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1[7급 국가직 전자회로] 26년 1회차

다음은 게이트, 드레인, 소스 간 기생 커패시턴스를 포함한 MOSFET을
나타내는 회로이다. 이 MOSFET의 입력 커패시턴스  $C_{iss} = 5$  [pF],
역방향 전달 커패시턴스  $C_{rss} = 2$ [pF], 출력 커패시턴스  $C_{oss} = 10$ [pF]일
때, 게이트－드레인 간 기생 커패시턴스  $C_{gd}$ [pF], 게이트－소스 간
기생 커패시턴스  $C_{gs}$ [pF], 드레인－소스 간 기생 커패시턴스  $C_{ds}$ [pF]를
바르게 연결한 것은?

 $C_{gd}$  $C_{gs}$  $C_{ds}$

2 3 7

2 3 8

3 2 8

3 2 7

해설

 $C_{gd}=2$ ,  $C_{gs}=3$ ,  $C_{ds}=8$  [pF]이다.
데이터시트 커패시턴스와 기생 성분의 관계는 다음과 같다.
 $C_{rss}=C_{gd}$ ,  $C_{iss}=C_{gs}+C_{gd}$ ,  $C_{oss}=C_{ds}+C_{gd}$ 
역방향 전달 커패시턴스가 곧  $C_{gd}=2$ 이므로  $C_{gs}=5-2=3$ ,  $C_{ds}=10-2=8$ 이다.
 $C_{ds}=7$ 인 조합은 출력 커패시턴스에서  $C_{gs}$ 를 뺀 값이다.
 $C_{gd}=3$ ,  $C_{gs}=2$ 인 조합은  $C_{rss}$ 를 게이트-소스 성분으로 혼동한 것이다.

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