p형 Si 반도체에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? | [7급 국가직 전자회로] 23년 1회차 기출문제 상세 페이지

옳지 않은 것은 도핑 농도가 높을수록 저항률이 증가한다는 설명이다.
억셉터 농도가 높아지면 다수 캐리어인 정공 농도가 늘어 도전율이 커지고 저항률은 감소한다. 이동도가 다소 줄어도 캐리어 증가 효과가 훨씬 커서 저항률은 낮아진다.
다수 캐리어가 정공이라는 설명: p형은 억셉터가 정공을 공급하므로 정공이 다수 캐리어이다.
최외각 전자 3개인 불순물 첨가: 붕소 같은 3가 원소(억셉터)를 넣어 p형을 만든다.
페르미준위 위치: 정공이 많아지므로 페르미준위가 진성 준위보다 가전자대 상단 쪽으로 내려간다.