[전자기사 필기] 19년 2회차 시험지 PDF 다운로드

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문제 1

평행판 콘덴서의 판 사이가 진공으로 되어 정전 용량이 C₀인 콘덴서가 있다. 이 콘덴서에 유전체를 삽입하여 정전 용량 C를 얻었다. 다음 중 틀린 것은?

1유전체를 삽입한 콘덴서의 정전 용량 C는 진공인 때의 정전 용량 C₀보다 커진다.

2삽입된 유전체 내의 전계는 판 사이가 진공인 경우의 전계보다 강해진다.

3두 정전 용량의 비(C/C₀)는 유전체 종류에 따라 정해지는 상수이며 비유전율이라 부른다.

4유전체의 분극의 세기 P는 분극에 의하여 발생된 전하 밀도와 같다.

문제 2

무한 평면 도체표면에서 수직거리 d(m)만큼 떨어진 곳에 점전하 +Q(C)가 있다. 영상전하(image charge)와 평면도체 간에 작용하는 힘 F(N)는?

, 반발력

, 흡인력

, 반발력

, 흡인력

문제 3

유전체의 경계조건에 대한 설명으로 틀린 것은?

1표면전하 밀도란 구속전하의 표면밀도를 말하는 것이다.

2완전 유전체 내에서는 자유전하는 존재하지 않는다.

3경계면에 외부 전하가 있으면, 유전체의 내부와 외부의 전하는 평형되지 않는다.

4특수한 경우를 제외학 경계면에서 표면전하 밀도는 영(zero)이다.

문제 4

전류에 의한 자계의 방향을 결정해 주는 것은?

1플레밍의 오른손 법칙

2암페어의 오른나사 법칙

3비오 사바르의 법칙

4렌츠의 법칙

문제 5

0.2 Wb/m²의 평등자재 속에 자계와 직각방향으로 놓인 길이 30cm인 도선을 자계와 30도의 방향으로 30m/s의 속도로 이동시킬 때, 도체 양단에 유기되는 기전력은 몇 V 인가?

10.3

20.6

30.9

41.2

문제 6

그림과 같이 두 개의 코일이 직렬로 연결되어 있다. 이 회로에 0.5A에 전류를 흘릴 때 이 합성코일에 축적되는 에너지는 몇 J 인가? (단, L₁= 20mH, L₂ = 40mH, 결합계수 k = 0.5 이다.)

11.1 × 10^-4

22.2 × 10^-4

31.1 × 10^-2

42.2 × 10^-2

문제 7

자기인덕턴스 L의 단위는?

문제 8

비유전율 ε_r = 80, 비투자율 μ_r = 1인 전자파의 고유임피던스는 약 몇 Ω 인가?

121

242

380

4160

문제 9

물(ε_r=80, μ_r=1) 속에서 전자파의 속도는 약 몇 m/s인가?

13.35 × 10⁷

22.67 × 10⁸

33.0 × 10⁹

49.0 × 10⁹

문제 10

영구자석에 관한 설명으로 틀린 것은?

1한번 자화된 다음에는 자기를 영구적으로 보존하는 자석이다.

2보자력이 클수록 자계가 강한 영구자석이 된다.

3잔류 자속밀도가 클수록 자계가 강한 영구자석이 된다.

4자석 재료로 폐회로를 만들면 강한 영구자석이 된다.

문제 11

동심구형 콘덴서의 내외 반지름을 각각 10배로 증가시키면 정전용량은 몇 배로 증가하는가?

210

320

4100

문제 12

반경 a인 구도체에 –Q의 전하를 주고 구도체의 중심 O에서 10a되는 점 P에 10Q의 점전하를 놓았을 때, 직선 OP위의 점 중에서 전위가 0이 되는 지점과 구도체의 중심 O와의 거리는?

1a/5

2a/2

42a

문제 13

정전류가 흐르고 있는 무한 직선도체로부터 수직으로 0.1m만큼 떨어진 점의 자계의 크기가 100AT/m 이면 0.2m 만큼 떨어진 점의 자계의 크기(AT/m)는?

150

240

330

420

문제 14

다음 중 무한 솔레노이드에 전류가 흐를 때에 대한 설명으로 가장 알맞은 것은?

1내부 자계는 위치에 상관없이 일정하다.

2내부 자계와 외부 자계는 그 값이 같다.

3외부 자계는 솔레노이드 근처에서 멀어질수록 그 값이 작아진다.

4내부 자계의 크기는 0 이다.

문제 15

면적 A(m²), 간격 d(m)인 평행판 콘덴서의 전극판에 비유전율 ε_r인 유전체를 가득 채웠을 때 전극판 간에 전압 V(V)를 가하면 전극판을 떼어내는데 필요한 힘은 몇 N 인가?

문제 16

변위 전류와 가장 관계가 깊은 것은?

1반도체

2유전체

3자성체

4도체

문제 17

두 개의 자극판이 놓여 있을 때 자계의 세기 H(AT/m), 자속밀도 B(Wb/m²), 투자율 μ(H/m)인 곳의 자계의 에너지밀도(J/m³)는?

문제 18

환성철심 코일에 5A의 전류를 흘려 2000AT의 기자력을 생기게 하려면 코일의 권수(회)는?

110000

2500

3400

4250

문제 19

자성체에 외부의 자계 H₀를 가하였을 때 자화의 세기 J와의 관계식은? (단, N은 감자율, μ는 투자율이다.)

문제 20

무한장 선전하와 무한평면 전하에서 r(m) 떨어진 점의 전위는 각각 몇 V 인가? (단, ρ_L은 선전하밀도, ρ_s는 평면전하밀도이다.)

1무한직선 : ∞, 무한평면도체 : ∞

2무한직선 :

, 무한평면도체 :

3무한직선 :

, 무한평면도체 :

4무한직선 :

, 무한평면도체 : ∞

문제 21

코일과 콘덴서에서 실제로 급격히 변화할 수 없는 것은?

1코일에서 전류, 콘덴서에서 전류

2코일에서 전압, 콘덴서에서 전압

3코일에서 전압, 콘덴서에서 전류

4코일에서 전류, 콘덴서에서 전압

문제 22

L₁ = 20H, L₂ = 5H인 전자 결합회로에서 결합계수 K = 0.5일 때 상호인덕턴스 M은 몇 H 인가?

27.5

문제 23

오버슈트(overshoot)의 정의로 옳은 것은?

1최종치의 90%에 도달하는 시간

2과도 시간 중 최초의 피크치와 최종치의 차이

3응답이 최초로 목표값이 50%가 되는데 필요한 시간

4응답이 요구되는 오차 이내로 정착되는데 필요한 시간

문제 24

다음 회로망은 T형 회로 및 π형 회로의 종속 접속으로 이루어졌다. 이 회로망의 ABCD 파라미터 중 틀린 것은?

1A = 7

2B = 48

3C = 6

4D = 7

문제 25

선형 회로에서 시변 용량을 갖는 커패시터의 전류 i(t)는?

문제 26

RL 직렬회롤에서 t=0일 때 직류 전압 100V를 인가하면, 흐르는 전류 i(t)는 몇 A 인가? (단, R = 50Ω, L = 10, i(0) = 0 이다.)

문제 27

te^-t의 Laplace 변환값은?

문제 28

입력신호가 감쇠되지 않고 잘 통과되는 주파수 범위를 나타내는 용어는?

1저지 대역

2상한 차단 주파수

3통과 내역

4하한 차단 주파수

문제 29

이상적인 전류원의 내부 임피던스 Z는?

1Z = 0

2Z = 1Ω

3Z = ∞

4Z는 정해지지 않는다.

문제 30

다음 회로에서 전류 i₁은 약 몇 A 인가?

10.12

20.32

30.62

40.92

문제 31

그림과 같은 저역통과 RC회로에 스텝입력전압(step input voltage)을 가했을 때 출력전압의 설명으로 옳은 것은? (단, 커패시터 C의 초기전압은 0 이다.)

1계단파형이 나타난다.

20부터 지수적으로 증가한다.

3처음에는 계단전압으로 변했다가 지수적으로 감쇠한다.

4직류성분이 나타나지 않는다.

문제 32

0.4mH인 코일에 흐르는 전류가

mA라 하면 t = 0 일 때 코일 양단전압의 절대치는 몇 V 인가?

10.2

450

문제 33

다음 전류파형의 실효치(RMS)는?

문제 34

전압 e(t) = e^-t + 2e^-2t의 라플라스 변환 E(s)는?

문제 35

다음의 단위 임펄스 함수(unit impulse function) δ(t)에 관한 설명으로 옳은 것은?

1폭은 거의 0이고 높이는 거의 무한대가 되며 면적은 1이 되는 펄스이다.

2임의 회로망의 입력전압으로 δ(t)를 가하면 출력 전압은 입력전압과 같게 된다.

4단위 램프 함수(unit ramp function)를 미분한 것이다.

문제 36

어떤 코일에 흐르는 전류가 0.01s 사이에 일정하게 50A로부터 30A로 변할 때, 20V의 기전력이 발생한다고 하면 자기인덕턴스는 몇 mH인가?

210

315

420

문제 37

다음 신호

에 대한 라플라스 변환은?

문제 38

RLC 병렬공진회로에 대한 양호도(Q_o : Quality factor)의 표현으로 옳은 것은?

문제 39

1000mH인 코일의 리액턴스가 377Ω일 때 주파수는 약 몇 Hz인가?

236

360

4360

문제 40

다음 그림과 같은 4단자 회로망에서 4단자 정수를 ABCD 파라미터로 나타낼 때 A는? (단, A는 개방 역방향 전압이득이다.)

2Z₁

문제 41

레큘레이터 IC의 정전압조정기가 무부하 출력전압 10.55V, 최대 부하 출력전압 10.49V 일 때, 백분율로 표현된 부하전압 변동률은 약 몇 % 인가?

10.384

20.572

30.716

40.924

문제 42

다이오드에 대한 설명 중 틀린 것은?

1다이오드에 역방향 전압을 가하면 공핍영역은 넓어진다.

2다이오드의 항복(breakdown)현상은 순방향 전압이 과도하면 발생한다.

3P형 반도체는 3가 원소를 도핑함으로써 얻을 수 있다.

4다이오드에 순방향 전압을 가했을 때 흐르는 전류는 주로 포화전류에 의한 것이다.

문제 43

다음의 단상반파 정류회로에서 입력신호가 e = √2·100·sin(50×2πt) V일 때, 직류 전압 평균치 E_dc는 약 몇 V 인가? (단, R = 10Ω이고, 다이오드는 이상적인 소자)

1141

290

370

445

문제 44

펄스 반복주파수 600Hz, 펄스폭 1.5μs인 펄스의 충격계수 D(Duty factor)는?

13×10^-4

26×10^-4

39×10^-4

412×10^-4

문제 45

다음 연산증폭기 회로에서 출력 임피던스는 약 몇 Ω인가? (단, 개루프 전압증폭도 A는 10000이고, 출력임피던스는 50Ω 이다.)

10.1

20.5

31.0

45.0

문제 46

슬루 레이트(slew rate)의 단위는?

1μs/V

2μs/A

3V/μs

4A/μs

문제 47

연산증폭기를 이용한 가중가산기(weighted-sum)에서 R_f=30kΩ이고, v_o = -(v₁+2v₂+3v₃)일때 R₁, R₂, R₃는 각각 얼마인가?

1R₁ = 30kΩ, R₂ = 15kΩ, R₃ = 10kΩ

2R₁ = 10kΩ, R₂ = 15kΩ, R₃ = 30kΩ

3R₁ = 60kΩ, R₂ = 30kΩ, R₃ = 15kΩ

4R₁ = 15kΩ, R₂ = 30kΩ, R₃ = 60kΩ

문제 48

발진 회로의 발진의 조건을 옳은 것은?

1귀환 루프의 위상 천이가 0°이다.

2귀환 루프의 위상 천이가 180°이다.

3귀환 루프의 이득이 0 이다.

4귀환 루프의 이득이 1/2 이다.

문제 49

단위이득주파수 f_T가 125MHz인 트랜지스터가 대역폭 주파수 영역에서 전압이득이 26dB인 증폭기로 사용될 때 이상적으로 가질 수 있는 대역폭은 약 몇 MHz인가? (단, 저역 차단주파수는 없다.)

19.6

26.25

34.8

412.5

문제 50

다음은 이상적인 연산 증폭기를 사용한 차동증폭기이다. 출력전압 Vo는 몇 V 인가?

25/2

35/4

문제 51

다음의 트랜지스터 회로에서 V_CC가 10V, R_B가 300kΩ이고 R_C가 1kΩ일 때, 베이스전류 I_B 컬렉터-이미터 전압 V_CE로 옳은 것은? (단, V_BE = 0.7V이고, β = 100 이다.)

1I_B = 31 μA, V_CE = 6.9V

2I_B = 310 μA, V_CE = 6.9V

3I_B = 3.1 mA, V_CE = 9.3V

4I_B = 3.1 μA, V_CE = 9.3V

문제 52

출력 전압파형이 입력파형과 똑같은 형태를 갖는 증폭기는? (단, 위상 무시)

1A급 증폭기

2B급 증폭기

3C급 증폭기

4AB급 증폭기

문제 53

이 회로의 동작으로 적절한 논리식은?

문제 54

전가산기를 반가산기 몇 개와 어떤 논리게이트 몇 개로 구성하는 것이 가장 적당한가?

1반가산기 2개, AND 게이트 1개

2반가산기 2개, OR 게이트 2개

3반가산기 3개, OR 게이트 1개

4반가산기 2개, OR 게이트 1개

문제 55

부궤환 증폭기에 대한 설명 중 옳은 것은?

1이득만 감소되고 기타 특성에는 변화가 없다.

2이득이 커지고, 잡음, 왜율, 대역폭 특성이 개선된다.

3이득이 감소되는 반면 잡음, 왜율, 대역폭은 증가된다.

4이득, 잡음, 왜율은 감소되는 반면 대역폭이 넓어진다.

문제 56

아래는 7 세그면트 LED 디스플레이의 진리표이다. a~g의 세그먼트 중에서 d세그먼트를 동작시키기 위한 출력 Y_d의 논리회로의 식은? (단, 1010 ~ 1111은 don't care 조건이다.)

문제 57

트랜지스터 회로가 선형영역에서 동작할 때의 관계식으로 틀린 것은?

문제 58

B급 푸시풀(push-pull) 증폭기의 직류 공급 전력은? (단, V_CC는 공급 전압, I_m은 최대 컬렉터 전류이다.)

문제 59

어떤 차동증폭기의 차동이득은 1000이며, 동상이득은 0.1일 때, 동상신호 제거비 CMRR은 몇 dB인가?

110,000

21000

380

460

문제 60

다음 회로의 입출력 특성곡선으로 적절한 것은? (단, R = 10Ω, 다이오드는 이상적인 소자이며, slope은 절댓값이다.)

문제 61

접합형 트랜지스터에서 스위칭 작업에 필요한 동작영역은?

1포화 영역, 활성 영역

2활성 영역, 차단 영역

3포화 영역, 차단 영역

4활성 영역, 역활성 영역

문제 62

다음 중 에너지밴드에 속하지 않는 것은?

1전도대

2금지대

3가전자대

4전기대

문제 63

진성 반도체에 대한 설명 중 틀린 것은?

1반도체의 저항 온도계수는 양(+)이다.

2운반체(carrier)의 밀도는 온도가 상승하면 증가한다.

3Fermi 준위는 어떤 온도와 관계없이 금지대의 중앙에 위치한다.

4전자의 농도와 정공의 농도는 같다.

문제 64

물질에서 직접적으로 전자가 방출될 수 있는 조건이 아닌 것은?

1열을 가한다.

2빛을 가한다.

3전계를 가한다.

4압축을 한다.

문제 65

열전자 방출을 할 때 전계에 의해서 일함수가 적어져서 열전자 방출이 쉬워지는 현상을 무엇이라 하는가?

1Schottk 효과

2Zeemann 효과

3Seebeck 효과

4Hall 효과

문제 66

터널 효과의 가능성을 나타내는 원리는 어느 것인가?

1제벡 효과

2상대성 원리

3드브로이 방정식

4슈뢰딩거의 파동방정식

문제 67

어느 열음극의 일함수(work functuon)의 값이 1/2로 되면 열전자 전류밀도는 어떻게 되는가?

배

문제 68

순방향 바이어스전압이 PN접합 다이오드 양단에 인가될 때 공핍층 가까이에서 소수캐리어의 농도의 변화는 어떻게 되는가?

1P형 영역과 N형 영역에서 동시에 증가한다.

2P형 영역과 N형 영역에서 동시에 감소한다.

3P형 영역에서 증가하고, N형 영역에서 감소한다.

4N형 영역에서 증가하고, P형 영역에서 감소한다.

문제 69

터널 다이오드(tunnel diode)의 설명 중 틀린 것은?

1부성 저항 특성을 나타낸다.

2마이크로파 발진용으로 사용된다.

3공간 전하층이 일반 다이오드 보다 넓다.

4역바이어스 상태에서 전도성이 양호하다.

문제 70

트랜지스터 제조시 컬렉터 내부용량과 베이스 저항을 작게 하는 이유로 가장 적절한 것은?

1순방향 특성을 개선하기 위하여

2고주파 특성을 개선하기 위하여

3역방향 내전압을 증가시키기 위하여

4구조를 간단히 하고 소형화시키기 위하여

문제 71

광도전 반도체 소자는?

1터널(tunnel) 다이오드

2버렉터(varactor) 다이오드

3서미스터(thermistor)

4CdS 셀

문제 72

다음 중 플라즈마(Plasma)와 같은 기체 상태의 경우 적용될 수 있는 분포식은?

1Einstein의 관계식

2Schrödinger 방정식

3Maxwell-Boltzmann 방정식

41차원의 Poisson 방정식

문제 73

5600Å의 파장을 가진빛이 광전면에 투사되어 방출된 광전자의 최대 에너지가 0.68eV 이라고 하면 광전면의 일함수는 약 얼마인가? (단, 플랑크 상수 = 6.6×10^-34 [J·S], 광속도 = 3×10⁸m/s, e = 1.6×10^-19 [C])

11.5V

22.6V

33.6V

44.0V

문제 74

학산 정수 D, 이동도 μ, 절대온도 T 간의 관계식으로 옳은 것은? (단, k는 볼츠만의 상수이고, e는 캐리어의 전하이다.)

문제 75

균등전계 내 전자의 운동에 관한 설명 중 틀린 것은?

1전자는 전계와 반대 방향의 일정한 힘을 받는다.

2전자의 운동 속도는 인가된 전위차 V의 제곱근에 반비례한다.

3전계 E에 의한 전자의 운동 에너지는 1/2 mv²[J]이다.

4전위차 V에 의한 가속전자의 운동 에너지는 eV[J]이다.

문제 76

어떤 도체의 단면을 1A의 전류가 흐를 때 이 단면을 0.1초 동안에 통과하는 전자 수는? (단, 전자의 전하량 Q = 1.6×10^-19[C]이다.)

16.25×10¹⁷ 개

26.25×10¹⁹ 개

36.25×10²¹ 개

46.25×10²³ 개

문제 77

P채널 전계효과 트랜지스터(FET)에 흐르는 전류는 주로 어느 현상에 의한 것인가?

1전자의 확산 현상

2정공의 확산 현상

3전자의 드리프트 현상

4정공의 드리프트 현상

문제 78

Fermi-Dirac 분포함수 f(E)에 대한 설명으로 틀린 것은? (단, E_f는 페르미준위이다.)

1T = 0 K 일 때 E＞E_f 이면 f(E) = 0 이다.

2T = 0 K 일 때 E＜E_f 이면 f(E) = 1 이다.

3절대온도에 따라 전자가 채워질 확률은 일정하다.

4T = 0 K E_f 보다 낮은 에너지준위는 전부 전자로 채워져 있으며, E_f 이상의 에너지준위는 전부 비어 있다.

문제 79

바리스터의 동작원리에 관한 설명 중 옳은 것은?

1걸린 전압이 높을수록 저항이 커져서 전류의 크기를 제한할 수 있다.

2걸린 전압이 높아지면 절연파괴가 일어나 단락(short)이 된다.

3걸린 전압에 따라 정전용량이 달라져서 충격전류를 흡수한다.

4걸린 전압이 높을수록 저항이 작아져서 과잉전를 흡수한다.

문제 80

홀(hall) 효과와 가장 관계가 깊은 것은?

1자장계

2고저항 측정기

3전류계

4분압계

문제 81

서브루핀을 호출하는 “CALL” 명령어가 실행되는 동안에 수행되는 동작이 아닌 것은?

1스택포인터 내용을 감소시킨다.

2복귀할 주소를 스택에 저장한다.

3호출할 주소를 PC에 적재한다.

4호출할 주소를 스택으로부터 인출한다.

문제 82

시프트레지스터에 대한 설명 중 틀린 것은?

1시프트레지스터의 가능한 입축력 방식에는 직렬입력-직렬출력, 직렬입력-병렬출력, 병렬입력-직렬출력, 병렬입력-병렬출력이 있다.

2n비트 시프트레지스터는 n개의 플립플롭과 시프트 동작을 제어하는 게이트로 구성되어 있다.

3레지스터는 왼쪽 시프트, 오른쪽 시프트 중에 하나일 수 있고, 둘을 겸할 수도 있다.

4시프트레지스터를 왼쪽으로 한 번 시프트하면 2로 나눈 결과가 되고 오른쪽으로 한 번 시프트하면 2로 곱한 결과가 된다.

문제 83

어셈블리어 프로그램을 기계어로 바꾸어 주는 것은?

1어셈블러

2인터프리터

3로더

4컴파일러

문제 84

고급 프로그래밍 언어가 기계어가 되기까지의 처리 순서로 적절한 것은?

1컴파일러 → 어셈블러 → 로더 → 링커

2컴파일러 → 어셈블러 → 링커 → 로더

3어셈블러 → 컴파일러 → 로더 → 링커

4어셈블러 → 컴파일러 → 링커 → 로더

문제 85

8진수 (375.24)₈를 10진수의 표현으로 옳은 것은?

1254.3126

2253.3125

3252.3124

4251.3123

문제 86

다음 중 시스템버스에 속하지 않는 것은?

1제어 버스

2주소 버스

3데이터 버스

4I/O 버스

문제 87

서브루틴의 리턴(복귀) 어드레스를 저장하기 위해 사용되는 자료 구조는?

1STACK

2QUEUE

3Linked List

4Tree 구조

문제 88

interrupt 중에서 타이머, 정전 등의 외부 신호에 의하여 발생되는 것은?

1I/O interrupt

2program interrupt

3external interrupt

4supervisor call interrupt

문제 89

홀수 패리티 발생기에 대한 식으로 옳은 것은? (단, 입력은 x, y, z 이다.)

1(x ⊙ y) ⊙ z

2(x ⊕ y) ⊕ z

3(x + y) · z

4(x ⊕ y) ⊙ z

문제 90

다음 프로그램을 수행했을 때 그의 결과는 무엇인가?

1x=0, y=1, z=3

2x=0, y=2, z=2

3x=0, y=2, z=3

4x=1, y=2, z=3

문제 91

분기 명령어 길이가 3바이트 명령어이고 상대주소모드인 경우 분기명령어가 저장되어 있는 기억장치 위치의 주소가 256AH이고, 명령어에 지정된 변위값이 –75H인 경우 분기되는 주소의 위치는?

124F2H 번지

224F5H 번지

324F8H 번지

4256DH 번지

문제 92

다음 중 에러를 찾아서 교정을 할 수 있는 코드는?

1hamming code

2ring counter code

3gray code

48421 code

문제 93

중앙처리장치(CPU)의 3대 구성요소가 아닌 것은?

1제어장치

2연산장치

3입력장치

4기억장치

문제 94

RISC(Reduced Instruction Set Computer)와 CISC(Complex Instruction Set Computer)에 대한 설명 중 잘못된 것은?

1RISC는 실행 빈도가 적은 하드웨어를 제거하여 자원 이용률을 높이는 장점이 있다.

2RISC는 프로그램의 길이가 길어지므로 수행속도가 느린 단점이 있다.

3CISC는 고급언어를 이용하여 알고리즘을 쉽게 표현할 수 있는 장점이 있다.

4CISC는 복잡한 명령어군을 제공하므로 컴퓨터 설계 및 구현 시 많은 시간을 필요로 하는 단점이 있다.

문제 95

다음 중 순차 논리 회로에 해당되는 것은?

1부호기

2반가산기

3멀티플렉서

4플립플롭

문제 96

주기억장치에서 캐시 메모리로 데이터를 전송하는 매핑 방법이 아닌 것은?

1어소시어티브 매핑(Associative Mapping)

2직접 매핑(Direct Mapping)

3간접 매핑(Idirect Mapping)

4세트-어소시어티브 매핑(Set-Associative Mapping)

문제 97

다음의 C 프로그램을 무엇을 입력한 것인가?

1실수입력

2정수입력

3문자열입력

4문자입력

문제 98

16개의 레지스터를 가진 CPU는 몇 비트의 레지스터 지정 필드를 가져야 하는가?

416

문제 99

우선순위에 의한 중재 방식 중 중재 동작이 끝날 때마다 모든 마스터들의 우선순위가 한단계씩 낮아지고 가장 낮았던 마스터가 최상위 우선순위를 가지는 방식은?

1임의 우선순위

2동등 우선순위

3회전 우선순위

4최소-최근사용 우선순위

문제 100

다음 중 RAM에 대한 설명으로 적합하지 않은 것은?

1DRAM은 대용량 구성이 가능하고 가격도 SRAM과 비교하여 낮기 때문에 보조기억장치로 사용된다.

2SRAM은 메모리 리프레시(Refresh) 동작이 필요하지 않다.

3SRAM은 DRAM과 비교하여 동작속도가 빠르다.

4DDRAM, SDRAM은 DRAM의 한 종류이다.

문제 1

평행판 콘덴서의 판 사이가 진공으로 되어 정전 용량이 C₀인 콘덴서가 있다. 이 콘덴서에 유전체를 삽입하여 정전 용량 C를 얻었다. 다음 중 틀린 것은?

1유전체를 삽입한 콘덴서의 정전 용량 C는 진공인 때의 정전 용량 C₀보다 커진다.

2삽입된 유전체 내의 전계는 판 사이가 진공인 경우의 전계보다 강해진다.

3두 정전 용량의 비(C/C₀)는 유전체 종류에 따라 정해지는 상수이며 비유전율이라 부른다.

4유전체의 분극의 세기 P는 분극에 의하여 발생된 전하 밀도와 같다.

문제 2

무한 평면 도체표면에서 수직거리 d(m)만큼 떨어진 곳에 점전하 +Q(C)가 있다. 영상전하(image charge)와 평면도체 간에 작용하는 힘 F(N)는?

, 반발력

, 흡인력

, 반발력

, 흡인력

문제 3

유전체의 경계조건에 대한 설명으로 틀린 것은?

1표면전하 밀도란 구속전하의 표면밀도를 말하는 것이다.

2완전 유전체 내에서는 자유전하는 존재하지 않는다.

3경계면에 외부 전하가 있으면, 유전체의 내부와 외부의 전하는 평형되지 않는다.

4특수한 경우를 제외학 경계면에서 표면전하 밀도는 영(zero)이다.

문제 4

전류에 의한 자계의 방향을 결정해 주는 것은?

1플레밍의 오른손 법칙

2암페어의 오른나사 법칙

3비오 사바르의 법칙

4렌츠의 법칙

문제 5

10.3

20.6

30.9

41.2

문제 6

11.1 × 10^-4

22.2 × 10^-4

31.1 × 10^-2

42.2 × 10^-2

문제 7

자기인덕턴스 L의 단위는?

문제 8

비유전율 ε_r = 80, 비투자율 μ_r = 1인 전자파의 고유임피던스는 약 몇 Ω 인가?

121

242

380

4160

문제 9

물(ε_r=80, μ_r=1) 속에서 전자파의 속도는 약 몇 m/s인가?

13.35 × 10⁷

22.67 × 10⁸

33.0 × 10⁹

49.0 × 10⁹

문제 10

영구자석에 관한 설명으로 틀린 것은?

1한번 자화된 다음에는 자기를 영구적으로 보존하는 자석이다.

2보자력이 클수록 자계가 강한 영구자석이 된다.

3잔류 자속밀도가 클수록 자계가 강한 영구자석이 된다.

4자석 재료로 폐회로를 만들면 강한 영구자석이 된다.

문제 11

동심구형 콘덴서의 내외 반지름을 각각 10배로 증가시키면 정전용량은 몇 배로 증가하는가?

210

320

4100

문제 12

1a/5

2a/2

42a

문제 13

정전류가 흐르고 있는 무한 직선도체로부터 수직으로 0.1m만큼 떨어진 점의 자계의 크기가 100AT/m 이면 0.2m 만큼 떨어진 점의 자계의 크기(AT/m)는?

150

240

330

420

문제 14

다음 중 무한 솔레노이드에 전류가 흐를 때에 대한 설명으로 가장 알맞은 것은?

1내부 자계는 위치에 상관없이 일정하다.

2내부 자계와 외부 자계는 그 값이 같다.

3외부 자계는 솔레노이드 근처에서 멀어질수록 그 값이 작아진다.

4내부 자계의 크기는 0 이다.

문제 15

문제 16

변위 전류와 가장 관계가 깊은 것은?

1반도체

2유전체

3자성체

4도체

문제 17

두 개의 자극판이 놓여 있을 때 자계의 세기 H(AT/m), 자속밀도 B(Wb/m²), 투자율 μ(H/m)인 곳의 자계의 에너지밀도(J/m³)는?

문제 18

환성철심 코일에 5A의 전류를 흘려 2000AT의 기자력을 생기게 하려면 코일의 권수(회)는?

110000

2500

3400

4250

문제 19

자성체에 외부의 자계 H₀를 가하였을 때 자화의 세기 J와의 관계식은? (단, N은 감자율, μ는 투자율이다.)

문제 20

무한장 선전하와 무한평면 전하에서 r(m) 떨어진 점의 전위는 각각 몇 V 인가? (단, ρ_L은 선전하밀도, ρ_s는 평면전하밀도이다.)

1무한직선 : ∞, 무한평면도체 : ∞

2무한직선 :

, 무한평면도체 :

3무한직선 :

, 무한평면도체 :

4무한직선 :

, 무한평면도체 : ∞

문제 21

코일과 콘덴서에서 실제로 급격히 변화할 수 없는 것은?

1코일에서 전류, 콘덴서에서 전류

2코일에서 전압, 콘덴서에서 전압

3코일에서 전압, 콘덴서에서 전류

4코일에서 전류, 콘덴서에서 전압

문제 22

L₁ = 20H, L₂ = 5H인 전자 결합회로에서 결합계수 K = 0.5일 때 상호인덕턴스 M은 몇 H 인가?

27.5

문제 23

오버슈트(overshoot)의 정의로 옳은 것은?

1최종치의 90%에 도달하는 시간

2과도 시간 중 최초의 피크치와 최종치의 차이

3응답이 최초로 목표값이 50%가 되는데 필요한 시간

4응답이 요구되는 오차 이내로 정착되는데 필요한 시간

문제 24

다음 회로망은 T형 회로 및 π형 회로의 종속 접속으로 이루어졌다. 이 회로망의 ABCD 파라미터 중 틀린 것은?

1A = 7

2B = 48

3C = 6

4D = 7

문제 25

선형 회로에서 시변 용량을 갖는 커패시터의 전류 i(t)는?

문제 26

RL 직렬회롤에서 t=0일 때 직류 전압 100V를 인가하면, 흐르는 전류 i(t)는 몇 A 인가? (단, R = 50Ω, L = 10, i(0) = 0 이다.)

문제 27

te^-t의 Laplace 변환값은?

문제 28

입력신호가 감쇠되지 않고 잘 통과되는 주파수 범위를 나타내는 용어는?

1저지 대역

2상한 차단 주파수

3통과 내역

4하한 차단 주파수

문제 29

이상적인 전류원의 내부 임피던스 Z는?

1Z = 0

2Z = 1Ω

3Z = ∞

4Z는 정해지지 않는다.

문제 30

다음 회로에서 전류 i₁은 약 몇 A 인가?

10.12

20.32

30.62

40.92

문제 31

그림과 같은 저역통과 RC회로에 스텝입력전압(step input voltage)을 가했을 때 출력전압의 설명으로 옳은 것은? (단, 커패시터 C의 초기전압은 0 이다.)

1계단파형이 나타난다.

20부터 지수적으로 증가한다.

3처음에는 계단전압으로 변했다가 지수적으로 감쇠한다.

4직류성분이 나타나지 않는다.

문제 32

0.4mH인 코일에 흐르는 전류가

mA라 하면 t = 0 일 때 코일 양단전압의 절대치는 몇 V 인가?

10.2

450

문제 33

다음 전류파형의 실효치(RMS)는?

문제 34

전압 e(t) = e^-t + 2e^-2t의 라플라스 변환 E(s)는?

문제 35

다음의 단위 임펄스 함수(unit impulse function) δ(t)에 관한 설명으로 옳은 것은?

1폭은 거의 0이고 높이는 거의 무한대가 되며 면적은 1이 되는 펄스이다.

2임의 회로망의 입력전압으로 δ(t)를 가하면 출력 전압은 입력전압과 같게 된다.

4단위 램프 함수(unit ramp function)를 미분한 것이다.

문제 36

어떤 코일에 흐르는 전류가 0.01s 사이에 일정하게 50A로부터 30A로 변할 때, 20V의 기전력이 발생한다고 하면 자기인덕턴스는 몇 mH인가?

210

315

420

문제 37

다음 신호

에 대한 라플라스 변환은?

문제 38

RLC 병렬공진회로에 대한 양호도(Q_o : Quality factor)의 표현으로 옳은 것은?

문제 39

1000mH인 코일의 리액턴스가 377Ω일 때 주파수는 약 몇 Hz인가?

236

360

4360

문제 40

다음 그림과 같은 4단자 회로망에서 4단자 정수를 ABCD 파라미터로 나타낼 때 A는? (단, A는 개방 역방향 전압이득이다.)

2Z₁

문제 41

레큘레이터 IC의 정전압조정기가 무부하 출력전압 10.55V, 최대 부하 출력전압 10.49V 일 때, 백분율로 표현된 부하전압 변동률은 약 몇 % 인가?

10.384

20.572

30.716

40.924

문제 42

다이오드에 대한 설명 중 틀린 것은?

1다이오드에 역방향 전압을 가하면 공핍영역은 넓어진다.

2다이오드의 항복(breakdown)현상은 순방향 전압이 과도하면 발생한다.

3P형 반도체는 3가 원소를 도핑함으로써 얻을 수 있다.

4다이오드에 순방향 전압을 가했을 때 흐르는 전류는 주로 포화전류에 의한 것이다.

문제 43

1141

290

370

445

문제 44

펄스 반복주파수 600Hz, 펄스폭 1.5μs인 펄스의 충격계수 D(Duty factor)는?

13×10^-4

26×10^-4

39×10^-4

412×10^-4

문제 45

다음 연산증폭기 회로에서 출력 임피던스는 약 몇 Ω인가? (단, 개루프 전압증폭도 A는 10000이고, 출력임피던스는 50Ω 이다.)

10.1

20.5

31.0

45.0

문제 46

슬루 레이트(slew rate)의 단위는?

1μs/V

2μs/A

3V/μs

4A/μs

문제 47

연산증폭기를 이용한 가중가산기(weighted-sum)에서 R_f=30kΩ이고, v_o = -(v₁+2v₂+3v₃)일때 R₁, R₂, R₃는 각각 얼마인가?

1R₁ = 30kΩ, R₂ = 15kΩ, R₃ = 10kΩ

2R₁ = 10kΩ, R₂ = 15kΩ, R₃ = 30kΩ

3R₁ = 60kΩ, R₂ = 30kΩ, R₃ = 15kΩ

4R₁ = 15kΩ, R₂ = 30kΩ, R₃ = 60kΩ

문제 48

발진 회로의 발진의 조건을 옳은 것은?

1귀환 루프의 위상 천이가 0°이다.

2귀환 루프의 위상 천이가 180°이다.

3귀환 루프의 이득이 0 이다.

4귀환 루프의 이득이 1/2 이다.

문제 49

19.6

26.25

34.8

412.5

문제 50

다음은 이상적인 연산 증폭기를 사용한 차동증폭기이다. 출력전압 Vo는 몇 V 인가?

25/2

35/4

문제 51

1I_B = 31 μA, V_CE = 6.9V

2I_B = 310 μA, V_CE = 6.9V

3I_B = 3.1 mA, V_CE = 9.3V

4I_B = 3.1 μA, V_CE = 9.3V

문제 52

출력 전압파형이 입력파형과 똑같은 형태를 갖는 증폭기는? (단, 위상 무시)

1A급 증폭기

2B급 증폭기

3C급 증폭기

4AB급 증폭기

문제 53

이 회로의 동작으로 적절한 논리식은?

문제 54

전가산기를 반가산기 몇 개와 어떤 논리게이트 몇 개로 구성하는 것이 가장 적당한가?

1반가산기 2개, AND 게이트 1개

2반가산기 2개, OR 게이트 2개

3반가산기 3개, OR 게이트 1개

4반가산기 2개, OR 게이트 1개

문제 55

부궤환 증폭기에 대한 설명 중 옳은 것은?

1이득만 감소되고 기타 특성에는 변화가 없다.

2이득이 커지고, 잡음, 왜율, 대역폭 특성이 개선된다.

3이득이 감소되는 반면 잡음, 왜율, 대역폭은 증가된다.

4이득, 잡음, 왜율은 감소되는 반면 대역폭이 넓어진다.

문제 56

문제 57

트랜지스터 회로가 선형영역에서 동작할 때의 관계식으로 틀린 것은?

문제 58

B급 푸시풀(push-pull) 증폭기의 직류 공급 전력은? (단, V_CC는 공급 전압, I_m은 최대 컬렉터 전류이다.)

문제 59

어떤 차동증폭기의 차동이득은 1000이며, 동상이득은 0.1일 때, 동상신호 제거비 CMRR은 몇 dB인가?

110,000

21000

380

460

문제 60

다음 회로의 입출력 특성곡선으로 적절한 것은? (단, R = 10Ω, 다이오드는 이상적인 소자이며, slope은 절댓값이다.)

문제 61

접합형 트랜지스터에서 스위칭 작업에 필요한 동작영역은?

1포화 영역, 활성 영역

2활성 영역, 차단 영역

3포화 영역, 차단 영역

4활성 영역, 역활성 영역

문제 62

다음 중 에너지밴드에 속하지 않는 것은?

1전도대

2금지대

3가전자대

4전기대

문제 63

진성 반도체에 대한 설명 중 틀린 것은?

1반도체의 저항 온도계수는 양(+)이다.

2운반체(carrier)의 밀도는 온도가 상승하면 증가한다.

3Fermi 준위는 어떤 온도와 관계없이 금지대의 중앙에 위치한다.

4전자의 농도와 정공의 농도는 같다.

문제 64

물질에서 직접적으로 전자가 방출될 수 있는 조건이 아닌 것은?

1열을 가한다.

2빛을 가한다.

3전계를 가한다.

4압축을 한다.

문제 65

열전자 방출을 할 때 전계에 의해서 일함수가 적어져서 열전자 방출이 쉬워지는 현상을 무엇이라 하는가?

1Schottk 효과

2Zeemann 효과

3Seebeck 효과

4Hall 효과

문제 66

터널 효과의 가능성을 나타내는 원리는 어느 것인가?

1제벡 효과

2상대성 원리

3드브로이 방정식

4슈뢰딩거의 파동방정식

문제 67

어느 열음극의 일함수(work functuon)의 값이 1/2로 되면 열전자 전류밀도는 어떻게 되는가?

배

문제 68

순방향 바이어스전압이 PN접합 다이오드 양단에 인가될 때 공핍층 가까이에서 소수캐리어의 농도의 변화는 어떻게 되는가?

1P형 영역과 N형 영역에서 동시에 증가한다.

2P형 영역과 N형 영역에서 동시에 감소한다.

3P형 영역에서 증가하고, N형 영역에서 감소한다.

4N형 영역에서 증가하고, P형 영역에서 감소한다.

문제 69

터널 다이오드(tunnel diode)의 설명 중 틀린 것은?

1부성 저항 특성을 나타낸다.

2마이크로파 발진용으로 사용된다.

3공간 전하층이 일반 다이오드 보다 넓다.

4역바이어스 상태에서 전도성이 양호하다.

문제 70

트랜지스터 제조시 컬렉터 내부용량과 베이스 저항을 작게 하는 이유로 가장 적절한 것은?

1순방향 특성을 개선하기 위하여

2고주파 특성을 개선하기 위하여

3역방향 내전압을 증가시키기 위하여

4구조를 간단히 하고 소형화시키기 위하여

문제 71

광도전 반도체 소자는?

1터널(tunnel) 다이오드

2버렉터(varactor) 다이오드

3서미스터(thermistor)

4CdS 셀

문제 72

다음 중 플라즈마(Plasma)와 같은 기체 상태의 경우 적용될 수 있는 분포식은?

1Einstein의 관계식

2Schrödinger 방정식

3Maxwell-Boltzmann 방정식

41차원의 Poisson 방정식

문제 73

11.5V

22.6V

33.6V

44.0V

문제 74

학산 정수 D, 이동도 μ, 절대온도 T 간의 관계식으로 옳은 것은? (단, k는 볼츠만의 상수이고, e는 캐리어의 전하이다.)

문제 75

균등전계 내 전자의 운동에 관한 설명 중 틀린 것은?

1전자는 전계와 반대 방향의 일정한 힘을 받는다.

2전자의 운동 속도는 인가된 전위차 V의 제곱근에 반비례한다.

3전계 E에 의한 전자의 운동 에너지는 1/2 mv²[J]이다.

4전위차 V에 의한 가속전자의 운동 에너지는 eV[J]이다.

문제 76

어떤 도체의 단면을 1A의 전류가 흐를 때 이 단면을 0.1초 동안에 통과하는 전자 수는? (단, 전자의 전하량 Q = 1.6×10^-19[C]이다.)

16.25×10¹⁷ 개

26.25×10¹⁹ 개

36.25×10²¹ 개

46.25×10²³ 개

문제 77

P채널 전계효과 트랜지스터(FET)에 흐르는 전류는 주로 어느 현상에 의한 것인가?

1전자의 확산 현상

2정공의 확산 현상

3전자의 드리프트 현상

4정공의 드리프트 현상

문제 78

Fermi-Dirac 분포함수 f(E)에 대한 설명으로 틀린 것은? (단, E_f는 페르미준위이다.)

1T = 0 K 일 때 E＞E_f 이면 f(E) = 0 이다.

2T = 0 K 일 때 E＜E_f 이면 f(E) = 1 이다.

3절대온도에 따라 전자가 채워질 확률은 일정하다.

4T = 0 K E_f 보다 낮은 에너지준위는 전부 전자로 채워져 있으며, E_f 이상의 에너지준위는 전부 비어 있다.

문제 79

바리스터의 동작원리에 관한 설명 중 옳은 것은?

1걸린 전압이 높을수록 저항이 커져서 전류의 크기를 제한할 수 있다.

2걸린 전압이 높아지면 절연파괴가 일어나 단락(short)이 된다.

3걸린 전압에 따라 정전용량이 달라져서 충격전류를 흡수한다.

4걸린 전압이 높을수록 저항이 작아져서 과잉전를 흡수한다.

문제 80

홀(hall) 효과와 가장 관계가 깊은 것은?

1자장계

2고저항 측정기

3전류계

4분압계

문제 81

서브루핀을 호출하는 “CALL” 명령어가 실행되는 동안에 수행되는 동작이 아닌 것은?

1스택포인터 내용을 감소시킨다.

2복귀할 주소를 스택에 저장한다.

3호출할 주소를 PC에 적재한다.

4호출할 주소를 스택으로부터 인출한다.

문제 82

시프트레지스터에 대한 설명 중 틀린 것은?

1시프트레지스터의 가능한 입축력 방식에는 직렬입력-직렬출력, 직렬입력-병렬출력, 병렬입력-직렬출력, 병렬입력-병렬출력이 있다.

2n비트 시프트레지스터는 n개의 플립플롭과 시프트 동작을 제어하는 게이트로 구성되어 있다.

3레지스터는 왼쪽 시프트, 오른쪽 시프트 중에 하나일 수 있고, 둘을 겸할 수도 있다.

4시프트레지스터를 왼쪽으로 한 번 시프트하면 2로 나눈 결과가 되고 오른쪽으로 한 번 시프트하면 2로 곱한 결과가 된다.

문제 83

어셈블리어 프로그램을 기계어로 바꾸어 주는 것은?

1어셈블러

2인터프리터

3로더

4컴파일러

문제 84

고급 프로그래밍 언어가 기계어가 되기까지의 처리 순서로 적절한 것은?

1컴파일러 → 어셈블러 → 로더 → 링커

2컴파일러 → 어셈블러 → 링커 → 로더

3어셈블러 → 컴파일러 → 로더 → 링커

4어셈블러 → 컴파일러 → 링커 → 로더

문제 85

8진수 (375.24)₈를 10진수의 표현으로 옳은 것은?

1254.3126

2253.3125

3252.3124

4251.3123

문제 86

다음 중 시스템버스에 속하지 않는 것은?

1제어 버스

2주소 버스

3데이터 버스

4I/O 버스

문제 87

서브루틴의 리턴(복귀) 어드레스를 저장하기 위해 사용되는 자료 구조는?

1STACK

2QUEUE

3Linked List

4Tree 구조

문제 88

interrupt 중에서 타이머, 정전 등의 외부 신호에 의하여 발생되는 것은?

1I/O interrupt

2program interrupt

3external interrupt

4supervisor call interrupt

문제 89

홀수 패리티 발생기에 대한 식으로 옳은 것은? (단, 입력은 x, y, z 이다.)

1(x ⊙ y) ⊙ z

2(x ⊕ y) ⊕ z

3(x + y) · z

4(x ⊕ y) ⊙ z

문제 90

다음 프로그램을 수행했을 때 그의 결과는 무엇인가?

1x=0, y=1, z=3

2x=0, y=2, z=2

3x=0, y=2, z=3

4x=1, y=2, z=3

문제 91

124F2H 번지

224F5H 번지

324F8H 번지

4256DH 번지

문제 92

다음 중 에러를 찾아서 교정을 할 수 있는 코드는?

1hamming code

2ring counter code

3gray code

48421 code

문제 93

중앙처리장치(CPU)의 3대 구성요소가 아닌 것은?

1제어장치

2연산장치

3입력장치

4기억장치

문제 94

RISC(Reduced Instruction Set Computer)와 CISC(Complex Instruction Set Computer)에 대한 설명 중 잘못된 것은?

1RISC는 실행 빈도가 적은 하드웨어를 제거하여 자원 이용률을 높이는 장점이 있다.

2RISC는 프로그램의 길이가 길어지므로 수행속도가 느린 단점이 있다.

3CISC는 고급언어를 이용하여 알고리즘을 쉽게 표현할 수 있는 장점이 있다.

4CISC는 복잡한 명령어군을 제공하므로 컴퓨터 설계 및 구현 시 많은 시간을 필요로 하는 단점이 있다.

문제 95

다음 중 순차 논리 회로에 해당되는 것은?

1부호기

2반가산기

3멀티플렉서

4플립플롭

문제 96

주기억장치에서 캐시 메모리로 데이터를 전송하는 매핑 방법이 아닌 것은?

1어소시어티브 매핑(Associative Mapping)

2직접 매핑(Direct Mapping)

3간접 매핑(Idirect Mapping)

4세트-어소시어티브 매핑(Set-Associative Mapping)

문제 97

다음의 C 프로그램을 무엇을 입력한 것인가?

1실수입력

2정수입력

3문자열입력

4문자입력

문제 98

16개의 레지스터를 가진 CPU는 몇 비트의 레지스터 지정 필드를 가져야 하는가?

416

문제 99

1임의 우선순위

2동등 우선순위

3회전 우선순위

4최소-최근사용 우선순위

문제 100

다음 중 RAM에 대한 설명으로 적합하지 않은 것은?

1DRAM은 대용량 구성이 가능하고 가격도 SRAM과 비교하여 낮기 때문에 보조기억장치로 사용된다.

2SRAM은 메모리 리프레시(Refresh) 동작이 필요하지 않다.

3SRAM은 DRAM과 비교하여 동작속도가 빠르다.

4DDRAM, SDRAM은 DRAM의 한 종류이다.