[국회직 9급 전자공학개론] 21년 1회차 기출문제 정답·해설 페이지

[국회직 9급 전자공학개론] 21년 1회차
    1[국회직 9급 전자공학개론] 21년 1회차
    다음 그림과 같은 회로에서 50 [Ω] 저항 R₁에 흐르는 전류의 크기와 방향으로 옳은 것은?
    문제 이미지
    1
    3mA, a에서 b로
    2
    3mA, b에서 a로
    3
    4mA, a에서 b로
    4
    11mA, a에서 b로
    5
    11mA, b에서 a로
    해설

    R1R_{1}에는 a에서 b로 4 mA4\,\mathrm{mA}가 흐른다.

    노드 b에 연결된 가지는 R1R_{1}과 전류원 I2I_{2}뿐이므로 KCL에 따라 두 전류가 같다. I2I_{2}가 노드 b에서 접지로 전류를 빼내므로 R1R_{1}의 전류는 a에서 b로 향한다.

    노드 a에서 나머지 전류는 R2R_{2}로 흐른다.
    IR2=7 mA−4 mA=3 mAI_{R2}=7\,\mathrm{mA}-4\,\mathrm{mA}=3\,\mathrm{mA}

    • 3 mA, a에서 b로: R2R_{2}에 흐르는 전류 크기를 R1R_{1}의 전류로 본 것이다.
    • 3 mA, b에서 a로: 크기뿐 아니라 방향도 전류원 I2I_{2}의 방향과 맞지 않는다.
    • 11 mA, a에서 b로: 두 전류원을 더한 값으로, 노드 b의 KCL을 만족하지 않는다.
    • 11 mA, b에서 a로: 크기와 방향이 모두 노드 b의 조건과 어긋난다.

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    2[국회직 9급 전자공학개론] 21년 1회차
    다음 그림과 같은 반파정류기에서 커패시터 입력필터에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
    문제 이미지
    1
    양(+)의 첫 1/4주기 동안 다이오드는 순방향 바이어스 되어 커패시터에는 입력 피크값보다 0.7 [V] 낮게 충전된다.
    2
    입력전압이 양(+)의 피크값보다 작아지면 다이오드는 역방향 바이어스 된다.
    3
    다이오드의 최대역전압(PIV: peak inverse voltage)는 2Vp(i n)−0.72 V_{p ( i \, n )} - 0.7[V] 이다.
    4
    입력전압이 다시 증가하여 커패시터의 충전전압보다 0.7[V] 이상 커지게 되면 다이오드는 순방향 바이어스 된다.
    5
    RLR_{L} 또는 C가 증가하면 리플전압은 증가하고 직류전압은 감소한다.
    해설

    옳지 않은 설명은 RLR_{L} 또는 C가 증가하면 리플전압은 증가하고 직류전압은 감소한다는 내용이다.

    방전 시정수 RLCR_{L}C가 커지면 커패시터가 더 천천히 방전하므로 실제로는 리플전압은 감소하고 직류전압은 증가한다.

    • 첫 1/4주기의 충전: 다이오드가 순방향이므로 커패시터는 입력 피크보다 다이오드 강하만큼 낮게 충전된다.
    • 피크 이후의 역방향 바이어스: 입력이 내려가면 커패시터 전압이 더 높아져 다이오드가 차단된다.
    • 최대역전압: 입력이 음의 피크일 때 캐소드는 Vp(in)−0.7V_{p(in)}-0.7, 애노드는 −Vp(in)-V_{p(in)}이므로 차이는 2Vp(in)−0.72V_{p(in)}-0.7이다.
    • 재도통 조건: 입력이 커패시터 전압보다 다이오드 강하 이상 높아지면 다시 순방향이 되어 재충전된다.

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    3[국회직 9급 전자공학개론] 21년 1회차
    다음 그림과 같은 연산증폭기 회로에서 출력전압 V0{\mathbf{V}}_{0} [V] 값은? (단, 연산증폭기 U1{\mathbf{U}}_{1}, U2{\mathbf{U}}_{2}는 이상적이다)
    문제 이미지
    1
    -6 V
    2
    -3 V
    3
    0 V
    4
    3 V
    5
    6 V
    해설

    출력전압은 −3 V-3\,\mathrm{V}이다.

    U1U_{1}의 비반전 입력은 전류가 없어 0 V0\,\mathrm{V}이고, 가상단락으로 반전 입력도 0 V0\,\mathrm{V}이다. 전류원의 3 mA3\,\mathrm{mA}는 전부 1 kΩ1\,\mathrm{k\Omega}을 지나 출력으로 흐른다.
    VU1=0−3 mA×1 kΩ=−3 VV_{U1}=0-3\,\mathrm{mA}\times 1\,\mathrm{k\Omega}=-3\,\mathrm{V}

    3 V3\,\mathrm{V} 전원은 위쪽이 음극이고 3 kΩ3\,\mathrm{k\Omega}에 전류가 없으므로 U2U_{2}의 두 입력은 −3 V-3\,\mathrm{V}이다. 10 kΩ10\,\mathrm{k\Omega} 양단이 같은 전위라 전류가 0이고 5 kΩ5\,\mathrm{k\Omega}의 전압강하도 0이다.
    Vo=−3 VV_{o}=-3\,\mathrm{V}

    • -6 V: U1U_{1} 출력을 +3 V+3\,\mathrm{V}로 잘못 잡은 값이다.
    • 0 V: 5 kΩ5\,\mathrm{k\Omega}에 전류가 흘러야 하는데 10 kΩ10\,\mathrm{k\Omega}의 전류가 0이므로 KCL에 어긋난다.
    • 3 V: U1U_{1} 출력과 3 V3\,\mathrm{V} 전원의 극성을 모두 반대로 본 값이다.
    • 6 V: 3 V3\,\mathrm{V} 전원의 극성만 반대로 보아 V+=+3 VV_{+}=+3\,\mathrm{V}로 계산한 값이다.

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    4[국회직 9급 전자공학개론] 21년 1회차
    다음 그림과 같은 증폭기에 대한 설명으로 옳은 것은?
    문제 이미지
    1
    전류이득이 매우 크다.
    2
    출력임피던스가 낮다.
    3
    전압이득이 거의 1이다.
    4
    전류이득이 거의 1이다.
    5
    입출력 위상이 반전이다.
    해설

    이 회로는 공통베이스 증폭기이므로 전류이득이 거의 1이다.

    베이스가 C2C_{2}로 교류 접지되고, 입력은 이미터에, 출력은 컬렉터에 연결되어 있다. 입력 전류는 이미터 전류, 출력 전류는 컬렉터 전류이므로 전류이득은 α=ICIE≈1\alpha=\dfrac{I_{C}}{I_{E}}\approx 1이다.

    • 전류이득이 매우 크다: 공통이미터나 공통컬렉터의 특징이다.
    • 출력임피던스가 낮다: 공통컬렉터의 특징이며, 공통베이스의 출력임피던스는 RCR_{C} 정도로 높다.
    • 전압이득이 거의 1이다: 공통컬렉터의 특징이며, 공통베이스는 전압이득이 크다.
    • 입출력 위상이 반전이다: 공통이미터의 특징이며, 공통베이스는 입출력이 동위상이다.

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    5[국회직 9급 전자공학개론] 21년 1회차
    다음의 구형파는 한 주기가 2π\mathbf{2} \pi [rad]인 비정현 주기파이다. 구형파의 3고조파 값의 크기로 옳은 것은?
    문제 이미지
    1
    203π\frac{20}{3} \pi
    2
    10π10 \pi
    3
    103\frac{10}{3}
    4
    103π\frac{10}{3 \pi}
    5
    203π\frac{20}{3 \pi}
    해설

    3고조파의 크기는 203π\dfrac{20}{3\pi}이다.

    파형은 15 V15\,\mathrm{V}와 5 V5\,\mathrm{V}를 오가므로 직류분 10 V10\,\mathrm{V}에 진폭 A=5 VA=5\,\mathrm{V}의 구형파가 더해진 것이다. 직류분은 고조파에 영향을 주지 않는다.

    대칭 구형파의 푸리에 급수는 홀수차 성분만 가진다.
    v(t)=10+4Aπ(sin⁡t+13sin⁡3t+⋯ )v(t)=10+\dfrac{4A}{\pi}\left(\sin t+\dfrac{1}{3}\sin 3t+\cdots\right)
    V3=4×53π=203πV_{3}=\dfrac{4\times 5}{3\pi}=\dfrac{20}{3\pi}

    • 203π\frac{20}{3}\pi: π\pi를 분모가 아닌 분자에 둔 값이다.
    • 10π10\pi: 기본파 크기 20π\dfrac{20}{\pi}보다도 커서 3고조파가 될 수 없다.
    • 103\frac{10}{3}: 진폭을 절반으로 잡고 π\pi까지 빠뜨린 값이다.
    • 103π\frac{10}{3\pi}: 진폭을 절반으로 잡은 값이다.

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    6[국회직 9급 전자공학개론] 21년 1회차
    다음 그림과 같은 회로에서 전류 I1\mathbf{I}_{1} [A]과 전류 I2{\mathbf{I_{2}}} [A]의 값으로 옳은 것은? (단, 다이오드 D₁과 D₂의 순방향 전압강하는 각각 0.5 [V], 0.7 [V]이며 다이오드의 나머지 특성은 이상적이다)
    문제 이미지
    I1I_{1}       I2{I_{2}}
    1
    0 A 6 A
    2
    2.5 A 3.5 A
    3
    3.5 A 2.5 A
    4
    5 A 0 A
    5
    6 A 0 A
    해설

    세 소자가 병렬이라 양단 전압이 같고, 강하가 작은 D1D_{1}만 도통하므로 I1=5 AI_{1}=5\,\mathrm{A}, I2=0 AI_{2}=0\,\mathrm{A}이다.

    병렬 전압은 D1D_{1}에 의해 0.5 V0.5\,\mathrm{V}로 고정된다. 이 값은 D2D_{2}의 도통 전압 0.7 V0.7\,\mathrm{V}보다 작으므로 D2D_{2}는 차단된다.

    저항 전류: IR=0.5 V0.5 Ω=1 AI_{R}=\dfrac{0.5\,\mathrm{V}}{0.5\,\Omega}=1\,\mathrm{A}
    전류원의 6 A6\,\mathrm{A}가 병렬부로 모두 들어가므로(1 Ω1\,\Omega은 전류원과 직렬이라 분배에 영향 없음) I1=6−1=5 AI_{1}=6-1=5\,\mathrm{A}이다.

    • I1=0I_{1}=0, I2=6 AI_{2}=6\,\mathrm{A}는 도통 전압이 더 큰 쪽으로 전류가 모두 흐른다고 본 것이라 틀리다.
    • I1=2.5I_{1}=2.5, I2=3.5 AI_{2}=3.5\,\mathrm{A}는 두 다이오드가 동시에 도통해야 하는데, 같은 병렬 전압이 0.5 V0.5\,\mathrm{V}이면서 0.7 V0.7\,\mathrm{V}일 수 없어 불가능하다.
    • I1=3.5I_{1}=3.5, I2=2.5 AI_{2}=2.5\,\mathrm{A}도 같은 이유로 성립하지 않는다.
    • I1=6I_{1}=6, I2=0 AI_{2}=0\,\mathrm{A}는 0.5 Ω0.5\,\Omega 저항으로 흐르는 1 A1\,\mathrm{A}를 빠뜨린 값이다.

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    7[국회직 9급 전자공학개론] 21년 1회차
    다음은 연산증폭기를 이용한 4 bit D/A 컨버터에 2진 입력 1000(2)\mathbf{1000_{( 2 )}}을 입력한 경우이다. 이때의 출력전압 V0{\mathbf{V}}_{0}가 –5 [V]이다. 출력전압 V0{\mathbf{V}}_{0}가 –5.625 [V]가 되기 위해 입력해야 하는 2진 입력으로 옳은 것은?
    문제 이미지
    1
    1001(2){1001_{( 2 )}}
    2
    1010(2){1010_{( 2 )}}
    3
    1100(2){1100_{( 2 )}}
    4
    1101(2){1101_{( 2 )}}
    5
    1110(2){1110_{( 2 )}}
    해설

    필요한 2진 입력은 1001(2)1001_{(2)}이다.

    입력 1000(2)1000_{(2)}에서는 저항 R 가지만 5 V5\,\mathrm{V}에 연결되어 있으므로 R이 최상위 비트이고, 이때 출력이 −5 V-5\,\mathrm{V}이므로 10 kΩR=1\dfrac{10\,\mathrm{k\Omega}}{R}=1이다.

    저항이 2배가 될 때마다 기여분은 절반이 되어 R, 2R, 4R, 8R 가지가 각각 55, 2.52.5, 1.251.25, 0.625 V0.625\,\mathrm{V}를 만든다.
    5.625=5+0.6255.625=5+0.625
    따라서 최상위 비트와 최하위 비트만 1이다.

    • 1010(2)1010_{(2)}: 5+1.255+1.25이므로 출력은 −6.25 V-6.25\,\mathrm{V}이다.
    • 1100(2)1100_{(2)}: 5+2.55+2.5이므로 출력은 −7.5 V-7.5\,\mathrm{V}이다.
    • 1101(2)1101_{(2)}: 5+2.5+0.6255+2.5+0.625이므로 출력은 −8.125 V-8.125\,\mathrm{V}이다.
    • 1110(2)1110_{(2)}: 5+2.5+1.255+2.5+1.25이므로 출력은 −8.75 V-8.75\,\mathrm{V}이다.

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    8[국회직 9급 전자공학개론] 21년 1회차
    다음 그림과 같은 회로에서 100∠0∘\mathbf{100 \angle 0 ^\circ}[V]의 교류전압이 인가될 때 전체 임피던스(Zab)\mathbf{(} Z_{ab} ) [Ω]와 전류 I1\mathbf{I}_{1} [A] 및 전류 I2{\mathbf{I_{2}}} [A]는?
    문제 이미지
    ZabZ_{ab}[Ω] I1I_{1}[A] I2I_{2}[A]
    1
    1010 5∠45∘5 \angle 45 ^\circ 5∠−45∘5 \angle - 45 ^\circ
    2
    1010 52∠−45∘5 \sqrt{2} \angle - 45 ^\circ 52∠45∘5 \sqrt{2} \angle 45 ^\circ
    3
    10210 \sqrt{2} 5∠45∘5 \angle 45 ^\circ 5∠−45∘5 \angle - 45 ^\circ
    4
    10210 \sqrt{2} 52∠−45∘5 \sqrt{2} \angle - 45 ^\circ 52∠45∘5 \sqrt{2} \angle 45 ^\circ
    5
    55 5∠45∘5 \angle 45 ^\circ 5∠45∘5 \angle 45 ^\circ
    해설

    전체 임피던스는 10 Ω10\,\Omega, 전류는 I1=52∠−45∘I_{1}=5\sqrt{2}\angle -45^{\circ}, I2=52∠45∘I_{2}=5\sqrt{2}\angle 45^{\circ}이다.

    두 가지의 병렬 합성은 분자가 복소켤레의 곱이 되어 실수로 정리된다.
    Zab=(10+j10)(10−j10)(10+j10)+(10−j10)=20020=10 ΩZ_{ab}=\dfrac{(10+j10)(10-j10)}{(10+j10)+(10-j10)}=\dfrac{200}{20}=10\,\Omega

    각 가지 전류는 전압을 가지 임피던스로 나눈다.
    I1=100∠0∘102∠45∘=52∠−45∘I_{1}=\dfrac{100\angle 0^{\circ}}{10\sqrt{2}\angle 45^{\circ}}=5\sqrt{2}\angle -45^{\circ}
    I2=100∠0∘102∠−45∘=52∠45∘I_{2}=\dfrac{100\angle 0^{\circ}}{10\sqrt{2}\angle -45^{\circ}}=5\sqrt{2}\angle 45^{\circ}

    • 1010, 5∠45∘5\angle 45^{\circ}, 5∠−45∘5\angle -45^{\circ}: 크기에서 2\sqrt{2}가 빠지고 위상도 서로 뒤바뀌었다.
    • 10210\sqrt{2}, 5∠45∘5\angle 45^{\circ}, 5∠−45∘5\angle -45^{\circ}: 합성 임피던스를 가지 하나의 크기로 잘못 본 데다 전류도 맞지 않는다.
    • 10210\sqrt{2}, 52∠−45∘5\sqrt{2}\angle -45^{\circ}, 52∠45∘5\sqrt{2}\angle 45^{\circ}: 전류는 맞지만 두 전류의 합이 10∠0∘10\angle 0^{\circ}이므로 임피던스는 10 Ω10\,\Omega이어야 한다.
    • 55, 5∠45∘5\angle 45^{\circ}, 5∠45∘5\angle 45^{\circ}: 유도성과 용량성 가지의 전류 위상이 같을 수 없다.

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    9[국회직 9급 전자공학개론] 21년 1회차
    다음 그림과 같이 D 플립플롭을 이용하여 JK 플립플롭을 구현하고자 한다. (가) 부분에 들어갈 게이트 회로의 조합으로 옳은 것은?
    문제 이미지
    1
    2
    3
    4
    5
    해설

    정답 회로는 윗 AND 게이트의 K 입력만 반전하고 아래 AND 게이트와 OR 게이트로 묶은 회로이다.

    D 플립플롭은 Qn+1=DQ_{n+1}=D이므로 D에 JK 플립플롭의 특성방정식을 그대로 넣으면 된다.
    D=JQ‾+K‾QD=J\overline{Q}+\overline{K}Q

    (가)의 입력은 위에서부터 Q, K, J, Q‾\overline{Q}이므로, 윗 AND는 Q⋅K‾Q\cdot\overline{K}, 아래 AND는 J⋅Q‾J\cdot\overline{Q}를 만들어 OR로 합치면 식과 같다.

    • AND 두 개를 NOR로 묶은 회로: J=K=0J=K=0, Q=0Q=0일 때 D=1D=1이 되어 유지 동작을 하지 못한다.
    • 아래쪽만 NAND인 회로: 같은 조건에서 NAND 출력이 1이 되어 D=1D=1이다.
    • 위쪽만 NAND인 회로: 같은 조건에서 NAND 출력이 1이 되어 D=1D=1이다.
    • 아래 AND의 J 입력을 반전한 회로: J‾ Q‾=1\overline{J}\,\overline{Q}=1이 되어 역시 유지되지 않는다.

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    10[국회직 9급 전자공학개론] 21년 1회차
    다음 그림과 같은 회로에서 Q가 정방향 선형영역에서 동작하기 위한 최대 허용 Rc{\mathbf{R_{c}}} [Ω]값은? (단, VBE=0.7{\mathbf{V_{BE} = 0.7}} [V], RB=50{\mathbf{R_{B} = 50}} [kΩ], βDC=100{\mathbf{\beta_{DC} = 100}}이다)
    문제 이미지
    1
    200 Ω
    2
    500 Ω
    3
    1 kΩ
    4
    2 kΩ
    5
    5 kΩ
    해설

    최대 허용 컬렉터 저항은 500 Ω500\,\Omega이다.

    베이스 전류와 컬렉터 전류를 구한다.
    IB=3.3−0.750 kΩ=52 μAI_{B}=\dfrac{3.3-0.7}{50\,\mathrm{k\Omega}}=52\,\mathrm{\mu A}
    IC=100×52 μA=5.2 mAI_{C}=100\times 52\,\mathrm{\mu A}=5.2\,\mathrm{mA}

    정방향 선형영역이려면 베이스-컬렉터 접합이 순방향이 되면 안 되므로 VC≥VB=0.7 VV_{C}\ge V_{B}=0.7\,\mathrm{V}이어야 한다.
    RC,max⁡=3.3−0.75.2 mA=500 ΩR_{C,\max}=\dfrac{3.3-0.7}{5.2\,\mathrm{mA}}=500\,\Omega

    • 200 Ω: 선형영역을 유지하지만 허용되는 최댓값은 아니다.
    • 1 kΩ: 필요한 강하가 5.2 V5.2\,\mathrm{V}로 전원전압을 넘어 포화된다.
    • 2 kΩ: 필요한 강하가 10.4 V10.4\,\mathrm{V}로 포화된다.
    • 5 kΩ: 필요한 강하가 26 V26\,\mathrm{V}로 포화된다.

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    11[국회직 9급 전자공학개론] 21년 1회차
    다음 그림과 같은 회로에서 출력전압 Vout\mathrm{\mathbf{V}}_{out} [V]값은? (단, 연산증폭기는 이상적이다)
    문제 이미지
    1
    -12 V
    2
    -3 V
    3
    3 V
    4
    12 V
    5
    15 V
    해설

    출력전압은 3 V3\,\mathrm{V}이다.

    왼쪽 회로에서 2 A2\,\mathrm{A}는 전부 1 Ω1\,\Omega을 지나 전류원으로 흐르고, 비반전 입력으로는 전류가 들어가지 않아 위쪽 2 kΩ2\,\mathrm{k\Omega}에는 강하가 없다.
    V+=3−2×1=1 VV_{+}=3-2\times 1=1\,\mathrm{V}

    나머지는 비반전 증폭기이다.
    Vout=(1+4 kΩ2 kΩ)×1 V=3 VV_{out}=\left(1+\dfrac{4\,\mathrm{k\Omega}}{2\,\mathrm{k\Omega}}\right)\times 1\,\mathrm{V}=3\,\mathrm{V}

    • -12 V: 입력이 양(+)이고 비반전 구조이므로 출력이 음이 될 수 없다.
    • -3 V: 크기는 같지만 반전 증폭으로 본 부호이다.
    • 12 V: V+=4 VV_{+}=4\,\mathrm{V}여야 나오는 값이다.
    • 15 V: 전류원 방향을 반대로 보아 V+=5 VV_{+}=5\,\mathrm{V}로 계산한 값이다.

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    12[국회직 9급 전자공학개론] 21년 1회차
    다음 그림과 같은 윈브리지(Wien-bridge) 발진기에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
    문제 이미지
    1
    증폭기의 폐루프 이득이 3이 되기 위해서는 R2=2R1R_{2} = 2 R_{1}이어야 한다.
    2
    전압분배기와 진상-지상(lead-lag) 회로로 구성되어 있다.
    3
    출력이 나오기 위해서는 전체 루프이득이 1보다 커야 한다.
    4
    발진하기 위해서는 정귀환 루프 위상변이가 0°이어야 한다.
    5
    R3=R4R_{3} = R_{4}이고 XC1=XC2X_{C_{1}} = X_{C_{2}}이면 RC회로는 1/3의 감쇠비를 갖는다.
    해설

    옳지 않은 설명은 폐루프 이득이 3이 되려면 R2=2R1R_{2}=2R_{1}이어야 한다는 내용이다.

    그림에서 R1R_{1}은 출력과 반전 입력 사이, R2R_{2}는 반전 입력과 접지 사이에 있으므로 이득은 1+R1R21+\dfrac{R_{1}}{R_{2}}이다. 이 값이 3이 되려면 R1=2R2R_{1}=2R_{2}이어야 한다.

    • 회로 구성: R1R_{1}, R2R_{2}의 전압분배기와 RC 진상-지상 회로로 이루어진 브리지가 맞다.
    • 기동 조건: 잡음에서 진동이 자라려면 초기 루프이득이 1보다 커야 한다.
    • 위상 조건: 비반전 입력으로 되돌아오는 정귀환 경로의 위상변이는 0°이어야 한다.
    • 감쇠비: 두 저항과 두 리액턴스가 각각 같은 공진 조건에서 RC 회로의 전달비는 1/3이다.

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    13[국회직 9급 전자공학개론] 21년 1회차
    다음 그림과 같은 회로에서 제너 다이오드가 정전압 조정을 유지하기 위한 최대 부하전류(IL){\mathbf{( I_{L} )}} [mA]와 사용 가능한 최대 부하저항(RL){\mathbf{( R_{L} )}} [Ω]의 값은? (단, 제너전압 VZ=10  \mathbf{V_{Z} = 10 \,\,}[V], 제너최소전류 IZK=1 \mathbf{I_{ZK} = 1 \,}[mA], 제너최대전류 IZM=100  \mathbf{{I_{ZM} = 100 \,\,}}[mA], 제너임피던스 ZZ=0  \mathbf{Z_{Z} = 0 \,\,}[Ω]이다)
    문제 이미지
    최대 부하전류(IL){{( I_{L} )}}[mA] 최대 부하저항(RL){{( R_{L} )}}[Ω]
    1
    50 67
    2
    50 200
    3
    100 150
    4
    149 67
    5
    149 200
    해설

    최대 부하전류는 149 mA149\,\mathrm{mA}, 최대 부하저항은 200 Ω200\,\Omega이다.

    제너가 조정 중이면 부하 전압이 10 V10\,\mathrm{V}이므로 직렬저항 전류는 일정하다.
    IR=25−10100=150 mAI_{R}=\dfrac{25-10}{100}=150\,\mathrm{mA}

    부하전류가 최대일 때 제너전류는 IZKI_{ZK}까지 줄어든다.
    IL,max⁡=150−1=149 mAI_{L,\max}=150-1=149\,\mathrm{mA}

    부하저항이 최대이면 부하전류가 최소이고 제너전류는 IZMI_{ZM}까지 늘어난다.
    IL,min⁡=150−100=50 mAI_{L,\min}=150-100=50\,\mathrm{mA}
    RL,max⁡=10 V50 mA=200 ΩR_{L,\max}=\dfrac{10\,\mathrm{V}}{50\,\mathrm{mA}}=200\,\Omega

    • 50과 67: 50 mA50\,\mathrm{mA}는 최소 부하전류, 67 Ω67\,\Omega은 최소 부하저항이다.
    • 50과 200: 부하저항은 맞지만 부하전류가 최소값이다.
    • 100과 150: IZMI_{ZM}을 부하전류로 잘못 쓴 값이다.
    • 149와 67: 부하전류는 맞지만 저항이 최소값이다.

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    14[국회직 9급 전자공학개론] 21년 1회차
    다음 그림과 같은 JFET를 이용한 증폭기의 전압이득(AV){\mathbf{( A_{V} )}} 및 교류출력저항 [kΩ]을 계산한 것으로 옳은 값은? (단, 순방향 전달 컨덕턴스 gm=4000{\mathbf{g_{m} = 4000}} [μS]이고, C₁및 C₂는 동작주파수대역에서 교류적으로 단락(short)이다)
    문제 이미지
    전압이득(AV){{( A_{V} )}} 교류출력저항[kΩ]
    1
    20 5
    2
    20 10
    3
    30 10
    4
    40 5
    5
    40 10
    해설
    등록된 해설이 없습니다.

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    15[국회직 9급 전자공학개론] 21년 1회차
    다음의 그림 (a), (b) 회로가 서로 등가회로일 때, 등가저항(REQ)\mathbf{( R_{EQ} )} [Ω]과 등가전압(VEQ)\mathbf{( V_{EQ} )} [V]의 값은?
    문제 이미지
    등가저항(REQ){( R_{EQ} )}[Ω] 등가전압(VEQ){( V_{EQ} )}[V]
    1
    125 2.5
    2
    125 5.0
    3
    250 2.5
    4
    250 5.0
    5
    500 4.0
    해설

    등가저항은 125 Ω125\,\Omega, 등가전압은 5 V5\,\mathrm{V}이다.

    테브난 저항은 전압원을 단락, 전류원을 개방하고 부하 쪽에서 본 값이다.
    REQ=(100+150)∥250=125 ΩR_{EQ}=(100+150)\parallel 250=125\,\Omega

    개방전압은 전류원이 연결된 노드의 전압 VaV_{a}를 구해 전압분배한다.
    Va−5100+Va400=0.05\dfrac{V_{a}-5}{100}+\dfrac{V_{a}}{400}=0.05
    Va=8 VV_{a}=8\,\mathrm{V}
    VEQ=8×250150+250=5 VV_{EQ}=8\times\dfrac{250}{150+250}=5\,\mathrm{V}

    • 125와 2.5: 전류원의 기여를 빼고 전압원만으로 구한 전압이다.
    • 250과 2.5: 저항도 병렬 계산을 빠뜨렸고 전압도 전압원의 기여뿐이다.
    • 250과 5.0: 전압은 맞지만 부하 쪽의 250 Ω250\,\Omega을 병렬로 넣지 않았다.
    • 500과 4.0: 저항을 모두 직렬로 더한 값으로 회로 연결과 맞지 않는다.

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    16[국회직 9급 전자공학개론] 21년 1회차
    다음은 증가형 MOSFET을 이용한 증폭기 회로와 MOSFET의 소신호 등가모델이다. 이 증폭기의 전압이득(Vo / Vi{\mathbf{V_{o} \, / \, V_{i}}})의 값은? 
    (단, gm=0.5{\mathrm{\mathbf{g_{m}}} \mathbf{=} 0.5} [mA/V]이다)
    문제 이미지
    1
    -20
    2
    -5
    3
    -4
    4
    4
    5
    20
    해설

    전압이득은 −4-4이다.

    C3C_{3}가 소스를 교류 접지하므로 공통소스 증폭기이고 vgs=viv_{gs}=v_{i}이다. C2C_{2}도 단락이므로 드레인의 교류 부하는 두 저항의 병렬이다.
    40 kΩ∥10 kΩ=8 kΩ40\,\mathrm{k\Omega}\parallel 10\,\mathrm{k\Omega}=8\,\mathrm{k\Omega}

    전류 gmvgsg_{m}v_{gs}가 드레인에서 소스로 흐르므로 출력은 반전된다.
    vovi=−gm×8 kΩ=−0.5×8=−4\dfrac{v_{o}}{v_{i}}=-g_{m}\times 8\,\mathrm{k\Omega}=-0.5\times 8=-4

    • -20: 40 kΩ40\,\mathrm{k\Omega}만 쓰고 10 kΩ10\,\mathrm{k\Omega} 부하를 무시한 값이다.
    • -5: 10 kΩ10\,\mathrm{k\Omega}만 쓰고 드레인 저항을 무시한 값이다.
    • 4: 공통소스의 위상 반전을 빠뜨린 값이다.
    • 20: 부하를 무시하고 부호도 빠뜨린 값이다.

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    17[국회직 9급 전자공학개론] 21년 1회차
    다음은 논리회로의 연산 결과를 아래 카르노 맵으로 나타낸 것이다. x, y, z에 들어갈 값으로 옳은 것은?
    문제 이미지
    문제 이미지
    (x, y, z)
    1
    (1, 0, 1)
    2
    (1, 1, 0)
    3
    (1, 1, 1)
    4
    (0, 1, 1)
    5
    (1, 0, 0)
    해설

    (x, y, z) = (1, 0, 1)이다.

    게이트를 앞에서부터 따라가면 입력을 묶은 NAND는 NOT으로 동작하고, 가운데 두 NAND의 출력을 다시 NAND 하면 OR 형태가 된다.
    A‾B‾⋅BC‾‾=A‾B+BC\overline{\overline{\overline{A}B}\cdot\overline{BC}}=\overline{A}B+BC

    마지막 NAND는 입력이 묶여 있어 NOT이므로 출력식은 다음과 같다.
    Y=A‾B+BC‾Y=\overline{\overline{A}B+BC}

    x는 ABC=110ABC=110에서 두 항이 모두 0이므로 Y=1Y=1이다.
    y는 ABC=111ABC=111에서 BC=1BC=1이므로 Y=0Y=0이다.
    z는 ABC=101ABC=101에서 B=0B=0이므로 Y=1Y=1이다.

    • (1, 1, 0): y와 z가 모두 반대이다.
    • (1, 1, 1): ABC=111ABC=111이면 Y=0Y=0이므로 y가 틀렸다.
    • (0, 1, 1): x와 y가 모두 반대이다.
    • (1, 0, 0): B=0B=0이면 항상 Y=1Y=1이므로 z가 틀렸다.

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    18[국회직 9급 전자공학개론] 21년 1회차
    다음 그림과 같은 정류회로가 있다. L값, C값은 충분히 큰 값이며 부하저항 R = 15 [Ω]이다. vs=100sin⁡377t{\mathbf{v_{s} = 100 \sin 377 t}} [V]이고, 회로가 정상상태로 동작하고 있을 시 (즉, Vc가 일정 전압을 유지하고 있을 시) 부하의 소비 전력으로 옳은 값은? (단, 소수점 이하는 생략한다)
    문제 이미지
    1
    120 W
    2
    150 W
    3
    200 W
    4
    270 W
    5
    375 W
    해설

    부하의 소비 전력은 약 270 W270\,\mathrm{W}이다.

    브리지 전파정류 뒤에 큰 L이 있으면 인덕터 입력형 필터이므로, 인덕터의 평균 전압이 0이 되어 출력은 정류파형의 피크가 아니라 평균값이 된다.
    VC=2Vmπ=2×100π≈63.66 VV_{C}=\dfrac{2V_{m}}{\pi}=\dfrac{2\times 100}{\pi}\approx 63.66\,\mathrm{V}

    부하 전력은 일정한 전압으로 계산한다.
    P=VC2R=63.66215≈270 WP=\dfrac{V_{C}^{2}}{R}=\dfrac{63.66^{2}}{15}\approx 270\,\mathrm{W}

    • 120 W: 부하전압이 약 42 V42\,\mathrm{V}여야 하는 값으로, 전파정류 평균에 못 미친다.
    • 150 W: 부하전압이 약 47 V47\,\mathrm{V}여야 하므로 맞지 않는다.
    • 200 W: 부하전압이 약 55 V55\,\mathrm{V}여야 하므로 맞지 않는다.
    • 375 W: 부하전압이 75 V75\,\mathrm{V}여야 하는데, 이는 평균값 63.66 V63.66\,\mathrm{V}보다 크다.

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    19[국회직 9급 전자공학개론] 21년 1회차
    다음의 논리식을 간소화한 것으로 옳은 것은?
    F  =A′B ′C+ABC+A′BC+AB ′CF \,\, = A ' B \, ' C + ABC + A ' BC + AB \, ' C
    1
    F  =AF \,\, = A
    2
    F  =BF \,\, = B
    3
    F  =CF \,\, = C
    4
    F  =A′F \,\, = A '
    5
    F  =B ′F \,\, = B \, '
    해설

    네 항 모두 CC를 공통으로 가지고 나머지가 AA, BB의 모든 조합이므로 F=CF=C로 간소화된다.

    CC로 묶기: F=C(A′B′+AB+A′B+AB′)F=C(A'B'+AB+A'B+AB')이다.
    괄호 안을 정리하면 A′(B′+B)+A(B+B′)=A′+A=1A'(B'+B)+A(B+B')=A'+A=1이다.
    따라서 F=C⋅1=CF=C\cdot 1=C이다.

    • F=AF=A: A=1A=1, C=0C=0이면 실제 F=0F=0이지만 이 식은 1이다.
    • F=BF=B: B=1B=1, C=0C=0이면 실제 F=0F=0이지만 이 식은 1이다.
    • F=A′F=A': A=0A=0, C=0C=0이면 실제 F=0F=0이지만 이 식은 1이다.
    • F=B′F=B': B=0B=0, C=0C=0이면 실제 F=0F=0이지만 이 식은 1이다.

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    20[국회직 9급 전자공학개론] 21년 1회차
    다음 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT: bipolar junction transistor)의 특성을 설명한 것으로 옳지 않은 것은?
    1
    선형영역에서 동작시키기 위해서는 베이스-이미터 접합은 순방향 바이어스를 걸고 베이스-컬렉터 접합은 역방향 바이어스를 건다.
    2
    선형영역에서 베이스 전류를 특정한 값으로 고정하면 컬렉터-이미터 전압을 증가시켜도 컬렉터 전류는 일정하다.
    3
    일반적으로 이미터 영역은 높게, 컬렉터 영역은 중간정도로 도핑되어 있는 것에 비해 베이스 영역은 엷게 도핑되어 있다.
    4
    포화영역에서는 베이스-컬렉터 접합이 역방향 바이어스 되기 때문에 컬렉터-이미터 전압은 0.7[V]보다 크다.
    5
    베이스 전류가 0[A]인 경우에 트랜지스터는 차단되고 컬렉터-이미터 전압은 컬렉터 인가전압과 같게 된다.
    해설

    옳지 않은 설명은 포화영역에서 베이스-컬렉터 접합이 역방향 바이어스되어 컬렉터-이미터 전압이 0.7 V보다 크다는 내용이다.

    포화영역에서는 베이스-이미터 접합과 베이스-컬렉터 접합이 모두 순방향 바이어스된다. 그래서 컬렉터-이미터 전압은 베이스-이미터 전압보다 작아져 0.7 V보다 낮은 값이 된다.

    • 선형영역 바이어스 조건: 베이스-이미터 접합 순방향, 베이스-컬렉터 접합 역방향이 맞다.
    • 베이스 전류를 고정한 선형영역의 컬렉터 전류: 컬렉터 전류가 베이스 전류로 결정되므로 컬렉터-이미터 전압이 증가해도 일정하다(이상적 특성 기준).
    • 영역별 도핑: 이미터가 가장 높고 컬렉터가 중간이며 베이스가 가장 낮다는 설명이 맞다.
    • 베이스 전류가 0인 경우: 트랜지스터가 차단되어 컬렉터 전류가 흐르지 않으므로 컬렉터 저항의 전압강하가 없고, 컬렉터-이미터 전압은 컬렉터 인가전압과 같아진다.

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