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1[7급 국가직 전기자기학] 21년 1회차
전극판의 면적이 SS [m2]이고 간격이 dd [m]인 평행판 커패시터에 유전율이 ε\varepsilon [F/m]인 수지를 가득 채우고 두 전극판 사이에 VV [V]의 전압을 인가한다면 전극판에 작용하는 힘[N]은?
1
14εS(Vd)2\frac{1}{4}\varepsilon S\left(\frac{V}{d}\right)^2
2
12εS(Vd)2\frac{1}{2}\varepsilon S\left(\frac{V}{d}\right)^2
3
εS(Vd)2\varepsilon S\left(\frac{V}{d}\right)^2
4
2εS(Vd)22\varepsilon S\left(\frac{V}{d}\right)^2
해설

전극판에 작용하는 힘은 12εS(Vd)2\dfrac{1}{2}\varepsilon S\left(\dfrac{V}{d}\right)^2이다.

전극 표면에 작용하는 단위 면적당 힘은 전계 에너지밀도와 같다.
f=12εE2,E=Vdf=\dfrac{1}{2}\varepsilon E^2,\quad E=\dfrac{V}{d}
F=fS=12εS(Vd)2 NF=fS=\dfrac{1}{2}\varepsilon S\left(\dfrac{V}{d}\right)^2\ \mathrm{N}

같은 결과를 가상변위법 F=−∂W∂dF=-\dfrac{\partial W}{\partial d}(전하 일정)으로도 얻는다.

  • 계수 1/4은 에너지밀도의 1/2을 한 번 더 곱한 값이다.
  • 계수 1은 에너지밀도의 1/2을 빠뜨린 값이다.
  • 계수 2는 근거가 없는 과대값이다.

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