[7급 국가직 전자회로] 25년 1회차 기출문제 정답·해설 페이지

[7급 국가직 전자회로] 25년 1회차
    1[7급 국가직 전자회로] 25년 1회차
    다음 회로에서 가변저항이 0 [Ω]에서 3R [Ω]까지 변화할 때,
    전압이득(AV=VoutVin)\left(A_V=\dfrac{V_{out}}{V_{in}}\right)의 범위는? (단, 연산증폭기는 이상적이다)

    문제 이미지
    1
    −2≤AV≤14-2\le A_V\le\dfrac{1}{4}
    2
    −2≤AV≤12-2\le A_V\le\dfrac{1}{2}
    3
    −12≤AV≤2-\dfrac{1}{2}\le A_V\le 2
    4
    −14≤AV≤2-\dfrac{1}{4}\le A_V\le 2
    해설

    전압이득의 범위는 −2≤AV≤14-2\le A_V\le\dfrac{1}{4}이다.

    입력이 반전·비반전 단자에 동시에 걸리므로 중첩한다. 반전 경로 이득은 −2RR=−2-\dfrac{2R}{R}=-2, 비반전 단자 전압은 V+=VinRvR+RvV_+=V_{in}\dfrac{R_v}{R+R_v}, 비반전 이득은 1+2RR=31+\dfrac{2R}{R}=3이다.
    AV=3RvR+Rv−2A_V=\dfrac{3R_v}{R+R_v}-2

    Rv=0R_v=0이면 AV=−2A_V=-2, Rv=3RR_v=3R이면 AV=94−2=14A_V=\dfrac{9}{4}-2=\dfrac{1}{4}이다. 가변저항이 커질수록 이득이 단조 증가하므로 두 끝값이 범위를 정한다.

    • −2≤AV≤12-2\le A_V\le\dfrac{1}{2}: 하한은 맞지만 상한이 Rv=3RR_v=3R에서의 값 14\dfrac{1}{4}과 다르다.
    • −12≤AV≤2-\dfrac{1}{2}\le A_V\le 2: 하한 -2가 범위에 들어가지 않고 상한 2는 도달할 수 없는 값이다.
    • −14≤AV≤2-\dfrac{1}{4}\le A_V\le 2: 두 끝값의 부호와 위치를 모두 뒤집은 값이다.

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    2[7급 국가직 전자회로] 25년 1회차
    다음 회로에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? (단, 연산증폭기는
    이상적이다)

    문제 이미지
    1
    1차 저역통과필터이다.
    2
    차단주파수 fc=12πR1Cf_c=\dfrac{1}{2\pi R_1C}이다.
    3
    수동필터이다.
    4
    전달함수 Vout(s)Vin(s)=1+R2/R3sCR1+1\dfrac{V_{out}(s)}{V_{in}(s)}=\dfrac{1+R_2/R_3}{sCR_1+1}이다.
    해설

    옳지 않은 것은 수동필터라는 설명이다.

    입력 RC 저역통과단 뒤에 연산증폭기 비반전 증폭단이 있어 이득을 주므로 능동필터이다.

    • 1차 저역통과필터: 커패시터가 하나인 RC 저역통과단이므로 옳다.
    • 차단주파수 12πR1C\dfrac{1}{2\pi R_1C}: RC 단의 극점 그대로이며 증폭단은 영향을 주지 않으므로 옳다.
    • 전달함수 1+R2/R3sCR1+1\dfrac{1+R_2/R_3}{sCR_1+1}: RC 분압 1sCR1+1\dfrac{1}{sCR_1+1}에 비반전 이득 1+R2R31+\dfrac{R_2}{R_3}를 곱한 것이므로 옳다.

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    3[7급 국가직 전자회로] 25년 1회차
    다음 진리표를 간소하게 표현한 논리식은?
    CD\AB00011110
    000000
    011101
    111101
    100000
    1
    A‾+D\overline{A}+D
    2
    A‾ B‾D+A‾BD‾+AB‾D\overline{A}\,\overline{B}D+\overline{A}B\overline{D}+A\overline{B}D
    3
    A‾B+B‾D+ABD\overline{A}B+\overline{B}D+ABD
    4
    A‾D+B‾D\overline{A}D+\overline{B}D
    해설

    카르노 맵을 묶으면 A‾D+B‾D\overline{A}D+\overline{B}D가 된다.

    1은 D=1인 두 행(CD=01, 11)에만 있고, 그중 AB=11 열만 0이다. 즉 F=D⋅AB‾=D(A‾+B‾)F=D\cdot\overline{AB}=D(\overline{A}+\overline{B})이므로 전개하면 A‾D+B‾D\overline{A}D+\overline{B}D이다.

    • A‾+D\overline{A}+D: A=0, D=0인 칸도 1로 만들지만 맵에서는 D=0인 행이 모두 0이다.
    • A‾ B‾D+A‾BD‾+AB‾D\overline{A}\,\overline{B}D+\overline{A}B\overline{D}+A\overline{B}D: A‾BD‾\overline{A}B\overline{D}항이 D=0인 칸을 1로 만들고, AB=01·D=1 칸은 빠진다.
    • A‾B+B‾D+ABD\overline{A}B+\overline{B}D+ABD: ABDABD항이 0이어야 할 AB=11 열을 1로 만들고, A‾B\overline{A}B항도 D=0 칸을 포함한다.

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    4[7급 국가직 전자회로] 25년 1회차
    다음 NAND 게이트로 구성된 논리회로와 같은 출력값(Y)을 갖는
    논리 게이트는?

    문제 이미지
    1
    AND
    2
    NOR
    3
    XOR
    4
    XNOR
    해설

    이 회로는 XOR 게이트와 같다.

    첫 NAND 출력을 N=AB‾N=\overline{AB}라 하면 뒤의 두 NAND 출력은 AN‾\overline{AN}, BN‾\overline{BN}이고 최종 출력은
    Y=AN‾⋅BN‾‾=AN+BN=(A+B)AB‾Y=\overline{\overline{AN}\cdot\overline{BN}}=AN+BN=(A+B)\overline{AB}

    따라서 Y=ABˉ+AˉBY=A\bar{B}+\bar{A}B로, 4개의 NAND 로 만드는 대표적인 XOR 구성이다.

    • AND: 두 입력이 모두 1일 때 1인데, 이 회로는 그때 0을 낸다.
    • NOR: 두 입력이 모두 0일 때 1인데, 이 회로는 그때 0을 낸다.
    • XNOR: 입력이 같을 때 1로, 이 회로 출력의 반전이다.

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    5[7급 국가직 전자회로] 25년 1회차
    그림과 같은 신호 A, B, C를 어떤 게이트에 입력할 때, 출력 Y의
    파형을 갖는 3-입력 논리 게이트는?

    문제 이미지
    1
    OR
    2
    AND
    3
    NOR
    4
    NAND
    해설

    이 파형을 내는 게이트는 NAND이다.

    출력 Y 가 0이 되는 세 구간을 보면 모두 A, B, C 가 동시에 1인 구간이고, 나머지 구간에서는 Y 가 1이다.

    세 입력이 모두 1일 때만 0을 내는 것은 3입력 NAND 의 진리표이다.

    • OR: 입력 중 하나라도 1이면 1이므로 모든 입력이 0인 구간에서만 0이 된다.
    • AND: 세 입력이 모두 1일 때만 1이므로 이 파형의 반전이다.
    • NOR: 입력이 모두 0일 때만 1이므로 대부분 구간이 0이 된다.

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    6[7급 국가직 전자회로] 25년 1회차
    다음 선형곱셈기와 연산증폭기로 이루어진 변조 회로에 3개의 전압
    (Vin1V_{in1}, Vin2V_{in2}, Vin3V_{in3})을 입력할 때, 이에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
    (단, 연산증폭기는 이상적이다)

    문제 이미지
    1
    A 지점에는 총 2개의 주파수 성분이 존재한다.
    2
    A 지점에는 10 [kHz]의 주파수 성분이 존재한다.
    3
    VoutV_{out}에는 총 3개의 주파수 성분이 존재한다.
    4
    VoutV_{out}에는 4.99 [MHz]의 주파수 성분이 존재한다.
    해설

    옳지 않은 것은 출력에 주파수 성분이 3개라는 설명이다.

    A 지점은 반전 가산기 출력으로 10 kHz10\,\mathrm{kHz}와 20 kHz20\,\mathrm{kHz} 두 성분이 있다. 곱셈기는 각 성분을 5 MHz5\,\mathrm{MHz}와 곱해 합·차 주파수를 만든다.

    출력에는 4.99, 5.01, 4.98, 5.02 MHz4.99,\ 5.01,\ 4.98,\ 5.02\,\mathrm{MHz}의 4개 성분이 있다(반송파 자체는 억압).

    • A 지점 성분 2개: 가산기는 선형이라 새 주파수를 만들지 않으므로 옳다.
    • A 지점 10 kHz 성분: 첫 입력이 그대로 더해지므로 옳다.
    • 출력 4.99 MHz 성분: 5 MHz−10 kHz5\,\mathrm{MHz}-10\,\mathrm{kHz}의 차 주파수이므로 옳다.

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    7[7급 국가직 전자회로] 25년 1회차
    다음 회로는 MOSFET를 이용한 공통 소스(common-source)
    증폭기이다. 증폭기의 직류 드레인 전류(IDI_D) [mA]와 전압이득
    (AV=VoutVin)\left(A_V=\dfrac{V_{out}}{V_{in}}\right)을 바르게 연결한 것은? (단, VGS=4V_{GS}=4 [V]일 때
    ID(on)=10I_{D(on)}=10 [mA]이고, 문턱전압 VTH=2V_{TH}=2 [V]이다. 또한, 트랜지스터의
    채널 길이 변조와 바디 효과는 무시한다)

    IDI_D  AVA_V
    문제 이미지
    1
    2.5  -5
    2
    2.5  -2.5
    3
    5  -5
    4
    5  -2.5
    해설

    드레인 전류는 2.5 mA, 전압이득은 -5이다.

    게이트 전압은 분압으로 VG=15×14+1=3 VV_G=15\times\dfrac{1}{4+1}=3\,\mathrm{V}이고 소스가 접지이므로 VGS=3 VV_{GS}=3\,\mathrm{V}이다.
    K=10(4−2)2=2.5 mA/V2K=\dfrac{10}{(4-2)^2}=2.5\,\mathrm{mA/V^2}, ID=2.5(3−2)2=2.5 mAI_D=2.5(3-2)^2=2.5\,\mathrm{mA}

    gm=2K(VGS−VTH)=5 mSg_m=2K(V_{GS}-V_{TH})=5\,\mathrm{mS}, 교류 부하는 1.1∥11=1 kΩ1.1\parallel 11=1\,\mathrm{k\Omega}이다.
    AV=−gm(RD∥RL)=−5A_V=-g_m(R_D\parallel R_L)=-5

    • 2.5 mA와 -2.5: 이득 계산에서 gmg_m을 절반으로 잡은 값이다.
    • 5 mA와 -5: 이득은 맞지만 드레인 전류가 포화식 결과 2.5 mA 의 두 배이다.
    • 5 mA와 -2.5: 전류와 이득을 모두 잘못 계산한 조합이다.

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    8[7급 국가직 전자회로] 25년 1회차
    다음 회로에 대한 설명으로 옳은 것은? (단, 트랜지스터의 전류이득(β\beta)은
    충분히 크다)

    문제 이미지
    1
    공통 베이스(common-base) 증폭기이다.
    2
    전압이득은 1보다 약간 작거나 대략 같다.
    3
    입력전압과 출력전압의 위상차는 90 °이다.
    4
    낮은 저항값을 갖는 부하를 구동하기에 적당하지 않다.
    해설

    옳은 것은 전압이득이 1보다 약간 작거나 대략 같다는 설명이다.

    입력이 베이스, 출력이 이미터, 컬렉터가 교류 접지인 공통 컬렉터(이미터 폴로어) 증폭기이다. 이미터 전압이 베이스 전압을 VBEV_{BE}만큼 낮게 따라가므로 이득은 거의 1이다.

    • 공통 베이스 증폭기: 베이스가 입력 단자이고 이미터가 출력이므로 공통 컬렉터 구성이다.
    • 위상차 90°: 이미터 폴로어는 입출력이 동상(0°)이다.
    • 낮은 저항 부하 구동에 부적당: 출력저항이 낮아 오히려 저저항 부하 구동용 버퍼로 쓰인다.

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    9[7급 국가직 전자회로] 25년 1회차
    다음 회로의 전압이득(AV=VoutVin)\left(A_V=\dfrac{V_{out}}{V_{in}}\right)은? (단, 연산증폭기는 전압이득
    (AV,op=5A_{V,op}=5)을 제외하고는 이상적이다)

    문제 이미지
    1
    1513\dfrac{15}{13}
    2
    43\dfrac{4}{3}
    3
    158\dfrac{15}{8}
    4
    154\dfrac{15}{4}
    해설

    전압이득은 1513\dfrac{15}{13}이다.

    비반전 구성에서 궤환율은 β=44+2=23\beta=\dfrac{4}{4+2}=\dfrac{2}{3}이다. 개방루프 이득이 유한하므로 폐루프 이득은 A1+Aβ\dfrac{A}{1+A\beta}를 쓴다.

    AV=51+5×23=5133=1513A_V=\dfrac{5}{1+5\times\dfrac{2}{3}}=\dfrac{5}{\dfrac{13}{3}}=\dfrac{15}{13}

    • 43\dfrac{4}{3}: 위 식의 결과 1513≈1.15\dfrac{15}{13}\approx 1.15와 다르다.
    • 158\dfrac{15}{8}: 궤환율을 26\dfrac{2}{6}로 뒤바꿔 넣은 값이다.
    • 154\dfrac{15}{4}: 개방루프 이득이 무한대일 때의 이상적 이득 32\dfrac{3}{2}보다 커서 유한 이득에서는 나올 수 없다.

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    10[7급 국가직 전자회로] 25년 1회차
    다음 차동증폭기에서 전압이득(AV=VoutVin)\left(A_V=\dfrac{V_{out}}{V_{in}}\right)은? (단, MOSFET M1M_1과
    M2M_2는 같으며 모두 포화영역에서 동작한다. 또한, gmg_m은 전달컨덕턴스,
    ror_o는 소신호 출력저항이고, 바디 효과와 내부 기생 커패시턴스 성분은
    무시한다)

    문제 이미지
    1
    gmRDroRD+ro\dfrac{g_mR_Dr_o}{R_D+r_o}
    2
    gmRDro2(RD+ro)\dfrac{g_mR_Dr_o}{2(R_D+r_o)}
    3
    gm(RD+ro)2RDro\dfrac{g_m(R_D+r_o)}{2R_Dr_o}
    4
    gm(RD+ro)RDro\dfrac{g_m(R_D+r_o)}{R_Dr_o}
    해설

    전압이득은 gmRDro2(RD+ro)\dfrac{g_mR_Dr_o}{2(R_D+r_o)}이다.

    한쪽 입력만 신호를 받고 다른 쪽 게이트는 접지이므로 차동 입력 VinV_{in}의 절반씩이 두 트랜지스터에 나뉘어 걸린다.

    출력을 M2M_2 드레인 한쪽에서 취하는 단일 출력이므로 이득은 차동 출력 이득의 절반이다.
    AV=12gm(RD∥ro)=gmRDro2(RD+ro)A_V=\dfrac{1}{2}g_m(R_D\parallel r_o)=\dfrac{g_mR_Dr_o}{2(R_D+r_o)}

    • gmRDroRD+ro\dfrac{g_mR_Dr_o}{R_D+r_o}: 양쪽 드레인 사이 차동 출력의 이득이다.
    • gm(RD+ro)2RDro\dfrac{g_m(R_D+r_o)}{2R_Dr_o}: 병렬저항을 역수로 뒤집은 식이다.
    • gm(RD+ro)RDro\dfrac{g_m(R_D+r_o)}{R_Dr_o}: 역수 착오에 단일 출력 계수까지 빠진 식이다.

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    11[7급 국가직 전자회로] 25년 1회차
    다음 회로에 정현파 전압(VinV_{in})을 입력할 때, 출력전압(VoutV_{out})의
    파형으로 옳은 것은? (단, 연산증폭기는 이상적이며, 제너 다이오드의
    제너전압 VZ=5V_Z=5 [V], 순방향 전압 VF=0.7V_F=0.7 [V]이다)

    문제 이미지
    1
    [그림]
    2
    [그림]
    3
    [그림]
    4
    [그림]
    해설

    출력은 입력의 양의 반주기에 -5 V, 음의 반주기에 +0.7 V인 구형파이다.

    반전단자는 가상접지이고 제너는 캐소드가 반전단자, 애노드가 출력 쪽에 있다. 입력이 양이면 출력이 음으로 가려 하므로 제너가 역방향 항복해 출력이 −VZ=−5 V-V_Z=-5\,\mathrm{V}로 고정된다.

    입력이 음이면 출력이 양으로 가려 하므로 제너가 순방향 도통해 출력이 +VF=+0.7 V+V_F=+0.7\,\mathrm{V}로 고정된다. 반전 증폭이므로 극성이 입력과 반대이다.

    • 양의 반주기에 +5 V, 음의 반주기에 -0.7 V 인 파형: 제너 방향을 반대로 본 경우이다.
    • 양의 반주기에 -0.7 V, 음의 반주기에 +5 V 인 파형: 항복과 순방향 구간을 뒤바꾼 경우이다.
    • 양의 반주기에 +0.7 V, 음의 반주기에 -5 V 인 파형: 반전 증폭의 극성 반전을 놓친 경우이다.

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    12[7급 국가직 전자회로] 25년 1회차
    다음 회로에 정현파 전압(VinV_{in})을 입력할 때, 정상상태에서 출력전압
    (VoutV_{out})의 파형으로 옳은 것은? (단, 다이오드는 이상적이며, 순방향
    전압은 무시한다)

    문제 이미지
    1
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    2
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    4
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    해설

    출력은 평소 0이고 입력이 −VB-V_B보다 낮을 때만 음의 펄스가 나타나는 파형이다.

    다이오드는 애노드가 출력(R) 쪽, 캐소드가 전지 쪽이다. 다이오드 캐소드 전위는 Vin+VBV_{in}+V_B이고 애노드는 R 을 통해 접지 전위이므로 Vin+VB<0V_{in}+V_B<0일 때만 도통한다.

    도통 시 Vout=Vin+VBV_{out}=V_{in}+V_B로 최저값은 −(vP−VB)-(v_P-V_B)이고, 차단 시 R 에 전류가 없어 Vout=0V_{out}=0이다.

    • 0 위에 작은 양의 반파가 있는 파형: 다이오드가 양의 구간에 도통하는 방향으로 본 경우이다.
    • VBV_B 위로 양의 반파가 실린 파형: 출력에 직류 VBV_B가 더해지는 클램퍼로 본 경우이다.
    • VBV_B를 넘는 부분까지 양의 반파가 나오는 파형: 다이오드 방향과 전지 극성을 모두 반대로 본 경우이다.

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    13[7급 국가직 전자회로] 25년 1회차
    다음은 3개의 인버터로 이루어진 링 발진기(ring oscillator)의 회로도를
    나타내고 있다. 인버터 하나당 지연시간이 1 [ns]일 경우, 발진기의
    발진주파수로 가장 가까운 값[MHz]은?

    문제 이미지
    1
    167
    2
    333
    3
    500
    4
    1000
    해설

    발진주파수는 약 167 MHz이다.

    N 단 링 발진기의 주기는 신호가 고리를 두 번 돌아야 원래 상태로 돌아오므로 T=2NtdT=2Nt_d이다.
    T=2×3×1 ns=6 nsT=2\times 3\times 1\,\mathrm{ns}=6\,\mathrm{ns}

    f=16 ns≈167 MHzf=\dfrac{1}{6\,\mathrm{ns}}\approx 167\,\mathrm{MHz}

    • 333 MHz: 주기를 Ntd=3 nsNt_d=3\,\mathrm{ns}로 계수 2를 빠뜨린 값이다.
    • 500 MHz: 인버터 2개분 지연을 주기로 본 값이다.
    • 1000 MHz: 인버터 하나의 지연을 주기로 본 값이다.

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    14[7급 국가직 전자회로] 25년 1회차
    다음 반전증폭기의 출력전압(VoutV_{out})이 -10 [V]가 되기 위한 R3R_3 저항값
    [kΩ]은? (단, 연산증폭기는 이상적이며, IS=1I_S=1 [mA], R1=R2=R_1=R_2=
    10 [kΩ]이다)

    문제 이미지
    1
    1
    2
    10
    3
    20
    4
    30
    해설

    R3R_3는 20 kΩ20\,\mathrm{k\Omega}이다.

    전류원과 병렬 R1R_1을 테브난 등가로 바꾸면 Vth=ISR1=10 VV_{th}=I_SR_1=10\,\mathrm{V}, 직렬저항 R1R_1이다. 반전단자까지의 입력저항은 R1+R2=20 kΩR_1+R_2=20\,\mathrm{k\Omega}이다.

    Vout=−R320 kΩ×10=−10 VV_{out}=-\dfrac{R_3}{20\,\mathrm{k\Omega}}\times 10=-10\,\mathrm{V}이므로 R3=20 kΩR_3=20\,\mathrm{k\Omega}이다.

    • 1 kΩ1\,\mathrm{k\Omega}: 이득이 0.05에 그쳐 출력이 -0.5 V 가 된다.
    • 10 kΩ10\,\mathrm{k\Omega}: 입력저항을 R2R_2만으로 본 값으로 실제 출력은 -5 V 이다.
    • 30 kΩ30\,\mathrm{k\Omega}: 출력이 -15 V 가 된다.

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    15[7급 국가직 전자회로] 25년 1회차
    다음 회로에서 출력전압(VoutV_{out})[V]과 바이폴라 트랜지스터(BJT)의
    이미터 전류(IEI_E)[mA]를 바르게 연결한 것은? (단, Vin=15V_{in}=15 [V],
    RS=100R_S=100 [Ω], RL=500R_L=500 [Ω], BJT는 ON 상태이며 VBE=0.7V_{BE}=0.7 [V]
    이고, 제너 다이오드의 제너전압 VZ=9.3V_Z=9.3 [V]이다)

    VoutV_{out}  IEI_E
    문제 이미지
    1
    9.3  15
    2
    9.3  30
    3
    10  15
    4
    10  30
    해설

    출력전압은 10 V, 이미터 전류는 30 mA이다.

    제너가 출력 단자와 베이스 사이에 있고 이미터가 접지이므로 Vout=VZ+VBE=9.3+0.7=10 VV_{out}=V_Z+V_{BE}=9.3+0.7=10\,\mathrm{V}이다(병렬형 정전압 회로).

    RSR_S 전류는 15−10100=50 mA\dfrac{15-10}{100}=50\,\mathrm{mA}, 부하 전류는 10500=20 mA\dfrac{10}{500}=20\,\mathrm{mA}이다. 나머지는 컬렉터와 제너(베이스)를 거쳐 모두 이미터로 흐르므로
    IE=50−20=30 mAI_E=50-20=30\,\mathrm{mA}

    • 9.3 V와 15 mA: VBEV_{BE}를 빠뜨리고 전류도 잘못 나눈 값이다.
    • 9.3 V와 30 mA: 출력을 제너전압만으로 본 값이다.
    • 10 V와 15 mA: 이미터 전류를 절반으로 잡은 값이다.

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    16[7급 국가직 전자회로] 25년 1회차
    3개의 입력(A, B, C)을 갖는 논리회로의 출력값 Y=AB+BC‾Y=AB+\overline{BC}이다.
    2-입력 NAND 게이트만을 사용하여 같은 출력값(Y)을 가지도록
    구성할 때, 필요한 최소 NAND 게이트의 수[개]는?
    1
    2
    2
    3
    3
    4
    4
    5
    해설

    2-입력 NAND 게이트는 최소 4개가 필요하다.

    드모르간 정리로 BC‾=B‾+C‾\overline{BC}=\overline{B}+\overline{C}이고, AB+B‾=A+B‾AB+\overline{B}=A+\overline{B}이므로 Y=A+B‾+C‾=A‾⋅BC‾Y=A+\overline{B}+\overline{C}=\overline{\overline{A}\cdot BC}로 간소화된다.

    구성: NAND(A, A)로 A‾\overline{A}(1개), NAND(B, C)와 그 반전으로 BCBC(2개), 마지막으로 NAND(A‾\overline{A}, BCBC)로 Y(1개) — 합계 4개이다.

    • 2개: 마지막 NAND 앞에 A‾\overline{A}와 BCBC를 둘 다 준비할 수 없어 Y를 만들 수 없다.
    • 3개: 가능한 모든 연결을 따져도 Y가 나오지 않는다(BCBC를 만드는 데만 2개가 든다).
    • 5개: 회로는 구성되지만 4개로 충분하므로 최소 개수가 아니다.

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    17[7급 국가직 전자회로] 25년 1회차
    다음 콜피츠(Colpitts) 발진기의 블록도에서 발진을 시작하기 위한
    조건인 최소전압이득과 발진주파수를 바르게 연결한 것은?

    최소전압이득  발진주파수
    문제 이미지
    1
    C1C2\dfrac{C_1}{C_2}  12πL(C1+C2)\dfrac{1}{2\pi\sqrt{L(C_1+C_2)}}
    2
    C1C2\dfrac{C_1}{C_2}  12πLC1C2C1+C2\dfrac{1}{2\pi\sqrt{L\dfrac{C_1C_2}{C_1+C_2}}}
    3
    C2C1\dfrac{C_2}{C_1}  12πL(C1+C2)\dfrac{1}{2\pi\sqrt{L(C_1+C_2)}}
    4
    C2C1\dfrac{C_2}{C_1}  12πLC1C2C1+C2\dfrac{1}{2\pi\sqrt{L\dfrac{C_1C_2}{C_1+C_2}}}
    해설

    최소전압이득은 C1C2\dfrac{C_1}{C_2}, 발진주파수는 두 커패시터의 직렬 합성용량으로 정해지는 값이다.

    공진 시 L 과 C1C_1, C2C_2에는 같은 전류가 흐르므로 각 커패시터 전압은 용량에 반비례한다. 출력은 C2C_2 양단, 궤환은 C1C_1 양단에서 취하므로 ∣β∣=C2C1|\beta|=\dfrac{C_2}{C_1}이고 ∣Aβ∣≥1|A\beta|\ge 1에서 ∣A∣≥C1C2|A|\ge\dfrac{C_1}{C_2}이다.

    공진 주파수는 f=12πLC1C2C1+C2f=\dfrac{1}{2\pi\sqrt{L\dfrac{C_1C_2}{C_1+C_2}}}이다.

    • C1C2\dfrac{C_1}{C_2}와 L(C1+C2)L(C_1+C_2) 조합: 커패시터를 병렬 합성한 주파수식이다.
    • C2C1\dfrac{C_2}{C_1}와 L(C1+C2)L(C_1+C_2) 조합: 이득비와 합성용량이 모두 틀렸다.
    • C2C1\dfrac{C_2}{C_1}와 직렬 합성 조합: 궤환율을 이득으로 착각한 값이다.

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    18[7급 국가직 전자회로] 25년 1회차
    다음 이상적인 연산증폭기를 이용한 회로에 정현파 전압(VinV_{in})을
    입력할 때, 이에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? (단, 연산증폭기의
    Vsat=±14V_{sat}=\pm 14 [V]이고, 제너 다이오드의 제너전압 VZ=7.3V_Z=7.3 [V],
    순방향 전압 VF=0.7V_F=0.7 [V]이다)

    문제 이미지
    1
    저항 R1R_1 양단에 걸리는 전압은 ± 8.0 [V]이다.
    2
    저항 R2R_2에 흐르는 전류는 ± 0.2 [mA]이다.
    3
    상측 및 하측 트리거 전압은 ± 2.0 [V]이다.
    4
    출력전압은 ± 14.0 [V]이다.
    해설

    옳지 않은 것은 출력전압이 ±14.0 V 라는 설명이다.

    제너가 도통하면 반전단자와 출력 사이 전압이 VZ+VF=8 VV_Z+V_F=8\,\mathrm{V}로 고정되고, 연산증폭기는 두 입력 단자를 같은 전위로 유지한다. 비반전단자 전압은 V+=1050Vout=Vout5V_+=\dfrac{10}{50}V_{out}=\dfrac{V_{out}}{5}이다.

    Vout−Vout5=±8V_{out}-\dfrac{V_{out}}{5}=\pm 8에서 Vout=±10 VV_{out}=\pm 10\,\mathrm{V}로, 포화전압까지 가지 않는다.

    • R1R_1 양단 ±8.0 V: 10×4050=8 V10\times\dfrac{40}{50}=8\,\mathrm{V}이므로 옳다.
    • R2R_2 전류 ±0.2 mA: 2 V10 kΩ=0.2 mA\dfrac{2\,\mathrm{V}}{10\,\mathrm{k\Omega}}=0.2\,\mathrm{mA}이므로 옳다.
    • 트리거 전압 ±2.0 V: V+=±105=±2 VV_+=\dfrac{\pm 10}{5}=\pm 2\,\mathrm{V}이므로 옳다.

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    19[7급 국가직 전자회로] 25년 1회차
    다음 선형곱셈기와 연산증폭기로 이루어진 회로에서 출력전압
    Vout=−VxVyV_{out}=-\dfrac{V_x}{V_y}이 되기 위한 R2R_2 저항값은? (단, 연산증폭기는 이상적이며,
    선형곱셈기의 출력전압 Vc=KVyVoutV_c=KV_yV_{out}이다. 또한, K는 1보다 크다)

    문제 이미지
    1
    KR1KR_1
    2
    R1K\dfrac{R_1}{K}
    3
    K2R1K^2R_1
    4
    KR1\sqrt{K}R_1
    해설

    R2R_2는 R1K\dfrac{R_1}{K}이다.

    반전단자는 가상접지이고 입력 전류가 0이므로 R2R_2로 들어온 전류가 모두 R1R_1을 통해 곱셈기 출력 쪽으로 흐른다.
    VxR2=−VcR1=−KVyVoutR1\dfrac{V_x}{R_2}=-\dfrac{V_c}{R_1}=-\dfrac{KV_yV_{out}}{R_1}

    정리하면 Vout=−R1KR2VxVyV_{out}=-\dfrac{R_1}{KR_2}\dfrac{V_x}{V_y}이고, 계수가 1이 되려면 KR2=R1KR_2=R_1이다.

    • KR1KR_1: 계수가 1K2\dfrac{1}{K^2}이 되어 1이 아니다.
    • K2R1K^2R_1: 계수가 1K3\dfrac{1}{K^3}이 된다.
    • KR1\sqrt{K}R_1: 계수가 K−3/2K^{-3/2}이 된다.

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    20[7급 국가직 전자회로] 25년 1회차
    다음 대역제거필터의 C값으로 가장 가까운 값[mF]은? (단, R =
    200 [Ω], 중심주파수는 200 [Hz], 대역폭은 200 [Hz]이다)

    문제 이미지
    1
    1160π\dfrac{1}{160\pi}
    2
    180π\dfrac{1}{80\pi}
    3
    140π\dfrac{1}{40\pi}
    4
    120π\dfrac{1}{20\pi}
    해설

    C 는 약 180π mF\dfrac{1}{80\pi}\,\mathrm{mF}이다.

    직렬 LC 가 출력을 접지로 단락하는 대역제거필터이며 대역폭은 BW=R2πLBW=\dfrac{R}{2\pi L}이다.
    L=2002π×200=12π HL=\dfrac{200}{2\pi\times 200}=\dfrac{1}{2\pi}\,\mathrm{H}

    중심주파수 f0=12πLC=200 Hzf_0=\dfrac{1}{2\pi\sqrt{LC}}=200\,\mathrm{Hz}에서
    C=1(400π)2L=2π160000π2=180000π F=180π mFC=\dfrac{1}{(400\pi)^2L}=\dfrac{2\pi}{160000\pi^2}=\dfrac{1}{80000\pi}\,\mathrm{F}=\dfrac{1}{80\pi}\,\mathrm{mF}

    • 1160π\dfrac{1}{160\pi}: L 을 두 배로 잡아 C 가 절반이 된 값이다.
    • 140π\dfrac{1}{40\pi}: L 을 절반으로 잡아 C 가 두 배가 된 값이다.
    • 120π\dfrac{1}{20\pi}: L 을 실제의 4분의 1로 잡아야 나오는 값이다.

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    21[7급 국가직 전자회로] 25년 1회차
    다음 증폭기의 트랜지스터 Q1Q_1과 Q2Q_2의 외형비(aspect ratio)가
    (WL)Q1=4\left(\dfrac{W}{L}\right)_{Q_1}=4, (WL)Q2=1\left(\dfrac{W}{L}\right)_{Q_2}=1일 때, 전압이득(AV=VoutVin)\left(A_V=\dfrac{V_{out}}{V_{in}}\right)은? (단, Q1Q_1과
    Q2Q_2의 μnCox\mu_nC_{ox}은 같으며 포화영역에서 동작하고, 채널 길이 변조와
    바디 효과는 무시한다. 또한, I1I_1은 Q1Q_1의 직류 드레인 전류이다)

    문제 이미지
    1
    -8
    2
    -4
    3
    -2
    4
    2
    해설

    전압이득은 -4이다.

    Q2Q_2는 게이트가 VDDV_{DD}에 묶인 다이오드 연결 부하로 소신호 저항이 1gm2\dfrac{1}{g_{m2}}이다. 전류원이 0.75I10.75I_1을 공급하므로 Q2Q_2 전류는 0.25I10.25I_1이다.

    gm=2μnCoxWLIDg_m=\sqrt{2\mu_nC_{ox}\dfrac{W}{L}I_D}이므로
    AV=−gm1gm2=−4×I11×0.25I1=−4A_V=-\dfrac{g_{m1}}{g_{m2}}=-\sqrt{\dfrac{4\times I_1}{1\times 0.25I_1}}=-4

    • -8: 위 계산의 두 배로, 이 크기비·전류비에서는 나오지 않는다.
    • -2: 전류원을 무시하고 두 트랜지스터 전류를 같다고 본 값이다.
    • 2: 공통 소스 증폭기의 반전 극성을 놓친 값이다.

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    22[7급 국가직 전자회로] 25년 1회차
    다음 전파 정류회로의 출력 리플 전압으로 가장 가까운 값[V]은?
    (단, 다이오드는 이상적이며, 순방향 전압은 무시한다. 또한, 변압기의
    1차측, 2차측 권선비는 1 : 2이며, VS=100sin⁡(2π×60t)V_S=100\sin(2\pi\times 60t) [V],
    C =100 [μ\muF], RL=10R_L=10 [kΩ]이다)

    문제 이미지
    1
    1012\dfrac{10}{12}
    2
    2012\dfrac{20}{12}
    3
    10
    4
    20
    해설

    리플 전압은 약 1012 V\dfrac{10}{12}\,\mathrm{V}이다.

    권선비 1:2이므로 2차 전체 첨두값 200 V, 중간 탭 기준 반권선 첨두값은 Vm=100 VV_m=100\,\mathrm{V}이다. 전파 정류이므로 리플 주파수는 120 Hz이다.

    Vr≈Vm2fRLC=1002×60×104×10−4=100120=1012 VV_r\approx\dfrac{V_m}{2fR_LC}=\dfrac{100}{2\times 60\times 10^4\times 10^{-4}}=\dfrac{100}{120}=\dfrac{10}{12}\,\mathrm{V}

    • 2012\dfrac{20}{12}: 반권선 대신 2차 전체 200 V 를 첨두값으로 쓴 값이다.
    • 10: 위 계산의 12배로, 시정수 1 s 의 평활 회로에서는 나올 수 없을 만큼 크다.
    • 20: 첨두값의 20%에 달하는 리플로, 같은 이유로 맞지 않는다.

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    23[7급 국가직 전자회로] 25년 1회차
    밀러(Miller) 정리를 활용해서 아래 공통 소스(common-source)
    증폭기의 입력 노드 X와 연관된 극점(pole)을 가장 올바르게 근사한
    표현은? (단, 트랜지스터는 포화영역에서 동작하며, 채널 길이 변조와
    바디 효과는 무시한다. 또한, 그림에 표시된 커패시터 외의 트랜지스터
    내부 기생 커패시턴스는 모두 무시한다)

    문제 이미지
    1
    ωin=1RS(CGS+CGD)\omega_{in}=\dfrac{1}{R_S(C_{GS}+C_{GD})}
    2
    ωin=1CGS+(1+gmRD)CGD\omega_{in}=\dfrac{1}{C_{GS}+(1+g_mR_D)C_{GD}}
    3
    ωin=1RS[CGS+(1+gmRD)CGD]\omega_{in}=\dfrac{1}{R_S[C_{GS}+(1+g_mR_D)C_{GD}]}
    4
    ωin=1CGS+gmRDCGD\omega_{in}=\dfrac{1}{C_{GS}+g_mR_DC_{GD}}
    해설

    입력 극점은 ωin=1RS[CGS+(1+gmRD)CGD]\omega_{in}=\dfrac{1}{R_S[C_{GS}+(1+g_mR_D)C_{GD}]}이다.

    소신호 이득이 −gmRD-g_mR_D이므로 밀러 정리로 CGDC_{GD}를 입력 쪽 (1+gmRD)CGD(1+g_mR_D)C_{GD}로 옮긴다. 노드 X 의 총 용량은 CGS+(1+gmRD)CGDC_{GS}+(1+g_mR_D)C_{GD}이다.

    노드 X 에서 본 저항은 신호원 저항 RSR_S이므로 극점은 그 RC 곱의 역수이다.

    • 1RS(CGS+CGD)\dfrac{1}{R_S(C_{GS}+C_{GD})}: 밀러 증배 효과를 빠뜨린 식이다.
    • 1CGS+(1+gmRD)CGD\dfrac{1}{C_{GS}+(1+g_mR_D)C_{GD}}: 저항이 없어 단위가 각주파수가 되지 않는다.
    • 1CGS+gmRDCGD\dfrac{1}{C_{GS}+g_mR_DC_{GD}}: 저항이 빠지고 밀러 계수의 1도 빠진 식이다.

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    24[7급 국가직 전자회로] 25년 1회차
    다음 위상변이 발진기에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

    문제 이미지
    1
    3개의 귀환 RC 회로는 각각 최대 90 °의 위상차를 가진다.
    2
    반전증폭기 위상변이가 180 °, 3개의 귀환 RC 회로의 위상변이가 180 °가 되는 경우 전체 360 °(또는 0 °) 위상변이가 발생하여 발진조건을 만족하게 된다.
    3
    발진주파수에서 3개의 귀환 RC 회로의 감쇠율은 129\dfrac{1}{29}이며, 발진을 시작하려면 반전증폭기의 전압이득 절댓값은 29보다 커야 한다.
    4
    발진주파수는 12π6RC\dfrac{1}{2\pi\sqrt{6RC}}이다.
    해설

    옳지 않은 것은 발진주파수가 12π6RC\dfrac{1}{2\pi\sqrt{6RC}}라는 설명이다.

    3단 RC 진상 회로망의 위상이 180°가 되는 주파수는 f=12π6RCf=\dfrac{1}{2\pi\sqrt{6}RC}이다. 제시된 식은 RC 전체를 근호 안에 넣어 단위조차 맞지 않는다.

    • 각 RC 회로 최대 90° 위상차: 1단 RC 의 위상은 0°에서 90° 사이이므로 옳다.
    • 증폭기 180°와 회로망 180°로 전체 360°: 바크하우젠 위상 조건이므로 옳다.
    • 감쇠율 1/29, 이득 절댓값 29 초과: 발진주파수에서 β=−129\beta=-\dfrac{1}{29}이므로 ∣A∣>29|A|>29가 필요해 옳다.

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    25[7급 국가직 전자회로] 25년 1회차
    다음 회로의 전달함수 Vout(s)Vin(s)\dfrac{V_{out}(s)}{V_{in}(s)}에서 CSC_S에 의한 하한 임계주파수
    f3dBf_{3dB}는? (단, MOSFET은 포화영역에서 동작하며 소신호 등가회로는
    우측의 회로와 같다. 또한, 트랜지스터의 내부 기생 커패시턴스는
    무시하며, gmRS≫1g_mR_S\gg 1이다)

    문제 이미지
    1
    12πgmRSCS\dfrac{1}{2\pi}\dfrac{g_mR_S}{C_S}
    2
    12π1RSCS\dfrac{1}{2\pi}\dfrac{1}{R_SC_S}
    3
    12π1+gmRSRSCS\dfrac{1}{2\pi}\dfrac{1+g_mR_S}{R_SC_S}
    4
    12πgmRS[RS∥(1gm)]CS\dfrac{1}{2\pi}\dfrac{g_mR_S}{\left[R_S\parallel\left(\dfrac{1}{g_m}\right)\right]C_S}
    해설

    하한 임계주파수는 12π1+gmRSRSCS\dfrac{1}{2\pi}\dfrac{1+g_mR_S}{R_SC_S}이다.

    CSC_S가 보는 저항은 소스에서 본 저항으로, RSR_S와 등가회로의 1gm\dfrac{1}{g_m}의 병렬이다(신호원을 0으로 두면 게이트는 교류 접지).

    RS∥1gm=RS1+gmRSR_S\parallel\dfrac{1}{g_m}=\dfrac{R_S}{1+g_mR_S}이므로
    f3dB=12π1(RS∥1gm)CS=12π1+gmRSRSCSf_{3dB}=\dfrac{1}{2\pi}\dfrac{1}{\left(R_S\parallel\dfrac{1}{g_m}\right)C_S}=\dfrac{1}{2\pi}\dfrac{1+g_mR_S}{R_SC_S}

    • 12πgmRSCS\dfrac{1}{2\pi}\dfrac{g_mR_S}{C_S}: 분모에 저항이 빠져 단위가 맞지 않는다.
    • 12π1RSCS\dfrac{1}{2\pi}\dfrac{1}{R_SC_S}: 트랜지스터의 1gm\dfrac{1}{g_m} 병렬 효과를 무시한 값이다.
    • gmRSg_mR_S를 병렬 저항 식에 곱한 것: 이미 병렬 저항에 반영된 계수를 한 번 더 곱했다.

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