MOSFET와 BJT의 최상의 특성만을 결합시킨 형태의 반도체소자는? | [전자기사 필기] 17년 3회차 기출문제 상세 페이지

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)는 MOSFET의 게이트 제어 특성과 BJT의 낮은 온 전압 특성을 결합한 소자다.
MOSFET은 높은 입력 임피던스와 간단한 게이트 제어를 제공하지만 온 전압이 높고, BJT는 낮은 포화 전압으로 전력 손실이 작지만 베이스 전류 제어가 필요하다. IGBT는 이 두 장점을 통합해 MOS 구조의 게이트로 제어하면서도 BJT 수준의 낮은 온 전압을 달성하므로 고전력 스위칭 응용에 적합하다.
SCR, TRIAC, GTO는 모두 서로 다른 특성의 전력 반도체소자로 두 소자의 특성 결합체가 아니다.