증가형 n－채널 MOSFET의 문턱전압에 대한 설명 중 옳지 않은 것은? | [9급 국가직 전자공학개론] 18년 1회차 기출문제 상세 페이지

채널 폭이 좁아지면 문턱전압은 오히려 증가하므로(협채널 효과), 감소한다는 설명이 옳지 않다.
채널 폭이 좁으면 채널 가장자리 아래로 퍼지는 공핍 전하까지 게이트가 감당해야 하므로, 채널을 형성하는 데 더 큰 게이트 전압이 필요하다.
기판 도핑농도가 클수록 반전에 필요한 공핍 전하가 늘어 문턱전압이 증가한다 — 옳다.
채널 길이가 짧아지면 소스·드레인 공핍 영역이 채널 아래 전하 일부를 분담해 문턱전압이 감소한다(단채널 효과) — 옳다.
드레인-소스 전압이 증가하면 드레인 유기 장벽 감소(DIBL)로 문턱전압이 감소한다 — 옳다.