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1[7급 국가직 전자회로] 22년 1회차

다음 그림에 대한 설명으로 옳은 것은? (단,  $V_{TN}$ 은 문턱전압이다)

p채널과 n채널 MOSFET를 같은 기판에 제작한 CMOS 소자이다.

 $M_1$ 은 NMOS이며,  $V_{DS} < V_{GS} - V_{TN}$ 일 때 포화영역에서 동작한다.

 $M_2$ 는 PMOS이며, 소스와 바디 전압을 연결하면 채널길이변조 효과가 발생한다.

Scaling down되면 MOSFET의 채널길이가 작아져서 천이 주파수(transition frequency,  $f_T$ )가 감소하게 된다.

해설

p-기판 위의 NMOS( $M_1$ )와 n-well 속 PMOS( $M_2$ )를 한 기판에 함께 만든 CMOS 구조이므로, p채널과 n채널을 같은 기판에 제작한 CMOS 소자라는 설명이 옳다.
 $M_1$ 은 n $^{+}$  소스·드레인으로 NMOS,  $M_2$ 는 p $^{+}$  소스·드레인으로 PMOS이다.
 $M_1$ 의 포화영역 조건:  $V_{DS} \lt V_{GS} - V_{TN}$ 는 트라이오드(선형) 영역 조건이고, 포화는  $V_{DS} \ge V_{GS} - V_{TN}$ 이다.
 $M_2$ 의 소스-바디 연결: 이는 바디 효과를 없애는 조치이며, 채널길이변조는  $V_{DS}$ 에 의한 현상이다.
Scaling down: 채널길이가 짧아지면  $f_T$ 는 증가한다.

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