[국회직 9급 전자공학개론] 18년 1회차 기출문제 정답·해설 페이지
- ㄱ(틀림): N채널 JFET은 가 음으로 커질수록 공핍층이 넓어져 채널이 좁아지므로 는 증가가 아니라 감소한다.
- ㄴ(옳음): D-MOSFET은 채널이 미리 형성되어 있어 게이트 전압의 극성에 따라 공핍형 또는 증가형 모드로 동작할 수 있다.
- ㄷ(틀림): E-MOSFET은 이면 채널이 없어 이다. 제로 바이어스 회로는 D-MOSFET에서 구현한다.
- ㄹ(옳음): CMOS는 N채널과 P채널 E-MOSFET을 직렬로 연결해 상보적으로 동작시키는 구조이다.
- : 표본화 주파수를 최고 주파수와 같은 로 잡은 값으로, 나이퀴스트 조건에 미달해 왜곡이 생긴다.
- : 복원은 가능하지만 필요한 값의 2배이므로 최소 비트율이 아니다.
- : 필요한 값의 4배로 최소가 아니다.
- : 필요한 값의 8배로 최소가 아니다.
- ㄱ(참): 위 계산대로 피크값 23.6V, 주파수 120Hz이다.
- ㄴ(거짓): 양의 반주기 전류 경로는 이며, 는 이때 역바이어스된다.
- ㄷ(거짓): 음의 반주기에는 와 가 순방향으로 도통하고, 역전압은 과 에 걸린다.
- ㄹ(참): 한쪽 반주기만 출력되어 맥동 주파수가 입력과 같은 60Hz가 된다.
- 커패시터 전압이 저항 전압보다 90° 앞선다: 커패시터 전압은 저항 전압보다 90° 뒤진다.
- 전원 전압이 저항 전압보다 45° 앞선다: 저항 전압이 전원 전압보다 45° 앞서므로 전원 전압은 45° 뒤진다.
- 저항 전류가 전원 전류보다 45° 뒤진다: 직렬회로의 전류는 모든 소자에서 같아 위상차가 없다.
- 커패시터 전류가 저항 전류보다 90° 뒤진다: 직렬회로에서는 두 전류가 동일한 전류이다.
- 최대 0.7V, 최소 -20V 파형: 커패시터 없이 다이오드만 병렬인 클리퍼에서 다이오드 방향이 반대일 때의 모양이다.
- 최대 0.7V, 최소 -39.3V 파형: 다이오드 방향이 반대인 음의 클램퍼의 출력이다.
- 최대 20V, 최소 -0.7V 파형: 커패시터 충전을 무시한 클리퍼의 출력이다.
- 최대 20V, 최소 -20V 파형: 직류분 이동이 없는 입력 그대로의 파형으로, 커패시터의 충전 효과가 빠져 있다.
- : 입력전력()을 환산한 값으로 이득이 반영되지 않았다.
- : 중 (2배)만 반영한 값이다.
- : dBm 값을 mW로 환산하지 않고 그대로 읽은 값이다.
- : 중 (10배)만 반영한 값이다.
- ㄱ(참): 동작점이 차단점에 가까우면 출력 양의 반주기에서 왜곡이 생기며, 그림의 파형이 이 경우이다.
- ㄴ(참): 베이스 바이어스 전류를 늘리면 동작점이 부하선의 중앙 쪽으로 이동해 차단에서 멀어진다.
- ㄷ(참): 이므로 컬렉터 전류는 출력 전압과 반대 위상이고, 출력의 윗부분 왜곡은 의 음의 반주기 왜곡으로 나타난다.
- 1 kHz: 이득을 으로 본 값이다.
- 10 kHz: 이득을 으로 본 값이다.
- 100 kHz: 이득을 1000으로 본 값이다.
- 10 MHz: 이득을 10으로 본 값이다.
- 1101: OR 게이트의 출력으로, NOR 출력을 반전한 값이다.
- 0110: 둘째 입력 (1, 0)에서 Q4가 켜져 출력이 0이어야 하는데 1로 되어 있다.
- 1010: 첫째 입력 (0, 1)에서 Q2가 켜져 출력이 0이어야 하는데 1로 되어 있다.
- 1011: 첫째와 넷째 입력에서 출력이 0이어야 하는데 1로 되어 있다.
- 개방 시 온도 안정도 증가: 이득이 온도에 민감한 보다 외부 저항에 좌우되므로 옳다.
- 단락 시 전압이득 불변: 정상일 때도 는 교류 단락이므로 교류 등가회로의 구성이 같아 옳다(바이어스 변화에 따른 변화는 무시).
- 단락 시 직류 컬렉터 전류 증가: 직류 이미터 저항이 줄어 가 커지므로 옳다.
- 단락 시 교류 입력저항 불변: 베이스에서 본 교류 이미터 쪽 회로 구성이 정상일 때와 같으므로 옳다( 변화는 무시).
- : Q2단의 부하 을 빼고 을 한 번 더 곱한 식으로, 단위도 맞지 않는다.
- : 두 단 모두 를 부하로 보는 2단 종속 증폭의 식이다.
- : 곱해야 할 값을 나눈 식으로 무차원이 아니다.
- : 이득이 무차원이어야 한다는 조건에도 맞지 않는다.
- 20Ω, 10W: 저항은 맞지만 분모의 4를 2로 계산한 전력이다.
- 10Ω, 10W: 왼쪽 20Ω을 병렬로 넣어 저항을 잘못 구했고 전력도 틀리다.
- 10Ω, 5W: 전력은 맞지만 왼쪽 20Ω은 단락된 전압원에 의해 분리되므로 저항이 틀리다.
- 40Ω, 20W: 두 저항을 직렬로 합한 값으로, 전압원을 단락하면 왼쪽 저항은 분리된다.
- +7V와 -5V 파형: 두 제너의 방향을 서로 바꾸었을 때의 한계값(, )이다.
- 상한 -5V, 하한 -7V로 표시된 파형: 제너 경로가 도통하는 한계는 +9V와 -3V이므로 두 값 모두 맞지 않는다.
- +3V와 -8V 파형: 음의 구간은 -3V에서 잘리므로 -8V까지 내려갈 수 없고, 상한도 9V이다.
- +9V와 -5V 파형: 8V 입력은 9V에 이르지 못하고, 하한은 2V 전지를 빼고 계산한 값이다.
- ㄱ: 으로 이므로 두 항 모두 0이다.
- ㄴ: 으로 이므로 두 항 모두 0이다.
- ㄹ: 으로 이므로 두 항 모두 0이다.
- ㅁ: 으로 이므로 두 항 모두 0이다.
- 3: 이면 1kΩ 강하가 약 2.3V이고, 둘의 합이 12V에 크게 못 미친다.
- 5.3: 같은 방식으로 1kΩ 강하가 약 4.6V여서 합이 약 10V로 12V보다 작다.
- 7.3: 1kΩ 강하가 약 6.7V여서 합이 약 14V로 12V를 넘는다.
- 12: 전류가 전혀 흐르지 않는 차단 상태의 값이다.
- : 계산값의 2배로, 계수 자리에 을 쓴 경우에 해당한다.
- : 계산값의 20배로 자릿수가 맞지 않는다.
- : 계산값의 10배로 자릿수가 맞지 않는다.
- : 계산값의 200배로 자릿수가 맞지 않는다.
- 크기 20, 위상 : 위상은 맞지만 크기를 단순 합산했다. 크기 합산은 두 전류가 동상일 때만 성립한다.
- 크기 , 위상 : 크기는 맞지만 위상이 둘째 전류의 위상 그대로이다.
- 크기 20, 위상 : 크기와 위상이 모두 틀리다.
- 크기 20, 위상 0: 두 전류를 동상으로 본 결과이다.
- : 3초에 떨어지는 항이 없어 진폭 2가 계속 유지된다.
- : 3초의 감소량이 2가 아니라 1/2이 된다.
- : 2초의 상승 항이 없고 3초의 감소량도 1뿐이다.
- : 2초의 상승량이 1/2이고 3초의 감소량이 1이어서 파형과 다르다.
- : 에서 1이 되어 주어진 식의 값 0과 다르다.
- : 에서 0이 되어 주어진 식의 값 1과 다르다.
- : 에서 1이 되어 주어진 식의 값 0과 다르다.
- : 로 간소화되며 에서 0이 되어 주어진 식의 값 1과 다르다.
- 10011110: 2진수로 되돌리면 11101011(0xEB)이므로 0x8A가 아니다.
- 10011111: 2진수로 되돌리면 11101010(0xEA)이므로 0x8A가 아니다.
- 11001101: 2진수로 되돌리면 10001001(0x89)이므로 0x8A가 아니다.
- 10001011: 2진수로 되돌리면 11110010(0xF2)이므로 0x8A가 아니다.
전계효과 트랜지스터(FET: Field Effect Transistor)에 대한 설명으로 옳은 것을 모두 고르면?ㄱ. N채널 JFET은 게이트-소스 전압(VGS)이 음(-)으로 증가할수록 채널폭 감소로 드레인 전류(ID)가 증가한다.
ㄴ. D-MOSFET는 공핍형 또는 증가형 중 어느 하나의 모드로 동작될 수 있다.
ㄷ. E-MOSFET는 게이트-소스 전압(VGS)이 0V일 때 드레인 전류는 0보다 커야하며 제로 바이어스 회로를 구현할 수 있다.
ㄹ. CMOS는 E-MOSFET의 N채널과 P채널을 직렬로 결합시킨 것이다.
ㄱ, ㄴ
ㄱ, ㄹ
ㄴ, ㄷ
ㄴ, ㄹ
ㄷ, ㄹ
옳은 설명은 ㄴ, ㄹ의 조합이다.
FET는 게이트 전압이 채널 폭을 조절해 드레인 전류를 제어하는 소자이므로, 소자별로 일 때 채널이 있는지를 따지면 각 지문을 판정할 수 있다.
옳은 지문이 ㄴ과 ㄹ 둘뿐이므로 이 둘을 묶은 조합만 성립한다.
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최고 주파수가 8kHz인 아날로그 신호를 240레벨로 양자화하여 디지털 전송하고자 한다. 아날로그 신호로 복원시 왜곡이 발생하지 않기 위한 최소 비트율[kbps]로 옳은 것은?
64
128
256
512
1024
왜곡 없이 복원하기 위한 최소 비트율은 이다.
표본화 주파수(나이퀴스트):
표본당 비트 수: 이므로
비트율:
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다음 그림과 같은 전파 브리지 정류회로의 설명으로 옳은 것을 모두 고르면? (단, 입력전압(Vin)의 주파수는 60Hz이고 피크값은 50V이다. 또한 다이오드가 순방향 바이어스될 때 장벽전위는 0.7V이다.)ㄱ. 정상적인 동작 상태에서 출력전압(Vout)의 피크값은 23.6V이고 주파수는 120Hz이다.
ㄴ. 입력신호가 양(+)의 반주기 동안 전류는 D1-RL-D3 순으로 흐른다.
ㄷ. 입력신호가 음(-)의 반주기 동안 D3와 D4의 역방향 피크전압은 23.6V가 각각 걸린다.
ㄹ. 다이오드 한 개가 개방(open) 고장이면 출력전압은 60Hz의 정류된 전압파형(맥동파)이 나타난다.
ㄱ, ㄴ
ㄱ, ㄷ
ㄱ, ㄹ
ㄴ, ㄹ
ㄷ, ㄹ
옳은 설명은 ㄱ과 ㄹ이다.
권선비 2:1이므로 2차 전압의 피크값은 25V이고, 브리지에서는 다이오드 2개가 직렬로 도통한다.
전파정류의 출력 주파수는 입력의 2배인 이다. 다이오드 하나가 개방되면 한쪽 반주기의 전류 경로가 끊겨 반파정류가 되므로 출력은 맥동파이다.
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다음 그림과 같이 직렬로 연결된 RC 회로에 교류 전압원을 연결하였을 때 설명으로 옳은 것은?
커패시터의 전압파형 위상이 저항의 전압파형 위상에 비해 90° 앞선다.
전원의 전압파형 위상이 저항의 전압파형 위상에 비해 45° 앞선다.
커패시터의 전압파형 위상이 전원의 전압파형 위상에 비해 45° 뒤진다.
저항의 전류파형 위상이 전원의 전류파형 위상에 비해 45° 뒤진다.
커패시터의 전류파형 위상이 저항의 전류파형 위상에 비해 90° 뒤진다.
커패시터 전압이 전원 전압보다 45° 뒤진다는 설명이 옳다.
저항과 용량 리액턴스의 크기가 같아 임피던스 각이 -45°이다.
전류는 전원 전압보다 45° 앞서고, 저항 전압은 전류와 동상이며, 커패시터 전압은 전류보다 90° 뒤진다. 따라서 커패시터 전압은 전원 전압 기준 이다.
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다음 그림과 같은 회로의 출력 파형으로 옳은 것은?
(단, 시상수 는 입력신호 주기에 비해 매우 크고 다이오드의 장벽전위는 0.7V 이다.)
[그림]
[그림]
[그림]
[그림]
[그림]
이 회로는 양의 클램퍼이므로 출력은 에서 까지 변하는 파형이다.
다이오드는 애노드가 접지 쪽이어서 출력이 까지 내려가면 도통한다. 입력이 -20V일 때 커패시터가 충전되고, 시상수가 매우 커서 이 전압이 유지된다.
출력은 입력에 이 직류분을 더한 값이다.
,
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입력 및 출력 임피던스가 정합되었을 때 신호발생기의 신호전력이 10dBm이고 전력이득이 13dB인 선형증폭기에 입력되었다면 선형증폭기의 출력전력[mW]으로 옳은 것은?
10
20
23
100
200
선형증폭기의 출력전력은 약 이다.
dBm은 절대 전력, dB는 비율이므로 그대로 더할 수 있다.
mW로 환산한다.
또는 로 나누어 약 배로 근사하면 이다.
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다음 그림과 같은 공통 이미터(Common Emitter) 증폭기의 출력 전압 파형의 일부가 왜곡된 모양을 나타낸 것에 대한 설명으로 옳은 것을 모두 고르면?ㄱ. 증폭기의 동작점이 차단점에 근접해 있으면 출력파형 중 양(+)의 반주기에서 왜곡이 발생한다.
ㄴ. 왜곡을 해결하기 위해서는 베이스(Base) 바이어스 전류 IB를 증가시켜야 한다.
ㄷ. 컬랙터(Collector) 전류 IC는 음(-)의 반주기에서 왜곡이 발생한다.
ㄱ
ㄱ, ㄴ
ㄱ, ㄷ
ㄴ, ㄷ
ㄱ, ㄴ, ㄷ
세 설명 ㄱ, ㄴ, ㄷ 모두 옳다.
공통 이미터 증폭기는 입력과 출력의 위상이 반대이므로 출력의 양의 반주기는 입력의 음의 반주기에 해당한다. 이때 베이스 전류가 줄어 트랜지스터가 차단에 들어가면 출력 윗부분이 잘린다.
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다음 그림과 같은 연산증폭기회로에서 단위이득 주파수(fT)가 100MHz인 경우 대역폭(Bandwidth) 주파수로 옳은 것은?
(단, 증폭기는 상측 차단주파수 이상에서는 20dB/decade의 롤-오프(roll-off) 특성을 갖는다.)
1 kHz
10 kHz
100 kHz
1 MHz
10 MHz
폐루프 대역폭은 1 MHz이다.
비반전 증폭기의 폐루프 이득을 구한다.
롤-오프가 20dB/decade이면 이득-대역폭 곱이 단위이득 주파수로 일정하다.
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다음 그림과 같은 CMOS를 이용한 회로에서 입력단자(VA)=0101, 입력단자(VB)=1001이 순차적으로 인가될 때 출력전압의 상태값으로 옳은 것은? (단, 상태값 0=0V, 상태값 1=VDD 이고 VGS(th)보다 크다.)
1101
0110
1010
0010
1011
이 회로는 2입력 CMOS NOR 게이트이므로 출력은 0010이다.
PMOS Q3와 Q1이 와 출력 사이에 직렬, NMOS Q4와 Q2가 출력과 접지 사이에 병렬이다. 두 입력이 모두 0일 때만 출력이 1이고, 입력 중 하나라도 1이면 출력은 0이다.
입력을 순서대로 대입한다.
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다음 그림과 같은 공통 이미터(Common Emitter) 증폭기에서 바이패스(bypass) 커패시터(C2)의 고장에 대한 영향으로 옳지 않은 것은?
커패시터 C2가 개방(open) 고장이면 온도에 대한 안정도는 증가한다.
커패시터 C2가 개방(open) 고장이면 전압이득은 증가한다.
커패시터 C2가 단락(short) 고장이면 전압이득은 변하지 않는다.
커패시터 C2가 단락(short) 고장이면 직류컬렉터전류(IC)는 증가한다.
커패시터 C2가 단락(short) 고장이면 교류입력저항(Rin(base))은 변하지 않는다.
옳지 않은 것은 개방 고장이면 전압이득이 증가한다는 설명이다.
는 를 교류적으로 단락한다. 개방되면 가 교류 부귀환에 더해져 전압이득은 오히려 감소한다.
반대로 단락되면 교류 등가회로는 정상일 때와 같고, 직류 이미터 저항만 으로 줄어든다.
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다음 그림과 같은 JFET를 이용한 캐스코드(Cascode) 증폭기 회로의 전압이득을 나타낸 식으로 옳은 것은? (단, Q1과 Q2는 동일한 소자이며 순방향 전달 컨덕턴스는 이다.)
캐스코드 증폭기의 전압이득 크기는 이다.
Q2는 로 소스가 교류 접지된 공통 소스단이고, Q1은 로 게이트가 교류 접지된 공통 게이트단이다.
Q2의 부하는 Q1의 소스에서 본 저항 이고, Q1의 이득은 이다.
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다음 그림과 같은 회로에서 최대전력전달을 위한 부하저항 RL값과 전달되는 최대전력값이 각각 옳은 것은?
20Ω, 5W
20Ω, 10W
10Ω, 10W
10Ω, 5W
40Ω, 20W
최대전력전달 조건은 이고 이때 전력은 이다.
20V 전압원이 가운데 노드 전압을 고정하므로, 왼쪽의 8A 전류원과 20Ω은 부하 쪽 전압에 영향을 주지 못한다. 부하를 떼면 오른쪽 20Ω에 전류가 흐르지 않는다.
독립전원을 제거하면 전압원은 단락, 전류원은 개방되어 오른쪽 20Ω만 남는다.
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다음 그림과 같은 회로에서 입력전압이 Vin일 때 출력전압 Vout 파형으로 옳은 것은? (단, 다이오드와 제너다이오드는 이상적인 경우이다. 따라서, 순방향 전압 강하는 0이다.)
[그림]
[그림]
[그림]
[그림]
[그림]
출력은 하한만 -3V로 잘리고 상한은 입력 그대로 +8V인 파형이다.
두 제너다이오드는 애노드끼리 마주 보고 직렬이며 2V 전지와 연결되어 있다. 출력단에 부하가 없어 뒤쪽 1kΩ의 전압강하는 0이므로 출력은 분기점 전압과 같다.
양의 방향 도통 전압은 ZD1 항복, ZD2 순방향, 전지의 합이다.
음의 방향 도통 전압은 ZD2 항복, ZD1 순방향, 전지로 정해진다.입력의 최댓값 8V는 9V보다 작아 잘리지 않고, -8V 쪽은 -3V에서 잘린다.
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부울함수 의 아래 카르노맵(Karnaugh map)에서 1이 들어갈 자리로 옳은 것은?
| A\BC | 00 | 01 | 11 | 10 |
|---|---|---|---|---|
| 0 | ㄱ | 1 | ㄷ | ㄹ |
| 1 | ㄴ | 1 | 0 | ㅁ |
ㄱ
ㄴ
ㄷ
ㄹ
ㅁ
1이 들어갈 자리는 ㄷ이다.
각 곱항이 1이 되는 칸을 찾으면 된다. 식에 는 없으므로 맵의 로 판단한다.
: 이므로 열의 두 칸(이미 1로 표시됨)
: 이므로 행의 과 칸따라서 새로 1이 되는 칸은 이고, 맵에서 이 위치가 ㄷ이다.
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다음 그림과 같은 회로에서 직류 바이어스 전압 VCE[V]의 값으로 옳은 것은? (단, VBE=0.7V, β=100임.)
3
5.3
6.3
7.3
12
컬렉터 귀환 바이어스 회로로, 이다.
베이스 저항이 컬렉터에 연결되어 있고 이미터가 접지이므로 는 컬렉터 전압과 같다. 1kΩ에는 가 흐른다.
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공기 속에 길이가 1m인 두 도선이 0.2m의 간격으로 평행하게 놓여있고, 각각 2A, 3A의 전류가 같은 방향으로 흐르고 있을 때 두 도선 사이에 작용하는 힘의 크기[N]를 구한 것으로 옳은 것은?
두 도선 사이에 작용하는 힘의 크기는 이다.
평행 도선 사이의 힘 공식을 쓰고, 공기의 투자율은 진공의 로 근사한다.
값을 대입한다.
전류 방향이 같으므로 이 힘은 흡인력이다.
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크기 10A, 위상 0인 전류와 크기 10A, 위상 인 전류의 합성전류의 크기[A], 위상값[rad]으로 각각 옳은 것은?,
20, ,
20, 20, 0
합성전류의 크기는 , 위상은 이다.
두 전류의 위상차가 이므로 페이저를 복소수로 놓고 더한다.
크기:
위상:
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다음 그림과 같은 파형을 라플라스(Laplace) 변환한 수식으로 옳은 것은?
파형은 계단함수 세 개의 합으로 나타내며, 변환 결과는 이다.
1초에 1만큼 오르고, 2초에 다시 1만큼 오르고, 3초에 2만큼 내려 0이 된다.
시간 이동 성질 을 각 항에 적용한다.
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다음 논리식 중에서 와 동일한 논리식으로 옳은 것은?주어진 식과 같은 논리식은 이다.
합의항(consensus)을 이용한다. 와 의 합의항 를 더해도 식은 변하지 않는다.
이번에는 가 와 의 합의항이므로 제거할 수 있다.주어진 식이 1이 되는 는 001, 011, 100, 101, 110이다. 나머지 식은 이 집합과 어긋나는 입력이 하나씩 있다.
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16진수 0x8A를 그레이(Gray) 코드로 변환한 것으로 옳은 것은?
10011110
10011111
11001101
10001011
11001111
0x8A를 그레이 코드로 변환하면 11001111이다.
먼저 2진수로 바꾼다.
0x8A = 1000 1010변환 규칙: 최상위 비트는 그대로 내리고, 나머지는 인접한 두 2진 비트를 XOR한다.
, ,
, , ,
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