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1[국회직 9급 전자공학개론] 20년 1회차
β\beta=100인 다음 트랜지스터 회로에서 VCEQ=VCC2\mathrm{\mathbf{V}}_{CEQ} = \frac{V_{CC}}{2}가 되도록 하기 위한 RC의 값[kΩ]은? (단, 트랜지스터는 선형영역에서 동작하며 VBE = 0.7V이다)
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해설

컬렉터 저항은 RC=1 kΩR_{C}=1\,\mathrm{k\Omega}이다.

베이스 루프에서 베이스 전류를 구하고, 선형영역이므로 IC=βIBI_{C}=\beta I_{B}를 적용한다.
IB=5.7−0.7100 kΩ=50 μAI_{B}=\dfrac{5.7-0.7}{100\,\mathrm{k\Omega}}=50\,\mathrm{\mu A}
IC=100×50 μA=5 mAI_{C}=100\times 50\,\mathrm{\mu A}=5\,\mathrm{mA}

VCEQ=5 VV_{CEQ}=5\,\mathrm{V}가 되려면 RCR_{C}에 5 V5\,\mathrm{V}가 걸려야 한다.
RC=10−55 mA=1 kΩR_{C}=\dfrac{10-5}{5\,\mathrm{mA}}=1\,\mathrm{k\Omega}

  • 0.5: 강하가 2.5 V2.5\,\mathrm{V}뿐이어서 VCE=7.5 VV_{CE}=7.5\,\mathrm{V}가 된다.
  • 5: 강하가 25 V25\,\mathrm{V}로 전원전압을 넘어 선형영역이 유지되지 않는다.
  • 10: 강하가 50 V50\,\mathrm{V}여야 하므로 불가능하다.
  • 100: 베이스 저항값과 혼동한 값으로, 강하가 전원전압을 크게 넘는다.

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