펀치 스루(punch through) 현상에 대한 설명으로 틀린 것은? | [전자기사 필기] 16년 3회차 기출문제 상세 페이지

펀치스루에 대해 틀린 서술은 펀치스루 전압이 베이스 불순물 농도에 반비례한다는 내용이다.
컬렉터 접합의 공핍층이 베이스 폭 $W_B$ 전체로 퍼지는 전압을 구하면(내장 전위 무시) $V_{PT}=\dfrac{qN_BW_B^2}{2\varepsilon}\left(1+\dfrac{N_B}{N_C}\right)$ 이다. 베이스 농도 $N_B$ 가 클수록 공핍층이 베이스 쪽으로 덜 퍼지므로 펀치스루 전압은 커진다.
나머지 보기는 펀치스루에 대해 옳은 서술이다.
베이스 중성 영역이 없는 상태라는 서술은 컬렉터 공핍층이 베이스 전체를 덮어 이미터 공핍층과 맞닿은 펀치스루의 정의이므로 옳다.
베이스 영역 폭의 제곱에 비례한다는 서술은 위 식의 $W_B^2$ 와 일치하므로 옳다.
컬렉터 역바이어스 증가로 발생한다는 서술은 역바이어스가 커지면 공핍층이 베이스 쪽으로 넓어져 일어나는 현상이므로 옳다.