Ge 반도체에 In을 소량 첨가하여 만든 불순물 반도체에 그림처럼 화살… | [9급 지방직 고졸경채 물리] 20년 1회차 기출문제 상세 페이지
1[9급 지방직 고졸경채 물리] 20년 1회차
Ge 반도체에 In을 소량 첨가하여 만든 불순물 반도체에 그림처럼 화살표 방향으로 전기장을 걸었을 때, 이에 대한 설명으로 옳은 것만을 모두 고르면?ㄱ. 불순물 반도체에 생성된 양공은 전도띠에 존재한다.
ㄴ. 양공은 오른쪽(−)에서 왼쪽(+)으로 이동한다.
ㄷ. 전류의 방향은 양공의 이동 방향과 같다.
ㄹ. 양공이 전도띠에 있는 전자보다 많으므로 주로 양공에 의해 전류가 흐른다.
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ㄱ, ㄴ
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ㄱ, ㄹ
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ㄴ, ㄷ
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ㄷ, ㄹ
해설
옳은 것은 ㄷ과 ㄹ이다. Ge에 원자가 전자가 3개인 In을 넣으면 p형 반도체가 되어 양공이 주된 전하 운반자가 된다.
양공은 (+)전하처럼 행동하므로 전기장 방향으로 이동하고, 전류의 방향도 양공의 이동 방향과 같다.
- ㄱ(옳지 않음): In이 공유 결합에서 전자 하나를 채우지 못해 생긴 양공은 전도띠가 아니라 원자가띠에 존재한다.
- ㄴ(옳지 않음): 전기장은 왼쪽(+)에서 오른쪽(−)으로 향하므로 양공은 왼쪽(+)에서 오른쪽(−)으로 이동한다.
- ㄷ(옳음): 양공의 이동 방향과 전류의 방향은 같다.
- ㄹ(옳음): p형 반도체에서는 양공이 전도띠의 전자보다 많아 주로 양공이 전류를 운반한다.
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