공핍층전자기사·철도신호기사 출제 용어

생성 원인

P형의 정공과 N형의 전자가 접합면을 넘어 확산·재결합하면서 생기며, 전압을 걸지 않은 열평형 상태에서도 자연히 형성된다.

구성

이동할 수 없는 고정 불순물 이온(공간전하)으로 이루어져 접합부에 전위장벽을 만든다. 자유 캐리어는 거의 남아 있지 않다.

바이어스와 폭

• –순바이어스 → 전위장벽이 낮아져 폭이 좁아짐
• –역바이어스 → 전기장이 강해져 폭이 넓어짐(가장 넓음)
• –빛 조사는 폭에 영향 없음.

접합 전위차(장벽전위)

• –실리콘(Si) 약 0.7V
• –게르마늄(Ge) 약 0.3V.

같은 말

• –공간전하영역
• –천이영역(transition region).

금지대역·밴드갭·전도대역은 에너지 대역 개념이라 다르다.

펀치스루(Punch-Through)

컬렉터 역바이어스를 계속 키워 컬렉터 접합 공핍층이 이미터 접합 공핍층과 닿아 베이스 중성영역이 사라지는 현상.