그림과 같은 MOS 커패시터의 게이트 단자에 전압을 (－)에서부터 시작… | [9급 국가직 전자공학개론] 09년 1회차 기출문제 상세 페이지
1[9급 국가직 전자공학개론] 09년 1회차
그림과 같은 MOS 커패시터의 게이트 단자에 전압을 (－)에서부터 시작하여 (＋)로 인가할 때, 게이트 하단의 반도체 영역에서 일어나는 전기현상을 순서대로 표시한 것 중 옳은 것은?
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축적 > 공핍 > 강반전 > 반전
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공핍 > 반전 > 강반전 > 축적
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축적 > 공핍 > 반전 > 강반전
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공핍 > 강반전 > 반전 > 축적
해설
순서는 축적 → 공핍 → 반전 → 강반전이다.
p형 반도체에서 게이트가 음(−)이면 다수 캐리어인 정공이 표면에 모여 축적된다.
- 게이트를 양으로 높이면 정공이 밀려나 이온화된 억셉터만 남는 공핍층이 생긴다.
- 더 높이면 표면에 소수 캐리어인 전자가 모이기 시작하는 반전이 일어난다.
- 문턱전압 이상에서는 전자 농도가 기판의 정공 농도를 넘는 강반전이 되어 채널이 형성된다.
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