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1[7급 국가직 전자회로] 22년 1회차
다음 그래프는 JFET의 전류-전압 특성 곡선이다. VPV_P이상에서
IDI_D가 포화되는 주된 이유로 옳은 것은?

문제 이미지
1
채널 폭의 감소
2
공핍 영역의 감소
3
매우 낮은 전류 밀도
4
트랜지스터가 저항영역에서 동작
해설

VDSV_{DS}가 핀치오프 전압 VPV_P에 이르면 드레인 쪽 공핍층이 맞닿아 채널 폭이 감소(핀치오프)하므로, 그 이상에서는 전류가 IDSSI_{DSS}로 포화된다.

VDSV_{DS}를 더 올려도 늘어난 전압은 핀치오프 영역에 걸릴 뿐 채널 전류는 거의 일정하다.

  • 공핍 영역의 감소: VDSV_{DS}가 커지면 게이트-채널 역바이어스가 커져 공핍 영역은 오히려 넓어진다.
  • 매우 낮은 전류 밀도: 좁아진 채널을 전류가 지나므로 전류 밀도는 오히려 높다.
  • 저항영역 동작: 저항(옴) 영역은 VPV_P 이하 구간이며, 포화 구간과 반대이다.

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