다음 NMOSFET의 문턱전압 VT는 1V이다. (a)와 (b)는 각각… | [국회직 9급 전자공학개론] 19년 1회차 기출문제 상세 페이지

(a)는 포화 영역, (b)는 선형 영역에서 동작한다.
NMOSFET은 $V_{GS}\gt V_{T}$에서 켜지고, $V_{DS}\geq V_{GS}-V_{T}$이면 포화, $V_{DS}\lt V_{GS}-V_{T}$이면 선형이다. 두 회로 모두 소스가 접지되어 있다.
(a) $V_{GS}-V_{T}=2-1=1\,\mathrm{V}$이고 $V_{DS}=2\,\mathrm{V}$로 더 크므로 포화이다.
(b) $V_{GS}-V_{T}=3-1=2\,\mathrm{V}$이고 $V_{DS}=1.5\,\mathrm{V}$로 더 작으므로 선형이다.
선형, 선형: (a)의 $V_{DS}$가 $V_{GS}-V_{T}$보다 커서 선형이 아니다.
선형, 포화: 두 회로의 영역이 뒤바뀌었다.
포화, 포화: (b)의 $V_{DS}$가 $V_{GS}-V_{T}$보다 작아 포화가 아니다.
차단, 선형: (a)의 $V_{GS}$가 문턱전압보다 커서 차단이 아니다.