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1[9급 국가직 전자공학개론] 12년 1회차
N형 MOSFET에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? (단, MOSFET은 차단영역에 있지 않다고 가정한다)
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MOSFET 드레인(drain)에 흐르는 전류량은 동일 조건에서 소자의 채널길이(channel length)가 작아지면 증가한다.
2
MOSFET 드레인(drain)에 흐르는 전류량은 온도에 영향을 받지 않는다.
3
MOSFET가 포화영역에서 동작할 때, 유효채널길이(effective channel length)는 드레인－소스(drain-source) 사이의 전압(VDS)에 따라서 변할 수 있다.
4
MOSFET의 문턱전압(threshold voltage)은 소스－바디(source-body) 사이의 전압(VSB)에 따라서 변할 수 있다.
해설
MOSFET 드레인 전류는 온도의 영향을 받으므로, 영향을 받지 않는다는 설명이 옳지 않다.
온도가 오르면 캐리어 이동도가 감소하고 문턱전압도 변해 드레인 전류가 달라진다.
- 전류는 에 비례하므로 채널 길이가 작아지면 증가한다.
- 포화영역에서는 가 커질수록 핀치오프점이 소스 쪽으로 이동해 유효 채널 길이가 줄어든다(채널 길이 변조).
- 소스-바디 전압 가 커지면 몸체 효과로 문턱전압이 증가한다.
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