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1[7급 국가직 전자회로] 21년 1회차
다음 증가형 MOSFET 회로에서 VDSV_{DS}[V]는? (단, VGS(th)=2V_{GS(th)}=2 [V]이고, VGS(on)V_{GS(on)}이 4 [V]일 때 ID(on)=400I_{D(on)}=400 [mA]이다)

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해설

드레인 전류는 16 mA이고 VDSV_{DS}는 14 V이다.

게이트 전압: VG=24×1090+10=2.4 VV_G=24\times\dfrac{10}{90+10}=2.4\,\mathrm{V} (소스 접지이므로 VGS=2.4 VV_{GS}=2.4\,\mathrm{V})
상수: K=ID(on)(VGS(on)−VGS(th))2=400 mA(4−2)2=100 mA/V2K=\dfrac{I_{D(on)}}{(V_{GS(on)}-V_{GS(th)})^2}=\dfrac{400\,\mathrm{mA}}{(4-2)^2}=100\,\mathrm{mA/V^2}

전류: ID=100×(2.4−2)2=16 mAI_D=100\times(2.4-2)^2=16\,\mathrm{mA}
전압: VDS=24−16 mA×625 Ω=24−10=14 VV_{DS}=24-16\,\mathrm{mA}\times625\,\Omega=24-10=14\,\mathrm{V}

  • 10 V — 저항 강하 10 V를 VDSV_{DS}로 착각한 값이다.
  • 10.6 V, 11.2 V — 전류를 잘못 구했을 때 나오는 값으로 포화 전류식과 맞지 않는다.

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