BJT와 MOSFET에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? | [9급 국가직 전자공학개론] 21년 1회차 기출문제 상세 페이지
1[9급 국가직 전자공학개론] 21년 1회차
BJT와 MOSFET에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
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BJT 컬렉터 접합부의 온도 상승으로 트랜지스터가 파괴되는 것이 핀치-오프(pinch-off) 현상이다.
2
BJT 컬렉터-이미터 전압크기가 증가함에 따라 실효 베이스 폭이 감소하고 컬렉터 전류가 증가하는 것이 얼리(Early) 효과이다.
3
MOSFET의 드레인 전압을 계속 증가시키면 드레인 공핍영역이 소스 공핍영역과 닿는 것이 펀치-스루(punch-through) 현상이다.
4
MOSFET의 펀치-스루(punch-through) 현상이 발생하면 드레인 전류는 급격히 증가한다.
해설
핀치오프는 FET에서 드레인 쪽 채널이 공핍층에 의해 좁아져 막히는 현상이며, 온도 상승으로 BJT가 파괴되는 것은 열폭주이므로 이 설명이 옳지 않다.
핀치오프가 일어나면 드레인 전류가 드레인 전압에 거의 무관하게 포화되며, 이것이 FET 포화영역 동작의 기준이 된다.
- 얼리 효과: 컬렉터-이미터 전압이 커지면 컬렉터 공핍층이 넓어져 실효 베이스 폭이 줄고 컬렉터 전류가 증가한다.
- 펀치스루의 정의: 드레인 전압이 커져 드레인 공핍영역이 소스 공핍영역에 닿는 현상이다.
- 펀치스루의 결과: 소스-드레인 사이 전위 장벽이 낮아져 게이트 제어와 무관하게 드레인 전류가 급격히 증가한다.
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