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1[7급 국가직 전자회로] 25년 1회차
다음 회로의 전달함수 Vout(s)Vin(s)\dfrac{V_{out}(s)}{V_{in}(s)}에서 CSC_S에 의한 하한 임계주파수
f3dBf_{3dB}는? (단, MOSFET은 포화영역에서 동작하며 소신호 등가회로는
우측의 회로와 같다. 또한, 트랜지스터의 내부 기생 커패시턴스는
무시하며, gmRS≫1g_mR_S\gg 1이다)

문제 이미지
1
12πgmRSCS\dfrac{1}{2\pi}\dfrac{g_mR_S}{C_S}
2
12π1RSCS\dfrac{1}{2\pi}\dfrac{1}{R_SC_S}
3
12π1+gmRSRSCS\dfrac{1}{2\pi}\dfrac{1+g_mR_S}{R_SC_S}
4
12πgmRS[RS∥(1gm)]CS\dfrac{1}{2\pi}\dfrac{g_mR_S}{\left[R_S\parallel\left(\dfrac{1}{g_m}\right)\right]C_S}
해설

하한 임계주파수는 12π1+gmRSRSCS\dfrac{1}{2\pi}\dfrac{1+g_mR_S}{R_SC_S}이다.

CSC_S가 보는 저항은 소스에서 본 저항으로, RSR_S와 등가회로의 1gm\dfrac{1}{g_m}의 병렬이다(신호원을 0으로 두면 게이트는 교류 접지).

RS∥1gm=RS1+gmRSR_S\parallel\dfrac{1}{g_m}=\dfrac{R_S}{1+g_mR_S}이므로
f3dB=12π1(RS∥1gm)CS=12π1+gmRSRSCSf_{3dB}=\dfrac{1}{2\pi}\dfrac{1}{\left(R_S\parallel\dfrac{1}{g_m}\right)C_S}=\dfrac{1}{2\pi}\dfrac{1+g_mR_S}{R_SC_S}

  • 12πgmRSCS\dfrac{1}{2\pi}\dfrac{g_mR_S}{C_S}: 분모에 저항이 빠져 단위가 맞지 않는다.
  • 12π1RSCS\dfrac{1}{2\pi}\dfrac{1}{R_SC_S}: 트랜지스터의 1gm\dfrac{1}{g_m} 병렬 효과를 무시한 값이다.
  • gmRSg_mR_S를 병렬 저항 식에 곱한 것: 이미 병렬 저항에 반영된 계수를 한 번 더 곱했다.

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