다음 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT: bipolar junction … | [국회직 9급 전자공학개론] 21년 1회차 기출문제 상세 페이지
1[국회직 9급 전자공학개론] 21년 1회차
다음 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT: bipolar junction transistor)의 특성을 설명한 것으로 옳지 않은 것은?
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선형영역에서 동작시키기 위해서는 베이스-이미터 접합은 순방향 바이어스를 걸고 베이스-컬렉터 접합은 역방향 바이어스를 건다.
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선형영역에서 베이스 전류를 특정한 값으로 고정하면 컬렉터-이미터 전압을 증가시켜도 컬렉터 전류는 일정하다.
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일반적으로 이미터 영역은 높게, 컬렉터 영역은 중간정도로 도핑되어 있는 것에 비해 베이스 영역은 엷게 도핑되어 있다.
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포화영역에서는 베이스-컬렉터 접합이 역방향 바이어스 되기 때문에 컬렉터-이미터 전압은 0.7[V]보다 크다.
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베이스 전류가 0[A]인 경우에 트랜지스터는 차단되고 컬렉터-이미터 전압은 컬렉터 인가전압과 같게 된다.
해설
옳지 않은 설명은 포화영역에서 베이스-컬렉터 접합이 역방향 바이어스되어 컬렉터-이미터 전압이 0.7 V보다 크다는 내용이다.
포화영역에서는 베이스-이미터 접합과 베이스-컬렉터 접합이 모두 순방향 바이어스된다. 그래서 컬렉터-이미터 전압은 베이스-이미터 전압보다 작아져 0.7 V보다 낮은 값이 된다.
- 선형영역 바이어스 조건: 베이스-이미터 접합 순방향, 베이스-컬렉터 접합 역방향이 맞다.
- 베이스 전류를 고정한 선형영역의 컬렉터 전류: 컬렉터 전류가 베이스 전류로 결정되므로 컬렉터-이미터 전압이 증가해도 일정하다(이상적 특성 기준).
- 영역별 도핑: 이미터가 가장 높고 컬렉터가 중간이며 베이스가 가장 낮다는 설명이 맞다.
- 베이스 전류가 0인 경우: 트랜지스터가 차단되어 컬렉터 전류가 흐르지 않으므로 컬렉터 저항의 전압강하가 없고, 컬렉터-이미터 전압은 컬렉터 인가전압과 같아진다.
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