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다음은 증가형 MOSFET을 이용한 증폭기 회로와 MOSFET의 소신호… | [국회직 9급 전자공학개론] 21년 1회차 기출문제 상세 페이지

1[국회직 9급 전자공학개론] 21년 1회차
다음은 증가형 MOSFET을 이용한 증폭기 회로와 MOSFET의 소신호 등가모델이다. 이 증폭기의 전압이득(Vo / Vi{\mathbf{V_{o} \, / \, V_{i}}})의 값은? 
(단, gm=0.5{\mathrm{\mathbf{g_{m}}} \mathbf{=} 0.5} [mA/V]이다)
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해설

전압이득은 −4-4이다.

C3C_{3}가 소스를 교류 접지하므로 공통소스 증폭기이고 vgs=viv_{gs}=v_{i}이다. C2C_{2}도 단락이므로 드레인의 교류 부하는 두 저항의 병렬이다.
40 kΩ∥10 kΩ=8 kΩ40\,\mathrm{k\Omega}\parallel 10\,\mathrm{k\Omega}=8\,\mathrm{k\Omega}

전류 gmvgsg_{m}v_{gs}가 드레인에서 소스로 흐르므로 출력은 반전된다.
vovi=−gm×8 kΩ=−0.5×8=−4\dfrac{v_{o}}{v_{i}}=-g_{m}\times 8\,\mathrm{k\Omega}=-0.5\times 8=-4

  • -20: 40 kΩ40\,\mathrm{k\Omega}만 쓰고 10 kΩ10\,\mathrm{k\Omega} 부하를 무시한 값이다.
  • -5: 10 kΩ10\,\mathrm{k\Omega}만 쓰고 드레인 저항을 무시한 값이다.
  • 4: 공통소스의 위상 반전을 빠뜨린 값이다.
  • 20: 부하를 무시하고 부호도 빠뜨린 값이다.

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