전계효과 트랜지스터(FET: Field Effect Transistor… | [국회직 9급 전자공학개론] 18년 1회차 기출문제 상세 페이지

1[국회직 9급 전자공학개론] 18년 1회차

전계효과 트랜지스터(FET: Field Effect Transistor)에 대한 설명으로 옳은 것을 모두 고르면?ㄱ. N채널 JFET은 게이트-소스 전압(V_GS)이 음(-)으로 증가할수록 채널폭 감소로 드레인 전류(I_D)가 증가한다.
ㄴ. D-MOSFET는 공핍형 또는 증가형 중 어느 하나의 모드로 동작될 수 있다.
ㄷ. E-MOSFET는 게이트-소스 전압(V_GS)이 0V일 때 드레인 전류는 0보다 커야하며 제로 바이어스 회로를 구현할 수 있다.
ㄹ. CMOS는 E-MOSFET의 N채널과 P채널을 직렬로 결합시킨 것이다.

ㄱ, ㄴ

ㄱ, ㄹ

ㄴ, ㄷ

ㄴ, ㄹ

ㄷ, ㄹ

해설

옳은 설명은 ㄴ, ㄹ의 조합이다.

FET는 게이트 전압이 채널 폭을 조절해 드레인 전류를 제어하는 소자이므로, 소자별로 $V_{GS}=0$ 일 때 채널이 있는지를 따지면 각 지문을 판정할 수 있다.

ㄱ(틀림): N채널 JFET은 $V_{GS}$ 가 음으로 커질수록 공핍층이 넓어져 채널이 좁아지므로 $I_D$ 는 증가가 아니라 감소한다.
ㄴ(옳음): D-MOSFET은 채널이 미리 형성되어 있어 게이트 전압의 극성에 따라 공핍형 또는 증가형 모드로 동작할 수 있다.
ㄷ(틀림): E-MOSFET은 $V_{GS}=0$ 이면 채널이 없어 $I_D=0$ 이다. 제로 바이어스 회로는 D-MOSFET에서 구현한다.
ㄹ(옳음): CMOS는 N채널과 P채널 E-MOSFET을 직렬로 연결해 상보적으로 동작시키는 구조이다.

옳은 지문이 ㄴ과 ㄹ 둘뿐이므로 이 둘을 묶은 조합만 성립한다.

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