반도체 전력변환장치에 적용되고 있는 전력용 반도체에 대한 설명으로 옳지… | [9급 지방직 전기기기] 11년 1회차 기출문제 상세 페이지
1[9급 지방직 전기기기] 11년 1회차
반도체 전력변환장치에 적용되고 있는 전력용 반도체에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
1
Power BJT는 전류구동형 소자로 베이스전류에 의해 턴온과 턴오프 동작을 수행한다.
2
Power MOSFET는 전압구동형 소자로 게이트-소스간 전압에 의해 턴온과 턴오프 동작을 수행한다.
3
SCR은 전류구동형 소자로 게이트전류에 의해 턴온과 턴오프 동작을 수행한다.
4
IGBT는 전압구동형 소자로 게이트-에미터간 전압에 의해 턴온과 턴오프 동작을 수행한다.
해설
SCR은 게이트 전류로 턴온만 가능하고 게이트로 턴오프할 수 없다. 게이트전류로 턴오프까지 한다는 설명이 옳지 않다.
SCR은 한번 도통하면 양극 전류가 유지전류 이하로 떨어지거나 역전압이 걸려야 꺼진다. 게이트로 턴오프가 가능한 사이리스터는 GTO이다.
- Power BJT는 베이스 전류로 온·오프를 제어하는 전류구동형이므로 옳다.
- Power MOSFET는 게이트-소스 전압으로 온·오프를 제어하는 전압구동형이므로 옳다.
- IGBT는 게이트-이미터 전압으로 온·오프를 제어하는 전압구동형이므로 옳다.
오류나 개정된 내용이 보이면 알려주세요