아래 그림의 구조를 갖는 실리콘 반도체 소자의 명칭으로 옳은 것은? | [국회직 9급 전자공학개론] 17년 1회차 기출문제 상세 페이지

이 구조는 p형 기판 위에 만든 NMOS FET이다.
p형 실리콘에 소스와 드레인인 $\mathrm{n^{+}}$ 영역이 있고, 그 사이 위에 $\mathrm{SiO_{2}}$ 절연막과 Poly Si 게이트가 있다. 게이트에 +V를 걸면 절연막 아래에 n형 반전층이 생겨 두 영역을 잇는다.
NPN BJT: n-p-n 층이 이미터, 베이스, 컬렉터를 이루는 소자로, 게이트 절연막이 없다.
PNP BJT: p-n-p 층으로 된 접합 트랜지스터로, 그림의 도핑 구조와 반대이다.
N-채널 JFET: 게이트가 절연막이 아닌 pn 접합으로 채널을 제어하는 소자이다.
PMOS FET: n형 기판에 $\mathrm{p^{+}}$ 소스와 드레인을 두는 구조로, 그림과 반대이다.