전력용 반도체 소자에 대한 설명 중 옳지 않은 것은? | [9급 지방직 전기기기] 09년 1회차 기출문제 상세 페이지
1[9급 지방직 전기기기] 09년 1회차
전력용 반도체 소자에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?
1
MOSFET는 게이트 전류에 의해 드레인 전류를 제어하는 반도체 소자이다.
2
IGBT는 게이트-에미터간 전압으로 컬렉터 전류의 흐름을 제어할 수 있다.
3
SCR 사이리스터는 게이트 전류에 의해 트리거 온 시킬 수 있다.
4
바이폴라 트랜지스터는 베이스 전류에 의해 컬렉터 전류를 제어하는 반도체 소자이다.
해설
옳지 않은 것은 MOSFET가 게이트 전류로 제어된다는 설명이다.
MOSFET는 게이트가 절연된 전압 제어형 소자로, 게이트-소스 전압으로 드레인 전류를 제어한다.
- IGBT는 게이트-에미터 전압으로 컬렉터 전류를 제어하는 전압 구동 소자이다.
- SCR은 게이트 전류 펄스로 턴온시킬 수 있다.
- 바이폴라 트랜지스터는 베이스 전류로 컬렉터 전류를 제어하는 전류 구동 소자이다.
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