfrac{e}{\Delta i/\Delta t} = \dfrac{20}{(50-30)/0.01} = \dfrac{20}{2000} = 0.01\ \mathrm{H}$
즉 10 mH 이다.

• 5 mH 는 계산값 10 mH 와 다르다.
• 15 mH 는 계산값 10 mH 와 다르다.
• 20 mH 는 계산값 10 mH 와 다르다.

그림의 신호는 $f(t) = \dfrac{1}{2}(1+\sin 2t)$ 이고, 라플라스 변환은 $\dfrac{1}{2s}+\dfrac{1}{s^{2}+4}$ 이다.

상수와 정현 함수 변환 $\mathcal{L}[\sin\omega t] = \dfrac{\omega}{s^{2}+\omega^{2}}$ 을 쓴다.
$F(s) = \dfrac{1}{2}\cdot\dfrac{1}{s}+\dfrac{1}{2}\cdot\dfrac{2}{s^{2}+4} = \dfrac{1}{2s}+\dfrac{1}{s^{2}+4}$

• $\dfrac{1}{s}+\dfrac{s}{s^{2}+4}$ 보기는 1/2 계수가 빠지고 코사인 변환 꼴이라 계산값과 다르다.
• $\dfrac{1}{2s}+\dfrac{s}{2(s^{2}+2)}$ 보기는 분자가 s 인 코사인 꼴이고 각주파수도 맞지 않아 계산값과 다르다.
• $\dfrac{1}{s}+\dfrac{s}{2(s^{2}+2)}$ 보기는 상수항 계수와 둘째 항 모두 계산값과 다르다.

R·L·C 가 모두 병렬인 공진회로의 양호도는 $Q_0 = R\sqrt{\dfrac{C}{L}}$ 이다.

병렬 공진에서 Q 는 공진 시 L(또는 C) 에 흐르는 전류와 R 에 흐르는 전류의 비이다.
$Q_0 = \dfrac{R}{\omega_0 L} = \omega_0 C R,\quad \omega_0 = \dfrac{1}{\sqrt{LC}}\ \Rightarrow\ Q_0 = R\sqrt{\dfrac{C}{L}}$
Q 는 무차원이어야 하며, $\sqrt{C/L}$ 는 컨덕턴스 차원이므로 R 을 곱해야 무차원이 된다.

• $\dfrac{1}{R}\sqrt{\dfrac{2C}{L}}$ 보기는 컨덕턴스를 R 로 나눈 꼴이라 무차원이 아니므로 틀리다.
• $R\sqrt{\dfrac{L}{2C}}$ 보기는 저항에 임피던스 차원을 곱한 꼴이라 무차원이 아니므로 틀리다.
• $\dfrac{2}{R}\sqrt{\dfrac{C}{L}}$ 보기도 컨덕턴스를 R 로 나눈 꼴이라 무차원이 아니므로 틀리다.

코일의 유도 리액턴스 식으로 구한 주파수는 약 60 Hz 이다.

$X_L = 2\pi f L$ 이므로
$f = \dfrac{X_L}{2\pi L} = \dfrac{377}{2\pi \times 1} \approx 60\ \mathrm{Hz}$

• 6 Hz 는 계산값 약 60 Hz 와 다르다.
• 36 Hz 는 계산값 약 60 Hz 와 다르다.
• 360 Hz 는 계산값 약 60 Hz 와 다르다.

그림은 직렬 임피던스 Z1 뒤에 출력 쪽 병렬 임피던스 Z2 가 있는 L형 회로이며, A 정수는 $1+\dfrac{Z_1}{Z_2}$ 이다.

A 는 출력단 개방($I_2 = 0$) 때의 $V_1/V_2$ 이다. 이때 Z1·Z2 는 직렬 분압이 된다.
$V_2 = \dfrac{Z_2}{Z_1+Z_2}V_1\ \Rightarrow\ A = \dfrac{V_1}{V_2}\Big|_{I_2=0} = \dfrac{Z_1+Z_2}{Z_2} = 1+\dfrac{Z_1}{Z_2}$

• Z1 보기는 출력 단락 때의 $V_1/I_2$ 인 B 정수이다.
• $\dfrac{1}{Z_2}$ 보기는 출력 개방 때의 $I_1/V_2$ 인 C 정수이다.
• 1 보기는 출력 단락 때의 $I_1/I_2$ 인 D 정수이다.

부하전압 변동률은 무부하와 최대 부하 출력전압의 차를 최대 부하 전압으로 나눈 값으로, 약 0.572% 이다.

$VR = \dfrac{V_{NL} - V_{FL}}{V_{FL}} \times 100$
$= \dfrac{10.55 - 10.49}{10.49} \times 100 \approx 0.572\ \%$

• 0.384% 는 계산값 0.572% 와 다르다.
• 0.716% 는 계산값 0.572% 와 다르다.
• 0.924% 는 계산값 0.572% 와 다르다.

그림은 다이오드 1개와 R 이 직렬인 단상 반파 정류 회로이며, 직류 평균 전압은 약 45V 이다.

입력 최댓값은 $V_m = \sqrt{2}\times100 \approx 141.4\ \mathrm{V}$ 이다.
$E_{dc} = \dfrac{V_m}{\pi} = \dfrac{141.4}{3.1416} \approx 45\ \mathrm{V}$

• 141V 보기는 입력 최댓값 자체로 계산값과 다르다.
• 90V 보기는 전파 정류 평균값 $2V_m/\pi$ 로 계산값과 다르다.
• 70V 보기는 계산값과 다르다.

충격계수는 펄스폭과 반복주파수의 곱이며 $9 \times 10^{-4}$ 이다.

$D = \dfrac{\tau}{T} = \tau f$
$= 1.5 \times 10^{-6} \times 600 = 9 \times 10^{-4}$

• $3 \times 10^{-4}$ 는 계산값 $9 \times 10^{-4}$ 와 다르다.
• $6 \times 10^{-4}$ 는 계산값 $9 \times 10^{-4}$ 와 다르다.
• $12 \times 10^{-4}$ 는 계산값 $9 \times 10^{-4}$ 와 다르다.

그림은 Ri = 1kΩ, Rf = 100kΩ 의 반전 증폭기로, 출력 전압을 Rf 로 되돌리는 부궤환이 걸려 출력 임피던스가 $1+A\beta$ 배로 줄어 약 0.5Ω 이 된다.

궤환율은 출력 전압이 Rf·Ri 로 분압되어 반전 입력에 돌아오는 비율이다.
$\beta = \dfrac{R_i}{R_i+R_f} = \dfrac{1}{101}$
$Z_{of} = \dfrac{Z_o}{1+A\beta} = \dfrac{50}{1+\dfrac{10000}{101}} = \dfrac{50}{100.01} \approx 0.5\ \Omega$

• 0.1Ω 보기는 계산값과 다르다.
• 1.0Ω 보기는 계산값과 다르다.
• 5.0Ω 보기는 계산값과 다르다.

슬루 레이트는 출력전압이 시간에 따라 변할 수 있는 최대 비율이므로 단위는 V/μs 이다.

$SR = \left|\dfrac{dv_o}{dt}\right|_{max}$ 로, 전압을 시간으로 나눈 차원을 갖는 전압 변화율이다.

• μs/V 는 시간을 전압으로 나눈 값이어서 전압 변화율의 역수이다.
• μs/A 는 시간을 전류로 나눈 값이어서 전압 변화율이 아니다.
• A/μs 는 전류 변화율의 단위이어서 전압 변화율이 아니다.

그림은 V1·V2·V3 가 각각 R1·R2·R3 를 거쳐 반전 입력에 모이고 Rf 로 궤환되는 반전 가산기이며, R1 = 30kΩ, R2 = 15kΩ, R3 = 10kΩ 이다.

가상 접지 덕분에 각 입력의 이득은 $-R_f/R_k$ 이다.
$v_o = -\left(\dfrac{R_f}{R_1}v_1+\dfrac{R_f}{R_2}v_2+\dfrac{R_f}{R_3}v_3\right)$
$\dfrac{30}{R_1} = 1,\ \dfrac{30}{R_2} = 2,\ \dfrac{30}{R_3} = 3\ \Rightarrow\ R_1 = 30,\ R_2 = 15,\ R_3 = 10\ (\mathrm{k\Omega})$

• R1 = 10kΩ, R2 = 15kΩ, R3 = 30kΩ 조합은 이득이 3·2·1 이 되어 계산값과 다르다.
• R1 = 60kΩ, R2 = 30kΩ, R3 = 15kΩ 조합은 이득이 0.5·1·2 가 되어 계산값과 다르다.
• R1 = 15kΩ, R2 = 30kΩ, R3 = 60kΩ 조합은 이득이 2·1·0.5 가 되어 계산값과 다르다.

그림은 V1 = 5V 가 2kΩ 을 거쳐 반전 입력에, V2 = 5V 가 1kΩ·1kΩ 분압을 거쳐 비반전 입력에 들어가고 궤환 저항이 1kΩ 인 차동 증폭기이며, Vo = 5/4 V 이다.

비반전 입력 전압은 분압으로 $V_+ = 5\times\dfrac{1}{1+1} = 2.5\ \mathrm{V}$ 이다.
중첩으로 출력을 구한다.
$V_o = \left(1+\dfrac{1}{2}\right)V_+ - \dfrac{1}{2}V_1 = 1.5\times2.5-0.5\times5 = 1.25 = \dfrac{5}{4}\ \mathrm{V}$

• 5V 보기는 계산값과 다르다.
• 5/2V 보기는 비반전 입력 전압 자체로 계산값과 다르다.
• 2V 보기는 계산값과 다르다.

그림은 $R_B$ 가 $+V_{CC}$ 에서 베이스로 바로 연결된 고정 바이어스 회로이며, 베이스 전류 31μA, 컬렉터-이미터 전압 6.9V 이다.

$I_B = \dfrac{V_{CC}-V_{BE}}{R_B} = \dfrac{10-0.7}{300\times10^{3}} = 31\ \mu\mathrm{A}$
$I_C = \beta I_B = 100\times31\ \mu\mathrm{A} = 3.1\ \mathrm{mA}$
$V_{CE} = V_{CC}-I_C R_C = 10-3.1\times1 = 6.9\ \mathrm{V}$

• $I_B$ 310μA, $V_{CE}$ 6.9V 조합은 베이스 전류가 계산값과 다르다.
• $I_B$ 3.1mA, $V_{CE}$ 9.3V 조합은 두 값 모두 계산값과 다르다.
• $I_B$ 3.1μA, $V_{CE}$ 9.3V 조합은 두 값 모두 계산값과 다르다.

이 회로는 CMOS NOR 게이트이므로 출력은 $Y=\overline{A+B}$이다.

그림에서 VDD 쪽에는 입력 A·B 를 받는 PMOS 두 개가 직렬로, 접지 쪽에는 A·B 를 받는 NMOS 두 개가 병렬로 연결되어 있다. 직렬 PMOS 는 A와 B가 모두 0일 때만 켜져 출력을 VDD(1)로 올리고, A나 B 중 하나라도 1이면 병렬 NMOS 가운데 하나가 켜져 출력을 0으로 내린다.

진리표로 보면 A=B=0 일 때만 Y=1, 나머지 입력 조합에서는 Y=0 이다.

• $Y=\overline{A\cdot B}$ 보기는 NAND 로, A·B 중 하나만 1일 때도 1을 내므로 이 회로와 다르다(NAND 는 PMOS 병렬·NMOS 직렬 구성이다).
• $Y=A+B$ 보기는 OR 로, 출력이 이 회로와 정반대다.
• $Y=A\cdot B$ 보기는 AND 로, A=B=0 에서 0을 내므로 이 회로와 다르다.

부궤환을 걸면 이득은 감소하는 대신 잡음과 왜율이 줄고 대역폭은 넓어진다.

궤환 후 이득 $A_f = \dfrac{A}{1 + A\beta}$ 로 궤환량 $1 + A\beta$ 만큼 줄어들고, 그 대가로 증폭기 내부에서 생기는 잡음과 비선형 왜곡이 억제되며 대역폭이 넓어진다.

• 이득만 감소하고 다른 특성은 변화가 없다는 보기는 왜율과 대역폭이 달라지므로 틀리다.
• 이득이 커진다는 보기는 부궤환이 이득을 줄이므로 틀리다.
• 이득이 감소하면서 잡음과 왜율이 증가한다는 보기는 부궤환에서 잡음과 왜율이 감소하므로 틀리다.

진리표의 숫자 모양대로 d 세그먼트(맨 아래 가로획)의 점등을 따지면, 모든 숫자에서 맞는 식은 $Y_d=\overline{B}\,\overline{D}+C\overline{D}+\overline{A}\,\overline{B}C+B\overline{C}D$이다.

그림의 숫자 모양에서 아래 가로획이 있는 것은 0·2·3·5·6·8이고, 1·4·7과 아래 획 없이 그린 9에는 없다. 즉 d=1 이 되는 입력(ABCD)은 0000·0010·0011·0101·0110·1000 이며 1010~1111 은 don't care 다.

이 식을 대입하면 0000·0010·1000 은 $\overline{B}\,\overline{D}$, 0110 은 $C\overline{D}$, 0011 은 $\overline{A}\,\overline{B}C$, 0101 은 $B\overline{C}D$ 항으로 1이 되고, 0001·0100·0111·1001 에서는 네 항이 모두 0이라 진리표와 전부 일치한다.

• $\overline{B}\,\overline{D}+\overline{A}\,\overline{B}C+B\overline{C}D$ 보기는 숫자 6(0110)에서 0을 내므로 6의 아래 획이 켜지지 않는다.
• $\overline{B}\,\overline{D}+\overline{C}\,\overline{D}+B\overline{C}D$ 보기는 숫자 3(0011)에서 0, 숫자 4(0100)에서 1을 내므로 진리표와 다르다.
• $\overline{B}\,\overline{D}+\overline{C}\,\overline{D}+\overline{A}\,\overline{B}C+B\overline{C}D$ 보기는 숫자 4(0100)에서 1, 숫자 6(0110)에서 0을 내므로 진리표와 다르다.

틀린 관계식은 $I_B=\dfrac{V_{BB}}{R_B}$로, 베이스–이미터 사이의 순방향 전압 $V_{BE}$를 빠뜨렸다.

그림은 이미터가 접지된 회로로, 입력 루프는 $V_{BB}$–$R_B$–베이스–이미터–접지, 출력 루프는 $V_{CC}$–$R_C$–컬렉터–이미터–접지이다. 입력 루프에 키르히호프 전압 법칙을 쓰면
$V_{BB}=I_BR_B+V_{BE}$
$I_B=\dfrac{V_{BB}-V_{BE}}{R_B}$

활성(선형) 영역에서는 컬렉터 전류가 베이스 전류에 비례하고, 출력 루프에서 이미터가 접지이므로 컬렉터 전압과 컬렉터–이미터 전압이 같다.

• $I_C=\beta_{DC}I_B$ 보기는 활성 영역의 직류 전류 이득 정의 그대로라 옳다.
• $V_C=V_{CC}-R_CI_C$ 보기는 출력 루프에서 $R_C$ 전압 강하를 뺀 컬렉터 전위라 옳다.
• $V_{CE}=V_{CC}-R_CI_C$ 보기는 이미터가 접지(0V)여서 컬렉터 전위와 같으므로 옳다.

B급 푸시풀 증폭기의 직류 공급 전력은 $P_{dc}=\dfrac{2I_mV_{CC}}{\pi}$이다.

각 트랜지스터는 반주기씩만 도통해 최댓값 $I_m$인 반파 정현 전류를 흘리고, 두 트랜지스터가 번갈아 전원에서 전류를 끌어오므로 전원 전류는 전파 정류 파형이 된다. 그 평균값은
$I_{dc}=\dfrac{1}{\pi}\int_0^{\pi}I_m\sin\theta\,d\theta=\dfrac{2I_m}{\pi}$
$P_{dc}=V_{CC}I_{dc}=\dfrac{2I_mV_{CC}}{\pi}$

• $I_m\cdot\dfrac{V_{CC}}{\pi}$ 보기는 계산값과 다르다.
• $I_m\cdot V_{CC}$ 보기는 계산값과 다르다.
• $2\cdot I_m\cdot V_{CC}$ 보기는 계산값과 다르다.

동상신호 제거비는 차동이득과 동상이득의 비를 dB 로 바꾼 80 dB 이다.

$CMRR = \dfrac{A_d}{A_c} = \dfrac{1000}{0.1} = 10^{4}$
$20\log_{10}10^{4} = 80\ \mathrm{dB}$

• 10,000 은 dB 로 환산하기 전의 두 이득의 비이다.
• 1000 은 차동이득 값 그대로이며 dB 로 환산한 CMRR 이 아니다.
• 60 dB 은 계산값 80 dB 와 다르다(전압비 1000 에 해당하는 값이다).

입출력 특성은 v 가 양일 때만 기울기 $\dfrac{1}{10}$로 전류가 흐르고, v 가 음이면 i=0 인 그래프다.

그림에서 전류 i 는 + 단자로 들어와 R 을 거쳐 다이오드 D 를 위(애노드)에서 아래(캐소드) 방향으로 지나 − 단자로 나간다. 따라서 v 가 양이면 다이오드가 순방향으로 도통(이상 소자라 전압 강하 0)하고, v 가 음이면 차단된다.
$v\gt 0:\ i=\dfrac{v}{R}=\dfrac{v}{10}$
$v\lt 0:\ i=0$

• 제1사분면에 기울기 10 직선이 있는 그래프는 기울기가 $R$의 역수가 아니라 $R$ 값이라 계산값과 다르다.
• 제2사분면에 기울기 10 직선이 있는 그래프는 음의 전압에서 도통하는 것으로 그려 다이오드 방향과 반대이며 기울기도 계산값과 다르다.
• 제2사분면에 기울기 1/10 직선이 있는 그래프는 음의 전압에서 도통하는 것으로 그려 다이오드 방향과 반대다.

접합형 트랜지스터를 스위치로 쓸 때는 포화 영역(ON)과 차단 영역(OFF) 을 사용한다.

차단 영역에서는 두 접합이 역바이어스되어 전류가 거의 흐르지 않아 열린 스위치와 같고, 포화 영역에서는 컬렉터-이미터 전압이 매우 작아 닫힌 스위치와 같다.

• 포화 영역과 활성 영역을 짝지은 보기는 활성 영역이 증폭 동작 영역이라 OFF 상태를 만드는 차단 영역이 빠져 있어 틀리다.
• 활성 영역과 차단 영역을 짝지은 보기는 활성 영역이 증폭 동작 영역이라 ON 상태를 만드는 포화 영역이 빠져 있어 틀리다.
• 활성 영역과 역활성 영역을 짝지은 보기는 두 영역 모두 한쪽 접합만 순바이어스된 상태라 완전한 ON, OFF 가 아니므로 틀리다.

터널 효과의 가능성은 슈뢰딩거의 파동방정식으로 설명된다.

입자 에너지가 장벽 높이보다 낮아도 장벽 속 파동함수는 지수적으로 감쇠할 뿐 0 이 되지 않아, 반대편에서 존재 확률(투과 확률)이 생긴다.

• 제벡 효과는 온도차로 기전력이 생기는 열전 현상이다.
• 상대성 원리는 서로 등속 운동하는 관성계에서 물리 법칙이 같다는 원리로 장벽 투과와 관련이 없다.
• 드브로이 방정식은 입자의 파장을 운동량과 연결하는 관계로 파동성을 나타낼 뿐이며, 장벽 내부 파동함수와 투과 확률은 슈뢰딩거 방정식을 풀어야 얻는다.

열전자 전류밀도는 Richardson-Dushman 방정식으로 나타나며, $J = A T^2 e^{-\phi/(k_B T)}$의 형태이다. 여기서 $\phi$는 일함수이다.

일함수가 $\phi$에서 $\phi/2$로 변할 때, 지수항의 변화를 보면
$e^{-\phi/(2k_B T)} = (e^{-\phi/(k_B T)})^{1/2}$
이다. 온도 $T$가 일정하면 전류밀도의 비는
$J_{\text{new}}/J_{\text{old}} = e^{-\phi/(2k_B T)} / e^{-\phi/(k_B T)} = e^{\phi/(2k_B T)}$
이다.

이는 원래 지수항의 제곱근에 역수를 취한 형태로, 원래 전류밀도에 $e^{\phi/(2k_B T)}$를 곱한 값이 된다.

순방향 바이어스에서는 공핍층 가까이의 소수캐리어 농도가 P형과 N형 양쪽에서 모두 증가한다.

순방향 전압이 장벽을 낮추면 P형의 정공과 N형의 전자가 접합을 넘어 반대 영역으로 주입되며, 주입된 캐리어가 그 영역의 소수캐리어가 된다.

• 두 영역에서 동시에 감소한다는 보기는 순방향에서는 주입으로 소수캐리어가 늘어나므로 틀리다.
• P형에서 증가하고 N형에서 감소한다는 보기는 N형에서도 정공이 주입되어 늘어나므로 틀리다.
• N형에서 증가하고 P형에서 감소한다는 보기는 P형에서도 전자가 주입되어 늘어나므로 틀리다.

터널 다이오드의 공간전하층은 일반 다이오드보다 넓지 않고 매우 좁다.

불순물을 아주 높게 도핑하므로 공핍층 폭이 극히 얇아져 전자가 장벽을 터널링한다. 나머지 보기는 옳은 내용이다.

• 부성 저항 특성을 나타낸다는 서술은 순방향 일정 구간에서 전압이 늘어도 전류가 줄어드는 터널 다이오드의 특징이라 옳다.
• 마이크로파 발진용으로 사용된다는 서술은 부성 저항을 이용해 높은 주파수에서 발진시키는 용도라 옳다.
• 역바이어스 상태에서 전도성이 양호하다는 서술은 역방향에서는 P측 가전자대 전자가 얇은 장벽을 지나 N측 전도대로 터널링해 전류가 잘 흐르므로 옳다.

빛을 받으면 저항이 변하는 광도전 소자는 CdS 셀 이다.

빛이 입사하면 전자와 정공 쌍이 생겨 전도도가 늘고 저항이 줄어드는 광도전 효과를 이용한다.

• 터널 다이오드는 고농도 접합의 터널링으로 부성 저항을 나타내는 소자이다.
• 버랙터 다이오드는 역바이어스 전압으로 접합 용량을 바꾸는 소자이다.
• 서미스터는 온도에 따라 저항이 크게 변하는 소자이다.

광전면의 일함수는 약 1.5V이다.

광전 효과에서 광자 에너지는 일함수와 광전자 최대 운동 에너지의 합이다. 파장 $5600\,\mathrm{\AA}=5.6\times10^{-7}\,\mathrm{m}$ 이다.
$E=\dfrac{hc}{\lambda}=\dfrac{6.6\times10^{-34}\times3\times10^{8}}{5.6\times10^{-7}}\approx3.54\times10^{-19}\,\mathrm{J}$
$E\approx\dfrac{3.54\times10^{-19}}{1.6\times10^{-19}}\approx2.21\,\mathrm{eV}$
$\phi=E-E_{k}=2.21-0.68\approx1.53\,\mathrm{eV}$

계산값을 유효 두 자리로 반올림하면 $1.5\,\mathrm{V}$이고, 나머지 값은 계산값과 다르다.

옳은 관계식은 아인슈타인 관계 $\dfrac{D}{\mu}=\dfrac{kT}{e}$이다.

열평형에서 확산 전류와 드리프트 전류가 상쇄되는 조건으로부터 확산 정수와 이동도의 비는 열전압 $V_T=\dfrac{kT}{e}$와 같아진다. 단위로도 $D$는 $\mathrm{m^2/s}$, $\mu$는 $\mathrm{m^2/(V\cdot s)}$이므로 비는 전압(V) 차원이어야 한다.

• $\dfrac{D}{\mu}=kT$ 보기는 우변이 에너지(J) 차원이라 전압 차원인 좌변과 맞지 않는다.
• $\dfrac{\mu}{D}=kT$ 보기는 비의 방향이 뒤집혔고 우변도 에너지 차원이라 틀리다.
• $\dfrac{\mu}{D}=\dfrac{kT}{e}$ 보기는 좌변이 전압의 역수 차원이 되어 우변과 맞지 않는다.

균등전계 내 전자의 운동에서 틀린 설명은 속도가 전위차의 제곱근에 반비례한다는 것이다.

전위차 $V$로 가속된 전자는 $eV=\dfrac{1}{2}mv^{2}$ 이므로 $v=\sqrt{\dfrac{2eV}{m}}$ 이고, 속도는 전위차의 제곱근에 비례한다.

나머지 보기는 옳은 내용이다.

• 전자가 전계와 반대 방향의 일정한 힘을 받는다는 설명은 옳다. 전자는 음전하라 힘이 $F=-eE$ 이고 균등전계에서는 크기가 일정하다.
• 전계에 의한 전자의 운동 에너지가 $\dfrac{1}{2}mv^{2}$ 이라는 설명은 옳다. 이는 질량 $m$, 속도 $v$인 입자의 운동 에너지 정의이다.
• 전위차에 의한 가속전자의 운동 에너지가 $eV$ 라는 설명은 옳다. 전계가 전자에 한 일이 $eV$ 이고 이것이 운동 에너지로 바뀐다.

통과하는 전자 수는 $6.25\times10^{17}$ 개이다.

통과한 전하량은 전류와 시간의 곱이고, 전자 수는 이를 전자 한 개의 전하량으로 나눈 값이다.
$Q=It=1\times0.1=0.1\,\mathrm{C}$
$N=\dfrac{Q}{e}=\dfrac{0.1}{1.6\times10^{-19}}=6.25\times10^{17}$

• $6.25\times10^{19}$ 개는 계산값과 다르다.
• $6.25\times10^{21}$ 개는 계산값과 다르다.
• $6.25\times10^{23}$ 개는 계산값과 다르다.

P채널 FET의 전류는 주로 정공의 드리프트 현상에 의한 것이다.

P채널 FET의 채널은 P형 반도체라 다수 캐리어가 정공이고, 드레인-소스 사이 전계가 정공을 이동시키므로 전류는 전계에 의한 드리프트 전류이다.

• 전자의 확산 현상은 주된 전류가 아니다. 채널의 캐리어가 전자가 아니라 정공이며 전류도 전계에 의한 이동이 지배한다.
• 정공의 확산 현상은 주된 전류가 아니다. 정공이 캐리어이긴 하지만 FET 채널 전류는 농도 구배가 아니라 인가 전계에 의한 이동이다.
• 전자의 드리프트 현상은 P채널 FET의 전류가 아니다. 전자가 다수 캐리어인 것은 N채널 FET이다.

시프트레지스터에 대한 틀린 설명은 왼쪽 시프트가 나누기, 오른쪽 시프트가 곱하기라는 서술이다.

이진수를 왼쪽으로 한 비트 시프트하면 각 자리의 가중치가 두 배가 되어 2를 곱한 결과, 오른쪽으로 시프트하면 2로 나눈 결과가 된다. 서술은 방향이 반대로 되어 있다.

나머지 보기는 옳은 내용이다.

• 입출력 방식이 직렬입력-직렬출력, 직렬입력-병렬출력, 병렬입력-직렬출력, 병렬입력-병렬출력으로 나뉜다는 설명은 옳다.
• n비트 시프트레지스터가 n개의 플립플롭과 시프트 동작을 제어하는 게이트로 구성된다는 설명은 옳다.
• 왼쪽 시프트 또는 오른쪽 시프트 중 하나이거나 둘을 겸할 수 있다는 설명은 옳다. 양방향 시프트레지스터가 후자에 해당한다.

어셈블리어 프로그램을 기계어로 바꾸어 주는 것은 어셈블러이다.

어셈블러는 니모닉으로 쓴 어셈블리어를 기계어(목적 코드)로 번역하는 번역 프로그램이다.

• 인터프리터는 소스를 한 줄씩 해석하며 곧바로 실행하는 프로그램이라 어셈블리어를 기계어로 번역해 목적 코드를 만드는 일을 하지 않는다.
• 로더는 실행 가능한 프로그램을 주기억장치에 적재하는 프로그램이라 번역 기능이 없다.
• 컴파일러는 고급 언어로 쓴 프로그램을 번역하는 프로그램이다. 어셈블리어는 저급 언어라 어셈블러의 대상이다.

고급 언어가 기계어로 실행되기까지의 순서는 컴파일러, 어셈블러, 링커, 로더이다.

고급 언어 소스는 컴파일러가 어셈블리어로 번역하고, 어셈블러가 목적 코드로 만들며, 링커가 여러 목적 코드와 라이브러리를 연결해 실행 파일을 만든다. 마지막으로 로더가 실행 파일을 주기억장치에 적재한다.

• 컴파일러, 어셈블러, 로더, 링커의 순서는 적절하지 않다. 링커가 만든 실행 파일을 로더가 적재하므로 링커가 로더보다 앞서야 한다.
• 어셈블러, 컴파일러, 로더, 링커의 순서는 적절하지 않다. 어셈블러는 컴파일러가 만든 어셈블리어를 입력으로 받으므로 컴파일러 뒤에 와야 한다.
• 어셈블러, 컴파일러, 링커, 로더의 순서는 적절하지 않다. 어셈블러가 고급 언어 소스를 직접 처리하지 못하므로 컴파일러가 먼저 와야 한다.

8진수 $(375.24)_{8}$ 을 10진수로 바꾸면 253.3125이다.

각 자리에 8의 거듭제곱 가중치를 곱해 더한다.
$3\times8^{2}+7\times8^{1}+5\times8^{0}=192+56+5=253$
$2\times8^{-1}+4\times8^{-2}=0.25+0.0625=0.3125$