다음 회로는 BJT의 소신호 등가 모델이다. 여기서 ro와 가장 관련이… | [전자기사 필기] 16년 3회차 기출문제 상세 페이지

소신호 모델의 컬렉터-이미터 사이 저항 $r_o$ 는 Early 효과를 나타내는 요소다.
컬렉터-베이스 역바이어스가 커지면 공핍층이 넓어져 유효 베이스 폭이 줄고(베이스 폭 변조), 그 결과 활성 영역에서도 $I_C$ 가 $V_{CE}$ 에 따라 조금씩 증가한다. 이 기울기를 저항으로 나타낸 것이 $r_o=\dfrac{V_A}{I_C}$ 이다($V_A$: Early 전압).
Miller 효과는 입력-출력 사이 정전용량이 증폭도만큼 커 보이는 현상으로, 정전용량 요소에 대한 것이지 $r_o$ 와는 다르다.
Pinchoff 현상은 FET 채널이 드레인 쪽에서 좁아져 막히는 현상으로, BJT 의 베이스 폭 변조와는 다른 기구다.
Breakdown 현상은 큰 역전압에서 전류가 급증하는 대신호 현상으로, 활성 영역의 선형 소신호 저항인 $r_o$ 로 나타내지 않는다.