반도체에 대한 설명으로 옳은 것만을 <보기>에서 모두 고르면… | [국회직 9급 전자공학개론] 23년 1회차 기출문제 상세 페이지
1[국회직 9급 전자공학개론] 23년 1회차
반도체에 대한 설명으로 옳은 것만을 <보기>에서 모두 고르면?
| < 보 기 > | ||
| ㄱ.실리콘에 비소를 도핑하여 n형의 실리콘 반도체를 만들 수 있다. ㄴ.pn접합 다이오드의 접합면에는 전위차가 발생하여, 전하 캐리어가 고갈되어 공핍영역이 형성된다. ㄷ.n형의 실리콘 반도체는 정공이 다수 캐리어이다. ㄹ.pn접합 다이오드에 p쪽에 음극, n쪽에 양극을 인가하면 접합면에 커패시턴스가 커진다. | ||
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ㄱ, ㄴ
2
ㄱ, ㄷ
3
ㄴ, ㄷ
4
ㄴ, ㄹ
5
ㄷ, ㄹ
해설
옳은 설명은 ㄱ과 ㄴ뿐이다.
ㄷ은 다수 캐리어를 반대로 적었고, ㄹ은 역방향 바이어스의 효과를 반대로 적었다. 두 지문을 빼면 ㄱ, ㄴ 조합만 남는다.
- ㄱ(옳음): 비소는 최외각 전자가 5개인 도너 불순물이므로 실리콘에 도핑하면 n형이 된다.
- ㄴ(옳음): 접합면에서 캐리어가 확산·재결합해 전위 장벽이 생기고, 캐리어가 고갈된 공핍영역이 형성된다.
- ㄷ(틀림): n형 실리콘의 다수 캐리어는 정공이 아니라 전자다.
- ㄹ(틀림): p쪽에 음극, n쪽에 양극을 걸면 역방향 바이어스로 공핍영역이 넓어져 접합 커패시턴스는 작아진다.
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