증가형(enhancement mode) n채널 MOSFET의 특성에 대… | [국회직 9급 전자공학개론] 17년 1회차 기출문제 상세 페이지

증가형 n채널 MOSFET의 문턱전압은 양의 값이므로, 문턱전압이 $-1.0\,\mathrm{V}$ 근처의 음의 값이라는 설명이 옳지 않다.
증가형은 게이트에 문턱전압 이상의 양의 전압을 걸어야 채널이 유도된다. 음의 문턱전압은 $V_{GS}=0$ 에서도 채널이 존재하는 공핍형의 특징이다.
게이트-소스 전압이 0 V일 때 차단: 문턱전압이 양수라 채널이 없으므로 옳다.
게이트-소스 전압이 양으로 증가할수록 드레인 전류 증가: 채널의 전자 농도가 커져 전도가 강해지므로 옳다.
게이트-소스 전압이 문턱전압보다 낮으면 드레인 전류 없음: 채널이 형성되지 않으므로 옳다.
포화영역 전류의 제곱 비례: $I_{D}\propto(V_{GS}-V_{th})^{2}$ 관계이므로 옳다.